JPH044548A - 荷電粒子線装置 - Google Patents

荷電粒子線装置

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JPH044548A
JPH044548A JP2110116A JP11011690A JPH044548A JP H044548 A JPH044548 A JP H044548A JP 2110116 A JP2110116 A JP 2110116A JP 11011690 A JP11011690 A JP 11011690A JP H044548 A JPH044548 A JP H044548A
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particle beam
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lens
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宏信 松井
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幹雄 市橋
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    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y15/00Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/10Lenses
    • H01J37/12Lenses electrostatic

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  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野] 本発明は1例えば電子顕微鏡、電子線描画装置、イオン
顕微鏡、二次イオン質量分析装置などの細く集束された
電子線またはイオン線を用いる荷電粒子線装置の改良に
係り、特にそれにおける荷電粒子光学系の改良構造に係
る。
【従来の技術】
従来、電子顕微葉、電子線描画装置、イオン顕微鏡、二
次イオン質量分析装置などの細く集束された電子線また
はイオン線を用いる荷電粒子線装置の荷電粒子光学系に
あっては、試料上に荷電粒子線を集束するための対物レ
ンズとして、例えば第4図や第12図に示すような、ヨ
ーク14と励磁コイル15から構成される磁界型レンズ
、または第5図や第13図に示すような、三枚の電極か
らなるアインツエルレンズ17が使われてきた(前者に
ついては例えば、特開昭63−160144号公報参照
、後者については例えば、特開昭63−252347号
公報参照)。 また、これら荷電粒子線装置の荷電粒子線発生部には、
一般に、荷電粒子源から荷電粒子線を引き出し、これを
所望のエネルギまで加速(または減速)し、且つ集束作
用を行わせるための静電レンズか設けられている。この
静電レンズとしては、例えば第12図や第13図に示す
ような三枚の電極19.20.21からなる三電極レン
ズが用いられている。上記荷電粒子線発生部における静
電レンズや対物レンズなどの集束レンズ間の光学軸を合
わせるためには、機械的または電気的なアラインメント
手段が必要である。従来、荷電粒子線の精密な軸合わせ
を行なわせるための電気的なアラインメント手段は、第
12図に示すように三電極レンズと磁界レンズとの間、
または第13図に示すように三電極レンズとアインツエ
ルレンズとの間などのごとく、一般にアース電位にある
空間内に設けられたアラインメントコイル23′によっ
て各レンズ間の軸ずれを補正してやるものであった。ま
た、荷電粒子線の偏向や非点収差補正も荷電粒子線発生
部を構成している静電レンズの下側(試料側)に存在す
るアース電位空間内に設けられた偏向コイル5′やステ
ィグマコイル24′によって行なわれていた(例えば、
特公昭63−67743号公報参照〕。 [発明が解決しようとする課題] 電子顕微鏡などの細く集束された荷電粒子線を用いて試
料表面の観察を行なう荷電粒子線装置においては、対物
レンズによって試料上に集束される荷電粒子線のスポッ
ト径が例えば分解能などの装置性能を決定する大きな要
因となっている。このスポッート径をいかに/hさくで
きるかは、主として対物レンズの光学収差をいかにホさ
くできるかに依存する。この収差を小さくするためには
、対物レンズの主面にできるだけ試料を近づけ、対物レ
ンズの焦点距離をできるだけ短かくして使うことが必要
である。従来の磁界型レンズにおいては、第4図に示す
ように、レンズの主面11がヨーク14のギヤツブH内
磁界中に存在するため、試料6を主面11に近づけるた
めには、試料6をヨーク14の狭いギヤツブH内に入れ
なければならない。これは、大面積の試料を観察対象と
する場合や、同し試料を他の観察・計測手段によっても
同時にms・計測できるようにするために5該荷電粒子
線装置にこれら他の観察・計測手段を結合して用いよう
とする場合などには極めて不都合である。また、従来の
アインツエルレンズの場合にも、第5図に示すように、
その中心電極への印加電圧の正負にかかわらず、該レン
ズの主面11は常にアインツエルレンズ17の内部空間
