JPH0444610A - 複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH0444610A JPH0444610A JP15322690A JP15322690A JPH0444610A JP H0444610 A JPH0444610 A JP H0444610A JP 15322690 A JP15322690 A JP 15322690A JP 15322690 A JP15322690 A JP 15322690A JP H0444610 A JPH0444610 A JP H0444610A
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- head
- film
- magnetic
- composite thin
- magnetoresistive
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- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスク、VTRなどの磁気記録装置に用
いられ、高密度磁気記録に好適な複合型薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法に関する。
いられ、高密度磁気記録に好適な複合型薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法に関する。
従来、磁気ヘッド先端部を:加工する場合、特開昭52
−14410号公報やアイ・イー・イー・イー、トラン
ザクション オン マグネチツクノ、。
−14410号公報やアイ・イー・イー・イー、トラン
ザクション オン マグネチツクノ、。
エム ニー ジー14.、(1978年)第503頁か
ら第505頁(IEEE、T+dns、o+)Magn
etics。
ら第505頁(IEEE、T+dns、o+)Magn
etics。
MAら−14(1978)円)503・505) 、お
よび信学技軸88゜305 (1988年)第3:3頁
から第:38頁において論じられているように、薄膜磁
気ヘッドの動作間隙を構成する部分の両側を部分的に1
ツチング法等により削除して整形し2.トラック幅の精
度向上1図っている。
よび信学技軸88゜305 (1988年)第3:3頁
から第:38頁において論じられているように、薄膜磁
気ヘッドの動作間隙を構成する部分の両側を部分的に1
ツチング法等により削除して整形し2.トラック幅の精
度向上1図っている。
また、磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドにおいては、
特開昭59−30223号公報にも示されているが、信
号取出し導体な摺動向(記録媒体と対向する面)に露出
させた構造となっている。
特開昭59−30223号公報にも示されているが、信
号取出し導体な摺動向(記録媒体と対向する面)に露出
させた構造となっている。
ところが、このように信号取出し導体を摺動面に露出さ
せていると、摺動ノイズの増加や信号取出し導体の断線
といった不具合が発生し易い。これを改善するために、
特開昭58.−37835号・公報、特開昭58−11
5622号公報および特開昭60−69807号公報に
は、信号取出し導体を摺動面に露出させない構造の磁気
ヘッドが示されている。
せていると、摺動ノイズの増加や信号取出し導体の断線
といった不具合が発生し易い。これを改善するために、
特開昭58.−37835号・公報、特開昭58−11
5622号公報および特開昭60−69807号公報に
は、信号取出し導体を摺動面に露出させない構造の磁気
ヘッドが示されている。
さらに、特開昭58−115622号公報には、信号取
出し導体を摺動面に露出させないで、かつ信号取出し導
体の上面だけに絶縁層を設け、その上から新たにMR膜
まで覆う絶縁層を設けて断差部の絶縁性を高めた磁気ヘ
ッドが示されている。
出し導体を摺動面に露出させないで、かつ信号取出し導
体の上面だけに絶縁層を設け、その上から新たにMR膜
まで覆う絶縁層を設けて断差部の絶縁性を高めた磁気ヘ
ッドが示されている。
またさらに、特開昭60−612号公報には、信号取出
し導体を摺動面に露出させないで、かつ磁気抵抗効果素
子に磁気抵抗変化率が小さくなる領域を設けることによ
り、トラック幅を規制して隣接トラックからの漏洩信号
を低減させるようにした磁気ヘッドが示されている。
し導体を摺動面に露出させないで、かつ磁気抵抗効果素
子に磁気抵抗変化率が小さくなる領域を設けることによ
り、トラック幅を規制して隣接トラックからの漏洩信号
を低減させるようにした磁気ヘッドが示されている。
ところで、近年、記録密度が高くなったことに伴い、広
い領域に記録して狭い領域で再生することにより、隣接
トラックからの信号磁界の再生を防ぎ情報再生の信頼性
を向上させる、いわゆる広幅記録狭幅再生(ワイドライ
ト ナローリード)の技術が注目されている。
い領域に記録して狭い領域で再生することにより、隣接
トラックからの信号磁界の再生を防ぎ情報再生の信頼性
を向上させる、いわゆる広幅記録狭幅再生(ワイドライ
ト ナローリード)の技術が注目されている。
しかしながら、上記従来技術では、トラック幅が10μ
m以下になった場合には、記録ヘッド(誘導型ヘッド)
と再生ヘッドとのトラック幅方向の位置合わせ精度が低
下してしまうために、広幅記録狭幅再生の磁気ヘッドを
現実化することができないという問題がある。
m以下になった場合には、記録ヘッド(誘導型ヘッド)
と再生ヘッドとのトラック幅方向の位置合わせ精度が低
下してしまうために、広幅記録狭幅再生の磁気ヘッドを
現実化することができないという問題がある。
また、上記従来技術では、再生ヘッドに磁気抵抗効果素
子を用いた場合、信号取出し導体の形状および磁気抵抗
効果素子の磁区構造について配慮がされておらず、磁区
構造の変動に伴うバルクハウゼンノイズが発生するとい
う問題もある。
子を用いた場合、信号取出し導体の形状および磁気抵抗
効果素子の磁区構造について配慮がされておらず、磁区
構造の変動に伴うバルクハウゼンノイズが発生するとい
う問題もある。
本発明の目的は、記録ヘッドと再生ヘッドとのトラック
幅方向の位置合わせ精度を向上させた複合型薄膜磁気ヘ
ッドを提供することである。
幅方向の位置合わせ精度を向上させた複合型薄膜磁気ヘ
