JPH0444819B2 - - Google Patents
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Description
産業上の利用分野
本発明は、データ信号、音響信号、映像信号な
どの情報信号を高密度かつ高速に記録する光メモ
リ部材、例えば光デイスク・光カード等、レーザ
光を用いて情報の記録再生および書き換えを行う
ことが可能な光学情報記録部材の評価方法に関す
る。 従来例の構成とその問題点 光メモリ部材は、記録薄膜にレーザ光を集光し
て照射し、昇温された照射部に状態変化または形
状変化を生じさせることで情報の記録を行う。 これまで光学濃度の変化を利用したメモリ部材
として、金属および金属の低酸化物を母材料とし
た薄膜を記録薄膜に用いた光デイスクの報告があ
る。（J.Appl.Phys，Vol.54.No.９
Septenber1983）これは基板上に蒸着によつて形
成した記録薄膜にレーザ光を照射し、昇温部の光
学濃度が増大することを利用して情報記録を行つ
ている。これらの記録薄膜の信頼性、特に高温雰
囲気に放置した場合の信頼性は、記録薄膜の熱的
な転移温度と密接な相関がある。ここで言う転移
温度とは次のように定義される。記録薄膜を加熱
して低温から徐々に昇温させた時、ある一定温度
を超えると記録薄膜の光学状態に変化を生じる。
この変化を与える最低の温度を記録薄膜の転移温
度とする。なおこの転移温度の測定には、記録薄
膜に対してモニター光として微弱なレーザ光を照
射し、記録薄膜からの透過光および反射光を同時
に観測しながら、記録薄膜の温度を一定速度で昇
温させる方法がある。（特願昭59−70229）この方
法を用いて、各種組成の記録薄膜の転移温度と信
頼性試験を行つた結果、転移温度を120℃以上に
もつ記録薄膜は、50℃雰囲気において数ケ月放置
した後でもほとんど劣化しないという傾向があ
る。 次に金属、半金属の酸化物系の材料、特に
TeOx（０＜ｘ＜２）を母材料とし、添加物として
Sn，In，Ge，Bi，Se等を加えた記録薄膜は、レ
ーザ光の照射条件によつて光学的な状態が可逆的
に変化する性質をもつている。（特開昭56−
145530、特願昭58−58158）これらの薄膜は例え
ば比較的強くて短いパルス光を照射すると照射部
は昇温された状態から急冷されて光学定数が局所
的に減少（以下これを白化と記述する）し、比較
的弱くて長いパルス光を照射すると照射部は昇温
された状態から、やゝ徐冷ぎみに冷却され、その
結果光学定数が増大（以下これを黒化と記述す
る）するという現象を利用して記録、消去を繰り
返しておこなえるものであつて、現在書き換え可
能な光デイスクへの応用が進められている。 この光デイスクへの応用を考えた場合、光学定
数を減少させる変化（白化）は、増大させる変化
（黒化）よりも短時間に終了するという、上記２
つの変化の方向の比較結果にもとづき、信号の記
録に際しては光学定数を減少させる変化（白化）
を選んで記録速度および記録密度を確保し、光学
定数を増大させる変化（黒化）を消去方向にする
ことが好ましい。 従つて上記光デイスク等においては信号の記録
に先立つて記録膜をあらかじめ光学定数の大きい
状態に変化させておくこと、すなわち黒化してお
くことが必要である。 ここで、記録薄膜を形成したまま、すなわち加
熱処理等を全く行つていない状態を初期状態と
し、光学定数の高い状態を黒化状態、光学定数の
低い状態を白化状態とする。 これら書き換え可能な記録薄膜について前述の
ような高温雰囲気における信頼性の評価を行つた
場合、初期状態の信頼性は、転移温度に対し同様
の特性が得られた。しかし記録部（白化状態）に
ついては、信頼性が転移温度に対して一定の相関
性が見られず、転移温度が同じであつても薄膜の
組成比や添加元素が異なる信頼性に差が生じると
いう傾向があつた。すなわち転位温度が十分高く
ても、信頼性に劣るという問題があつた。 発明の目的 本発明は、記録薄膜の記録状態の環境に対する
信頼性が高い、光学情報記録部材の評価方法を提
供することを目的とする。 発明の構成 本発明で提案する光学情報記録部材の評価方法
