JPH0443514A - セラミックス超電導々体の製造方法 - Google Patents
セラミックス超電導々体の製造方法Info
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- JPH0443514A JPH0443514A JP2149081A JP14908190A JPH0443514A JP H0443514 A JPH0443514 A JP H0443514A JP 2149081 A JP2149081 A JP 2149081A JP 14908190 A JP14908190 A JP 14908190A JP H0443514 A JPH0443514 A JP H0443514A
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- Japan
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- extrusion
- composite material
- ceramic superconductor
- hot isostatic
- superconductor
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ケーブル、マグネット、電流リード等の導体
として好適なセラミックス超電導々体の製造方法に関す
る。
として好適なセラミックス超電導々体の製造方法に関す
る。
近年、液体窒素温度で超電導を示すY−Ba−Cu−0
系、B1−3r−Ca−Cu−0系、T1−Ba−Ca
−Cu−0系等のセラミックス超れている。
系、B1−3r−Ca−Cu−0系、T1−Ba−Ca
−Cu−0系等のセラミックス超れている。
ところでこれらのセラミックス超電導体は脆い為、これ
を線材等に加工するには一般に金属シース法が応用され
でいる。この金属シース法とは例えば加工性に冨んだA
gやCu等の金属製容器にセラミックス超電導体となし
得る原料物質を充填して複合素材となし、或いは上記原
料物質の仮焼成粉を加熱熔融しこれを金属の中空ビレッ
ト内に鋳込んで複合素材となし、次いでこれらの複合素
材を通常のラム押出、圧延、スェージャ−1引抜き等の
伸延加工法により円形、多角形、テープ状等の所望形状
の線材となしたのち、この線材に所定の加熱処理を施し
て上記原料物質を超電導体に反応せしめる方法が用いら
れている。
を線材等に加工するには一般に金属シース法が応用され
でいる。この金属シース法とは例えば加工性に冨んだA
gやCu等の金属製容器にセラミックス超電導体となし
得る原料物質を充填して複合素材となし、或いは上記原
料物質の仮焼成粉を加熱熔融しこれを金属の中空ビレッ
ト内に鋳込んで複合素材となし、次いでこれらの複合素
材を通常のラム押出、圧延、スェージャ−1引抜き等の
伸延加工法により円形、多角形、テープ状等の所望形状
の線材となしたのち、この線材に所定の加熱処理を施し
て上記原料物質を超電導体に反応せしめる方法が用いら
れている。
(発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、前記の如くして製造されるセラミックス
超電導々体は、内部のセラミックス超電導体層の密度が
低くこの為臨界電流密度(Jc)は精々30000A/
cd程度が限度であった。
超電導々体は、内部のセラミックス超電導体層の密度が
低くこの為臨界電流密度(Jc)は精々30000A/
cd程度が限度であった。
本発明はかかる状況に鑑み鋭意研究の結果なされたもの
で、その目的とするところは従来以上の超電導特性を持
ったセラミックス超電導々体を製造し得る方法を提供す
ることにある。
で、その目的とするところは従来以上の超電導特性を持
ったセラミックス超電導々体を製造し得る方法を提供す
ることにある。
即ち、本発明は、セラミックス超電導体となし得る原料
物質を金属製容器に充填して複合素材となし、次いでこ
の複合素材を伸延加工して所望形状の線材となしたのち
、得られた線材に所定の加熱処理を施すセラミックス超
電導々体の製造方法において、前記伸延加工工程中に熱
間静水圧押出加工を含めることを特徴とするものである
。
物質を金属製容器に充填して複合素材となし、次いでこ
の複合素材を伸延加工して所望形状の線材となしたのち
、得られた線材に所定の加熱処理を施すセラミックス超
電導々体の製造方法において、前記伸延加工工程中に熱
間静水圧押出加工を含めることを特徴とするものである
。
本発明は、金属製容器にセラミックス超電導体となし得
る原料物質を充填した複合素材を伸延加工するに際し、
均一に強加工し得る熱間静水圧押出加工法を適用して内
部のセラミックス超電導体層の密度を高めるようにした
ものである。
る原料物質を充填した複合素材を伸延加工するに際し、
均一に強加工し得る熱間静水圧押出加工法を適用して内
部のセラミックス超電導体層の密度を高めるようにした
ものである。