内にあるため、試料6をレンズの主面11に十分には近
づけられ □ない。そのためレンズの収差がどうしても
大きくなってしまう。 また、荷電粒子線を静電レンズ、または静電レンズと磁
界レンズとの組合せレンズを用いて試料上に集束させる
荷電粒子線装置においては、レンズの光学収差をできる
だけ小さくして試料上にボケの少ないスポットを得るこ
とが重要である。静電レンズにおいては、各電極間の中
心軸のずれが光学収差の増大を招く大きな要因となる。 一方。 電極の加工精度や組立精度に限界があるため、このよう
な電極間の中心軸のずれは避けることができない。従来
、荷電粒子線装置を構成するレンズの相互間、つまり静
電レンズ−磁界レンズ間、静電レンズ−静電レンズ間な
どレンズ同志の間の軸ずれの精密な補正は、各レンズ間
のアース電位空間内において荷電粒子線を電気的手段に
よってアラインメントすることによって行なわれていた
。 しかし、静電レンズを構成する各電極間の中心軸のずれ
を電気的手段によって正確に補正することは行なわれて
いなかった。即ち、従来は静電レンズの各電極を装置外
部(大気圧側)から機械的手段によって移動調整するア
ラインメント手法が採られていたが、電極印加電圧に対
する絶縁の問題や真空シールの問題などで装置構造が複
雑となる上に、機械的なバックラッシュが残るため、調
整の精度、再現性などにも問題があった。 また色収差や球面収差を小さくするには、レンズと試料
とをできるだけ近づける必要がある。従来は、三電極レ
ンズのような荷電粒子線発生部を構成している静電レン
ズの下側(試料側)に荷電粒子線偏向手段や非点収差補
正手段を配置する構造となっていた。このため、荷電粒
子線発生部を構成している静電レンズと試料とを十分に
近づけられず、該静電レンズの下方に別に対物レンズを
設ける必要があった。従って、電子光学系が複雑になり
装置を小型化することは困難であった5本発明の一つの
目的は、試料を対物レンズの外に配置しても、十分に光
学収差を小さくでき、しかも極めて小型で構成の簡単な
荷電粒子線装置を提供することである。 本発明の他の目的は、静電レンズを構成する各電極間の
軸ずれに基づいて生じる光学収差が小さな荷電粒子線装
置を提供することである。 本発明のさらに他の目的は、荷電粒子光学系の構成とそ
の構造が簡単で小型化することが容易な荷電粒子線装置
を提供することである。 [課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するために、本発明においては、荷電
粒子線装置の対物レンズとして静電型対物レンズを使用
し、該静電型対物レンズを荷電粒子線を通過させるため
の開口をそれぞれ有する2つの電極より構成し、これら
2つの電極のうち荷電粒子源に近い側にある第一電極の
電圧をこれと対向する試料側の第二電極に対して、上記
荷電粒子線が負に帯電した粒子線である場合には正電位
に、正に帯電した粒子線である場合には負電位に保持す
ることによって荷電粒子線に対する集束作用を生じさせ
、該静電型対物レンズのレンズ主面を上記第二電極の下
面よりも試料側の位置に形成させてなることを一つの特
徴としている。 また、本発明においては、荷電粒子線を試料上で走査さ
せるために、上記第二電極の電位に対して上記第一電極
の電位と同極性側の電位に保たれた空間内において、よ
り典型的には上記第一電極の電位と同電位に保たれた空
間内において、上記荷電粒子線を偏向させるような荷電
粒子線偏向手段を設けてなることを他の特徴としている
。 また1本発明においては、荷電粒子線をアラインメント
させるために、荷電粒子線を集束させるための静電レン
ズを構成する電極のうち可変電位が印加される電極の内
部空間内、特に荷電粒子線の速度を極大とするような電
位が印加される電極の内部空間内において、荷電粒子線
をアラインメントさせるような電磁的または静電的なア
ラインメント手段を設けてなることをさらに他の特徴と
している。 また、本発明においては、荷電粒子線を二次元的に走査
させるために、上記した荷電粒子線をアラインメントさ
せるのと同一の電極内部空間内において、荷電粒子線を
偏向させるような電磁的または静電的な荷電粒子線偏向
手段を設けてなることをさらに他の特徴としている。 さらに、本発明においては、上記した荷電粒子線をアラ
インメントさせるのと同一の電極内部空間内において、
荷電粒子線の非点収差補正を行なわせるような電磁的ま
たは静電的な非点収差補正手段を設けてなることをさら
に他の特徴としている。
【作用) 上記した本発明の特徴的構成によれば、次のような作用
効果が得られる。即ち、静電対物レンズの主面を該レン
ズを構成する2つの電極の下側、つまり、第二電極と試
料との間に位置させることによって、試料を対物レンズ
の中に置かずに第二電極よりも下方(試料側)に配置し
た場合でも十分に短焦点距離でのレンズ使用が可能とな
り、非常に小さいレンズ収差を実現できる。従って、か
かる本発明による対物レンズ構成を用いた荷電粒子線装
置においては、大面積の試料であってもこれを小さく分
割することなく、対物レンズの下方にそのまま配置して
高分解能での試料観察ができる。また、本発明による対
物レンズはその構成が著しく簡単な二電極静電レンズで
あるため、荷電粒子線装置全体の小型化が容易である。 また1本発明の荷電粒子線装置によれば、試料を対物レ