は、次のような方法である。加熱昇温後に徐冷す
ることにより光学定数が増大し、溶融温度以上に
加熱昇温した後に急冷することにより光学定数が
減少する薄膜を少なくとも一度溶融温度以上にま
で昇温する過熱段階と、前記過熱段階の直後に前
記薄膜を急冷する冷却段階と、前記冷却段階を経
た前記薄膜の光学的な転移温度を測定する段階
と、前記転移温度を所定の基準温度と比較する段
階とを有する構成とすることにより薄膜の信頼性
を評価する。 前記従来例の問題点に対しては発明者らは、膜
の記録状態（白化部）の転位温度が膜の初期状態
の転移温度と異なることを見い出し、この白化部
の転移温度が白化部の安定性と密接な関連がある
ことを導びいた。通常の使用環境ではこの白化部
の転移温度が100℃以上であることが必要であり、
さらにきびしい使用環境下では120℃以上である
ことが必要である。 実施例の説明 第１図は、本発明の方法によつて評価される光
学情報記録部材の断面図である。 １は基材で、金属、例えばアルミニウム、銅等
あるいはガラス、例えば、石英、パイレツクス、
ソーダガラス等あるいは樹脂、例えばABS樹脂、
ポリスチレン、アクリル、塩化ビニール、また透
明フイルムとしてはアセテート、４ふつ化エチレ
ン、ポリエステル等が使用できる。中でも、ポリ
エステルフイルム、アクリル板等を使用する場
合、透明性がすぐれており、形成せしめた信号像
を光学的に再生する際に有効である。 記録薄膜２は、基材上に真空蒸着して形成され
る。記録薄膜２は、TeOx，GeOx，SnOx（０＜ｘ
＜２）等にそれらを構成する第１の金属または半
金属とは異なる第２の金属または半金属物質の少
なくとも一つを含ませた構造をしている。 含有させるべき物質としては、膜の光吸収係数
を高め、かつ、熱伝達率を高めて、高温状態から
急冷されやすくするという目的を実現するために
金属あるいは半金属物質が有効であるが、蒸着し
やすさ、第１の金属または半金属をより小さな結
晶にするためを考慮して、Sn，In，Bi，Zn，Se
の金属または、Te，Ge，Sb等の半金属が特に有
効である。以下金属および半金属を含めて金属と
記述する。 ３は保護層である。前述のように本発明の評価
方法によつて評価される光学情報記録膜は、膜の
形状変化を伴なわず、従つて使用目的によつては
密着したタイプの保護層を用いることが可能とな
る。保護層には、基材１と同様のものを紫外線硬
化樹脂等を用いてはり合わせたり、蒸着したりし
て、つけることができる。 次に本発明の評価方法によつて評価される記録
薄膜の形成方法について述べる。記録薄膜は、基
材１上に蒸着、スパツタリング等によつて形成で
きる。蒸着の場合は、多源蒸着法を用いて母材料
を構成する酸化物系材料中に含まれる金属および
金属酸化物をそれぞれ単独の蒸着源として準備
し、さらに添加物として加える金属についても単
独の蒸着源を設け、それぞれの蒸着源からの蒸着
速度を種々に選ぶことにより任意の組成の記録薄
膜を得ることができる。他の方法としては、それ
ぞれの組成の混合物を形成し、１源から蒸着する
ことも可能である。 次に薄膜の転移温度を測定する方法を述べる。
第２図に本方法に使用する測定系の一例を示す。 ４は加熱台であり、その上に第１図に示した記
録薄膜２を有する基板１が載置される。加熱台４
の下部にはヒータ５が設けられている。６は光源
であり、そこから出た光はハーフミラー９を通過
して記録薄膜２に照射される。記録薄膜２を通過
した光は光検出器７により検出され、反射光はハ
ーフミラー９により反射された後、光検出器８に
より検出される。１０は温度検出用の熱電対であ
る。このような系により、ヒータ５でゆつくりと
一定速度で加熱しながら、記録薄膜２の透過率と
反射率をモニターして、変化が開始される温度を
測定する。それにより例えば第３図に示すような
カーブを得ることができ、それぞれ薄膜に固有な
転移温度t1（初期黒化温度）を同定することが出
来る。 なお以下の記述で転移温度は次のように定義し
てデータとして示した。 記録薄膜の昇温速度を１〔℃／sec〕とし、加熱
前の透過率をTp、昇温後透過率の変化が最小と
なる透過率をTsとした時、透過率の変化曲線が
