JPH0444248B2 - - Google Patents
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- JPH0444248B2 JPH0444248B2 JP8953182A JP8953182A JPH0444248B2 JP H0444248 B2 JPH0444248 B2 JP H0444248B2 JP 8953182 A JP8953182 A JP 8953182A JP 8953182 A JP8953182 A JP 8953182A JP H0444248 B2 JPH0444248 B2 JP H0444248B2
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- liquid crystal
- laser beam
- laser light
- phase transition
- extinction coefficient
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/132—Thermal activation of liquid crystals exhibiting a thermo-optic effect
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- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
液晶表示装置において、その液晶セルに、表示
すべき光学像に基づく信号、例えばビデオ信号に
よつて変調されたレーザー光を照射して、この液
晶セルに表示光学像の書き込みを行い、この書き
込まれた光学像によつて光学的表示を行うように
するものが提案されている。
すべき光学像に基づく信号、例えばビデオ信号に
よつて変調されたレーザー光を照射して、この液
晶セルに表示光学像の書き込みを行い、この書き
込まれた光学像によつて光学的表示を行うように
するものが提案されている。
この種、液晶表示装置の表示態様は、前述した
ようにレーザー光を液晶セルに照射し、このレー
ザー光のエネルギを熱に変換してこの熱によつて
液晶を加熱し、この加熱された部位に液晶の相転
移を生ぜしめる。この相転移は、レーザー光の照
射を停止すれば、元の相に戻ろうとするが、この
場合、こ部位が急冷されることによつて相転移で
生じた液晶の配列状態の乱れがほぼそのまま残さ
れこれにより、この部位に光学的散乱中心が残さ
れて、これによる光学像のメモリ即ち書き込みが
なされるようにするものである。
ようにレーザー光を液晶セルに照射し、このレー
ザー光のエネルギを熱に変換してこの熱によつて
液晶を加熱し、この加熱された部位に液晶の相転
移を生ぜしめる。この相転移は、レーザー光の照
射を停止すれば、元の相に戻ろうとするが、この
場合、こ部位が急冷されることによつて相転移で
生じた液晶の配列状態の乱れがほぼそのまま残さ
れこれにより、この部位に光学的散乱中心が残さ
れて、これによる光学像のメモリ即ち書き込みが
なされるようにするものである。
このようなレーザー光による書き込みを行う液
晶表示装置においては、その書き込みのためのレ
ーザー光のエネルギを如何に効率よく熱に変換し
て液晶に伝達させるかにあるが、通常のこの種液
晶表示装置としては、例えば第１図に示すように
相対向するガラス基板１及び２の各内面に形成さ
れた透明電極３及び４間に液晶層５を封入してな
る液晶セル６を有するものであり、この液晶セル
６における電極として用いられている透明電極が
近赤外域に広範囲にわたる光吸収特性を有すると
いう性質を利用して、この近赤外域に発振線を有
するNd3+YAGレーザー光を用いて透明電極３上
にレーザー光を集光させて照射しこの透明電極３
の部分でレーザー光の光エネルギを熱に変換し、
この熱をこの透明電極３に接する液晶層５に伝達
し、ここにおいて液晶に上述した相転移による書
き込みを行うようになしている。この場合、光か
ら熱への変換効率を向上させるには、透明電極３