本発明方法において、伸延加工工程を熱間静水圧押出加
工法のみによって行ってもよいが、熱間静水圧押出加工
法に圧延、スェージング、引抜き等の加工法を併用して
も差支えない。併用するに当たっては、最初に熱間静水
圧押出加工法を施すようにすると内部のセラミックス超
電導体層を終始均一な厚さで加工することができて好ま
しい。
工法のみによって行ってもよいが、熱間静水圧押出加工
法に圧延、スェージング、引抜き等の加工法を併用して
も差支えない。併用するに当たっては、最初に熱間静水
圧押出加工法を施すようにすると内部のセラミックス超
電導体層を終始均一な厚さで加工することができて好ま
しい。
以下に本発明方法にて用いる熱間静水圧押出加工法を図
を参照して具体的に説明する。
を参照して具体的に説明する。
第1図は熱間静水圧押出加工法の態様例を示す縦断面説
明図である。図においてlは液圧媒体、2はコンテナで
ある。
明図である。図においてlは液圧媒体、2はコンテナで
ある。
始めに金属と原料物質との複合素材を作製する。
原料物質としてはセラミックス超電導体の構成元素を含
む酸化物、炭酸塩等の一次原料粉を所望の組成となるよ
うに配合し混合してこれを仮焼成して仮焼成粉となし、
この仮焼成粉をそのまま、又はCIP成形し、又は焼結
し、又は溶融したもの等、セラミックス超を導体に合成
されるまでの中間体、例えばセラミックス超電導体構成
元素の混合体又は共沈混合物又は酸素欠損型複合酸化物
又は上記構成元素の合金等が使用可能で、これらを金属
製容器内に充填或いは鋳込んで複合素材となす、この複
合素材の形状は特に限定されるものではなく、断面が円
形の他、四角形、多角形等にしてもよい。
む酸化物、炭酸塩等の一次原料粉を所望の組成となるよ
うに配合し混合してこれを仮焼成して仮焼成粉となし、
この仮焼成粉をそのまま、又はCIP成形し、又は焼結
し、又は溶融したもの等、セラミックス超を導体に合成
されるまでの中間体、例えばセラミックス超電導体構成
元素の混合体又は共沈混合物又は酸素欠損型複合酸化物
又は上記構成元素の合金等が使用可能で、これらを金属
製容器内に充填或いは鋳込んで複合素材となす、この複
合素材の形状は特に限定されるものではなく、断面が円
形の他、四角形、多角形等にしてもよい。
次に斯くの如くして作製した複合素材を、コンテナ2内
に上記複合素材3の先端をダイス4に通した状態でセッ
トし、次いでコンテナ2内に液圧媒体lを充満させたの
ち、このコンテナ2全体をヒーター5により所定温度に
加熱し、次いでプランツヤ−6を降下させて液圧媒体l
の圧力を高めて、複合素材3をダイス4から連続的に押
出すものである。
に上記複合素材3の先端をダイス4に通した状態でセッ
トし、次いでコンテナ2内に液圧媒体lを充満させたの
ち、このコンテナ2全体をヒーター5により所定温度に
加熱し、次いでプランツヤ−6を降下させて液圧媒体l
の圧力を高めて、複合素材3をダイス4から連続的に押
出すものである。
上記において、ヒーターを用いず、複合素材を別に加熱
しておいて、これをコンテナ内にセットし、直ちに押出
す方法によっても押出可能で、これにより生産性の向上
が計れる。
しておいて、これをコンテナ内にセットし、直ちに押出
す方法によっても押出可能で、これにより生産性の向上
が計れる。
本発明方法にて用いる熱間静水圧押出加工法では、被押
出材の複合素材には液圧媒体によって等方的に圧力がか
かるので、押出圧力が均一に作用し、その結果加工率(
押出比)が高くとれ、押出加工された線材内部の原料物
質層は高密度なものとなる。又熱間静水圧押出加工法に
よれば、押出しの際、複合素材の表面には液圧媒体の薄
い膜が形成されるので、これが潤滑剤の役割を果たし、
ダイスとの焼付きがなくなり、その結果複合素材の表面
品質及び断面形状が良好なものになるとともに、ダイス
寿命も長くなる。更に加工率が大きくとれるので、工程
の短縮及び作業性の改善が計れる。
出材の複合素材には液圧媒体によって等方的に圧力がか
かるので、押出圧力が均一に作用し、その結果加工率(
押出比)が高くとれ、押出加工された線材内部の原料物
質層は高密度なものとなる。又熱間静水圧押出加工法に
よれば、押出しの際、複合素材の表面には液圧媒体の薄
い膜が形成されるので、これが潤滑剤の役割を果たし、
ダイスとの焼付きがなくなり、その結果複合素材の表面
品質及び断面形状が良好なものになるとともに、ダイス
寿命も長くなる。更に加工率が大きくとれるので、工程
の短縮及び作業性の改善が計れる。
本発明方法において、熱間静水圧押出加工での押出温度
は、複合素材の温度が100°C未満ではセラミックス
超電導体層を十分に高密度化できない為、100°C以
上、好ましくは200°C以上とし、又健全な押出し、
更にはコンテナ、ダイス、プランツヤ−等の工具が熱的
に使用困難になる等の観点から、金属製容器に用いた金
属の融点以下(好ましくは800°C以下)とし、又押
出比もセラミックス超電導体層を十分高密度化する為に
5以上とするのが好ましい。
は、複合素材の温度が100°C未満ではセラミックス
