JPH0444204A - 電解コンデンサ用アルミニウム電極 - Google Patents

電解コンデンサ用アルミニウム電極

Info

Publication number
JPH0444204A
JPH0444204A JP14871390A JP14871390A JPH0444204A JP H0444204 A JPH0444204 A JP H0444204A JP 14871390 A JP14871390 A JP 14871390A JP 14871390 A JP14871390 A JP 14871390A JP H0444204 A JPH0444204 A JP H0444204A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
titanium
barium
aluminum
metal
capacitance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14871390A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Yokoyama
豊 横山
Susumu Ando
進 安藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Chemi Con Corp
Original Assignee
Nippon Chemi Con Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Chemi Con Corp filed Critical Nippon Chemi Con Corp
Priority to JP14871390A priority Critical patent/JPH0444204A/ja
Publication of JPH0444204A publication Critical patent/JPH0444204A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電解コンデンサ用アルミニウム電極に関し、
更に詳しくは、高純度アルミニウムの表面に陰極アーク
蒸着法により特定の金属を付着させ、その後陽極酸化を
行うことにより表面に峨密な酸化物層を形成させた電解
コンデンサ用アルミニウム電極に関する。
[従来の技術] 電解コンデンサは、小形、大容量、安価で、整流出力の
平滑化等に優れた特性を示し各種電気・電子機器の重要
な構成要素の一つであり、一般に表面を電解酸化によっ
て酸化皮膜に変えたアルミニウム箔を陽極とし、この酸
化皮膜を誘電体とし集電陰極との間に電解液を介在させ
て作成される。
アルミニウム以外にも、いわゆる弁作用金属と呼ばれる
タンタルやチタン等の金属を、アルミニウムと同機に電
解コンデンサの電極として使用することができる。この
種の金属の内で、製品電解コンデンサのWpt容量に密
接に関連する酸化皮膜の比誘電率を指標として見た場合
、酸化アルミニウムの比誘電率は7〜10であり、酸化
タンタルの比誘電率25.2や酸化チタンの比誘を率6
6.1と比較すると決して大きな値ではない、iS電解
コンデンサタンタルやチタンではなくアルミニウムが一
般的に使用されるのは、主として、これらよりアルミニ
ウムの方がコスト的に優れているためといえる。
物性として規定される一定の比誘電率を有する材料であ
るアルミニウムを用いて、より大きな静電容量の電解コ
ンデンサを得るために、アルミニウム箔の表面に高倍率
のエツチング処理を施すことにより表面積の増大が図ら
れている。材料の表面に複雑な凹凸を与えることにより
表面積を増大させるこの技術は、現在では高度に洗練さ
れているが、この技術による表面積増大のみによって電
解コンデンサの静電容量を増加させるのは次第に困難に
なりつつある。
一定の比誘電率を有するアルミニウム材料の表面積増大
には限界があり、より比誘電率の大きな他の弁作用金属
等を電極に使用するには主としてコスト的に問題がある
これを解決する手段として、アルミニウム材料の表面に
、より比誘電率の大きな他の弁作用金属等を付着または
溶着させて薄膜を形成させ、コストを増加させることな
く比誘電率の増大を図るものがある0例えば、真空蒸着
法、イオンブレーティング法またはスパッタリング法の
ような物理的方法によりアルミニウム基板上に所望の金
属を蒸着させ、表面にアルミニウムと蒸着金属との混在
複合膜なる蒸着膜を形成させることによって大容量を得
るものである。この種の技術は、PbTiOsの薄膜化
に端を発するものであり、この合成は、1987年10
月7日(化工)発表の大工試において、プラズマCVD
法とスパッタリング法とを同時に行うことにより成功裡
に実現された。
しかしながら、前記した方法では、アルミニウム基板上
におけるチタンのような金属の蒸着膜の密着性や緻密性
が必ずしも十分ではなく、特に蒸着技術を改良して、よ
り優れた電解コンデンサ用アルミニウム電極を!!!造
する余地が残されていた。また、前記した蒸着技術を用
いる方法では、処理時間か長くかがるため生産効率の点
