JPH0443529A - 蛍光面形成方法 - Google Patents
蛍光面形成方法Info
- Publication number
- JPH0443529A JPH0443529A JP2150624A JP15062490A JPH0443529A JP H0443529 A JPH0443529 A JP H0443529A JP 2150624 A JP2150624 A JP 2150624A JP 15062490 A JP15062490 A JP 15062490A JP H0443529 A JPH0443529 A JP H0443529A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- electrode
- forming
- strip
- substrate
- Prior art date
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- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
投4立互
本発明は、蛍光体ドツトアレイ管の蛍光面形成方法関し
1例えば、蛍光表示管、バーコード表示管、光プリンタ
の光書き込みデバイス、フラットデイスプレィバネなど
に適用されるものである。
1例えば、蛍光表示管、バーコード表示管、光プリンタ
の光書き込みデバイス、フラットデイスプレィバネなど
に適用されるものである。
灸米丘生
蛍光体ドツトアレイ管は、一方向に一列又は複数列に配
列形成された多数の短冊状の陽極電極(セグメント電極
)に蛍光面を形成して、これを熱陰極とともに真空容器
中に封入し、熱陰極から熱電子を発生させる一方、短冊
状の陽極電極に選択的に正電圧を印加して1選択された
短冊状の陽極電極に熱電子を引き付け、この熱電子が蛍
光面に衝突する際に発する蛍光により表示等を行うもの
であり、蛍光表示管、バーコー・ド表示管、光プリンタ
の光書き込み部、あるいはフラットデイスプレィパネル
等に応用されている。
列形成された多数の短冊状の陽極電極(セグメント電極
)に蛍光面を形成して、これを熱陰極とともに真空容器
中に封入し、熱陰極から熱電子を発生させる一方、短冊
状の陽極電極に選択的に正電圧を印加して1選択された
短冊状の陽極電極に熱電子を引き付け、この熱電子が蛍
光面に衝突する際に発する蛍光により表示等を行うもの
であり、蛍光表示管、バーコー・ド表示管、光プリンタ
の光書き込み部、あるいはフラットデイスプレィパネル
等に応用されている。
第3図(a)、(b)は、蛍光体ドツトアレイ管の従来
例を示す構成図で、図(a)は全体斜視図、図(b)は
図(a)の■−■線断面図である。図中、21はガラス
基板、22はアルミ陽極電極、23は蛍光体(発光体)
セグメント。
例を示す構成図で、図(a)は全体斜視図、図(b)は
図(a)の■−■線断面図である。図中、21はガラス
基板、22はアルミ陽極電極、23は蛍光体(発光体)
セグメント。
24a、24bは絶縁体層、25a、25bは制御(グ
リッド)電極、26は陰極電極、27は高真空室(10
、torr以下)、28はフェースガラスである。ガラ
ス基板21には、一連の蛍光体セグメント23が該ガラ
ス基板21の長手方向に列設されていて、この蛍光体セ
グメント23にはその個々に蛍光面とアルミ陽極電極2
2が形成されている。前記ガラス基板21の蛍光面の配
列の両側には、絶縁体層24a、24bがガラス基板2
1の長手方向に沿って形成され、該絶縁体層24a、2
4bは、制御電極25a、25bがそれぞれ形成されて
いる。ガラス基板21の長手方向に陰極電極26が張り
渡され、表面に電子放射性物質を塗布されている。また
、ガラス等からなる透明な材料で形成されたフェースガ
ラス28は。
リッド)電極、26は陰極電極、27は高真空室(10
、torr以下)、28はフェースガラスである。ガラ
ス基板21には、一連の蛍光体セグメント23が該ガラ
ス基板21の長手方向に列設されていて、この蛍光体セ
グメント23にはその個々に蛍光面とアルミ陽極電極2
2が形成されている。前記ガラス基板21の蛍光面の配
列の両側には、絶縁体層24a、24bがガラス基板2