ンズからある程度前れた位置に置いても何ら分解能を損
なうことなく試料の観察ができるので、対物レンズと試
料との間に空間的余裕ができるため、この空間的余裕を
利用して他の観察・計測装置との複合化を行なうことが
容易にできる。 また1本発明による対物レンズは、該レンズを構成する
電極の内部空間内において荷電粒子線を偏向させる手段
を設けてなるため、荷電粒子線装置の電子光学系全体を
コンパクトに構成することができる。 また、本発明による静電レンズは、該レンズを構成する
電極の内部空間内において荷電粒子線をアラインメント
させる手段を設けてなるため、各電極間の軸ずれの影響
を精密に補正させることができるため、荷電粒子線装置
における電子光学系の収差を効果的に低減できる。また
、上記したように荷電粒子線のアラインメントや偏向さ
らには非点収差補正などを静電レンズの内部空間内にお
いて行なわせることにより、そのためのアラインメント
手段や偏向手段や非点収差補正手段などを該静電レンズ
の近傍にコンパクトに収納してしまうことができるため
、荷電粒子線装置の電子光学系の全体構造を容易に小型
化できる。 【実施例】 以下、本発明の実施例につき、図面を参照して詳細に説
明する。なお、以下の実施例では、本発明を集束電子線
を用いる装置、特に走査形電子顕微鏡に適用した場合に
ついて述べるが、本発明はそれのみに限定されるもので
はなく、集束イオン線を用いる装置にも適用できるもの
であることは云うまでもない。 第1図は、本発明の一実施例になる走査形電子顕微鏡の
電子光学系の概略構成図である。図において、電子源1
から放出された電子線2は、2つの電極3.4からなる
対物レンズによって試料6上に細く一束される。そして
、この対物レンズを構成する2つの電極3,4のうち、
電子源1側にある第一電極3の電圧を試料6側にある第
二電極4(アース電位にある)に対して正側の電圧とし
、該電圧を調整して第一電極3と第二電極4との間の電
界を調節することで、該対物レンズのレンズ作用が調節
される。これによって、第6図に示すように、対物レン
ズのレンズ主面11が第二電極4の下側に形成されるよ
うにする。さらに、電子線2は、第一電極3に囲まれて
いることによって該第一電極3と同電位に保たれている
空間内において、静電型または磁界型の偏向器5により
偏向され、試料6上で二次元的に走査される。電子線2
の照射によって試料6から発生した二次電子8は二次電
子検出器9によって検出され、該検出信号を映像信号と
して制御・表示装置10内の表示部に試料6の二次元二
次電子像が得られる。これらの制御、信号処理2表示な
どに関する操作は、すべて制御・表示装置10によって
行なわれる。 なお、上記の第一電極3と同電位に保たれている空間内
において電子線2を偏向すると云うことの意味は、電子
線2が偏向作用を受けるへき位置空間(偏向空間)を指
定しているのであって、偏向器(例えば、偏向コイルや
偏向電極)そのものを設けるべき位置空間を指している
のではないことに留意されるべきである。そして、この
電子線2のための偏向空間は、必ずしも上記した第一電
極3に囲まれている空間内のみに限定されるものではな
く、詳しくは後述するように、第一電極3に隣接して該
第一電極3と同電位に保たれている空間内であってもよ
く、さらには、該第一電極3に隣接して該第一電極3と
同極性側の電位(第二電極4に対して正側の電位)に保
たれている空間内であってもよいのである。 上記静電対物レンズを構成する2つの電極のうち、第一
電極3を第二電極4に対して正電位にしたときの電子線
2の軌道を第6図に模式的に示す。 電子線2は、第一電極3を通過した後まず発散され、つ
いで第二電極4の近傍で強く集束される。 従って、このレンズのレンズ主面11は第二電極4の下
面よりもさらに試料6側に離れて位置することになる。 その結果試料6をレンズの外側(下側)に置いても、レ
ンズ主面11に試料6を十分に近づけて使用することが
でき、それがためにレンズ収差を十分小さくできるので
ある。ただし、第一電極3を第二電極4に対して負電位
にした場合には、レンズの主面位置は逆に第一電極3の
下面よりもずっと上側に位置することになってしまい、
却ってレンズ収差は大きくなってしまう。従って、電子
線に対する対物レンズとして働かせる場合には、第一電
極3を第二電極4に対して正電位にして動作させること
が必要条件である。(もちろん、イオン線に対する対物
レンズとして働かせる場合には、この逆に、第一電極3
を第二電極4に対して負電位にして動作させるべきであ
ることは云うまでもない、) これに対して、従来用いられている磁界型対物レンズに
おいては、第4図に示すように、そのレンズ主面11は
常にヨーク14のギャップ内空間内にある。この理由は
、電子線2が該ギャップ内空間においては集束作用だけ
を受けるためである。 このように、磁界型対物レンズのレンズ主面11は常に
ヨーク14の下面16よりも上側に存在する。従って、
試料6をレンズの外側(下側)に置くかぎり、試料6と
レンズ主面11とはある限界よりも近づけることができ
ず、このため、収差の低減にもおのずから限界がある。 第7図は、従来の代表的な磁界型対物レンズと本発明に
よる静電型対物レンズとについてワーキングデイスタン
ス(レンズ下面16から試料6までの距離)Aと色収差
係数Ccとの関係を示したものである。ここで、従来の