ッドを提供することである。
また、本発明の他の目的は、再生ヘッドに磁気抵抗効果
素子を用いた場合でも、ノイズ発生が少ない複合型薄膜
磁気ヘッドを提供することである。
素子を用いた場合でも、ノイズ発生が少ない複合型薄膜
磁気ヘッドを提供することである。
また、本発明の更に他の目的は、上記した複合型薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供することである。
気ヘッドの製造方法を提供することである。
上記目的を達成するために、本発明は、記録ヘッドと再
生ヘッドが分離されて基板上に形成された複合型薄膜磁
気ヘッドにおいて、前記記録ヘッドと再生ヘッドのトラ
ック幅方向両隅部を切り取って両ヘッドの摺動面側を凸
形にしたものである。
生ヘッドが分離されて基板上に形成された複合型薄膜磁
気ヘッドにおいて、前記記録ヘッドと再生ヘッドのトラ
ック幅方向両隅部を切り取って両ヘッドの摺動面側を凸
形にしたものである。
ここで、記録ヘッドは磁気誘導型ヘッドであり、再生ヘ
ッドは磁気誘導型ヘッドまたは磁気抵抗効果型ヘッドで
ある。
ッドは磁気誘導型ヘッドまたは磁気抵抗効果型ヘッドで
ある。
また、本発明は、磁気シールド膜、絶縁のためのギャッ
プ膜、磁気抵抗効果膜、および該磁気抵抗効果膜に電流
を流すための電極膜からなる磁気抵抗効果型ヘッドを基
板上に設けるとともに、上部磁性膜、下部磁性膜、絶縁
のためのギャップ膜、導体膜、および該導体膜を絶縁す
る絶縁膜からなる磁気誘導型ヘッドを前記磁気抵抗効果
型ヘッドの上面に積層し、かつ該磁気誘導型ヘッドの上
面を保護材で覆った複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前
記磁気抵抗効果型ヘッドと磁気誘導型ヘッドのトラック
幅方向両隅部を切り取って、磁気抵抗効果型ヘッドと磁
気誘導型ヘッドの摺動面側を凸形にしたものである。
プ膜、磁気抵抗効果膜、および該磁気抵抗効果膜に電流
を流すための電極膜からなる磁気抵抗効果型ヘッドを基
板上に設けるとともに、上部磁性膜、下部磁性膜、絶縁
のためのギャップ膜、導体膜、および該導体膜を絶縁す
る絶縁膜からなる磁気誘導型ヘッドを前記磁気抵抗効果
型ヘッドの上面に積層し、かつ該磁気誘導型ヘッドの上
面を保護材で覆った複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前
記磁気抵抗効果型ヘッドと磁気誘導型ヘッドのトラック
幅方向両隅部を切り取って、磁気抵抗効果型ヘッドと磁
気誘導型ヘッドの摺動面側を凸形にしたものである。
また1本発明は、上部磁性膜、下部磁性膜、絶縁のため
のギャップ膜、導体膜、および該導体膜を絶縁するM縁
膜からなる磁気誘導型ヘッドを基板上に設けるとともに
、磁気シールド膜、絶縁のためのギャップ膜、磁気抵抗
効果膜、および該磁気抵抗効果膜に電流を流すための電
極膜からなる磁気抵抗効果型ヘッドを前記磁気誘導型ヘ
ッドの上面に積層し、かつ該磁気抵抗効果型ヘッドの上
面を保護材で覆った複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前
記磁気誘導型ヘッドと磁気抵抗効果型ヘッドのトラック
幅方向両隅部を切り取って、磁気誘導型ヘッドと磁気抵
抗効果型ヘッドの摺動面側を凸形にしたものである。
のギャップ膜、導体膜、および該導体膜を絶縁するM縁
膜からなる磁気誘導型ヘッドを基板上に設けるとともに
、磁気シールド膜、絶縁のためのギャップ膜、磁気抵抗
効果膜、および該磁気抵抗効果膜に電流を流すための電
極膜からなる磁気抵抗効果型ヘッドを前記磁気誘導型ヘ
ッドの上面に積層し、かつ該磁気抵抗効果型ヘッドの上
面を保護材で覆った複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前
記磁気誘導型ヘッドと磁気抵抗効果型ヘッドのトラック
幅方向両隅部を切り取って、磁気誘導型ヘッドと磁気抵
抗効果型ヘッドの摺動面側を凸形にしたものである。
また1本発明は、上記複合型薄膜磁気ヘッドのいずれか
を磁気記録装置に搭載したことである。
を磁気記録装置に搭載したことである。
さらに、本発明は、基板上に記録ヘッドと再生ヘッドを
分離して形成した後に、フォーカスド・イオン・ビーム
技術を用いて、摺動面側または保護材側から前記記録ヘ
ッドと再生ヘッドのトラッり幅方向両隅部を一括して切
り取り、前記両ヘッドの摺動面側を凸形にすることによ
り、複合型薄膜磁気ヘッドを製造するようにしたことで
ある。
分離して形成した後に、フォーカスド・イオン・ビーム
技術を用いて、摺動面側または保護材側から前記記録ヘ
ッドと再生ヘッドのトラッり幅方向両隅部を一括して切
り取り、前記両ヘッドの摺動面側を凸形にすることによ
り、複合型薄膜磁気ヘッドを製造するようにしたことで
ある。
記録再生を兼用した誘導型の薄膜磁気ヘッドでは、記録
の場合には、面記録密度が一平方インチ当り150メガ
ビツトになると記録される側の記録媒体の保磁力は15
00工ルステツド以上になる。これは、記録媒体の保磁
力が小さい場合に高記録密度になると反磁界の影響が大
きいために記録状態を保持できなくなるからである。し
かし、高保磁力の記録媒体になると、薄膜磁気ヘッドの
磁性膜厚を厚くしなければならない。
の場合には、面記録密度が一平方インチ当り150メガ
ビツトになると記録される側の記録媒体の保磁力は15
00工ルステツド以上になる。これは、記録媒体の保磁
力が小さい場合に高記録密度になると反磁界の影響が大
きいために記録状態を保持できなくなるからである。し
かし、高保磁力の記録媒体になると、薄膜磁気ヘッドの
磁性膜厚を厚くしなければならない。
一方、再生の場合には、記録密度の向上により線記録密
度も40キロビット以上になる。このときに、再生波形
の隣接ビットとの干渉を避けるために薄膜磁気ヘッドの
磁性膜厚を薄くしなければならない。
度も40キロビット以上になる。このときに、再生波形
の隣接ビットとの干渉を避けるために薄膜磁気ヘッドの
磁性膜厚を薄くしなければならない。
このように、記録再生兼用の薄膜磁気ヘッドでは高記録
密度化の点で限界があり、記録ヘッドと再生ヘッドと分
離した複合型薄膜磁気ヘッドが必要になる。
密度化の点で限界があり、記録ヘッドと再生ヘッドと分
離した複合型薄膜磁気ヘッドが必要になる。
そして、この複合型薄膜磁気ヘッドには、記録ヘッドに