1の長手方向に沿って形成され、該絶縁体層24a、2
4bは、制御電極25a、25bがそれぞれ形成されて
いる。ガラス基板21の長手方向に陰極電極26が張り
渡され、表面に電子放射性物質を塗布されている。また
、ガラス等からなる透明な材料で形成されたフェースガ
ラス28は。
ガラス基板21側と一体化される。このようにガラス基
板21と絶縁体層24 a、24bと制御電極25a、
25bとフェースガラス28とにより閉空間を形成し、
該空間内には、蛍光体セグメント23と陰極電極26が
閉じ込められている。上記閉空間は高度に真空化されて
いる。
板21と絶縁体層24 a、24bと制御電極25a、
25bとフェースガラス28とにより閉空間を形成し、
該空間内には、蛍光体セグメント23と陰極電極26が
閉じ込められている。上記閉空間は高度に真空化されて
いる。
制御電極25a、25bに適宜の電圧を印加しておいて
、陰極電極26に交流電流を通ずると、該陰極電極26
は、ジュール熱によって加熱されて熱電子を放出する。
、陰極電極26に交流電流を通ずると、該陰極電極26
は、ジュール熱によって加熱されて熱電子を放出する。
かかる状態において、蛍光体セグメント23の−っに正
電圧を印加してこれを正電位にすると、上記熱電子は正
電位の蛍光体セグメント23の電極部に引き寄せられ、
該電極部に吸い込まれるとき蛍光面の蛍光物質のエネル
ギー状態を励起させる。励起した蛍光物質は、基底状態
へ戻る際に蛍光を発する。この蛍光はフェースガラス2
8を介して観察される。
電圧を印加してこれを正電位にすると、上記熱電子は正
電位の蛍光体セグメント23の電極部に引き寄せられ、
該電極部に吸い込まれるとき蛍光面の蛍光物質のエネル
ギー状態を励起させる。励起した蛍光物質は、基底状態
へ戻る際に蛍光を発する。この蛍光はフェースガラス2
8を介して観察される。
ところで、上述したような構成の蛍光体ドツトアレイ管
においては、短冊状の陽極電極に蛍光面を形成する際に
、その蛍光面のサイズを正確に制御する必要があり、ま
た、輝度の経時劣化が少ない蛍光面を形成することが必
要とされる。このため、例えば特開昭62−15453
0公報には以下に説明するような蛍光面形成方法が提案
されている。
においては、短冊状の陽極電極に蛍光面を形成する際に
、その蛍光面のサイズを正確に制御する必要があり、ま
た、輝度の経時劣化が少ない蛍光面を形成することが必
要とされる。このため、例えば特開昭62−15453
0公報には以下に説明するような蛍光面形成方法が提案
されている。
第4図は、蛍光体ドツトアレイ管の蛍光面形成方法の従
来例を示す図で、この方法は一般に前述したりフトオフ
法と呼ばれている。図中、51は基板、52は陽極電極
、53は絶縁層、54はレジスト層、55.56はマス
ク、57は蛍光体ドツトである。まず、電極形成工程に
おいて、基板51上に陽極電極52を形成し、次の絶縁
層形成工程で絶縁層53が形成される。次のフォトレジ
スト層形成工程において、まず、(a)の工程でフォト
レジストで基板51を被覆してレジスト層S4を形成し
た後に、(b)、(C)の工程で蛍光体の付着する部分
をマスク55.56を用いて現像露光で除去する。(d
)の蛍光面形成工程において、電着などの方法により上
記露出した電極部に蛍光体を付着させ、フォトレジスト
層除去工程において、最後に残ったレジスト層を焼成な
どの方法により除去して蛍光体ドシト57を形成するも
のである。
来例を示す図で、この方法は一般に前述したりフトオフ
法と呼ばれている。図中、51は基板、52は陽極電極
、53は絶縁層、54はレジスト層、55.56はマス
ク、57は蛍光体ドツトである。まず、電極形成工程に
おいて、基板51上に陽極電極52を形成し、次の絶縁
層形成工程で絶縁層53が形成される。次のフォトレジ
スト層形成工程において、まず、(a)の工程でフォト
レジストで基板51を被覆してレジスト層S4を形成し
た後に、(b)、(C)の工程で蛍光体の付着する部分
をマスク55.56を用いて現像露光で除去する。(d
)の蛍光面形成工程において、電着などの方法により上
記露出した電極部に蛍光体を付着させ、フォトレジスト
層除去工程において、最後に残ったレジスト層を焼成な
どの方法により除去して蛍光体ドシト57を形成するも