熱転移透過率Tt（Tt＝Tp−Tp−Ts／10）の点を通過 する最低の温度を転移温度と定義する。 次に初期黒化温度と同様に白化状態からの転移
温度（再黒化温度）を測定するために、記録薄膜
上に白化部を形成する必要はある。この白化部を
形成する方法を第４図に示す。発光面積が広く
（200μｍ×2μ）、大出力（10W）であるパルス駆
動型半導体レーザ１１の光を、あらかじめ黒化し
た膜１３上にレンズ１２により微少スポツトとし
て集光し、照射部を瞬時に溶融状態まで昇温した
後、基板１を移動して前記照射部を急冷するとい
う作業を行うことによつて、第１図のモニター光
のビーム巾よりも大きい面積の白化部１４が得ら
れる。得られた白化部について、第２図に示した
前述の方法によつて、初期黒化温度t1と同様にし
て再黒化温度t2を測定することができる。 以上の測定法を用いて記録薄膜の初期黒化温度
および再黒化温度（一度加熱徐冷およびレーザ光
による加熱急冷を施した白化状態の転移温度）を
測定すると、一般的に言つて両者は必ずしも一致
しない。これは初期状態と白化状態では内部構造
に差がある為と考えられる。つまり記録時（白
化）においては比較的強いレーザ光を照射して照
射部を瞬時に溶融させ、次に急冷してランダムな
状態で凍結することによつて白化状態を形成する
わけであるが、この冷却速度を、薄膜を形成する
際の非常にエネルギー準位の高い、気相状態から
固相状態へと移る場合の冷却速度と比較すると、
後者の場合が前者の場合よりもはるかに冷却速度
は高く、膜中の例えばTe粒子はより粒径の小さ
い無秩序な状態に凍結されていることが予想され
る。 下表に、前記多源蒸着法を用いて、各種組成の
書き換え可能な記録薄膜を形成し、得られた記録
薄膜の組成と転移温度の関係を示す。同表におい
て示した記録薄膜の組成値は、オージエ電子分光
法によつて測定した。初期黒化温度t1は、記録薄
膜が初期状態から黒化状態へ変化する温度であ
り、再黒化温度t2は、記録薄膜を初期状態から一
度400℃で５分間アニールして黒化状態とし、前
記第３図の装置を使つて白化した状態から再度黒
化状態への変化が行なわれる温度である。以上の
結果より、書き換え可能な記録薄膜において、初
期状態と白化状態では転移温度が異なり、それぞ
れの転移温度は記録薄膜の組成に依存して変化す
ることがわかる。
どの情報信号を高密度かつ高速に記録する光メモ
リ部材、例えば光デイスク・光カード等、レーザ
光を用いて情報の記録再生および書き換えを行う
ことが可能な光学情報記録部材の評価方法に関す
る。 従来例の構成とその問題点 光メモリ部材は、記録薄膜にレーザ光を集光し
て照射し、昇温された照射部に状態変化または形
状変化を生じさせることで情報の記録を行う。 これまで光学濃度の変化を利用したメモリ部材
として、金属および金属の低酸化物を母材料とし
た薄膜を記録薄膜に用いた光デイスクの報告があ
る。（J.Appl.Phys，Vol.54.No.９
Septenber1983）これは基板上に蒸着によつて形
成した記録薄膜にレーザ光を照射し、昇温部の光
学濃度が増大することを利用して情報記録を行つ
ている。これらの記録薄膜の信頼性、特に高温雰
囲気に放置した場合の信頼性は、記録薄膜の熱的
な転移温度と密接な相関がある。ここで言う転移
温度とは次のように定義される。記録薄膜を加熱
して低温から徐々に昇温させた時、ある一定温度
を超えると記録薄膜の光学状態に変化を生じる。
この変化を与える最低の温度を記録薄膜の転移温
度とする。なおこの転移温度の測定には、記録薄
膜に対してモニター光として微弱なレーザ光を照
射し、記録薄膜からの透過光および反射光を同時
に観測しながら、記録薄膜の温度を一定速度で昇
温させる方法がある。（特願昭59−70229）この方
法を用いて、各種組成の記録薄膜の転移温度と信
頼性試験を行つた結果、転移温度を120℃以上に
もつ記録薄膜は、50℃雰囲気において数ケ月放置
した後でもほとんど劣化しないという傾向があ
る。 次に金属、半金属の酸化物系の材料、特に
TeOx（０＜ｘ＜２）を母材料とし、添加物として
Sn，In，Ge，Bi，Se等を加えた記録薄膜は、レ
ーザ光の照射条件によつて光学的な状態が可逆的