厚い磁性膜の磁気誘導型を、再生ヘッドに薄い磁性膜の
磁気誘導型をそれぞれ用いたものと、記録ヘッドに厚い
磁性膜の磁気誘導型を、再生ヘッドに磁気抵抗効果型を
それぞれ用いたものとがある。磁気抵抗効果型のヘッド
とは、磁気抵抗効果素子(MR素子)の抵抗が印加され
た磁場に対して変化することを利用したものであり、こ
の抵抗変化を電圧変化として再生する。
厚い磁性膜の磁気誘導型を、再生ヘッドに薄い磁性膜の
磁気誘導型をそれぞれ用いたものと、記録ヘッドに厚い
磁性膜の磁気誘導型を、再生ヘッドに磁気抵抗効果型を
それぞれ用いたものとがある。磁気抵抗効果型のヘッド
とは、磁気抵抗効果素子(MR素子)の抵抗が印加され
た磁場に対して変化することを利用したものであり、こ
の抵抗変化を電圧変化として再生する。
このような複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、記録ヘッド
と再生ヘッドを形成した後に、−括してトラック幅を加
工して摺動面側を凸形にすることにより、記録ヘッドと
再生ヘッドとの位置合わせ精度が向上し、記録された情
報をトラックずれすることなく再生することができると
ともに、再生時に隣接トラックからの信号磁界の影響を
受けることがなくなり、信号対雑音比(S/N比)を向
上させることができる。
と再生ヘッドを形成した後に、−括してトラック幅を加
工して摺動面側を凸形にすることにより、記録ヘッドと
再生ヘッドとの位置合わせ精度が向上し、記録された情
報をトラックずれすることなく再生することができると
ともに、再生時に隣接トラックからの信号磁界の影響を
受けることがなくなり、信号対雑音比(S/N比)を向
上させることができる。
また、再生ヘッドに磁気抵抗効果型のヘッドを用いた場
合、再生ヘッドから信号を取り出す導体を磁性体とすれ
ば、磁気抵抗効果型のヘッドの磁区を安定にすることが
でき、ノイズの出現を抑えることができる。
合、再生ヘッドから信号を取り出す導体を磁性体とすれ
ば、磁気抵抗効果型のヘッドの磁区を安定にすることが
でき、ノイズの出現を抑えることができる。
以下に本発明の一実施例を図面に従って説明する。
第1図は本発明の複合型薄膜磁気ヘッドを中央で縦に切
断した場合の斜視図、第2図は第1図の磁気ヘッドを矢
印A方向からみた場合の要部拡大図である。図に示すよ
うに、セラミック系基板10に下地層(AQ、O,)1
1がスパッタされ、その上に下部il気シールド材(N
iFe)16がパターニングされている。下部磁気シー
ルド材16の上には、ギャップ材(AQ203)13、
磁気抵抗効果素子2.電極l、ギャップ材14が膜付は
パターニングされている。さらに、ギャップ材14の上
には、誘導型記録ヘッドの下部磁性膜3、ギャップ材1
2.上部磁性膜4が膜付はパターニングされ、最上面は
保護材7で覆われている。ここで、図に示す磁気ヘッド
では左斜め下の端面が摺動面であり、記録媒体はこの摺
動面に沿って下から上へ移動する。また図に示した矢印
方向がトラック幅方向である。
断した場合の斜視図、第2図は第1図の磁気ヘッドを矢
印A方向からみた場合の要部拡大図である。図に示すよ
うに、セラミック系基板10に下地層(AQ、O,)1
1がスパッタされ、その上に下部il気シールド材(N
iFe)16がパターニングされている。下部磁気シー
ルド材16の上には、ギャップ材(AQ203)13、
磁気抵抗効果素子2.電極l、ギャップ材14が膜付は
パターニングされている。さらに、ギャップ材14の上
には、誘導型記録ヘッドの下部磁性膜3、ギャップ材1
2.上部磁性膜4が膜付はパターニングされ、最上面は
保護材7で覆われている。ここで、図に示す磁気ヘッド
では左斜め下の端面が摺動面であり、記録媒体はこの摺
動面に沿って下から上へ移動する。また図に示した矢印
方向がトラック幅方向である。
そして、本実施例の特徴は、摺動面に溝が形成されてい
ることである。図に示した磁気ヘッドは左側半分だけで
、実際にはこれに右側半分が一体化されて1つの磁気ヘ
ッドが構成されており、右側半分の摺動面にも同様に溝
が形成されている。
ることである。図に示した磁気ヘッドは左側半分だけで
、実際にはこれに右側半分が一体化されて1つの磁気ヘ
ッドが構成されており、右側半分の摺動面にも同様に溝
が形成されている。
つまり、2つの溝に挾まれた部分については、磁気ヘッ
ドの摺動面はトラック幅方向両隅部が切り取られて凸形
状に整形されている。この整形の大きさは、摺動面に垂
直な方向に0.1〜2μmの切込量で、トラック幅方向
に0.1〜2μmだけ切り取られている。
ドの摺動面はトラック幅方向両隅部が切り取られて凸形
状に整形されている。この整形の大きさは、摺動面に垂
直な方向に0.1〜2μmの切込量で、トラック幅方向
に0.1〜2μmだけ切り取られている。
次に磁気抵抗効果素子2の詳細について第3図を用いて
説明する。
説明する。
図において、実線で示した凸形形状は磁気抵抗効果素子
2の外形を表わしている。凸形形状の突山部上面は摺動
面であり、その摺動面の左右方向の長さがトラック幅と
なっている。このトラック幅は記録密度からその大きさ
が設定される。記録媒体は摺動面に対向した位置にあり
、摺動面から所定の浮上量を保持して紙面垂直方向に移
動している。また磁気抵抗効果素子2の両側端部には電
極1が設けられ、この電極1はその先端が摺動面からg
lだけヘッド後部(図の下方)へ後退した位置に配置さ
れている。なお、電極1を摺動面に接するように配置す
ると、トラック幅は10μm以下なのに電極部分は5μ
m以上あって隣接トラックからの信号磁界を読み取る恐
れがあり、また電極1を摺動面から離し過ぎると、信号
磁界を抵抗変化に変換する効率が悪化するために、gi
は0.1〜2μmの値が適正な範囲である。
2の外形を表わしている。凸形形状の突山部上面は摺動
面であり、その摺動面の左右方向の長さがトラック幅と
なっている。このトラック幅は記録密度からその大きさ
が設定される。記録媒体は摺動面に対向した位置にあり
、摺動面から所定の浮上量を保持して紙面垂直方向に移
動している。また磁気抵抗効果素子2の両側端部には電
極1が設けられ、この電極1はその先端が摺動面からg
lだけヘッド後部(図の下方)へ後退した位置に配置さ
れている。なお、電極1を摺動面に接するように配置す
ると、トラック幅は10μm以下なのに電極部分は5μ
m以上あって隣接トラックからの信号磁界を読み取る恐
れがあり、また電極1を摺動面から離し過ぎると、信号