超電導体層を十分に高密度化できない為、100°C以
上、好ましくは200°C以上とし、又健全な押出し、
更にはコンテナ、ダイス、プランツヤ−等の工具が熱的
に使用困難になる等の観点から、金属製容器に用いた金
属の融点以下(好ましくは800°C以下)とし、又押
出比もセラミックス超電導体層を十分高密度化する為に
5以上とするのが好ましい。
父上記原料物質を充填する金属製容器の材料には、Ag
、Au、Cu、I r、Pd、PL又はその合金等が用
いられるが、中でもAg又はAg合金は酸素透過性が良
好なので、加熱処理工程においてセラミックス超電導体
への酸素の供給が十分になされ、依って高いJcをもつ
超電導体が得られる上、熱伝導性も高いので得られる超
電導々体は耐クエンチ性に優れ、通電量をより高めるこ
とができて好適である。
、Au、Cu、I r、Pd、PL又はその合金等が用
いられるが、中でもAg又はAg合金は酸素透過性が良
好なので、加熱処理工程においてセラミックス超電導体
への酸素の供給が十分になされ、依って高いJcをもつ
超電導体が得られる上、熱伝導性も高いので得られる超
電導々体は耐クエンチ性に優れ、通電量をより高めるこ
とができて好適である。
本発明方法においては、セラミックス超電導体となし得
る原料物質を金属製容器に充填した複合素材を伸延加工
するに当たって、伸延加工工程中に均一に強加工し得る
熱間静水圧押出加工を含めたので、得られるセラミック
ス超電導々体は内部のセラミックス超電導体層が高密度
なものとなり、依って、Jcが高い値のものとなる。
る原料物質を金属製容器に充填した複合素材を伸延加工
するに当たって、伸延加工工程中に均一に強加工し得る
熱間静水圧押出加工を含めたので、得られるセラミック
ス超電導々体は内部のセラミックス超電導体層が高密度
なものとなり、依って、Jcが高い値のものとなる。
〔実施例]
以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例1
出発原料として、B L 03.S r COi、Ca
CO3,Cu Oを用い、これをB::Sr:Ca:
CUが原子比で2:2:1:2になるように配合して混
合し、次いでこの混合体を大気中にて800”c x
20 H仮焼成し、これを粉砕分級して仮焼成粉となし
、しかるのちこの仮焼成粉を外径25国内径20am、
長さ100mmのAg製パイプ状容器にタップ充填し、
両端を真空封止して複合素材となした。しかるのち、こ
の複合素材を第1図に例示した熱間静水圧押出法により
種々条件にて線材に加工し、次いで得られた線材を圧延
して0.1mm厚さのテープ材となし、次にこのテープ
材に大気中で850℃×50H加熱処理を施してテープ
状セラミックス超電導々体を製造した。
CO3,Cu Oを用い、これをB::Sr:Ca:
CUが原子比で2:2:1:2になるように配合して混
合し、次いでこの混合体を大気中にて800”c x
20 H仮焼成し、これを粉砕分級して仮焼成粉となし
、しかるのちこの仮焼成粉を外径25国内径20am、
長さ100mmのAg製パイプ状容器にタップ充填し、
両端を真空封止して複合素材となした。しかるのち、こ
の複合素材を第1図に例示した熱間静水圧押出法により
種々条件にて線材に加工し、次いで得られた線材を圧延
して0.1mm厚さのテープ材となし、次にこのテープ
材に大気中で850℃×50H加熱処理を施してテープ
状セラミックス超電導々体を製造した。
実施例2
実施例1において得た仮焼成粉を、予め4000気圧の
圧力をかけて20mnφの棒材にCIP成形し、この成
形体をAg製容器に充填した他は、実施例1と同じ方法
によりテープ状セラミンクス超電導々体を製造した。
圧力をかけて20mnφの棒材にCIP成形し、この成
形体をAg製容器に充填した他は、実施例1と同じ方法
によりテープ状セラミンクス超電導々体を製造した。
実施例3
実施例1において得た仮焼成粉を、外径6肛。
内径4IIII11.長さ50mmのAg製容器に充填
し、これを熱間静水圧押出法にて外径11!ll11の
線材となし、この線材を圧延せずにそのまま加熱処理し
た他は、実施例1と同し方法により線状セラミックス超
電導々体を製造した。
し、これを熱間静水圧押出法にて外径11!ll11の
線材となし、この線材を圧延せずにそのまま加熱処理し
た他は、実施例1と同し方法により線状セラミックス超
電導々体を製造した。
比較例1
実施例1にて作製した複合素材を通常の熱間押出法によ
り、押出温度及び押出比をそれぞれ80”C,5,0(
比較例1−14)、80°C,9,8(比較例1−15
)、500℃、2.7(比較例1−16)に設定して種
々径の線材に加工し、この線材を実施例1と同し方法に
より圧延及び加熱処理してテプ状セラミックス超電導々
体を製造した。
り、押出温度及び押出比をそれぞれ80”C,5,0(
比較例1−14)、80°C,9,8(比較例1−15
)、500℃、2.7(比較例1−16)に設定して種
々径の線材に加工し、この線材を実施例1と同し方法に