に変化する性質をもつている。（特開昭56−
145530、特願昭58−58158）これらの薄膜は例え
ば比較的強くて短いパルス光を照射すると照射部
は昇温された状態から急冷されて光学定数が局所
的に減少（以下これを白化と記述する）し、比較
的弱くて長いパルス光を照射すると照射部は昇温
された状態から、やゝ徐冷ぎみに冷却され、その
結果光学定数が増大（以下これを黒化と記述す
る）するという現象を利用して記録、消去を繰り
返しておこなえるものであつて、現在書き換え可
能な光デイスクへの応用が進められている。 この光デイスクへの応用を考えた場合、光学定
数を減少させる変化（白化）は、増大させる変化
（黒化）よりも短時間に終了するという、上記２
つの変化の方向の比較結果にもとづき、信号の記
録に際しては光学定数を減少させる変化（白化）
を選んで記録速度および記録密度を確保し、光学
定数を増大させる変化（黒化）を消去方向にする
ことが好ましい。 従つて上記光デイスク等においては信号の記録
に先立つて記録膜をあらかじめ光学定数の大きい
状態に変化させておくこと、すなわち黒化してお
くことが必要である。 ここで、記録薄膜を形成したまま、すなわち加
熱処理等を全く行つていない状態を初期状態と
し、光学定数の高い状態を黒化状態、光学定数の
低い状態を白化状態とする。 これら書き換え可能な記録薄膜について前述の
ような高温雰囲気における信頼性の評価を行つた
場合、初期状態の信頼性は、転移温度に対し同様
の特性が得られた。しかし記録部（白化状態）に
ついては、信頼性が転移温度に対して一定の相関
性が見られず、転移温度が同じであつても薄膜の
組成比や添加元素が異なる信頼性に差が生じると
いう傾向があつた。すなわち転位温度が十分高く
ても、信頼性に劣るという問題があつた。 発明の目的 本発明は、記録薄膜の記録状態の環境に対する
信頼性が高い、光学情報記録部材の評価方法を提
供することを目的とする。 発明の構成 本発明で提案する光学情報記録部材の評価方法
は、次のような方法である。加熱昇温後に徐冷す
ることにより光学定数が増大し、溶融温度以上に
加熱昇温した後に急冷することにより光学定数が
減少する薄膜を少なくとも一度溶融温度以上にま
で昇温する過熱段階と、前記過熱段階の直後に前
記薄膜を急冷する冷却段階と、前記冷却段階を経
た前記薄膜の光学的な転移温度を測定する段階
と、前記転移温度を所定の基準温度と比較する段
階とを有する構成とすることにより薄膜の信頼性
を評価する。 前記従来例の問題点に対しては発明者らは、膜
の記録状態（白化部）の転位温度が膜の初期状態
の転移温度と異なることを見い出し、この白化部
の転移温度が白化部の安定性と密接な関連がある
ことを導びいた。通常の使用環境ではこの白化部
の転移温度が100℃以上であることが必要であり、
さらにきびしい使用環境下では120℃以上である
ことが必要である。 実施例の説明 第１図は、本発明の方法によつて評価される光
学情報記録部材の断面図である。 １は基材で、金属、例えばアルミニウム、銅等
あるいはガラス、例えば、石英、パイレツクス、
ソーダガラス等あるいは樹脂、例えばABS樹脂、
ポリスチレン、アクリル、塩化ビニール、また透
明フイルムとしてはアセテート、４ふつ化エチレ
ン、ポリエステル等が使用できる。中でも、ポリ
エステルフイルム、アクリル板等を使用する場
合、透明性がすぐれており、形成せしめた信号像
を光学的に再生する際に有効である。 記録薄膜２は、基材上に真空蒸着して形成され
る。記録薄膜２は、TeOx，GeOx，SnOx（０＜ｘ
＜２）等にそれらを構成する第１の金属または半
金属とは異なる第２の金属または半金属物質の少
なくとも一つを含ませた構造をしている。 含有させるべき物質としては、膜の光吸収係数
を高め、かつ、熱伝達率を高めて、高温状態から
急冷されやすくするという目的を実現するために
金属あるいは半金属物質が有効であるが、蒸着し
やすさ、第１の金属または半金属をより小さな結
晶にするためを考慮して、Sn，In，Bi，Zn，Se
の金属または、Te，Ge，Sb等の半金属が特に有
効である。以下金属および半金属を含めて金属と
記述する。 ３は保護層である。前述のように本発明の評価