磁界型対物レンズについては、ポールピース部の寸法を
、ギャップH=4mm+開口径φD = :3 m m
とした例である。 また、本発明による静電型対物レンズについては、第一
電極3と第二電極4との間隔B = 2 m mとした
例である。第7図からもわかるように、従来の磁界型レ
ンズでは、レンズ下面に試料を十分に近づけても、つま
り、ワーキングデイスタンスAを十分に小さくしても、
収差を低減する効果は少ないことがわかる。これに対し
て、本発明による静電型対物レンズでは、レンズ主面1
1がレンズの外側(下側)に形成されているため、ワー
キングデイスタンスAを小さくして試料6をレンズ主面
11に近づければ近づけるほど収差は小さくできる。こ
の点で、本発明による静電型対物レンズは、従来の磁界
型対物レンズに比べて、走査形電子線装置の高性能化に
より一層有効である。 磁界型レンズを用いた電子線装置の場合には、該レンズ
のギャップ内空間内に試料を置くことよってレンズ収差
を小さくする方法もあるが、該電子線装置によって半導
体ウェハなどの大面積試料をそのままで観察したい場合
や、該電子線装置を他の観察・計測手段と結合すること
によって複合化した観察・計測装置として用いようとす
る場合などには極めて不都合である。この点、本発明に
よる静電型対物レンズを用いた電子線装置の場合には、
何ら分解能を損ねることなく試料をレンズから離して置
くことができるので、大面積の試料でもそのままa察す
ることができ、さらには、試料−レンズ間空間を利用し
て、該電子線装置を他の観察・計測手段と結合し、複合
化してやることも容易である。 また、本発明のように静電型の対物レンズとした場合に
は、磁界型レンズの場合のように励磁コイルを巻く必要
がないため、レンズ自体を非常に小型にすることが可能
である。例えば、従来の磁界型レンズの大きさが直径約
100〜150mmであるのに比べ、本発明による静電
型対物レンズでは直径10mm以下にする。:とも容易
に実現できる2、このようにレンズ自体を著しく小型化
できると云う点でも、本発明による静電型対物レンズは
従来の磁界型対物レンズに優っており、この点からして
も、本発明による静電型対物レンズを用いた電子線装置
は、それを他の観察・計測手段と結合して用いようとす
る場合に有利である。 また、第5図に示すような従来のアイシンエル型対物レ
ンズ17を用いた場合にも、その中心電極への電圧の印
加状態の如何によらず2そのレンズ主面11は常にレン
ズ17の内部空間内にある。 これは、次のように説明できる。つまり、アイシンエル
型対物レンズを用いた電子線装置においては、電子線2
の偏向を試料6と同じ電位つまりアース電位において行
なうため、上下両側の電極が同じアース電位となり、こ
のために中心電極の下側だけでなくその上側にも互いに
同程度の強さのレンズ作用が発生する。この上側のレン
ズ作用があるために、アインツエルレンズ17のレンズ
主面11は該レンズのほぼ中央部あたりにできるのであ
る。従って、試料6をレンズ主面11に十分に近づける
ことができず、そのレンズ収差は従来の磁界型レンズよ
りもさらに大きくなってしまう。 よって、レンズ主面11をできるだけ試料6側に作るた
めには1本発明のように、第一電極3のすぐ上方に強い
し〉゛ズ作用を生じさせることがないようにするために
、電子線2の偏向を第一電極3と同電位か少なくとも該
第一電極3と同極性側の電位にある空間内において行な
うのが望ましい。 また、アイシンエル型対物レンズは、本発明の静電型対
物レンズに比へ5電極の数も多く、構造も複雑である。 これらの点で、本発明の静電型対物レンズを用いた電子
線装置は、従来のアイシンエル型対物レンズ17を用い
た電子線装置に比へても著しく有利である。 第2図は5本発明の他の一実施例になる走査形電子顕微
鏡の電子光学系の概略構成図である。本実施例では、電
子源1として電界放出型電子源が用いられており、その
放出電流を制御するために引出電極7が設けられている
。電界放出型電子源を用いることにより、低加速でより
高分解能な観察ができる。また、電界放出電流の安定化
のためには、電界放出型電子源を10−” Torr程
度の超高真空中で用いる必要があるが、本発明のように
磁界型レンズの代わりに静電型レンズを用いることによ
り、高温度でのベーキングによる脱ガス処理が可能とな
り、より容易に超高真空状態を実現できるようになる。 第3図は、本発明のさらに他の一実施例になる走査形電
子顕微鏡の電子光学系の概略構成図である。本実施例で
は、第2図に示した実施例の構成に加えて、引出電極7
の下にさらにプローブ電流制御用電極12が設けられて
いる。この電極12に印加する電圧を調節することによ
って、試料6に照射される電子線2の電流値(プローブ
電流)を制御することができる。 また、電子線2を偏向させるための空間(第一電極3と
同電位の空間)を設けるために、第3図に示すように、
該第一電極3の上方に新たに別の電極(偏向空間形成用
電極)13を設け、該電極13を第一電極3に接続して
両者を同電位に保持するようにしてもよい。また、偏向
器5として電磁偏向コイルを用いるときには、電極13
を非磁性体製とすることにより、該電磁偏向コイル5を
電磁13の外側に配置することも可能である。この実施
例の構成による走査形電子顕微鏡においては、1kV程
度の低加速電圧での試料表面aSにおいても、8nmと