のである。
第5図(a)、(b)は、実際に蛍光体を付着させる方
法の一例を示す図で、一般には電気泳動法(電着)と呼
ばれている。図中、60は撹拌翼(回転翼)、61は基
板、62は陽極電極、63は絶縁層、64はレジスト層
、65は対向電極、66は電源、67はモータ、68は
分散媒体(蛍光体、IPA;イソプロピルアルコールな
ど)である。蛍光体を含む分散媒体(溶媒としてはIP
Aを用いる)を撹拌翼により撹拌し、対向電極とセグメ
ント電極との間に電界をかけることにより蛍光体を前述
した所望の場所に付着させる。フォトレジストは精度上
の問題によりポジタイプを用いる(例えば、東京応化社
製の0FPR800など)、ポジタイプのフォトレジス
トは、通常電着時ニ分散媒体として用いるIPAなとの
有機溶媒に溶解してしまうので、溶解しないように紫外
線などを照射してハードニングを行ない蛍光体を付着さ
せた後、焼成などによりレジスト層を除去する。
法の一例を示す図で、一般には電気泳動法(電着)と呼
ばれている。図中、60は撹拌翼(回転翼)、61は基
板、62は陽極電極、63は絶縁層、64はレジスト層
、65は対向電極、66は電源、67はモータ、68は
分散媒体(蛍光体、IPA;イソプロピルアルコールな
ど)である。蛍光体を含む分散媒体(溶媒としてはIP
Aを用いる)を撹拌翼により撹拌し、対向電極とセグメ
ント電極との間に電界をかけることにより蛍光体を前述
した所望の場所に付着させる。フォトレジストは精度上
の問題によりポジタイプを用いる(例えば、東京応化社
製の0FPR800など)、ポジタイプのフォトレジス
トは、通常電着時ニ分散媒体として用いるIPAなとの
有機溶媒に溶解してしまうので、溶解しないように紫外
線などを照射してハードニングを行ない蛍光体を付着さ
せた後、焼成などによりレジスト層を除去する。
このレジスト除去の際、付着している蛍光体がその雰囲
気により蛍光体自身の発光効率や発光寿命を低下させら
れてしまうなどの影響がある。また、基板の長手方向に
わたって均一に十分なレジストのハードニングが行なわ
れなかった場合、電着時にレジストが溶解して適切な蛍
光体ドツトが形成できなかったり、電着液を汚染したり
、また逆に、部分的に過剰なハードニングがされた場合
、通常の焼成条件ではレジストが除去できずに基板上に
残ってしまい、管球化後の輝度や寿命などの特性に悪影
響することが考えられる。
気により蛍光体自身の発光効率や発光寿命を低下させら
れてしまうなどの影響がある。また、基板の長手方向に
わたって均一に十分なレジストのハードニングが行なわ
れなかった場合、電着時にレジストが溶解して適切な蛍
光体ドツトが形成できなかったり、電着液を汚染したり
、また逆に、部分的に過剰なハードニングがされた場合
、通常の焼成条件ではレジストが除去できずに基板上に
残ってしまい、管球化後の輝度や寿命などの特性に悪影
響することが考えられる。
そこで、レジストによる蛍光体ドラトノ(ターンではな
く、全工程にわたって蛍光体自身に影響せず、かつ管球
化後の諸特性にもまったく影響しないような蛍光面形成
方法については先に提案されている。この提案された蛍
光面形成方法は、絶縁膜を形成してからフォトレジスト
を用いた通常のフォトリソグラフィーとエツチングとに
より、蛍光体が付着する電極面を露出させてから蛍光体
を付着させて蛍光面を形成する方法である。しかしなが
ら、先に形成した絶縁膜をフォトリソグラフィー及びエ
ツチングにより蛍光体の付着する電極面を露出させてい
るので、エツチングの条件を最適に設定して保持及び管
理しなければ、例えば、電極としてA1をもちいる場合
、オーバーエツチングによる断線などが発生したり、エ
ツチング不足による絶縁膜残渣が起きたりするので、蛍
光体を電気泳動法等によって基板の長手方向に渡って完
全に付着させることができなくなってしまう。
く、全工程にわたって蛍光体自身に影響せず、かつ管球
化後の諸特性にもまったく影響しないような蛍光面形成
方法については先に提案されている。この提案された蛍
光面形成方法は、絶縁膜を形成してからフォトレジスト
を用いた通常のフォトリソグラフィーとエツチングとに
より、蛍光体が付着する電極面を露出させてから蛍光体
を付着させて蛍光面を形成する方法である。しかしなが