磁界を抵抗変化に変換する効率が悪化するために、gi
は0.1〜2μmの値が適正な範囲である。
また、2つの電極1間の間隔は、トラック幅の両側にg
c (=0.2μm)を加えた大きさとなっている。こ
のように、電極1間の間隔をトラック幅よりも長くすれ
ば、磁気抵抗効果素子2の抵抗が大きくなり、その分、
抵抗変化も大きくなるので信号磁界に対する再生出力を
高めることができる。
c (=0.2μm)を加えた大きさとなっている。こ
のように、電極1間の間隔をトラック幅よりも長くすれ
ば、磁気抵抗効果素子2の抵抗が大きくなり、その分、
抵抗変化も大きくなるので信号磁界に対する再生出力を
高めることができる。
さらに、磁気抵抗効果素子2の摺動面側突出部は、その
幅がどこでもトラック幅と同じ幅となる形状にしたので
、摺動面側からヘッドを加工していった場合にトラック
幅の精度向上に役立っている。
幅がどこでもトラック幅と同じ幅となる形状にしたので
、摺動面側からヘッドを加工していった場合にトラック
幅の精度向上に役立っている。
なお、磁気抵抗効果素子2の形状は凸形に限らず、摺動
面側突出部の両側にある。トラック幅方向に沿った面を
、第4図(a)および(b)のように、一定の曲率を持
った曲面にしてもよい。
面側突出部の両側にある。トラック幅方向に沿った面を
、第4図(a)および(b)のように、一定の曲率を持
った曲面にしてもよい。
次に磁気抵抗効果素子の他の例について第5図乃至第9
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
まず、第5図では磁気抵抗効果素子2と電極1が一体的
に形成されている。これは、磁気抵抗効果素子2の薄膜
(100〜1000人)を電極1の形状も含めた状態で
パターニングし、その後に軟磁性体の電極1を0.1〜
1μm程度膜付はパターニングしたものである。
に形成されている。これは、磁気抵抗効果素子2の薄膜
(100〜1000人)を電極1の形状も含めた状態で
パターニングし、その後に軟磁性体の電極1を0.1〜
1μm程度膜付はパターニングしたものである。
このような構成によれば、磁気抵抗効果素子2内を矢印
のように流れる電流lにより、信号磁界による磁気抵抗
膜の抵抗変化を読み取ることができる。
のように流れる電流lにより、信号磁界による磁気抵抗
膜の抵抗変化を読み取ることができる。
第6図では磁気抵抗効果素子2と電極1が一体的に形成
されていて、この点は第5図の場合と同様であるが、第
6図では更に磁気抵抗効果素子2の反摺動面側(図の右
側)が電極1間に挟まれた構成となっている。これも、
第5図のときと同様にして膜をパターニングすることに
より製造できる。
されていて、この点は第5図の場合と同様であるが、第
6図では更に磁気抵抗効果素子2の反摺動面側(図の右
側)が電極1間に挟まれた構成となっている。これも、
第5図のときと同様にして膜をパターニングすることに
より製造できる。
このような構成によれば、電流工は磁気抵抗効果素子2
内を矢印のように最短距離で流れるようになり、磁気抵
抗効果素子2の摺動面側は抵抗変化を読み取れなくなっ
て、信号磁界を導くための案内部分となる。これにより
、記録媒体との摺動による抵抗変化への影響が小さくな
るため、安定した再生信号を得ることができる。
内を矢印のように最短距離で流れるようになり、磁気抵
抗効果素子2の摺動面側は抵抗変化を読み取れなくなっ
て、信号磁界を導くための案内部分となる。これにより
、記録媒体との摺動による抵抗変化への影響が小さくな
るため、安定した再生信号を得ることができる。
第7図では、磁気抵抗効果素子2のトラック幅方向の距
離を電極1間の距離(電極の外側部分から外側部分まで
の距離)よりも短くした構造となっている。
離を電極1間の距離(電極の外側部分から外側部分まで
の距離)よりも短くした構造となっている。
このように、トラック幅方向について、例えば一方の電
極1の幅が5μm程度であって、磁気抵抗効果素子2の
抵抗変化検知部分の幅を10μm以下にした場合、隣接
トラックからの信号磁界による影響を少なくすることが
でき、検出感度の低下を防ぐことができる。すなわち、
従来のように、磁気抵抗効果素子上に抵抗変化検知部分
のトラック幅10μmを残して電極(Cr/cuが使用
されている)を付けた構造では、磁気抵抗効果による磁
性体の抵抗変化を検出できるのは電流が流れているトラ
ック111110μmの部分だけであるが。
極1の幅が5μm程度であって、磁気抵抗効果素子2の
抵抗変化検知部分の幅を10μm以下にした場合、隣接
トラックからの信号磁界による影響を少なくすることが
でき、検出感度の低下を防ぐことができる。すなわち、
従来のように、磁気抵抗効果素子上に抵抗変化検知部分
のトラック幅10μmを残して電極(Cr/cuが使用
されている)を付けた構造では、磁気抵抗効果による磁
性体の抵抗変化を検出できるのは電流が流れているトラ
ック111110μmの部分だけであるが。
信号磁界は隣接トラックからも出ているため、この信号
磁界を電極の下の磁気抵抗効果素子で感磁してしまい、
抵抗変化に影響を及ぼす。しかも。
磁界を電極の下の磁気抵抗効果素子で感磁してしまい、
抵抗変化に影響を及ぼす。しかも。
電極は2つあるので、両方の場合を合わせると電極の下
の磁気抵抗効果素子で検出する信号磁界と。
の磁気抵抗効果素子で検出する信号磁界と。
抵抗変化検知部分で検出する信号磁界とが同程度になり
、検出感度が大幅に低下してしまう、これに対し、上記
構成のものでは磁気抵抗効果素子のトラック幅方向の距
離を短くシ、かつ電極の先端位置を後退させた構造にし
たので、隣接トラックからの信号磁界による影響が少な
くなり、検出感度を向上させることができる。
、検出感度が大幅に低下してしまう、これに対し、上記
構成のものでは磁気抵抗効果素子のトラック幅方向の距
離を短くシ、かつ電極の先端位置を後退させた構造にし
たので、隣接トラックからの信号磁界による影響が少な
くなり、検出感度を向上させることができる。
また、第8図のように、磁気抵抗効果素子2と電極1と
の接合部分に曲率を設けるようにしても同様な効果が得
られる。更にこのようにすれば。
の接合部分に曲率を設けるようにしても同様な効果が得
られる。更にこのようにすれば。
製造上便利であるとともに耐久性を向上させることもで
きる。
きる。
第9図では、電極1は、その先端が摺動面に4敢して磁