方法によつて評価される光学情報記録膜は、膜の
形状変化を伴なわず、従つて使用目的によつては
密着したタイプの保護層を用いることが可能とな
る。保護層には、基材１と同様のものを紫外線硬
化樹脂等を用いてはり合わせたり、蒸着したりし
て、つけることができる。 次に本発明の評価方法によつて評価される記録
薄膜の形成方法について述べる。記録薄膜は、基
材１上に蒸着、スパツタリング等によつて形成で
きる。蒸着の場合は、多源蒸着法を用いて母材料
を構成する酸化物系材料中に含まれる金属および
金属酸化物をそれぞれ単独の蒸着源として準備
し、さらに添加物として加える金属についても単
独の蒸着源を設け、それぞれの蒸着源からの蒸着
速度を種々に選ぶことにより任意の組成の記録薄
膜を得ることができる。他の方法としては、それ
ぞれの組成の混合物を形成し、１源から蒸着する
ことも可能である。 次に薄膜の転移温度を測定する方法を述べる。
第２図に本方法に使用する測定系の一例を示す。 ４は加熱台であり、その上に第１図に示した記
録薄膜２を有する基板１が載置される。加熱台４
の下部にはヒータ５が設けられている。６は光源
であり、そこから出た光はハーフミラー９を通過
して記録薄膜２に照射される。記録薄膜２を通過
した光は光検出器７により検出され、反射光はハ
ーフミラー９により反射された後、光検出器８に
より検出される。１０は温度検出用の熱電対であ
る。このような系により、ヒータ５でゆつくりと
一定速度で加熱しながら、記録薄膜２の透過率と
反射率をモニターして、変化が開始される温度を
測定する。それにより例えば第３図に示すような
カーブを得ることができ、それぞれ薄膜に固有な
転移温度t1（初期黒化温度）を同定することが出
来る。 なお以下の記述で転移温度は次のように定義し
てデータとして示した。 記録薄膜の昇温速度を１〔℃／sec〕とし、加熱
前の透過率をTp、昇温後透過率の変化が最小と
なる透過率をTsとした時、透過率の変化曲線が
熱転移透過率Tt（Tt＝Tp−Tp−Ts／10）の点を通過 する最低の温度を転移温度と定義する。 次に初期黒化温度と同様に白化状態からの転移
温度（再黒化温度）を測定するために、記録薄膜
上に白化部を形成する必要はある。この白化部を
形成する方法を第４図に示す。発光面積が広く
（200μｍ×2μ）、大出力（10W）であるパルス駆
動型半導体レーザ１１の光を、あらかじめ黒化し
た膜１３上にレンズ１２により微少スポツトとし
て集光し、照射部を瞬時に溶融状態まで昇温した
後、基板１を移動して前記照射部を急冷するとい
う作業を行うことによつて、第１図のモニター光
のビーム巾よりも大きい面積の白化部１４が得ら
れる。得られた白化部について、第２図に示した
前述の方法によつて、初期黒化温度t1と同様にし
て再黒化温度t2を測定することができる。 以上の測定法を用いて記録薄膜の初期黒化温度
および再黒化温度（一度加熱徐冷およびレーザ光
による加熱急冷を施した白化状態の転移温度）を
測定すると、一般的に言つて両者は必ずしも一致
しない。これは初期状態と白化状態では内部構造
に差がある為と考えられる。つまり記録時（白
化）においては比較的強いレーザ光を照射して照
射部を瞬時に溶融させ、次に急冷してランダムな
状態で凍結することによつて白化状態を形成する
わけであるが、この冷却速度を、薄膜を形成する
際の非常にエネルギー準位の高い、気相状態から
固相状態へと移る場合の冷却速度と比較すると、
後者の場合が前者の場合よりもはるかに冷却速度
は高く、膜中の例えばTe粒子はより粒径の小さ
い無秩序な状態に凍結されていることが予想され
る。 下表に、前記多源蒸着法を用いて、各種組成の
書き換え可能な記録薄膜を形成し、得られた記録
薄膜の組成と転移温度の関係を示す。同表におい
て示した記録薄膜の組成値は、オージエ電子分光
法によつて測定した。初期黒化温度t1は、記録薄
膜が初期状態から黒化状態へ変化する温度であ
り、再黒化温度t2は、記録薄膜を初期状態から一
度400℃で５分間アニールして黒化状態とし、前
記第３図の装置を使つて白化した状態から再度黒
化状態への変化が行なわれる温度である。以上の