で不十分である。
例えば、特開昭63−306614号には、イオンブレ
ーティング法によりアルミニウムーチタン金属層を形成
後、陽極酸化処理を行って混在酸化物誘電体を形成させ
る方法が開示され、まt二、特開昭59−167009
号には、蒸着法により導電性金属を蒸着させて多孔質金
属皮膜を形成させる方法が開示されているが、このよう
な従来の方法では、密着性やは密性に問題があり、特に
、チタンを用いて作製するチタン陽極膜は膜特性が不安
定である。
本土V人は、先に特願平1−165388号として、電
解コンデンサ用アルミニウム電極箔を製造するに際し、
高純度アルミニウムの表面に蒸着によりタンタルを付着
させて表面にタンタル層からなる蒸着膜を形成させ、そ
の後陽極酸化を行うことからなり、前記蒸着を陰極アー
ク蒸着法により行うことを特徴とする電解コンデンサ用
アルミニウムTh %箔の製造方法を提案した。この提
案は、蒸着を行う方法として陰極アーク蒸着法に着目し
たものであるが、更に検討を重ねた結果、高純度アルミ
ニウムの表面に付着させる金属として、弁作用金属に加
えて弁作用金属以外の金属を混在させて陰極アーク蒸着
を行い、その後陽極酸化を行うことにより、更に優れた
電解コンデンサ用アルミニウム電極を提供し得ることを
この度突き止めた。
[発明が解決しようとする課題] 本発明は、高純度アルミニウムの表面に陰極アーク蒸着
法によりチタンを付着させて表面にチタン層からなる蒸
着膜を形成させた電解コンデンサ用アルミニウム電極を
改良し、高純度アルミニウムの表面に付着させる金属と
して、チタンに加えて弁作用金属以外の特定の金属を混
在させて陰極アーク蒸着を行い、更にその後陽極酸化を
行うことにより、チタンと弁作用金属以外の特定の金属
との混在酸化物層を形成させ、これによりlIi極酸極
管化った酸化アルミニウムと比較して2倍以上の静電容
量を与え得る電解コンデンサ用アルミニウム電極を提供
することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明によれば、高純度アルミニウムの表面にバリウム
およびチタンを陰極アーク蒸着法により付着させ、表面
にバリウム・チタン層を形成させた後、陽極酸化により
バリウム・チタン酸化物層を形成させたことを特徴とす
る電解コンデンサ用アルミニウムtfi!が提供される
高純度アルミニウムの表面にバリウムおよびチタンの2
つの金属を蒸着させるため、陰極アーク蒸着を行うに際
して、金属ターゲット(蒸発源)たるカソードユニット
を複数設置し、少くともその1つをバリウムとし、かつ
少くともその1つをチタンとすることにより、2つの金
属を同時に蒸着させることができる。
高純度アルミニウムを、エツチング処理を施した高純度
アルミニウム箔とすれば好適である。
陰極アーク蒸着法によるバリウム・チタン酸化物の好適
な製造条件は次の通りである。
チャンバー圧力範囲は、lX1G−”〜lX10−’T
orrとする。
アルゴン、ヘリウム、並びに窒素よりなる群から選択さ
れる不活性ガス雰囲気中で陰極アーク蒸着を行えば好適
である。
50〜400 amの蒸発距離で陰極アーク蒸着を行え
ば好適である。なお、蒸発距離は、使用する装置の性能
等に依存するため、装置によっては必ずしもこの蒸発距
離が好適とは限らず、適宜定める必要がある。
0.01〜0.5μ/分の蒸発速度で陰極アーク蒸着を
行えば好適である。
バリウム・チタン酸化物蒸着膜の厚さを0.05〜5μ
とすれば好適である。
基板温度は、200〜450℃とするのが好適である。
前記した陰極アーク蒸着により高純度アルミニウムの表
面にバリウムおよびチタンを付着させ、表面にバリウム
・チタン層を形成させ、更に通常の陽極酸化条件により
陽f!酸化を行ってバリウム・チタン酸化物層を形成さ
せ、これを用いて常法により電解コンデンサを製造する
ことができる。
[作用] 実質的真空下で、金属ターゲット(蒸発源)を陰極とし
てアーク放電を起こすと、アークはターゲット表面上に
アークスポットを形成し、ターゲット表面上をランダム
に走り回る。
アークスポットに集中するアークを流のエネルギにより
、ターゲツト材は瞬時に溶融蒸発すると同時に金属イオ
ンとなり、真空中に放出される。この際、バイアス電圧
を被コーテイング物に印加することにより、この金属イ
オンは、加速された反応ガス粒子と共に被コーテイング
物の表面に密着し、縁帯な膜を生成する。
本発明は、このような陰極アーク蒸着の原理を応用する
ものであり、金属ターゲット(蒸発源)としてバリウム
およびチタンを用い、被コーテイング物として高純度ア
ルミニウムを用いるものである。
本発明の陰極アーク蒸着法と従来のイオンブレーティン
グ法およびスパッタリング法について、基板上のイオン
化率および粒子エネルギを比較して第1表に示す、なお
、イオン化率は、基板単位面積に到達した原子の内、イ
オン化していたものの数をパーセントで表したものであ
る。
1土上 IIアーク     イオン       スパッタリ
ング獣厘看法       ル−ティング注 イオン化率(%)    30〜50   2〜8  