いう高分解能が確認されている。 第8図は、本発明のさらに他の一実施例になる走査形電
子顕微鏡の電子光学系の概略構成図である。図において
、電界放出型の電子源1と第一陽極19との間の電界に
より電子源1がら放出された電子線2は、第一陽極19
と第二陽極20’との間の電界および第二陽極20′と
第三陽極21との間の電界により集束作用を受ける。該
電子線2はさらにヨーク14と励磁コイル15からなる
磁界レンズによって試料6上にフォーカスされ、偏向コ
イル5′によって試料6上で二次元的に走査される。試
料6から発生した二次電子8は二次電子検出器9によっ
て検出され、この検出信号を映像信号として制御・表示
装置】O内の表示部に試料6表面の二次元二次電子像が
得られる。このとき電子源1と三電極静電レンズを構成
する各陽極]、9.20’、21の間の軸ずれによる収
差を低減するために、可動機構18による電子源1の機
械的アラインメントと第一アラインメントコイル22に
よる静電レンズの内部(第二陽極20′によって囲まれ
た空間的)での電子線2の電磁的アラインメントが行な
われる。さらに、レンズ間の軸すれを補正するための従
来の第ニアラインメントコイル23′によって、電子線
2は磁界レンズ14の中心を通るようにアラインメント
される。 また、スティグマコイル24′によって非点収差補正が
行なわれる。これらの制御、信号処理1表示などに関す
る操作はすべて制御・表示部W10によって行なわれる
ものとする。 従来は、第12図または第13図に示すように、電子源
1の位置を微動調整する機械的なアラインメント機構1
8および陽極19.2o、21で構成される三電極静電
レンズと磁界レンズ14またはアインツエルレンズ17
との間の軸ずれによる収差を補正するための第ニアライ
ンメントコイル23′だけが設けられていた。しかし、
#%電レンズ自体の内部における軸ずれ、例えば三電極
静電レンズの各陽極19.20.21間の軸ずれを補正
するためのアラインメント手段は設けられていなかった
。このため、各電極の加工誤差や組立て誤差により発生
する光学的収差を十分な精度で補正することはできなか
った。 従来の機械的アラインメント手段だけでは収差補正には
不十分であることを以下に第14図を参照して説明する
。第14図は、三電極静電レンズによってフォーカスさ
れる電子線の各レンズ電極間に軸ずれが全くない場合の
スポット径と各電極が20μずつ軸ずれしている場合の
スポット径のボケ量とを計算して求めた結果を示してい
る9ここでは、三電極静電レンズの色収差と球面収差を
小さくするために、第二陽極20に正電位を印加するこ
とによって電子線2をフォーカスさせる場合について説
明する。第14図かられかるように、電子源1をどのよ
うにうまくアラインメントしたとしても各陽極間の軸ず
れによるスポット径のボケ量は理想的に軸ずれが全くな
いときのスポット径そのものの大きさと同程度あるいは
それ以上になってしまい、満足できるように小さなスポ
ット径を得ることはできない。その理由について、第1
5図を用いて説明しよう。同図は三電極静電レンズにお
ける電子速度、電子軌道、レンズ作用を概略的に示した
ものである。この図かられかるように、電子線の速度が
極大となる第二陽極20の付近ではレンズとしての集束
作用は弱く、集束作用(凸レンズ作用)の強い部分は、
第一陽極19の付近と第三陽極21の付近との2カ所に
存在している。従って、レンズ電極間の軸ずれによるボ
ケ量を小さくするためには、電子線を上述の2ケ所に形
成される集束作用(凸レンズ作用)の強い部分の中心軸
上、即ち、第一陽極19の開口中心軸上と第三陽極21
の開口中心軸上とを同時に通してやる必要がある。第1
2図、第13図に示すような従来の3電極静電レンズの
構成では、電子源1を機械的微動手段によってどのよう
にうまくアラインメントしたとしても上記の条件を満足
させることは不可能であり、これがために各電極間の軸
ずれによるスポット径のボケ量は殆ど小さくできないの
である。 そこで本実施例では、レンズ作用の弱い部分つまり電子
線2の速度が極大となるような第二陽極部分20′を光
学軸方向に拡げて、該第二Ilj%極部分20′の内部
空間内で電磁的に電子線2をアラインメントできるよう
にするために、新たに第一アラインメントコイル22を
付設しである。このようにすれば、電子源1の機械的ア
ラインメントと第一アラインメントコイル22による電
磁的アラインメントとによって、電子、@2をして第一
陽極19の開口中心軸上と第三陽極21の開口中心軸上
とを同時に通してやることが可能となるのである。これ
により、各電極間の軸ずれによるスポット径のボケ量は
、第14図に実線で示したものより一桁程度小さくでき
る。第14図、第15図は3枚の電極からなる静電レン
ズの場合の例であるが、一般に静電レンズにおいては、
それを構成する電極の枚数に関係なく、レンズ空間内に
おける集束作用は荷電粒子線の速度が小さいところで強
く、荷電粒子線の速度が大きいところで弱くなる。よっ
て、荷電粒子線の速度が極大となるような部位において
荷電粒子線のアラインメントを行なうようにすれば、電
極間の軸ずれの影響で生じる光学収差は効果的に補正で
きる。 第9図に、本発明のさらに他の一実施例を示す。 本実施例では、対物レンズとしてアインツエルレンズ1
7が用いられており、上記した電子線発生部における三