の膜厚を厚くする必要が生じるが、このようにそ
の膜厚を大とすれば、この透明電極における光透
過率が悪化するという問題が生じてくる。又厚い
透明電極を得るためには、通常の透明電極は蒸着
によつて形成するのでこの蒸着を数回にわたつて
繰返えし行うことが必要となつて製造コストが高
くなるという問題もある。又、このようにして透
明電極の膜厚を大となしても、実際上、透明電極
の熱伝導率は、液晶のそれよりも格段的に高いも
のであることから透明電極の膜厚を大としたこと
による熱変換効率とこれが液晶に与えられる伝熱
効率が相容れずに左程実質的な効率の向上が図ら
れない。
晶表示装置においては、その書き込みのためのレ
ーザー光のエネルギを如何に効率よく熱に変換し
て液晶に伝達させるかにあるが、通常のこの種液
晶表示装置としては、例えば第１図に示すように
相対向するガラス基板１及び２の各内面に形成さ
れた透明電極３及び４間に液晶層５を封入してな
る液晶セル６を有するものであり、この液晶セル
６における電極として用いられている透明電極が
近赤外域に広範囲にわたる光吸収特性を有すると
いう性質を利用して、この近赤外域に発振線を有
するNd3+YAGレーザー光を用いて透明電極３上
にレーザー光を集光させて照射しこの透明電極３
の部分でレーザー光の光エネルギを熱に変換し、
この熱をこの透明電極３に接する液晶層５に伝達
し、ここにおいて液晶に上述した相転移による書
き込みを行うようになしている。この場合、光か
ら熱への変換効率を向上させるには、透明電極３
の膜厚を厚くする必要が生じるが、このようにそ
の膜厚を大とすれば、この透明電極における光透
過率が悪化するという問題が生じてくる。又厚い
透明電極を得るためには、通常の透明電極は蒸着
によつて形成するのでこの蒸着を数回にわたつて
繰返えし行うことが必要となつて製造コストが高
くなるという問題もある。又、このようにして透
明電極の膜厚を大となしても、実際上、透明電極
の熱伝導率は、液晶のそれよりも格段的に高いも
のであることから透明電極の膜厚を大としたこと
による熱変換効率とこれが液晶に与えられる伝熱
効率が相容れずに左程実質的な効率の向上が図ら
れない。
更に、このように透明電極においてレーザー光
の光エネルギを熱エネルギに変換し、この熱エネ
ルギを液晶相に伝達する態様をとる場合、熱拡散
が液晶セル６の厚み方向のみならず面方向に生ず
るために本来的に充分高い解像度が得られない。
すなわち第２図に、符号Ｍを付して示す部分は、
このレーザー光照射によつて透明電極３におい
て、変換された熱によつて液晶層５が相転移し、
かつ急冷によつてその配向が乱れて生じた光散乱
部分Ｍの分布を示すものでこの場合液晶層５の厚
さ方向に深さＺをもつて光学的散乱中心が発生し
た部分を示したもので、この光学的散乱中心の発
生部分、すなわち、書き込み部位は、液晶層５の
面方向にも所要の幅ｈの広がりを有する。
の光エネルギを熱エネルギに変換し、この熱エネ
ルギを液晶相に伝達する態様をとる場合、熱拡散
が液晶セル６の厚み方向のみならず面方向に生ず
るために本来的に充分高い解像度が得られない。
すなわち第２図に、符号Ｍを付して示す部分は、
このレーザー光照射によつて透明電極３におい
て、変換された熱によつて液晶層５が相転移し、
かつ急冷によつてその配向が乱れて生じた光散乱
部分Ｍの分布を示すものでこの場合液晶層５の厚
さ方向に深さＺをもつて光学的散乱中心が発生し
た部分を示したもので、この光学的散乱中心の発
生部分、すなわち、書き込み部位は、液晶層５の
面方向にも所要の幅ｈの広がりを有する。
このような表示装置において、その表示のコン
トラストを上げるためには、光学的散乱中心部分
Ｍ即ち書き込み部の深さＺができるだけ大である
ことが望まれるが、この光学的散乱中心部分６の
発生は、前述したように熱拡散によつて広がりＨ
を有するためにＺの増大と共に広がりｈも増大し
て解像度が低下する。即ちコントラストの向上と
解像度の向上とは相容れないものである。
トラストを上げるためには、光学的散乱中心部分
Ｍ即ち書き込み部の深さＺができるだけ大である
ことが望まれるが、この光学的散乱中心部分６の