結果より、書き換え可能な記録薄膜において、初
期状態と白化状態では転移温度が異なり、それぞ
れの転移温度は記録薄膜の組成に依存して変化す
ることがわかる。
【表】
第５図は、従来のTeOx（０＜ｘ＜２）系の記
録・再生専用の薄膜の信頼試験を行つた結果であ
る。保存雰囲気は50℃乾燥空気中であり、各曲線
に示される記録薄膜はその転移温度が、ａ……
120℃，ｂ……135℃，ｃ……175℃，ｄ……115
℃，ｅ……110℃，ｆ……85℃である材料である。
この結果より、転移温度が120℃であればほとん
ど劣化しないことがわかる。 第６，７図は主にTeOx（０＜ｘ＜２）を母材料
とし、添加物としてGeとSnを単独に又は同時に
加えた系の書き換え可能な薄膜の信頼試験を第５
図と同様の雰囲気中で行つた結果である。第６図
は、初期状態の信頼性試験であり、各曲線はｇ…
…120℃，ｈ……130℃，ｉ……180℃，ｊ……115
℃，ｋ……90℃に初期黒化温度をもつ組成の材料
である。 次に第７図は、一度400℃で５分間アニールし
た黒化状態の薄膜を第４図の装置を使つて白化し
た状態の信頼性試験であり、各曲線はｌ……125
℃，ｍ……130℃，ｎ……160℃，ｏ……110℃，
ｐ……85℃に再黒化温度をもつ組成の材料であ
る。以上の結果より、書き換え型の記録薄膜にお
いても、各材料組成に対し存在する初期黒化温度
および再黒化温度のそれぞれの値が100℃以上で
あれば100時間で透過率変化が10％以内におさま
つており実用上十分な安定性を示している。さら
に初期黒化温度および再黒化温度が120℃以上で
は透過率変化がほとんどなく過酷な条件下でも十
分な安定性を示すことが出来る。 前述のように本発明の評価方法によつて評価さ
れる書き換え可能なデイスク状の光学情報記録部
材においては、黒化を未記録あるいは消去に、白
化を信号の記録に用いるので、記録信号の安定性
すなわち白化した状態での安定性は前述の再黒化
温度に依存する。したがつて本発明の評価される
ように再黒化温度が100℃以上の薄膜を用いた光
学情報記録部材が実用的に安定で長寿命な光学情
報記録部材と言える。第７図に示すようなTe−
Ge−Sn−Ｏ系の記録薄膜材料の他に、前記の表
に示すように、Te−Ge−Ｏ系、Te−Se−Ｏ系、
Te−In−Ｏ系、Te−Ge−Sn−Se−Ｏ系、Te−
Ge−Sn−Au−Ｏ系あるいはTe−Ge−Se−Au−
Ｏ系でも再黒化温度が100℃以上の組成では安定
性が優れていることが本発明の評価方法によつて
確認された。 発明の効果 以上詳述したように本発明の光学情報記録部材
の評価方法によれば、記録信号の劣化が少なく信
頼性の高い光学情報記録部材を容易に選別するこ
とができる。
録・再生専用の薄膜の信頼試験を行つた結果であ
る。保存雰囲気は50℃乾燥空気中であり、各曲線
に示される記録薄膜はその転移温度が、ａ……
120℃，ｂ……135℃，ｃ……175℃，ｄ……115
℃，ｅ……110℃，ｆ……85℃である材料である。
この結果より、転移温度が120℃であればほとん
ど劣化しないことがわかる。 第６，７図は主にTeOx（０＜ｘ＜２）を母材料
とし、添加物としてGeとSnを単独に又は同時に
加えた系の書き換え可能な薄膜の信頼試験を第５
図と同様の雰囲気中で行つた結果である。第６図
は、初期状態の信頼性試験であり、各曲線はｇ…
…120℃，ｈ……130℃，ｉ……180℃，ｊ……115
℃，ｋ……90℃に初期黒化温度をもつ組成の材料
である。 次に第７図は、一度400℃で５分間アニールし
た黒化状態の薄膜を第４図の装置を使つて白化し
た状態の信頼性試験であり、各曲線はｌ……125
℃，ｍ……130℃，ｎ……160℃，ｏ……110℃，
ｐ……85℃に再黒化温度をもつ組成の材料であ
る。以上の結果より、書き換え型の記録薄膜にお
いても、各材料組成に対し存在する初期黒化温度
および再黒化温度のそれぞれの値が100℃以上で
あれば100時間で透過率変化が10％以内におさま
つており実用上十分な安定性を示している。さら
に初期黒化温度および再黒化温度が120℃以上で
は透過率変化がほとんどなく過酷な条件下でも十
分な安定性を示すことが出来る。 前述のように本発明の評価方法によつて評価さ