ら、先に形成した絶縁膜をフォトリソグラフィー及びエ
ツチングにより蛍光体の付着する電極面を露出させてい
るので、エツチングの条件を最適に設定して保持及び管
理しなければ、例えば、電極としてA1をもちいる場合
、オーバーエツチングによる断線などが発生したり、エ
ツチング不足による絶縁膜残渣が起きたりするので、蛍
光体を電気泳動法等によって基板の長手方向に渡って完
全に付着させることができなくなってしまう。
また、信頼性の観点から従来より蛍光表示管に用いられ
ている絶縁層はAIなどの短冊状の陽極電極を直接覆う
ようにスクリーン印刷などの方法により形成されている
が、この絶縁層は酸化鉛を主成分とする硼硅酸鉛ガラス
で構成されているため腐食性が高く、短冊状の陽極電極
であるAlを劣化させてしまう。スクリーン印刷で塗布
された後、大気中550℃〜600℃の条件で焼成する
際や高湿な雰囲気による水の付着によりAl電極が腐食
されてしまい、腐食はAl薄膜と絶縁層との界面で生じ
ることにより、電気伝導度が著しく低下してしまうとい
う問題が生じる。
ている絶縁層はAIなどの短冊状の陽極電極を直接覆う
ようにスクリーン印刷などの方法により形成されている
が、この絶縁層は酸化鉛を主成分とする硼硅酸鉛ガラス
で構成されているため腐食性が高く、短冊状の陽極電極
であるAlを劣化させてしまう。スクリーン印刷で塗布
された後、大気中550℃〜600℃の条件で焼成する
際や高湿な雰囲気による水の付着によりAl電極が腐食
されてしまい、腐食はAl薄膜と絶縁層との界面で生じ
ることにより、電気伝導度が著しく低下してしまうとい
う問題が生じる。
且−一部
本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、
レジストによる蛍光体ドラトノ(ターンではなく、全工
程にわたって蛍光体自身に影響せず、かつ管球化後の諸
特性にもまったく影響しなしλように構成すること、ま
た、腐食しやすいA1薄膜などの金属配線と絶縁層との
間に絶縁で不純物の含まれていない層を設けて、絶縁層
との界面に生じる腐食を発生させないように構成された
蛍光面形成方法を提供することを目的としてなされたも
のである。
レジストによる蛍光体ドラトノ(ターンではなく、全工
程にわたって蛍光体自身に影響せず、かつ管球化後の諸
特性にもまったく影響しなしλように構成すること、ま
た、腐食しやすいA1薄膜などの金属配線と絶縁層との
間に絶縁で不純物の含まれていない層を設けて、絶縁層
との界面に生じる腐食を発生させないように構成された
蛍光面形成方法を提供することを目的としてなされたも
のである。
璽−一」又
本発明は、上記目的を達成するために、基板上に導電性
材料力1らなる短冊状の陽極電極を少なくとも一列設け
る電極形成工程と、前記短冊状の陽極電極を含む前記基
板表面をフォトレジスト層で被覆した後、前記短冊状の
陽極電極列上で蛍光体が付着しない電極部のフォトレジ
スト層を除去して蛍光体が付着する電極部をフォトレジ
スト層で被覆させるフォトレジスト層形成工程と、前記
フォトレジスト層が形成された前記短冊状の陽極電極列
を絶縁性を有する膜で被覆する絶縁膜形成工程と、前記
蛍光体が付着する電極部を覆っているフォトレジスト層
を除去して蛍光体が付着する電極部を露出させるフォト
レジスト層除去工程と、前記短冊状の陽極電極を含む前
記基板表面に、該短冊状の陽極電極の配列方向に沿って
前記短冊状の陽極電極の一部を露出させる絶縁層を形成
してセグメント電極列を形成する絶縁層形成工程と、前
記蛍光体が付着すべき電極部分の一つ一つに蛍光体を付
着させて蛍光面を形成する蛍光面形成工程とにより、蛍
光体ドツトアレイを形成するようにしたことを特徴とし
たものである。以下、本発明の実施例に基づいて説明す
る。
材料力1らなる短冊状の陽極電極を少なくとも一列設け
る電極形成工程と、前記短冊状の陽極電極を含む前記基
板表面をフォトレジスト層で被覆した後、前記短冊状の
陽極電極列上で蛍光体が付着しない電極部のフォトレジ
スト層を除去して蛍光体が付着する電極部をフォトレジ
スト層で被覆させるフォトレジスト層形成工程と、前記
フォトレジスト層が形成された前記短冊状の陽極電極列
を絶縁性を有する膜で被覆する絶縁膜形成工程と、前記