発生は、前述したように熱拡散によつて広がりＨ
を有するためにＺの増大と共に広がりｈも増大し
て解像度が低下する。即ちコントラストの向上と
解像度の向上とは相容れないものである。
本発明においては、このような表示光学像に応
じて変調されたレーザー光の照射により液晶セル
に光学像を書き込み、これによつてその表示を行
うようにした液晶表示装置において、上述した諸
欠点を回避することができるようにするものであ
る。
じて変調されたレーザー光の照射により液晶セル
に光学像を書き込み、これによつてその表示を行
うようにした液晶表示装置において、上述した諸
欠点を回避することができるようにするものであ
る。
即ち、本発明においては、液晶層自体において
書き込みレーザー光を吸収し、その光エネルギを
熱に変換することができるようにして液晶表示部
位自体に直接的に熱の発生を生ぜしめ解像度の向
上、コントラストの向上をはかるものであるが、
特に本発明においては、各時点における書き込み
部位、即ちレーザーの照射部位と、この時点にお
ける他部の非照射部分との温度差が大となるよう
にしてその温度分布を急峻となして、より高い解
像度と、高いコントラストを得るものである。
書き込みレーザー光を吸収し、その光エネルギを
熱に変換することができるようにして液晶表示部
位自体に直接的に熱の発生を生ぜしめ解像度の向
上、コントラストの向上をはかるものであるが、
特に本発明においては、各時点における書き込み
部位、即ちレーザーの照射部位と、この時点にお
ける他部の非照射部分との温度差が大となるよう
にしてその温度分布を急峻となして、より高い解
像度と、高いコントラストを得るものである。
以下、本発明による液晶表示装置について詳細
に説明する。
に説明する。
本発明においては、第３図に示すように、
夫々、例えばガラス基板２０及び２１の内面に被
着された対向電極面２２及び２３間にスメクテイ
ツクＡ相をもつ液晶、またはこれとコレステリツ
ク相をもつ液晶の混合したものに後述する書き込
みレーザー光の波長域で極大値をとる光吸収特性
を有する２色性を混入した誘電異方性が正の液晶
層２４を挟み込んで液晶セル２５を構成する。そ
して、特にこの液晶層２４の配向、すなわち液晶
及び色素の分子配列方向を、垂直配向、すなわ
ち、両電極面２２及び２３と直交する方向に選定
する。ここに２色性色素は、その水平配向状態の
吸光係数αと、垂直配向方向状態のそれα⊥と
の比、すなわち２色性比α／αが１より充分
大であるものが用いられる。
夫々、例えばガラス基板２０及び２１の内面に被
着された対向電極面２２及び２３間にスメクテイ
ツクＡ相をもつ液晶、またはこれとコレステリツ
ク相をもつ液晶の混合したものに後述する書き込
みレーザー光の波長域で極大値をとる光吸収特性
を有する２色性を混入した誘電異方性が正の液晶
層２４を挟み込んで液晶セル２５を構成する。そ
して、特にこの液晶層２４の配向、すなわち液晶
及び色素の分子配列方向を、垂直配向、すなわ
ち、両電極面２２及び２３と直交する方向に選定
する。ここに２色性色素は、その水平配向状態の
吸光係数αと、垂直配向方向状態のそれα⊥と
の比、すなわち２色性比α／αが１より充分
大であるものが用いられる。
このような液晶層２４を構成する液晶として
は、例えばCNB（シアノノニル・ビフエニール）
を用い、これに混入する２色性色素としては、メ
ロシアニン色素の、例えばNK−1575（日光感光
色素社製商品名）を用い得る。この液晶は、その
温度によつて結晶状態→スメクテイツクＡ相→ネ
マテイツク相→アイソトロピツク相の各相をとり
得るものであるが、常態、すなわち、表示光学像
の書き込み表示を行う準備態勢においてはスメク
テイツクＡ相にあるものとする。また、このNK
−1575の色素は、640nmの波長付近の光に対して
吸収極大を持つていると共に、２色性を示し、そ
の２色比、すなわち、前述したようにこの色素の
水平配向状態での垂直方向偏光の吸光係数
αと、垂直配向状態での同様の吸光係数α⊥と
の比α／α⊥が7.8程度を示す。
は、例えばCNB（シアノノニル・ビフエニール）
を用い、これに混入する２色性色素としては、メ