電極静電レンズの第二陽極部20′の位置の他に上記ア
インツエルレンズ17の中心電極位置においても電子線
の速度が極大となるような構成となっている。そのため
、第8図に示した実施例で付設した三電極静電レンズ用
の第一アラインメントコイル22、レンズ間の軸合わせ
用の第ニアラインメントコイル23′に加えて、アイン
ツエルレンズ(静電レンズ)17用の第三アラインメン
トコイル25が設けられている。これによって、アイン
ツエルレンズ17の各電極間の軸ずれの影響をも補正で
き、第13−に示した従来の装置構成におけるよりも著
しく収差を低減できる。 第10図に、本発明のさらに他の一実施例を示す。本実
施例では、電子源1がら引出電極7によって引き出され
た電子線2は、本発明による二電極静電対物レンズによ
って直接試料6上にフォーカスされている。ここでは、
電子線の速度が極大となる第一電極3の内部空間内にお
いて電子線のアラインメントを行なわせるためのアライ
ンメントコイル22を設けると共に、それと同一の電極
内空間内において電子1g2を偏向させるための偏向コ
イル5が設けられ、該偏向コイル5によって電子4!2
を試料6表面上で二次元的に走査させている。この占う
にすれば、各レンズ電極間の軸ずれの影響を効果的に補
正できるだけでなく、従来のようにわざわざ偏向コイル
5′の下にさらに別の対物レンズを配置するなどの面倒
な構成をとらなくても、電極3.4からなる静電対物レ
ンズと試料6との間の距離を十分に短くして使用するこ
とができるので、レンズ収差を十分に小さくして使用す
ることができる。また、本実施例では、さらに第一電極
3の内部空間内において非点収差補正を行なわせるため
のスティグマコイル24も付設されている。従って、非
常に構造が簡単で、小型で、しかも収差の小さな走査型
電子顕微鏡用の電子光学系が実現できる。本実施例の構
成によれば、走査型電子顕微鏡の鏡体全体を一例として
直径34 m m、 、高さ100mm程度に小型化す
ることが実現できており、しかも、電子線の加速電圧が
1kVで8nm以下という非常に高い分解能での観察が
可能となっている。 第11図に、本発明のさらに他の一実施例を示す。本実
施例では、第10図に示し、た実施例における引出電極
7と第一電極3との間に、さらにプローブ電流制御用電
極12が設けられている。そして、該プローブ電流制御
用電極〕2と第一電極3とにそれぞれ印加する電圧を調
整することにより、電子線2を試料6表面上にフォーカ
スさせるとともに、試料に照射される電子線の電流値(
プローブ電流)を調整するようになっている。 上記した本発明の実施例においては、アラインメントコ
イルなどには小型化のために電磁コイルを用い、それら
を静電レンズを構成する電極の近傍の真空空間内に配置
して用いたが、これらの電磁コイルを真空空間外に配置
して用いても同様の効果が得られることは云うまでもな
い。 また、アラインメント用などには、電磁コイルを用いず
に、静電プレートをレンズ電極の内側空間内に配置して
用いる構成を採ることももちろん可能である。 第16図は1本発明のさらに他の一実施例になる走査形
電子顕微鏡の断面構造図である。この実施例は既に詳し
く述べた静電対物レンズを実装した走査形電子顕微鏡の
例であり、その電子光学系の鏡筒部分は外径34mm、
高さ1.20mmと従来装置に比べて体積的にも重量的
にも1/100以下に小型化されている。 以下に、その構造と動作について説明する。電界放出型
電子源1と引出電極7との間に印加された電界によって
電子源1から放出された電子線は。 引出電ri7.調整電極]2.第三電極13によって構
成される三電極静電レンズのそれぞれの電極間に形成さ
れるレンズ電界によって、さらには第一電極3と第二電
極4によって構成される本発明の静電対物レンズの電極
間に形成されるレンズ電界によって、細く集束されて試
料6上に照射される。さらに、電子線を試料6上でより
微小なスポットに集束させるために、第一電極3および
第三電極13と同電位に保たれている偏向空間形成用電
極13′の内部空間内で、第11図に示したようなアラ
インメントコイル22によるアラインメント、スティグ
マコイル24による非点収差補正が行なわれ6それによ
って細く集束された電子線は、同じ電極内空間内で偏向
コイル5により偏向され、試料6の表面上で二次元的に
走査される。 この走査に従って試料6から発生した二次電子が二次電
子検出器9によって検出され、この検出信号を映像信号
として試料表面の走査電子顕微鏡像が表示される。な才
;、上述しまたアラインメントコイル22.スティグマ
コイル241、偏向コイル5は、電気絶縁体円筒34の
外回に付設されたボビン30上に重ね巻きされており 
図中ではコイル31とし、で示されている。 三電極静電レンズを構成する引出電極7.調整型+If
i12.第三電極13の各間は、それぞれ電気絶縁体ス
ペーサ32゜33によって互いに絶縁されている。また
、第一電極3と第二電極4との間は、電気絶縁体円筒3
4によって絶縁されている。 そして、第二電極4と試料6とはアース電位に置かれて
いる。 はl、5めに、第三電極13と偏向空間形成用電極]−
3′の部分の電位について説明する1、本実施例にギ昌
、Nては、第三電極13.第一電極3.偏向空間形成用
電極13′は同電位に保たれ、これら電極を第二電極4
に対して正電位に保持することによってレンズ作用を起