蛍光体が付着する電極部を覆っているフォトレジスト層
を除去して蛍光体が付着する電極部を露出させるフォト
レジスト層除去工程と、前記短冊状の陽極電極を含む前
記基板表面に、該短冊状の陽極電極の配列方向に沿って
前記短冊状の陽極電極の一部を露出させる絶縁層を形成
してセグメント電極列を形成する絶縁層形成工程と、前
記蛍光体が付着すべき電極部分の一つ一つに蛍光体を付
着させて蛍光面を形成する蛍光面形成工程とにより、蛍
光体ドツトアレイを形成するようにしたことを特徴とし
たものである。以下、本発明の実施例に基づいて説明す
る。
第1図及び第2図は、本発明による蛍光体ドツトアレイ
管の蛍光面形成方法の一実施例を説明するための工程図
で、図中、1は基板、2は短冊状のアルミ(A1)陽極
電極、3は絶縁層、4はフォトレジスト、5はマスクの
透過部、6はマスクの遮断部、7は蛍光体ドツト、】3
は絶縁膜である。
管の蛍光面形成方法の一実施例を説明するための工程図
で、図中、1は基板、2は短冊状のアルミ(A1)陽極
電極、3は絶縁層、4はフォトレジスト、5はマスクの
透過部、6はマスクの遮断部、7は蛍光体ドツト、】3
は絶縁膜である。
以下、蛍光面形成工程に従って順に説明する。
図(、)の工程;電極形成工程においては、まずA1な
どの導電性材料をスパッタなどの方法により基板1上に
形成させ、通常のフォトリソグラフィ工程により短冊状
のA1配線パターンの陽極電極2を形成する。
どの導電性材料をスパッタなどの方法により基板1上に
形成させ、通常のフォトリソグラフィ工程により短冊状
のA1配線パターンの陽極電極2を形成する。
図(b)〜(d)の工程;次に、フォトレジスト4を短
冊状のA1配線パターンの陽極電極2が形成された基板
上にスピンナーなどの方法により塗布し、蛍光体が付着
する部分にのみレジスト4を残すようなマスク5,6を
用いてレジストのパターニングを行なう。
冊状のA1配線パターンの陽極電極2が形成された基板
上にスピンナーなどの方法により塗布し、蛍光体が付着
する部分にのみレジスト4を残すようなマスク5,6を
用いてレジストのパターニングを行なう。
図(e)の工程;フォトレジストはポジ型でもネガ型で
もよい。その膜厚は後工程のことを考えれば、パターニ
ング精度を損なわない範囲で、できるだけ厚いほうがよ
い。最低でも1μm程度は必要である。基板1上の水分
を十分に除去した後に絶縁膜13を形成する。絶縁膜1
3としては、例えば5in2膜などがあり、5in2被
膜形成用塗布液を用いる。プラズマCVDによる製膜も
考えられるが、高温における長時間処理になるのでフォ
トレジストの耐久性に問題がある。
もよい。その膜厚は後工程のことを考えれば、パターニ
ング精度を損なわない範囲で、できるだけ厚いほうがよ
い。最低でも1μm程度は必要である。基板1上の水分
を十分に除去した後に絶縁膜13を形成する。絶縁膜1
3としては、例えば5in2膜などがあり、5in2被
膜形成用塗布液を用いる。プラズマCVDによる製膜も
考えられるが、高温における長時間処理になるのでフォ
トレジストの耐久性に問題がある。
S i O,被膜形成用塗布液としては、例えば東京応
化社製の5in2被膜形成用塗布液(OCD)などがあ
る。塗布はスピンナーで行ない、回転数とその粘度によ
って膜厚が決ってくるが、後の管球化のことを考慮する
と、できるだけ高温に耐うるように薄くする方がよい。
化社製の5in2被膜形成用塗布液(OCD)などがあ
る。塗布はスピンナーで行ない、回転数とその粘度によ
って膜厚が決ってくるが、後の管球化のことを考慮する
と、できるだけ高温に耐うるように薄くする方がよい。
3000人より薄い膜厚にすれば、管球化工程における
熱処理に十分耐えることができる。
熱処理に十分耐えることができる。
図(f)の工程;前記絶縁膜形成後、剥離液などにより
上述したフォトレジストを完全に除去すれば、蛍光体が
付着する部分の電極面が露出されることになる。この時
、前記(b)〜(d)の工程でパターニングされたフォ
トレジストの膜厚が十分でないか、前記(e)の工程で
形成された絶縁膜の膜厚が厚すぎたりすると、フォトレ
ジスト層上の絶縁膜と周囲の絶縁膜との分離が確実に行
なわれなくなってしまい、絶縁膜のパターニング不良と