より圧延及び加熱処理してテプ状セラミックス超電導々
体を製造した。
斯くの如くして実施例1〜3及び比較例1にて製造した
各々のセラミックス超電導々体について、液体窒素(7
7K)中、零磁場下でJcを測定した。結果は第1表に
熱間静水圧押出条件及び押出径等を併記して示した。
各々のセラミックス超電導々体について、液体窒素(7
7K)中、零磁場下でJcを測定した。結果は第1表に
熱間静水圧押出条件及び押出径等を併記して示した。
*比較方法品
第1表
第1表より明らかなように、本発明方法品(Ni11〜
13)は、いずれもJcが高い値のものとなった。これ
は複合素材の内部のセラミックス超電導体層が熱間静水
圧押出法により、高密度に加工された為である。
13)は、いずれもJcが高い値のものとなった。これ
は複合素材の内部のセラミックス超電導体層が熱間静水
圧押出法により、高密度に加工された為である。
尚、熱間静水圧押出条件については、押出比は高い程、
又押出温度はs o o ’cをピークにして向上する
傾向が認められた。押出温度が800℃を超えるとJc
が低下したのは、複合素材の外層のAg製容器がダイス
通過時に部分溶融して圧力が低下し内部のセラミックス
超電導体層の密度向上が十分計れなかった為である。又
原料物質は予めCIP成形して充填したものの方が、粉
末のまま充填したものよりJcが全般に向上することが
認められた6又伸延加工を熱間静水圧押出だけで行った
もの(Nα13)も圧延加工を併用したもの(N[]1
〜7)と同程度の高いJcを示した。
又押出温度はs o o ’cをピークにして向上する
傾向が認められた。押出温度が800℃を超えるとJc
が低下したのは、複合素材の外層のAg製容器がダイス
通過時に部分溶融して圧力が低下し内部のセラミックス
超電導体層の密度向上が十分計れなかった為である。又
原料物質は予めCIP成形して充填したものの方が、粉
末のまま充填したものよりJcが全般に向上することが
認められた6又伸延加工を熱間静水圧押出だけで行った
もの(Nα13)も圧延加工を併用したもの(N[]1
〜7)と同程度の高いJcを示した。
これに対し、比較方法品(No、 14〜16)はJc
が低い値のものとなった。これは伸延加工を通常の熱間
押出と圧延により行った為、内部のセラミックス超電導
体層の密度が向上しなかった事による。
が低い値のものとなった。これは伸延加工を通常の熱間
押出と圧延により行った為、内部のセラミックス超電導
体層の密度が向上しなかった事による。
以上述べたように本発明方法によれば、Jc等の超電導
特性に優れたセラミックス超電導々体を容易に製造する
ことができ、工業上顕著な効果を奏する。
特性に優れたセラミックス超電導々体を容易に製造する
ことができ、工業上顕著な効果を奏する。
第1図は、本発明にて用いる熱間静水圧押出法の態様例
を示す縦断面図である。
を示す縦断面図である。
Claims (1)
- セラミックス超電導体となし得る原料物質を金属製容
器に充填して複合素材となし、次いでこの複合素材を伸
延加工して所望形状の線材となしたのち、得られた線材
に所定の加熱処理を施すセラミックス超電導々体の製造
方法において、前記伸延加工工程中に熱間静水圧押出加
工を含めることを特徴とするセラミックス超電導々体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149081A JPH0443514A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | セラミックス超電導々体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149081A JPH0443514A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | セラミックス超電導々体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443514A true JPH0443514A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15467282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2149081A Pending JPH0443514A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | セラミックス超電導々体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0443514A (ja) |
-
1990
- 1990-06-07 JP JP2149081A patent/JPH0443514A/ja active Pending
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