れる書き換え可能なデイスク状の光学情報記録部
材においては、黒化を未記録あるいは消去に、白
化を信号の記録に用いるので、記録信号の安定性
すなわち白化した状態での安定性は前述の再黒化
温度に依存する。したがつて本発明の評価される
ように再黒化温度が100℃以上の薄膜を用いた光
学情報記録部材が実用的に安定で長寿命な光学情
報記録部材と言える。第７図に示すようなTe−
Ge−Sn−Ｏ系の記録薄膜材料の他に、前記の表
に示すように、Te−Ge−Ｏ系、Te−Se−Ｏ系、
Te−In−Ｏ系、Te−Ge−Sn−Se−Ｏ系、Te−
Ge−Sn−Au−Ｏ系あるいはTe−Ge−Se−Au−
Ｏ系でも再黒化温度が100℃以上の組成では安定
性が優れていることが本発明の評価方法によつて
確認された。 発明の効果 以上詳述したように本発明の光学情報記録部材
の評価方法によれば、記録信号の劣化が少なく信
頼性の高い光学情報記録部材を容易に選別するこ
とができる。
第１図は本発明の評価方法によつて評価される
光学情報記録部材の一例を示す断面図、第２図は
本発明の評価方法による光学情報記録部材の熱転
移温度の測定法を示す概略図、第３図は本発明の
評価方法によつて熱転移温度を測定した結果の一
例を示すグラフ、第４図は、一担黒化処理した情
報記録部材を白化する方法を示す概略図、第５図
〜第７図は情報記録部材の転移温度と信頼性の関
係を示すグラフである。 １……基板、２……記録薄膜、４……加熱台、
５……ヒータ、６……光源、７，８……光検出
器、９……ハーフミラー、１０……熱電対。
光学情報記録部材の一例を示す断面図、第２図は
本発明の評価方法による光学情報記録部材の熱転
移温度の測定法を示す概略図、第３図は本発明の
評価方法によつて熱転移温度を測定した結果の一
例を示すグラフ、第４図は、一担黒化処理した情
報記録部材を白化する方法を示す概略図、第５図
〜第７図は情報記録部材の転移温度と信頼性の関
係を示すグラフである。 １……基板、２……記録薄膜、４……加熱台、
５……ヒータ、６……光源、７，８……光検出
器、９……ハーフミラー、１０……熱電対。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 加熱昇温後に徐冷することにより光学定数が
増大し、溶融温度以上に加熱昇温した後に急冷す
ることにより光学定数が減少する薄膜を用いた光
学情報記録部材の評価方法であつて、前記薄膜を
少なくとも一旦溶融温度以上にまで昇温する過熱
段階と、前記過熱段階の直後に前記薄膜を急冷す
る冷却段階と、前記冷却段階を経た前記薄膜の光
学的な転移温度を測定する段階と、前記転移温度
を所定の基準温度と比較する段階とを有する光学
情報記録部材の評価方法。 ２ レーザパルス光を薄膜表面に短時間照射する
ことによつて光学情報記録部材の過熱段階を実行
し、照射終了と同時に薄膜を急冷する冷却段階が
始まる特許請求の範囲第１項に記載の光学情報記
録部材の評価方法。 ３ 光学情報記録部材の転移温度を測定する段階
において光学情報記録部材を一定の昇温速度で加
熱し、加熱中の記録部材の光学的特性の変化を連
続的に測定する特許請求の範囲第１項に記載の光
学情報記録部材の評価方法。 ４ 加熱昇温後に徐冷することにより光学定数が
増大し、溶融温度以上に加熱昇温した後に急冷す
ることにより光学定数が減少する薄膜を用いた光
学情報記録部材の評価方法であつて、前記薄膜を
一旦光学定数の低い状態から光学定数の高い状態
まで加熱する加熱段階と、前記加熱段階の後に薄
膜を少なくとも一度溶融温度にまで昇温する過熱
段階と、前記過熱段階の直後に前記薄膜を急冷す
る冷却段階と、前記冷却段階を経た前記薄膜の光
学的な転移温度を測定する段階と、前記転移温度
を所定の基準温度と比較する段階とを有する光学
情報記録部材の評価方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14880184A JPS6126949A (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 光学情報記録部材の評価方法 |