なってしまう。
上述したフォトレジストを完全に除去すれば、蛍光体が
付着する部分の電極面が露出されることになる。この時
、前記(b)〜(d)の工程でパターニングされたフォ
トレジストの膜厚が十分でないか、前記(e)の工程で
形成された絶縁膜の膜厚が厚すぎたりすると、フォトレ
ジスト層上の絶縁膜と周囲の絶縁膜との分離が確実に行
なわれなくなってしまい、絶縁膜のパターニング不良と
なってしまう。
図(g)の工程;次に、従来より用いられている絶縁層
3をスクリーン印刷により形成する。
3をスクリーン印刷により形成する。
図(h)の工程;その後、第5図に示すような電着装置
により蛍光体を露出しているA1電極部に付着させれば
所望の蛍光体ドツトアレイ7を得ることができる。
により蛍光体を露出しているA1電極部に付着させれば
所望の蛍光体ドツトアレイ7を得ることができる。
このようにして作られた蛍光体ドツトアレイは、管球化
工程でレジストにより汚染がなく、また、エツチングな
どの余分の工程がなく、さらに、Al電極や配線と絶縁
層が直接に接していないので従来の腐食によるA1電極
や配線の断線の発生が著しく改善される。
工程でレジストにより汚染がなく、また、エツチングな
どの余分の工程がなく、さらに、Al電極や配線と絶縁
層が直接に接していないので従来の腐食によるA1電極
や配線の断線の発生が著しく改善される。
第2図は、第1図に示した蛍光面形成工程のフローを示
す図で、前述したように電極形成工程→フォトレジスト
層形成工程→絶縁膜形成工程→フォトレジスト層除去工
程→絶縁層形成工程→蛍光面形成工程を経て本発明によ
る蛍光面が形成されることになる。
す図で、前述したように電極形成工程→フォトレジスト
層形成工程→絶縁膜形成工程→フォトレジスト層除去工
程→絶縁層形成工程→蛍光面形成工程を経て本発明によ
る蛍光面が形成されることになる。
幼−一一果
以上の説明から明らかなように、本発明によると、蛍光
体トンドアレイ管の蛍光面形成方法において、蛍光体ド
ツトにレジスト雰囲気による悪影響が及ばないようにし
ているので、蛍光体の発光効率が低下することなく十分
な発光輝度を得ることができ、蛍光面形成における信頼
性を向上させることができる。また、配線パターンが、
絶縁層や外界水分などによって、腐食されないような構
造にしているので、管球化後の蛍光体発光輝度のばらつ
きが小さくなり、経時的な配線の断線による部分的な輝
度低下なども押さえられ、光プリンタの光書き込み用と
して信頼性の高いデバイスを提供する二とができる。
体トンドアレイ管の蛍光面形成方法において、蛍光体ド
ツトにレジスト雰囲気による悪影響が及ばないようにし
ているので、蛍光体の発光効率が低下することなく十分
な発光輝度を得ることができ、蛍光面形成における信頼
性を向上させることができる。また、配線パターンが、
絶縁層や外界水分などによって、腐食されないような構
造にしているので、管球化後の蛍光体発光輝度のばらつ
きが小さくなり、経時的な配線の断線による部分的な輝
度低下なども押さえられ、光プリンタの光書き込み用と
して信頼性の高いデバイスを提供する二とができる。
第1図は、本発明による蛍光体ドツトアレイ管の蛍光面
形成方法の一実施例を説明するための工程図、第2図は
、蛍光面形成工程のフローを示す図、第3図は、蛍光体
ドツトアレイ管の従来例を示す構成図、第4図は、蛍光
体ドツトアレイ管の蛍光面形成方法の従来例を示す図、
第5図は、蛍光体を付着させる方法の一例を示す図であ
る。 1・・・基板、2・・・短冊状のアルミ(Al)陽極電
極、3・・・絶縁層、4・・・フォトレジスト、5・・
・マスクの透過部、6・・・マスクの遮断部、7・・・
蛍光体ドツト。 13・・・絶縁膜。 第 図 (b)
形成方法の一実施例を説明するための工程図、第2図は
、蛍光面形成工程のフローを示す図、第3図は、蛍光体
ドツトアレイ管の従来例を示す構成図、第4図は、蛍光
体ドツトアレイ管の蛍光面形成方法の従来例を示す図、
第5図は、蛍光体を付着させる方法の一例を示す図であ
る。 1・・・基板、2・・・短冊状のアルミ(Al)陽極電
極、3・・・絶縁層、4・・・フォトレジスト、5・・
・マスクの透過部、6・・・マスクの遮断部、7・・・
蛍光体ドツト。 13・・・絶縁膜。 第 図 (b)