  2〜81子Xネルギ(eV)   10〜100 
 0.1〜1    0.2〜10このような陰極アー
ク蒸着法によれば、イオン化率が著しく大きく、高イオ
ンエネルギであるため、反応効率が向上し、アルミニウ
ム基板とバリウムおよびチタンとの密着性を票著に向上
させることができる。
また、特に陰極アーク蒸着法を使用することにより、カ
ソードユニットを複数装着することができ、それぞれ独
自に陰極アーク蒸着を行うことができ、更に、イオン化
率が著しく大きく高イオンエネルギであるなめ、緻密な
金属層を形成することができる。
そしてこのバリウムおよびチタンを蒸着させたアルミニ
ウム基板を陽極として用いる場合には、陽極酸化により
表面を酸化処理して比誘電率の高い酸化物とすることに
より、静電容量の増大を図ることができる。
[発明の効果コ 本発明によれば、高純度アルミニウムの表面に1!!極
ア一ク蒸着法によりチタンを付着させて表面にチタン層
からなる蒸着膜を形成させた電解コンデンサ用アルミニ
ウムを極を改良し、高純度アルミニウムの表面に付着さ
せる金属として、チタンに加えて弁作用金属以外の金属
であるバリウムを混在させて陰極アーク蒸着を行い、更
にその後陽fi!酸化を行うことにより、バリウムおよ
びチタンの混在酸化物層を形成させ、これにより陽I7
f!酸化を行った酸化アルミニウムと比較して2倍以上
の静電容量を与え得る電解コンデンサ用アルミニウム電
極が提供される。
し実施例] 以下に実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明は以下の実施例にのみ限定されるものではない。
割1皿ユ 常法によりエツチング処理を施した高純度アルミニウム
箔50x ioo +i+iを使用し、チャンバー圧力
5 X 10−’TOrr、蒸発FIEM200111
1. i発速度0.05μ/分、バリウム・チタン膜厚
0.2μ、基板温度300℃とし、バリウム・チタンに
よる陰極アーク蒸着を行った。
陰極アーク蒸着に使用する装置の概略を第1図に示す、
この装置を用い、実質的真空下で、バリウムからなる金
属ターゲット(蒸発源)10およびチタンからなる金属
ターゲット(蒸発R)11を陰極としてアーク放電を起
こすと、アークはターゲット表面上にアークスポットを
形成し、ターゲット表面上をランダムに走り回る結果、
アークスポットに集中するアーク電流のエネルギ(10
0A)により、ターゲツト材は瞬時に溶融蒸発すると同
時に金属イオン12および13となり、真空中に放出さ
れ、この際、高純度アルミニウム箔とする被コーテイン
グ物14に対しバイアス電圧を印加することにより、こ
れらの金属イオンは、加速さt′LfS反応ガス粒子1
Gと共に被コーテイング物14の表面に密着し、緻密な
膜を生成する。なお、第1図中、18および2oはアー
ク;源、22はバイアス電源、24は回転テーブル、2
6はガス入口、28はガス出口、3oは真空チャンバで
ある。
この蒸着膜を有するアルミニウム箔を用い、リン酸二水
素−アンモニウム水溶液(1,3g/j )中にて85
℃、70Vの陽極酸化条件で陽極酸化を行い、これを電
解コンデンサ用アルミニウム@極として用い、常法によ
り電解コンデンサを製造した。得られた電解コンデンサ
の静電容量を第2表に示す。
反敷■ユ 常法によりエツチング処理を施した高純度アルミニウム
箔50x ioo l111を使用し、リン酸二水素−
アンモニウム水浴i (1,3g/# )中にて85℃
、70Vの陽極酸化条件で陽極酸化を行い、このアルミ
ニウム箔を電解コンデンサ用アルミニウム% ffiと
して用い、常法により電解コンデンサを製造した。得ら
れた電解コンデンサの静電容量を第2表に示す。
静電容量(+F/c12)  IL4   4.7
【図面の簡単な説明】
第1図は、陰極アーク蒸着に使用する装置の概略を示す
図である。 10・・・バリウムからなる金属ターゲット(蒸発源) 11・・・チタンからなる金属ターゲット(蒸発源)1
2・・・金属イオン   13・・・金属イオン14・
・・高純度アルミニウムとする被コーテイング物 16・・・反応ガス粒子  18・・・アーク電源20
・・・アーク@ 源22・・・バイアス電源24・・・
回転テーブル  26・・・ガス入口28・・・ガス出
口    30・・・真空チャンバFIG。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)高純度アルミニウムの表面にバリウムおよびチタ
    ンを陰極アーク蒸着法により付着させ、表面にバリウム
    ・チタン層を形成させた後、陽極酸化によりバリウム・
    チタン酸化物層を形成させたことを特徴とする電解コン
    デンサ用アルミニウム電極。
JP14871390A 1990-06-08 1990-06-08 電解コンデンサ用アルミニウム電極 Pending JPH0444204A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14871390A JPH0444204A (ja) 1990-06-08 1990-06-08 電解コンデンサ用アルミニウム電極