気抵抗効果素子2上に設けられ、トラック幅方向の両端
が電極1の外側部分から所定量だけ削除された構成とな
っている。削除された箇所の摺動面からの奥行きg、は
0.1〜2μm程度である。なお1図においては、電極
1には摺動面に達する部分が一部に残されているが、こ
の部分をすべて削除してもよい。
気抵抗効果素子2上に設けられ、トラック幅方向の両端
が電極1の外側部分から所定量だけ削除された構成とな
っている。削除された箇所の摺動面からの奥行きg、は
0.1〜2μm程度である。なお1図においては、電極
1には摺動面に達する部分が一部に残されているが、こ
の部分をすべて削除してもよい。
このような構成によれば、第6図のときと同様に、電流
Iは磁気抵抗効果素子2内を矢印のように最短距離で流
れるので、安定した再生信号を得ることかできるととも
に、第7図と第8図のときと同様に、磁気抵抗効果素子
2の抵抗変化検知部分の幅を短くすることができ、隣接
トラックからの信号磁界による影響を少なくして検出感
度の向上を図ることができる。
Iは磁気抵抗効果素子2内を矢印のように最短距離で流
れるので、安定した再生信号を得ることかできるととも
に、第7図と第8図のときと同様に、磁気抵抗効果素子
2の抵抗変化検知部分の幅を短くすることができ、隣接
トラックからの信号磁界による影響を少なくして検出感
度の向上を図ることができる。
次に本発明の複合型薄膜磁気ヘッドの他の実施例を説明
する。
する。
前述した第1図の磁気ヘッドでは磁気抵抗効果素子2を
上部磁性膜と下部磁性膜の下方に設けたが、第10図に
示すように、磁気抵抗効果素子2を上部磁性膜と下部磁
性膜の上方に設けることもできる。すなわち、第10図
は磁気ヘッドを摺動面側からみた図であるが、図のよう
に、セラミック系基板10に下地層(Ag2O,)11
がスパッタされ、その上の誘導型記録ヘッドの下部磁性
膜3、ギャップ材(Afi、O,)12.上部磁性膜4
゜ギャップ材13が膜付はパターニングされている。
上部磁性膜と下部磁性膜の下方に設けたが、第10図に
示すように、磁気抵抗効果素子2を上部磁性膜と下部磁
性膜の上方に設けることもできる。すなわち、第10図
は磁気ヘッドを摺動面側からみた図であるが、図のよう
に、セラミック系基板10に下地層(Ag2O,)11
がスパッタされ、その上の誘導型記録ヘッドの下部磁性
膜3、ギャップ材(Afi、O,)12.上部磁性膜4
゜ギャップ材13が膜付はパターニングされている。
さらに誘導型記録ヘッドの上部には磁気抵抗効果素子2
、電極1、ギャップ材14、磁気シール材15がパター
ニングされ、最上面は保護材7で覆われている。
、電極1、ギャップ材14、磁気シール材15がパター
ニングされ、最上面は保護材7で覆われている。
次に本発明の複合型薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録
装置の一例について説明する。
装置の一例について説明する。
第11図は磁気ディスク装置の概略構成図である0図に
おいて、容器20の内部には、ヘッド・ディスク・アッ
センブリ(以下、HDAという)21と、ドライブ回路
および電源が入ったケース22と、計算機およびインタ
ーフェースが入ったケース23とが収納されている。H
DA21は8個あって、それらは4個ずつ二段に分けら
れて設置され、そのHDA21の各々にケース22が接
続されている。容器20は、底面が一辺0.5〜1.5
mの略正方形をなし、高さが約2mである。
おいて、容器20の内部には、ヘッド・ディスク・アッ
センブリ(以下、HDAという)21と、ドライブ回路
および電源が入ったケース22と、計算機およびインタ
ーフェースが入ったケース23とが収納されている。H
DA21は8個あって、それらは4個ずつ二段に分けら
れて設置され、そのHDA21の各々にケース22が接
続されている。容器20は、底面が一辺0.5〜1.5
mの略正方形をなし、高さが約2mである。
−組のHDA21とケース22について、その詳細を示
したのが第12図である。HDA21の内部には、スピ
ンドル30に固定された5枚の磁気ディスク31と、ス
ピンドル30を回転駆動するモータ32と、データ用磁
気ヘッド(これに本発明の複合型薄膜磁気ヘッドが用い
られる)33および位置決め用磁気ヘッド34を磁気デ
ィスク31の半径方向へ移動するキャリッジ35と、ボ
イスコイル36およびマグメット37からなりキャリッ
ジ35を制御するボイスコイルモータ38とが収納され
ている。そして、スピンドル30、モータ32、キャリ
ッジ35およびボイスコイルモータ38はベース39に
配設されている。またケース22の内部には、位置決め
用磁気ヘッド34に接続されボイスコイルモータ38を
制御するボイスコイルモータ制御回路40と、データ用
磁気ヘッド33に接続されたライト/リード回路41と
、このライト/リード回路41に接続されたインターフ
ェース42とが収納されている。なお、インターフェー
ス42は外部にある上位装置(例えばコンピュータシス
テム)43に接続される。
したのが第12図である。HDA21の内部には、スピ
ンドル30に固定された5枚の磁気ディスク31と、ス
ピンドル30を回転駆動するモータ32と、データ用磁
気ヘッド(これに本発明の複合型薄膜磁気ヘッドが用い
られる)33および位置決め用磁気ヘッド34を磁気デ
ィスク31の半径方向へ移動するキャリッジ35と、ボ
イスコイル36およびマグメット37からなりキャリッ
ジ35を制御するボイスコイルモータ38とが収納され
ている。そして、スピンドル30、モータ32、キャリ
ッジ35およびボイスコイルモータ38はベース39に
配設されている。またケース22の内部には、位置決め
用磁気ヘッド34に接続されボイスコイルモータ38を
制御するボイスコイルモータ制御回路40と、データ用
磁気ヘッド33に接続されたライト/リード回路41と
、このライト/リード回路41に接続されたインターフ
ェース42とが収納されている。なお、インターフェー
ス42は外部にある上位装置(例えばコンピュータシス
テム)43に接続される。
磁気ディスク31は、第13図に示すように、アルミナ
等の非磁性円盤50の片面または両面に磁性体層51が
設けられたものである。磁性体層51の表面には多数の
トラック溝が形成されている。磁気ディスク31は矢印
の方向へ回転しており、その表面上にはスライダ52に
取り付けられたデータ用磁気ヘッド33が浮上している