ロシアニン色素の、例えばNK−1575（日光感光
色素社製商品名）を用い得る。この液晶は、その
温度によつて結晶状態→スメクテイツクＡ相→ネ
マテイツク相→アイソトロピツク相の各相をとり
得るものであるが、常態、すなわち、表示光学像
の書き込み表示を行う準備態勢においてはスメク
テイツクＡ相にあるものとする。また、このNK
−1575の色素は、640nmの波長付近の光に対して
吸収極大を持つていると共に、２色性を示し、そ
の２色比、すなわち、前述したようにこの色素の
水平配向状態での垂直方向偏光の吸光係数
αと、垂直配向状態での同様の吸光係数α⊥と
の比α／α⊥が7.8程度を示す。
一方、レーザー光源、例えば632.8nmの発振波
長のHe−Neレーザーを用意し、これよりのレー
ザー光を、表示光学像に応じて光変調して上述し
た液晶セル２５の液晶層２４に照射する。このよ
うにすると液晶層２４は、これが垂直配向されて
いることによつてレーザー光の照射前の状態で
は、その吸光係数は、比較的小さい値のα⊥を呈
する状態にあり、比較的光の吸収は、小さいもの
の、一部のレーザー光が吸収される。すなわち、
この場合液晶層２４においてレーザー光が集光さ
れるようにしてその照射が行われるが、そのスポ
ツトは、第４図に示すように、或る広がりＨをも
つたガラス分布を有し、特にそのスポツトの、光
量が大なる中心部で光の吸収量が大となるのでこ
の部位において温度の上昇も大となり、ここで相
転移が生じる。すなわち、この部位でスメクテイ
ツク相がネマテイツク相へ、更にアイソトロピツ
ク相へと転し、この部位での液晶配列が乱れてそ
の吸光係数は、α⊥より大きい値のα0へと移行す
る。このα0は、α0＝1/3（α＋2α⊥）であり、
このようにこの部位がアイソトロピツク相に移行
したことによつてこの部位におけるレーザー光の
吸収は、より増加し、ここにおける温度上昇は急
激となる。この吸光係数の変化は厳密には、α⊥
からα0へと直接的に移行するものではなく、スメ
クテイツク相における吸光係数からネマテイツク
相におけるそれを経てアイソトロピツク相におけ
るそれα0へと変化して行く。このようにレーザー
光のスポツトの中心部位では著しい温度上昇が生
じるが、この相転移が生じていない周囲の部位で
は、吸光係数は、その値が小さいα⊥を示す状態
にあつてレーザー光が吸収されにくい状態にあ
り、ここにおける熱変換は小さくその温度上昇
は、第４図におけるレーザー光の分布の比較的光
量の少ない裾の部分においては、殆んど温度上昇
が生じないことになる。したがつて、相転移が生
じた部分と、これの周囲の相転移が生じない部分
との温度差は顕著となる。云い換えれば、その温
度分布は第５図に示すように、急峻となる。した
がつて、この部位に対するレーザー光の照射が停
止されたとき、相転移が生じた部材、すなわち、
高温部分の熱は効果的に放散急冷するので、この
部分における配列の乱れ、すなわち光学的散乱中
心が顕著に、しかも狭隘な部位で形成され残存さ
れた書き込みすなわち高解像度化がなされる。
長のHe−Neレーザーを用意し、これよりのレー
ザー光を、表示光学像に応じて光変調して上述し
た液晶セル２５の液晶層２４に照射する。このよ
うにすると液晶層２４は、これが垂直配向されて
いることによつてレーザー光の照射前の状態で
は、その吸光係数は、比較的小さい値のα⊥を呈
する状態にあり、比較的光の吸収は、小さいもの
の、一部のレーザー光が吸収される。すなわち、
この場合液晶層２４においてレーザー光が集光さ
れるようにしてその照射が行われるが、そのスポ
ツトは、第４図に示すように、或る広がりＨをも
つたガラス分布を有し、特にそのスポツトの、光
量が大なる中心部で光の吸収量が大となるのでこ
の部位において温度の上昇も大となり、ここで相
転移が生じる。すなわち、この部位でスメクテイ
ツク相がネマテイツク相へ、更にアイソトロピツ
ク相へと転し、この部位での液晶配列が乱れてそ
の吸光係数は、α⊥より大きい値のα0へと移行す
る。このα0は、α0＝1/3（α＋2α⊥）であり、
このようにこの部位がアイソトロピツク相に移行