Claims (1)
- 1、基板上に導電性材料からなる短冊状の陽極電極を少
なくとも一列設ける電極形成工程と、前記短冊状の陽極
電極を含む前記基板表面をフォトレジスト層で被覆した
後、前記短冊状の陽極電極列上で蛍光体が付着しない電
極部のフォトレジスト層を除去して蛍光体が付着する電
極部をフォトレジスト層で被覆させるフォトレジスト層
形成工程と、前記フォトレジスト層が形成された前記短
冊状の陽極電極列を絶縁性を有する膜で被覆する絶縁膜
形成工程と、前記蛍光体が付着する電極部を覆っている
フォトレジスト層を除去して蛍光体が付着する電極部を
露出させるフォトレジスト層除去工程と、前記短冊状の
陽極電極を含む前記基板表面に、該短冊状の陽極電極の
配列方向に沿って前記短冊状の陽極電極の一部を露出さ
せる絶縁層を形成してセグメント電極列を形成する絶縁
層形成工程と、前記蛍光体が付着すべき電極部分の一つ
一つに蛍光体を付着させて蛍光面を形成する蛍光面形成
工程とにより、蛍光体ドットアレイを形成するようにし
たことを特徴とする蛍光面形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150624A JPH0443529A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 蛍光面形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150624A JPH0443529A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 蛍光面形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443529A true JPH0443529A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15500932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2150624A Pending JPH0443529A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 蛍光面形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0443529A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012009381A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Sharp Corp | 発光体、発光装置、照明装置および車両用前照灯 |
| US9816677B2 (en) | 2010-10-29 | 2017-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP2150624A patent/JPH0443529A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012009381A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Sharp Corp | 発光体、発光装置、照明装置および車両用前照灯 |
| US9816677B2 (en) | 2010-10-29 | 2017-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element |
| US10281102B2 (en) | 2010-10-29 | 2019-05-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element |
| US10465873B2 (en) | 2010-10-29 | 2019-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element |
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