。なお、図中、符号λは記録波長を、符号Tpはトラッ
クピッチを、tは磁気ヘッド33の浮上量を、各々示し
ている。
等の非磁性円盤50の片面または両面に磁性体層51が
設けられたものである。磁性体層51の表面には多数の
トラック溝が形成されている。磁気ディスク31は矢印
の方向へ回転しており、その表面上にはスライダ52に
取り付けられたデータ用磁気ヘッド33が浮上している
。なお、図中、符号λは記録波長を、符号Tpはトラッ
クピッチを、tは磁気ヘッド33の浮上量を、各々示し
ている。
磁気ヘッド33の面記録密度は一平方インチ当り150
〜400メガビツトである。トラック密度は1インチ当
り3000トラック以上とすることが望ましく、線記録
密度は1インチ当り50キロビツト以上とすることが望
ましい。そして、これらの線記録密度とトラック密度の
範囲内で、両者の積である面密度記録を前述のように1
50〜400メガビツトとすることが望ましい。このよ
うにすることにより、ディスク径を著しく大きくするこ
となく記録密度を高めることができる。
〜400メガビツトである。トラック密度は1インチ当
り3000トラック以上とすることが望ましく、線記録
密度は1インチ当り50キロビツト以上とすることが望
ましい。そして、これらの線記録密度とトラック密度の
範囲内で、両者の積である面密度記録を前述のように1
50〜400メガビツトとすることが望ましい。このよ
うにすることにより、ディスク径を著しく大きくするこ
となく記録密度を高めることができる。
記録密度が増大し情報の記録容量が大になってもデータ
転送速度がその分遅くなったのでは、利用価値が少ない
。データ転送速度を4.5〜9メガバイト/秒とすれば
、データの出し入れを速やかに行うことができる。この
データ転送速度はディスクの周速と線記録密度の積で決
まる。線記録密度は1インチ当り50キロビツトである
から、データ転送速度4.5〜9メガバイト/秒は、直
径5.0〜11インチのディスクの場合、ディスク回転
数を350Orpm以上とすることにより実現できる。
転送速度がその分遅くなったのでは、利用価値が少ない
。データ転送速度を4.5〜9メガバイト/秒とすれば
、データの出し入れを速やかに行うことができる。この
データ転送速度はディスクの周速と線記録密度の積で決
まる。線記録密度は1インチ当り50キロビツトである
から、データ転送速度4.5〜9メガバイト/秒は、直
径5.0〜11インチのディスクの場合、ディスク回転
数を350Orpm以上とすることにより実現できる。
この3500ppmという回転数は、通常の磁気ディス
ク装置において採用されている一般的な回転数であり、
実現が極めて容易である。
ク装置において採用されている一般的な回転数であり、
実現が極めて容易である。
なお第12図では、1つのスピンドル30に固定された
磁気ディスク31の枚数は5枚であったが、これに限定
されるものではなく何枚であってもよい、またこのよう
に1つのスピンドル3oに磁気ディスク31を固定した
ものを複数個設置してもよい。
磁気ディスク31の枚数は5枚であったが、これに限定
されるものではなく何枚であってもよい、またこのよう
に1つのスピンドル3oに磁気ディスク31を固定した
ものを複数個設置してもよい。
次に本発明の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例に
ついて説明する。ここでは、再生ヘッドに磁気抵抗効果
素子を用いた磁気ヘッドの場合について第14図を用い
て述べる。まずセラミック系基板に下地層(A1□0よ
)をスパッタリングしくステップ100)、磁気シール
ド材(NiFe)をスパッタリングした後に、それをイ
オンミリングにより磁気シールド形状にパターンニング
する(ステップ101)、その上に第1絶縁材料(A1
20、)をスパッタリングする(ステップ1o2)。次
に磁気抵抗効果素子を形成しくステップ103)、その
上に電極材(Ti/Au)スパッタリングしくステップ
104)、それをイオンミリングにより電極形状にパタ
ーンニングする(ステップ105)、さらに、第2絶縁
材料(A120.)をスパッタリングしくステップ10
6)、磁気シールド材(NiFe)をスパッタリングし
た後に。
ついて説明する。ここでは、再生ヘッドに磁気抵抗効果
素子を用いた磁気ヘッドの場合について第14図を用い
て述べる。まずセラミック系基板に下地層(A1□0よ
)をスパッタリングしくステップ100)、磁気シール
ド材(NiFe)をスパッタリングした後に、それをイ
オンミリングにより磁気シールド形状にパターンニング
する(ステップ101)、その上に第1絶縁材料(A1
20、)をスパッタリングする(ステップ1o2)。次
に磁気抵抗効果素子を形成しくステップ103)、その
上に電極材(Ti/Au)スパッタリングしくステップ
104)、それをイオンミリングにより電極形状にパタ
ーンニングする(ステップ105)、さらに、第2絶縁
材料(A120.)をスパッタリングしくステップ10
6)、磁気シールド材(NiFe)をスパッタリングし
た後に。
それをイオンミリングにより磁気シールド形状にパター
ンニングする(ステップ107)、そして、第2絶縁材
料を端子形状にして穴を作成しくステップ108)を誘
導型薄膜磁気ヘッドを形成する(ステップ109)。こ
のようにしてできた磁気ヘッドをスライダ形状に加工(
ステップ110)した後に、フォーカスド・イオン・ビ
ーム(FIB)技術等を用いて、摺動面側または保護材
側からトラック幅方向両隅部を一括して切り取って、記
録ヘッドと再生ヘッドの摺動面側を凸形に整形する(ス
テップ111)。
ンニングする(ステップ107)、そして、第2絶縁材
料を端子形状にして穴を作成しくステップ108)を誘
導型薄膜磁気ヘッドを形成する(ステップ109)。こ
のようにしてできた磁気ヘッドをスライダ形状に加工(
ステップ110)した後に、フォーカスド・イオン・ビ
ーム(FIB)技術等を用いて、摺動面側または保護材
側からトラック幅方向両隅部を一括して切り取って、記
録ヘッドと再生ヘッドの摺動面側を凸形に整形する(ス
テップ111)。
記録ヘッドと再生ヘッドの上下関係が逆の場合でも、上
記のようにフォーカスド・イオン・ビーム技術等を用い
て、トラック幅方向両隅部を切り取って、摺動面側を凸
形に整形することができる。
記のようにフォーカスド・イオン・ビーム技術等を用い
て、トラック幅方向両隅部を切り取って、摺動面側を凸