こさせている。もちろん。 第18図に示すように、第三電極」3と偏向空間形成用
電極13′とにそれぞれ第一電極3とは異なる値の正電
位を印加するような構成にすることも可能である。ここ
で、第三電極13と偏向空間形成用電極13′とに正電
位を加える理由について以下に述べる。第三電極13や
偏向空間形成用電極13′を第二電極4と同じアース電
位にすれば、従来周知のアインツエルレンズを形成する
。 しかし、そのようなアインツエルレンズ構成では。 光学収差を十分に小さくすることはできない。 第19図には、第18図に示すごとく構成された静電型
対物レンズにおいて、偏向空間形成用電極13′への印
加電圧Vdefと第一電極3への印加電圧VL工との比
(Vdef/Vi、、工)を変化させたときの色収差係
数ccおよび球面収差係数Csの変化の様子を示しであ
る。偏向空間形成用電極13′に第一電極3と同極性の
正電位(Vdef>O)を印加することにより5色収差
係数Cc及び球面収差係数Csがアインツエルレンズ(
Vdef=Oとした場合)よりも小さくなることが分か
る。即ち、前述した従来のアインツエルレンズでは、光
学収差のため十分に微小な電子線スポットを得ることが
できない。 従来のアインツエルレンズでは得られないような十分に
微小な電子線スポットを得ることができ。 さらに、磁界型対物レンズと同等もしくはそれ以上のレ
ンズ性能が得られるような静電型対物レンズとするため
には、V def > VLユ/・1とすることが望ま
しい。本実施例のようにV def = VL□とする
ことにより、偏向空間形成用電極13′を第一電極3と
絶縁する必要もなくなり、非常に構造が簡単になって、
装置全体の小型化がより容易となる。 また、偏向空間形成用電極13′を別電位にする二とに
よる煩雑な調整作業も不必要となり、さらに必要な高圧
電源の数も少なくて済むと云う利点も得られる。 第二電極4の試料側の下面と試料6表面との間のワーキ
ング距離Aは本実施例では1〜10mm程度にしている
。第17図には、本発明の第一電極3と第二電極4から
なる静電型対物レンズ(電極間距離B=2mmと20m
mの場合)と代表的な磁界型対物レンズ(磁極開口径4
mm、磁極間間隔4mm)との色収差係数Ccを比較し
7て示しである。図かられかるように、電極間距離Bに
ほとんどかかわらず、−アーキング距@Aを15mm以
下にした場合において、本発明の静電対物レンズの方が
磁界型対物レンズよりもより低い収差を実現できるよう
になり、より高分解能での試料観察ができるようになる
。従って、これまでの磁界型対物レンズを用いた走査形
電子顕微鏡と同等もしくはそれ以上の分解能を得るため
には、ワーキング距離Aを15mm以下に設定すること
が望ましい。 本発明の静電型対物レンズにおいては、上記したように
電極間距離Bにほとんどかかわらず、ワーキング距sA
を短くすることにより低収差を実現することができる。 しかし、あるワーキング距離Aのところに電子線を集束
させるために必要な第一電極3への印加電圧VL1は電
極間距離Bを長くするほど急速に大きくなる。本実施例
の最大の特長は、走査形電子顕微鏡の箪笥を非常に小型
にできるということである。この特長を活かすためにけ
 高圧電源やフィールドスルーがあまりに大型であって
はならない。また、各し、ンズ電極、へ直電圧を印加す
るためのリート線も鏡筒内の狭い間隙を介して付設する
必要がある。この意味で電極間距離Bをなるべく小さく
し、必要な印加電圧を小さくする方が望ましい。例えば
−加速電圧が3kV以下の場合、最大20kVの電源電
圧でワーキング距離A=15mmの位置に電子線を集束
させるためには、B < 20 m mとすることが必
要である。上記の理由によりB<20mmとすることが
望ましく、本実施例ではさらに実用的観点を加味してB
=2mmとしている。また、電極の製作技術等が改善さ
れれば、電極間距離Bをさらに小さくすることも小型化
のためには有効である。 本発明のもう一つの特徴は、静電対物レンズの主面がレ
ンズの外部(試料側)にあるということである。したが
って、磁界型対物レンズの場合のように試料を小さく分
割してレンズのギャップ内空間中に入れるという必要が
なく、大面積の試料でもそれをレンズの外部に置いて十
分に高分解能での試料表面観察ができる。とくに、磁性
材料を試料とする場合には、該試料を磁界レンズのギヤ
ツブ内磁界中に置いて観察することは不可能であるが、
本発明の静電対物レンズにおいては、レンズ内外に磁界
が存在しないので、磁性材試料であっても十分に高分解
能での観察ができる。また、半導体ウェハのような大型
試料でも、それを分割することによって破壊してしまう
ことなく、そのままの状態で高分解能観察ができる。さ
らに半導体ウェハのような試料においては、その表面を
電子線の入射方向に対して45°〜60’の角度に傾斜
させた状態で観察したいという要求が大きいが、この要
求に応えるためには、静電対物レンズの最下端にある第
二電極4の形状を、その下端部外径りが10mm以下で
あるような逆円錐台形状としてやるのがよい。 本実施例の電子光学系においては、それぞれ異なる5つ
の電位、つまり電子源1の電位、引出電極7の電位、調
整電極12の電位、第三電極13゜第一電極3.偏向空
間形成用電極13′に共通の電位、および第二電極4の
電位(アース電位)が用いられている。電子源1の電位