したことによつてこの部位におけるレーザー光の
吸収は、より増加し、ここにおける温度上昇は急
激となる。この吸光係数の変化は厳密には、α⊥
からα0へと直接的に移行するものではなく、スメ
クテイツク相における吸光係数からネマテイツク
相におけるそれを経てアイソトロピツク相におけ
るそれα0へと変化して行く。このようにレーザー
光のスポツトの中心部位では著しい温度上昇が生
じるが、この相転移が生じていない周囲の部位で
は、吸光係数は、その値が小さいα⊥を示す状態
にあつてレーザー光が吸収されにくい状態にあ
り、ここにおける熱変換は小さくその温度上昇
は、第４図におけるレーザー光の分布の比較的光
量の少ない裾の部分においては、殆んど温度上昇
が生じないことになる。したがつて、相転移が生
じた部分と、これの周囲の相転移が生じない部分
との温度差は顕著となる。云い換えれば、その温
度分布は第５図に示すように、急峻となる。した
がつて、この部位に対するレーザー光の照射が停
止されたとき、相転移が生じた部材、すなわち、
高温部分の熱は効果的に放散急冷するので、この
部分における配列の乱れ、すなわち光学的散乱中
心が顕著に、しかも狭隘な部位で形成され残存さ
れた書き込みすなわち高解像度化がなされる。
第６図は、本発明を、投写形デイスプレイ装置
に適用する場合の一例の構成図で、図において３
１はレーザー光源で、このレーザー光源３１は可
視光域に発振線を有するHe−Neレーザー光源で
あり、３２はレーザー光源３１からのレーザー光
を変調する光変調器、３３は光変調器３２に対す
る変調信号源であり、例えば、ビデオ信号に対応
する変調信号が発生されるようになされている。
３４は光変調器３２で変調されたレーザー光を平
行光束化する為のコリメータレンズ、３５はミラ
ー、３６は変調信号源３３の変調信号に関連した
水平及び垂直同期信号に基ずいて、レーザー光
を、液晶セル２５上に水平方向及び垂直方向に走
査せしめる為のガルバノミラー形の走査器、３７
は走査器３６によつて走査せしめられるレーザー
光を液晶セル２５の液晶層内で集束させる為のフ
オーカスレンズ、３８は偏向ミラーでありそのミ
ラー面に対して入射するレーザー光を反射し、レ
ーザー光以外の光をそのまま通過させる様になつ
ている。
に適用する場合の一例の構成図で、図において３
１はレーザー光源で、このレーザー光源３１は可
視光域に発振線を有するHe−Neレーザー光源で
あり、３２はレーザー光源３１からのレーザー光
を変調する光変調器、３３は光変調器３２に対す
る変調信号源であり、例えば、ビデオ信号に対応
する変調信号が発生されるようになされている。
３４は光変調器３２で変調されたレーザー光を平
行光束化する為のコリメータレンズ、３５はミラ
ー、３６は変調信号源３３の変調信号に関連した
水平及び垂直同期信号に基ずいて、レーザー光
を、液晶セル２５上に水平方向及び垂直方向に走
査せしめる為のガルバノミラー形の走査器、３７
は走査器３６によつて走査せしめられるレーザー
光を液晶セル２５の液晶層内で集束させる為のフ
オーカスレンズ、３８は偏向ミラーでありそのミ
ラー面に対して入射するレーザー光を反射し、レ
ーザー光以外の光をそのまま通過させる様になつ
ている。
３９は液晶セル２５が収納されるオーブン、４
０はオーブン３９内に収納された液晶セル２５に
熱バイアスを印加する為の温度制御部である。４
１は投写用の光源であり、無偏光の光を発するも
の、例えば白熱ランプが用いられている。４２は
光源４１の光を受けるシユリーレンレンズ、４４
は光源４１に含まれる赤外域波長を吸収するコー
ルドフイルタ、４５はシユリーレンレンズ４２の
焦点上に位置し、シユリーレン光学系を構成する
マスクである。４６は、同じくシユリーレン光学
系を構成する投写レンズであり、液晶セル２５の
面とスクリーン４３の面とに焦点を結ぶ様に配置
されている。これら光源４１〜投写レンズ４６
が、液晶セルに書き込まれた画像を拡大投写する
投写光学系を形成している。
０はオーブン３９内に収納された液晶セル２５に
熱バイアスを印加する為の温度制御部である。４
１は投写用の光源であり、無偏光の光を発するも