形に整形することができる。
なお、磁気抵抗効果素子と信号取出し用の導体との接触
部はスルーホールを介して接続し、そのスルーホールの
絶縁膜としてフォトレジストを使用する。
部はスルーホールを介して接続し、そのスルーホールの
絶縁膜としてフォトレジストを使用する。
また、再生ヘッドに磁気誘導型ヘッドを用いた場合には
、磁気誘導型ヘッドの上部磁性膜と下部磁性膜を1〜2
μm程度にするだけでよく、摺動面側を凸形に整形する
には、上記と同様にフォーカスド・イオン・ビーム技術
等を用いればよい。
、磁気誘導型ヘッドの上部磁性膜と下部磁性膜を1〜2
μm程度にするだけでよく、摺動面側を凸形に整形する
には、上記と同様にフォーカスド・イオン・ビーム技術
等を用いればよい。
以上説明したように1本発明によれば、記録ヘッドと再
生ヘッドの摺動面側を凸形にしたので、記録ヘッドと再
生ヘッドとの位置合わせ精度が向上するとともに、隣接
トラックからの信号磁界の影響を受けることがなくなり
、低ノイズ化を図ることができる。
生ヘッドの摺動面側を凸形にしたので、記録ヘッドと再
生ヘッドとの位置合わせ精度が向上するとともに、隣接
トラックからの信号磁界の影響を受けることがなくなり
、低ノイズ化を図ることができる。
第1図は本発明の複合型薄膜磁気ヘッドを中央で縦に切
断した場合の斜視図、第2図は第1図の磁気ヘッドを矢
印A方向から見た場合の要部拡大図、第3図は磁気抵抗
効果素子の形状を示す平面図、第4図は磁気抵抗効果素
子の他の形状を示す要部拡大図、第5図乃至第9図は磁
気抵抗効果素子の他の例を示し、第5図と第6図はその
斜視図、第7図、第8図および第9図はその平面図、第
10図は本発明の複合型薄膜磁気ヘッドの他の実施例を
示す要部拡大図、第11図は磁気記録装置の概略構成図
、第12図はヘッド・ディスク・アッセンブリとその制
御回路の概略構成図、第13図は磁気ディスク上にある
磁気ヘッドの様子を示す要部斜視図、第14図は本発明
の複合型薄膜磁気ヘッドの製造手順を示すフローチャー
トである。 1・・・電極部、2−・・磁気抵抗効果素子、3・・・
下部磁性膜、4・・・上部磁性膜、5・・・絶縁膜、6
・・・導体、7・・・保護材、 10・・・セラミック系基板、11・・・下地層、12
〜14・・・ギャップ材、 15.16・・・磁気シールド材、 31・・・磁気ディスク、33・・・データ用磁気ヘッ
ド、34・・・位置決め用磁気ヘッド、35・・・キャ
リッジ、36・・・ボイスコイル、37・・・マグネッ
ト、38・・・ボイスコイルモータ。
断した場合の斜視図、第2図は第1図の磁気ヘッドを矢
印A方向から見た場合の要部拡大図、第3図は磁気抵抗
効果素子の形状を示す平面図、第4図は磁気抵抗効果素
子の他の形状を示す要部拡大図、第5図乃至第9図は磁
気抵抗効果素子の他の例を示し、第5図と第6図はその
斜視図、第7図、第8図および第9図はその平面図、第
10図は本発明の複合型薄膜磁気ヘッドの他の実施例を
示す要部拡大図、第11図は磁気記録装置の概略構成図
、第12図はヘッド・ディスク・アッセンブリとその制
御回路の概略構成図、第13図は磁気ディスク上にある
磁気ヘッドの様子を示す要部斜視図、第14図は本発明
の複合型薄膜磁気ヘッドの製造手順を示すフローチャー
トである。 1・・・電極部、2−・・磁気抵抗効果素子、3・・・
下部磁性膜、4・・・上部磁性膜、5・・・絶縁膜、6
・・・導体、7・・・保護材、 10・・・セラミック系基板、11・・・下地層、12
〜14・・・ギャップ材、 15.16・・・磁気シールド材、 31・・・磁気ディスク、33・・・データ用磁気ヘッ
ド、34・・・位置決め用磁気ヘッド、35・・・キャ
リッジ、36・・・ボイスコイル、37・・・マグネッ
ト、38・・・ボイスコイルモータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、記録ヘッドと再生ヘッドが分離されて基板上に形成
された複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記記録ヘッド
と再生ヘッドのトラック幅方向両隅部を切り取って両ヘ
ッドの摺動面側を凸形にしたことを特徴とする複合型薄
膜磁気ヘッド。 2、記録ヘッドと再生ヘッドが分離されて基板上に形成
され、該記録ヘッドと再生ヘッドが共に磁気誘導型ヘッ
ドで構成された複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記記録ヘッドと再生ヘッドのトラック幅方向両隅部を
切り取って両ヘッドの摺動面側を凸形にしたことを特徴
とする複合型薄膜磁気ヘッド。 3、記録ヘッドと再生ヘッドが分離されて基板上に形成
され、前記記録ヘッドが磁気誘導型ヘッドで、前記再生
ヘッドが磁気抵抗効果型ヘッドでそれぞれ構成された複
合型薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記記録ヘッドと再生ヘッドのトラック幅方向両隅部を
切り取って両ヘッドの摺動面側を凸形にしたことを特徴
とする複合型薄膜磁気ヘッド。 4、請求項1、2又は3記載の複合型薄膜磁気ヘッドに
おいて、 前記記録ヘッドと再生ヘッドのトラック幅方向両隅部は
、摺動面側から0.1〜2μmの切込量で切り取られて
いることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。 5、請求項1又は3記載の複合型薄膜磁気ヘッドにおい
て、 前記再生ヘッドに電流を流す電極を、前記摺動面より後
退させて内側に設けたことを特徴とする複合型薄膜磁気
ヘッド。 6、磁気シールド膜、絶縁のためのギャップ膜、磁気抵
抗効果膜、および該磁気抵抗効果膜に電流を流すための
電極膜からなる磁気抵抗効果型ヘッドを基板上に設ける
とともに、上部磁性膜、下部磁性膜、絶縁のためのギャ
ップ膜、導体膜、および該導体膜を絶縁する絶縁膜から
なる磁気誘導型ヘッドを前記磁気抵抗効果型ヘッドの上
面に積層し、かつ該磁気誘導型ヘッドの上面を保護材で
覆った複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効
果型ヘッドと磁気誘導型ヘッドのトラック幅方向両隅部
を切り取って、磁気抵抗効果型ヘッドと磁気誘導型ヘッ
ドの摺動面側を凸形にしたことを特徴とする複合型薄膜
磁気ヘッド。 7、上部磁性膜、下部磁性膜、絶縁のためのギャップ膜