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14871390A JPH0444204A (ja) 1990-06-08 1990-06-08 電解コンデンサ用アルミニウム電極

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0444204A true JPH0444204A (ja) 1992-02-14

Family

ID=15458934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14871390A Pending JPH0444204A (ja) 1990-06-08 1990-06-08 電解コンデンサ用アルミニウム電極

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0444204A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0582844A1 (de) * 1992-08-05 1994-02-16 ROEDERSTEIN SPEZIALFABRIKEN FÜR BAUELEMENTE DER ELEKTRONIK UND KONDENSATOREN DER STARKSTROMTECHNIK GmbH Kondensator, insbesondere Elektrolytkondensator
US6660610B2 (en) * 1996-07-08 2003-12-09 Micron Technology, Inc. Devices having improved capacitance and methods of their fabrication
EP1382048A4 (en) * 2001-02-22 2008-05-28 Acktar Ltd ELECTROLYTIC CAPACITORS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
CN110565140A (zh) * 2019-09-18 2019-12-13 南通海星电子股份有限公司 一种高介电常数复合膜铝箔的制备方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0582844A1 (de) * 1992-08-05 1994-02-16 ROEDERSTEIN SPEZIALFABRIKEN FÜR BAUELEMENTE DER ELEKTRONIK UND KONDENSATOREN DER STARKSTROMTECHNIK GmbH Kondensator, insbesondere Elektrolytkondensator
US6660610B2 (en) * 1996-07-08 2003-12-09 Micron Technology, Inc. Devices having improved capacitance and methods of their fabrication
US6838353B1 (en) 1996-07-08 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Devices having improved capacitance and methods of their fabrication
US7126205B2 (en) 1996-07-08 2006-10-24 Micron Technology, Inc. Devices having improved capacitance and methods of their fabrication
US7205599B2 (en) 1996-07-08 2007-04-17 Micron Technology, Inc. Devices having improved capacitance
EP1382048A4 (en) * 2001-02-22 2008-05-28 Acktar Ltd ELECTROLYTIC CAPACITORS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
CN110565140A (zh) * 2019-09-18 2019-12-13 南通海星电子股份有限公司 一种高介电常数复合膜铝箔的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02285072A (ja) 加工物表面のコーティング方法及びその加工物
EP3644343B1 (en) A coating system for high volume pe-cvd processing
JP2968800B2 (ja) 電解コンデンサ用電極材料の製造方法
JPH0444204A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極
CN1057073A (zh) 加弧辉光离子渗金属技术及设备
JPH0471213A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極およびその製造方法
JP3155750B2 (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法
JP2618281B2 (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極およびその製造方法
JPH03147312A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法
JPH0461109A (ja) 電解コンデンサ用陰極材料
HU188635B (en) Apparatus for reactive application of layer with plasmatrone
JPH0332012A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法
JPH0330410A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法
JPH03131014A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法
JPH0332013A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法
JPH0330409A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法
JPH03147310A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法
JPH036010A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法
JPH03131013A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法
JPS6350463A (ja) イオンプレ−テイング方法とその装置
JPH03150825A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法
JPH03147311A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法
RU2109362C1 (ru) Способ модификации поверхности фольги для электролитических конденсаторов
JPH0414809A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法
CA3047917C (en) Pvd system with remote arc discharge plasma assisted process