の、例えば白熱ランプが用いられている。４２は
光源４１の光を受けるシユリーレンレンズ、４４
は光源４１に含まれる赤外域波長を吸収するコー
ルドフイルタ、４５はシユリーレンレンズ４２の
焦点上に位置し、シユリーレン光学系を構成する
マスクである。４６は、同じくシユリーレン光学
系を構成する投写レンズであり、液晶セル２５の
面とスクリーン４３の面とに焦点を結ぶ様に配置
されている。これら光源４１〜投写レンズ４６
が、液晶セルに書き込まれた画像を拡大投写する
投写光学系を形成している。
次に、この投写形デイスプレイ装置の動作につ
いて説明する。この場合、レーザー光学３１で発
振されるレーザー光は光変調器３２によつて、変
調信号源３３のビデオ信号に対応する変調信号で
強度変調される。光変調器３２によつて変調され
たレーザー光はコリメータレンズ３４によつて平
行光束化され、全反射形のミラー３５によつて光
軸が図において下方に曲げられる。その後、この
レーザー光はガルバノミラー形の走査器３６によ
る、変調信号源３３の変調信号に関連した水平同
期信号と垂直同期信号に基づいた水平偏向と垂直
偏向を受け、フオーカスレンズ３７、偏向ミラー
３８を介して液晶セル２５の透明電極面内を水平
及び垂直走査する。
いて説明する。この場合、レーザー光学３１で発
振されるレーザー光は光変調器３２によつて、変
調信号源３３のビデオ信号に対応する変調信号で
強度変調される。光変調器３２によつて変調され
たレーザー光はコリメータレンズ３４によつて平
行光束化され、全反射形のミラー３５によつて光
軸が図において下方に曲げられる。その後、この
レーザー光はガルバノミラー形の走査器３６によ
る、変調信号源３３の変調信号に関連した水平同
期信号と垂直同期信号に基づいた水平偏向と垂直
偏向を受け、フオーカスレンズ３７、偏向ミラー
３８を介して液晶セル２５の透明電極面内を水平
及び垂直走査する。
このようにして液晶セル２５の液晶層にレーザ
ー光が照射されると、前述したように、この液晶
に添加された色素によつてレーザー光の吸収がな
され、この吸収された光エネルギーが熱に変換さ
れて相転移がなされてその書き込みが行われる。
このとき、液晶セル２５が収納されたオーブン３
９を温度制御部４０によつて、液晶をその相転移
が生じる温度より少しく低い適当な温度に保持し
ておけば、少い熱エネルギーでその書き込みを行
うことができる。例えば、液晶として前述した
CNBを用いるときは、これが48℃でネマチツク
相に、49.5℃でアイソトロピツク相に転移するの
で、オーブン３９によつて相転移の生じる温度よ
り少し低い43℃に保持しておく。
ー光が照射されると、前述したように、この液晶
に添加された色素によつてレーザー光の吸収がな
され、この吸収された光エネルギーが熱に変換さ
れて相転移がなされてその書き込みが行われる。
このとき、液晶セル２５が収納されたオーブン３
９を温度制御部４０によつて、液晶をその相転移
が生じる温度より少しく低い適当な温度に保持し
ておけば、少い熱エネルギーでその書き込みを行
うことができる。例えば、液晶として前述した
CNBを用いるときは、これが48℃でネマチツク
相に、49.5℃でアイソトロピツク相に転移するの
で、オーブン３９によつて相転移の生じる温度よ
り少し低い43℃に保持しておく。
このようにして、液晶セル２５への画像の書込
みがされる。なお、液晶セル２５に書き込まれた
画像は液晶層を挾む２枚の透明電極板間に交流電
界を印加することで消去できる。誘電異方性が正
の液晶を用いるのはこの為である。
みがされる。なお、液晶セル２５に書き込まれた
画像は液晶層を挾む２枚の透明電極板間に交流電
界を印加することで消去できる。誘電異方性が正
の液晶を用いるのはこの為である。
そして、上述の様に書き込みがなされた液晶セ
ル２５の画像は、光源４１、シユリーレンレンズ
４２、投写レンズ４６、マスク４５を主要部とし
て構成されるシユリーレン光学系を用いた投写光
学系によつて、スクリーン４３上に拡大されて投
写される。また、液晶セル２５に書き込まれた画
像を消去するには、前述したように、透明電極板
に消去用電界を印加するだけでよい。