、導体膜、および該導体膜を絶縁する絶縁膜からなる磁
気誘導型ヘッドを基板上に設けるとともに、磁気シール
ド膜、絶縁のためのギャップ膜、磁気抵抗効果膜、およ
び該磁気抵抗効果膜に電流を流すための電極膜からなる
磁気抵抗効果型ヘッドを前記磁気誘導型ヘッドの上面に
積層し、かつ該磁気抵抗効果型ヘッドの上面を保護材で
覆った複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記磁気誘導型ヘッドと磁気抵抗効果型ヘッドのトラッ
ク幅方向両隅部を切り取って、磁気誘導型ヘッドと磁気
抵抗効果型ヘッドの摺動面側を凸形にしたことを特徴と
する複合型薄膜磁気ヘッド。 8、請求項6又は7記載の複合型薄膜磁気ヘッドにおい
て、 前記磁気抵抗効果型ヘッドと磁気誘導型ヘッドのトラッ
ク幅方向両隅部は、摺動面側から0.1〜2μmの切込
量で切り取られていることを特徴とする複合型薄膜磁気
ヘッド。 9、請求項6又は7記載の複合型薄膜磁気ヘッドにおい
て、 前記磁気抵抗効果型ヘッドに電流を流す電極を、前記摺
動面より後退させて内側に設けたことを特徴とする複合
型薄膜磁気ヘッド。 10、請求項9記載の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記電極を軟磁性薄膜で形成したことを特徴とする複合
型薄膜磁気ヘッド。 11、請求項1〜10のいずれかに記載の複合型薄膜磁
気ヘッドを搭載したことを特徴とする磁気記録装置。 12、基板上に記録ヘッドと再生ヘッドを分離して形成
した後に、フォーカスド・イオン・ビーム技術を用いて
、摺動面側または保護材側から前記記録ヘッドと再生ヘ
ッドのトラック幅方向両隅部を一括して切り取り、前記
両ヘッドの摺動面側を凸形にすることを特徴とする複合
型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15322690A JPH0444610A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15322690A JPH0444610A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444610A true JPH0444610A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15557816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15322690A Pending JPH0444610A (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0444610A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07192239A (ja) * | 1993-12-02 | 1995-07-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ディスク駆動装置 |
| WO1998039770A1 (en) * | 1997-03-04 | 1998-09-11 | Micrion Corporation | Thin-film magnetic recording head manufacture |
| US6004437A (en) * | 1996-04-19 | 1999-12-21 | Micrion Corporation | Thin-film magnetic recording head manufacturing method |
| US6332962B1 (en) | 1997-06-13 | 2001-12-25 | Micrion Corporation | Thin-film magnetic recording head manufacture using selective imaging |
-
1990
- 1990-06-12 JP JP15322690A patent/JPH0444610A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07192239A (ja) * | 1993-12-02 | 1995-07-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ディスク駆動装置 |
| US6004437A (en) * | 1996-04-19 | 1999-12-21 | Micrion Corporation | Thin-film magnetic recording head manufacturing method |
| US6354438B1 (en) | 1996-04-19 | 2002-03-12 | Micrion Corporation | Focused ion beam apparatus for forming thin-film magnetic recording heads |
| US6579665B2 (en) | 1996-04-19 | 2003-06-17 | Fei Company | Thin-film magnetic recording head manufacture |
| US7045275B2 (en) | 1996-04-19 | 2006-05-16 | Fei Company | Thin-film magnetic recording head manufacture |
| WO1998039770A1 (en) * | 1997-03-04 | 1998-09-11 | Micrion Corporation | Thin-film magnetic recording head manufacture |
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| US6824644B2 (en) | 1997-06-13 | 2004-11-30 | Fei Company | Thin-film magnetic recording head manufacture using selective imaging |
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