| US07/373,666 US4908835A (en) | 1984-07-18 | 1989-06-29 | Information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14880184A JPS6126949A (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 光学情報記録部材の評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126949A JPS6126949A (ja) | 1986-02-06 |
| JPH0444819B2 true JPH0444819B2 (ja) | 1992-07-22 |
Family
ID=15461009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14880184A Granted JPS6126949A (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 光学情報記録部材の評価方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4908835A (ja) |
| JP (1) | JPS6126949A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE68910309T2 (de) * | 1989-05-16 | 1994-05-05 | Bizhan Rahimzadeh | Feststellung der Temperatur, bei der ein Stoff von einer Phase wechselt. |
| US5092679A (en) * | 1990-12-14 | 1992-03-03 | Brotz Gregory R | Melting point determination apparatus and method |
| US5482371A (en) * | 1991-04-18 | 1996-01-09 | Osaka Sanso Kogyo Ltd. | Method and apparatus for measuring the dew point and/or frost point of a gas having low water content |
| DE4343076C2 (de) * | 1993-12-16 | 1997-04-03 | Phototherm Dr Petry Gmbh | Vorrichtung zum photothermischen Prüfen einer Oberfläche eines insbesondere bewegten Gegenstandes |
| US6671232B1 (en) * | 2001-07-25 | 2003-12-30 | Maxtor Corporation | Method and apparatus for measuring the surface temperature of a disk |
| CN106158692B (zh) * | 2015-03-26 | 2019-06-14 | 中国科学院广州能源研究所 | 一种热色智能薄膜退火的监控系统和方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1984
- 1984-07-18 JP JP14880184A patent/JPS6126949A/ja active Granted
-
1989
- 1989-06-29 US US07/373,666 patent/US4908835A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6126949A (ja) | 1986-02-06 |
| US4908835A (en) | 1990-03-13 |
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