ル２５の画像は、光源４１、シユリーレンレンズ
４２、投写レンズ４６、マスク４５を主要部とし
て構成されるシユリーレン光学系を用いた投写光
学系によつて、スクリーン４３上に拡大されて投
写される。また、液晶セル２５に書き込まれた画
像を消去するには、前述したように、透明電極板
に消去用電界を印加するだけでよい。
上述したところから明らかなように、本発明に
よれば、込み用のレーザー光源の発振波長域で極
大値をとる光吸収特性を有する色素が液晶に添加
され、この色素によつてレーザー光の光から熱へ
の変換が行なわれて液晶に熱が印加されるように
されているので、液晶セルを走査する書込み用レ
ーザー光のエネルギーが効率良く熱エネルギーに
変換され、この変換された熱が効率良く液晶に伝
達された液晶の相転移を起こすことができ、書き
込みの高速化をはかることができるものである
が、加えて本発明においては、液晶を垂直配向し
たことにより、前述したように書き込み部位と、
他部、すなわち周辺との温度差を急峻にすること
ができることにより、急冷効果が得られて光学的
散乱中心の形成を確実に高い解像度をもつてその
書き込みを行うことができるものである。
よれば、込み用のレーザー光源の発振波長域で極
大値をとる光吸収特性を有する色素が液晶に添加
され、この色素によつてレーザー光の光から熱へ
の変換が行なわれて液晶に熱が印加されるように
されているので、液晶セルを走査する書込み用レ
ーザー光のエネルギーが効率良く熱エネルギーに
変換され、この変換された熱が効率良く液晶に伝
達された液晶の相転移を起こすことができ、書き
込みの高速化をはかることができるものである
が、加えて本発明においては、液晶を垂直配向し
たことにより、前述したように書き込み部位と、
他部、すなわち周辺との温度差を急峻にすること
ができることにより、急冷効果が得られて光学的
散乱中心の形成を確実に高い解像度をもつてその
書き込みを行うことができるものである。
また、本発明に係る液晶セルを製作する際に
は、透明電極の特性を正確に規定したり、その膜
厚を厚くしたりする必要が無く、また、反射防止
膜を形成する必要も無い為、大幅なコストダウン
を図る事ができる。
は、透明電極の特性を正確に規定したり、その膜
厚を厚くしたりする必要が無く、また、反射防止
膜を形成する必要も無い為、大幅なコストダウン
を図る事ができる。
更に、本発明において液晶に添加する色素は、
書き込み用のレーザー光源の発振波長域に応じて
自由に選択でき、例えば、近赤外域に光吸収作用
をもつ色素を用いれば書き込み用レーザー光源に
半導体レーザーを使用する場合にも適用できる等
本発明は適用範囲が極めて広いという長所もあ
る。
書き込み用のレーザー光源の発振波長域に応じて
自由に選択でき、例えば、近赤外域に光吸収作用
をもつ色素を用いれば書き込み用レーザー光源に
半導体レーザーを使用する場合にも適用できる等
本発明は適用範囲が極めて広いという長所もあ
る。
また、液晶セル２５において、用いる液晶とし
ては、前述した例のように、スメクテイツクＡ相
→ネマテイツク相→アイソトロピツク相の相転移
を行うものに限られず、各種相転移形態を採るも
の、例えばスメクテイツクＡ相とコレステリツク
相との相転移をなし、この相転移において光散乱
中心を形成させるようにするものなどを用いるこ
ともできる。
ては、前述した例のように、スメクテイツクＡ相
→ネマテイツク相→アイソトロピツク相の相転移
を行うものに限られず、各種相転移形態を採るも
の、例えばスメクテイツクＡ相とコレステリツク
相との相転移をなし、この相転移において光散乱
中心を形成させるようにするものなどを用いるこ
ともできる。
第１図及び第２図は従来の液晶表示装置の略線
的断面図及びその書き込み態様の説明図、第３図
は本発明による液晶表示装置の一例の要部の略線
的拡大断面図、第４図及び第５図はその説明図、
第６図は本発明装置による投写形デイスプレイ装
置の一例の構成図である。 ２５は、液晶セル、２４はその液晶層、２０及
び２１は透明基板、２２及び２３は対向透明電極
である。
的断面図及びその書き込み態様の説明図、第３図
は本発明による液晶表示装置の一例の要部の略線
的拡大断面図、第４図及び第５図はその説明図、
第６図は本発明装置による投写形デイスプレイ装
置の一例の構成図である。 ２５は、液晶セル、２４はその液晶層、２０及
び２１は透明基板、２２及び２３は対向透明電極
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 書き込みレーザー光源と、 上記レーザー光源の発振波長域で極大値をとる
光吸収特性を有する２色性色素を少くとも含むス
メクテイツクＡ相をもつ液晶層が対向透明電極面
間に挟まれ、上記液晶と上記２色性色素とが共に
上記電極面に対し垂直配向された液晶セルと、 上記レーザー光源で発振されるレーザー光を照
射するレーザー光照射手段とを具備して成り、 上記２色性色素は、上記垂直配向状態での上記
レーザー光に対する吸光係数α⊥と、これと直交
する水平配向状態での上記レーザー光に対する吸
光係数αとがα／α⊥≫１にある光吸収特性に
選定され、 上記液晶層に対する上記垂直方向のレーザー光
照射によつて該照射部に、上記液晶の相転移を発
生させると共にこの相転移の発生と共に生じる上
記２色性色素の配向の乱れによつて、この部位に
おいて上記小さい吸光係数α⊥から、大なる吸光
係数αに近づく移行によつて上記液晶の相転移
を助長して表示光学像の形成を行うようにしたこ
とを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8953182A JPS58207024A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 液晶表示装置 |
| EP82902647A EP0087477B1 (en) | 1981-09-07 | 1982-09-06 | Liquid crystal display device |
| DE8282902647T DE3279254D1 (en) | 1981-09-07 | 1982-09-06 | Liquid crystal display device |
| PCT/JP1982/000354 WO1983000936A1 (en) | 1981-09-07 | 1982-09-06 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8953182A JPS58207024A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207024A JPS58207024A (ja) | 1983-12-02 |
| JPH0444248B2 true JPH0444248B2 (ja) | 1992-07-21 |
Family
ID=13973390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8953182A Granted JPS58207024A (ja) | 1981-09-07 | 1982-05-26 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58207024A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61228418A (ja) * | 1985-04-02 | 1986-10-11 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JP2630966B2 (ja) * | 1987-12-29 | 1997-07-16 | キヤノン株式会社 | 像形成方法 |
-
1982
- 1982-05-26 JP JP8953182A patent/JPS58207024A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58207024A (ja) | 1983-12-02 |
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