によって加速電圧が決められ、引出電極7の電位によっ
て電子源1からの電界放出電流が制御される。さらに、
調整電極12の電位と第一電極3の電位を制御すること
により、試料6へのプローブ電流値とフォーカス状態が
調整される。電流値を絞って高分解能を得るためには、
第三電極13.第一電極3.偏向空間形成用電極13′
に共通に印加する電位を最終的な加速電圧の5〜15倍
程度の高い正電位に設定して、電子線を強くフォーカス
させる。また、分解能を少々低下させてもプローブ電流
値を多くとりたい場合や焦点深度を大きくしたい場合に
は、第三電極13.第一電極3.偏向空間形成用電極1
3′に共通に印加する電位を低くして、電子線を弱フォ
ーカスさせてやる。 このように、本実施例では特に高分解能を実現するため
に、最下端電極である第二電極4以外はすべてアース電
位以外の電位を印加できる構造になっている。このよう
な条件下においても、より小型化を実現できるようにす
るために、電界放出電子源1を除いて、各電極7,12
,13,3゜4と絶縁体32,33.34はそれぞれの
中心軸をできるだけ合わせるようにそれぞれの内、外径
部を利用しての嵌合によって軸合わせ精度良くプリセッ
トできるようになっている。そして、これらの電極はア
ース電位にある第二電極4および保持円筒43を介して
フランジ38に固定支持されている。さらに、絶縁体3
2,33.34の材質としては、電気絶縁性が良好で、
しかも切削加工によっても容易かつ精度良く加工するこ
とができるようなセラミック系絶縁材料を用いている。 本実施例においては、電子線2の偏向を第一電極3より
も上方(電子源側)にある正電位空間(偏向空間形成用
電極13′の内部空間)内において行なわせるために、
絶縁体円筒34の外周に付設されたボビン30上に偏向
コイルが巻設されている。このように、偏向コイルを高
電圧部位から絶縁された位置に設けることによって、偏
向制御系における走査信号発生回路などはアース電位に
置くことができる。なお、装置構造を簡単にするために
、この絶縁体円筒34には、上述したように、第一電極
3と第二電極4との間のM縁スペーサとしての役割も兼
ねさせである。さらに、電極の加工精度や組立て精度の
関係上どうしても生ずる各電磁間の軸ずれの影響を補正
するために、上記した偏向を行なわせる空間と同じ空間
内において電子線のアラインメントも行なわせている。 即ち、電子線の光軸調整を行なわせるために、上下2段
のアラインメントコイルを上記した偏向コイルの場合と
同じくボビン30上に巻きつけて設けである。さらに、
上記した偏向を行なわせるべき空間と同じ空間内を利用
してレンズの非点収差補正をも行なわせるために、絶縁
体円筒34に付設されたボビン3o上には、そのための
スティグマコイルも巻設されている。このように、電子
光学系の小型化を実現するためには、偏向コイル、アラ
インメントコイル、スティグマコイルを同一もしくは共
通のボビン上に重ね巻きすることが望ましい。 第16図には、このようにして重ね巻きされた状態での
コイル31が示されている。 この実施例に示した鏡筒部分は、その使用に先立って内
部の真空度を上げるためにベーキングが行なわれるが、
そのために偏向コイル、アラインメントコイル、スティ
グマコイルなどはすべて耐熱ワイヤ(例えば、耐熱温度
200℃以上のポリイミド被覆ワイヤなど)を用いてい
る。さらに構造を簡単にして小型化するためにこれらの
耐熱ワイヤは他から密封することなく真空中にむきだし
で配置されている。本実施例では、偏向、アラインメン
ト、非点収差補正はすべて電磁コイルを用いて電磁気的
に行われているが、代わりに偏向空間形成用電極13′
内に電極を設けることによってこれらの機能を静電的に
行なわせることももちろん可能である。しかし、その場
合にはそれぞれの電極用の電圧源は偏向空間形成用電極
13′の電圧に応じて高電圧に浮かしてやる必要がある
。 本実施例では、高分解能を実現するために、電子源1と
して光源径が小さく電子のエネルギ幅の小さい冷陰極電
界放出型電子源を用いている。しかし、オージェ電子分
析器や電子線テスタなどの分析装置に用いるためには、
プローブ電流がさらに多くとれる熱陰極電界放出型電子
源を用いることが望ましい。また、電子源1の付近を超
高真空にできない場合には、通常の熱電子源を用いるこ
とか必要であるが、その場合には分解能は低下してしま
うことも否めない。 電界放出型電子源1は、前記のプリセットさ九た静電型
対物レンズに対して光軸合わせする必要がある。本実施
例では、小型化のため電子源1を保持しているフィード
スルーは保持部材37に直接取り付けられており、この
保持部材37をベローズ36と調整ネジ37′などから
なる可動機構を介して、鏡筒39の上端にガスケット3
5′を介して固定されているICF規格のうち最もiJ
zさい外径(34mm)のフランジ35に対して微動調
節(水平、垂直及び傾斜調節)できるようにして取り付
けられている。これにより、真空外から静電レンズ系に
対する電子源位置を最適に調整してやることができる。 電界放出型電子源1がらの放出電子流を安定化させるた
めに、電子衝撃によるガス放出が少ない安定な金属で引
出電極7の表面を覆うのが望ましい。本実施例では、引
出電極7の電子源側の表面に安定な金属である金を真空
蒸着して用いている。 さらに、ベーキングの際に引出電極7の加熱温度をとく
に高くして十分な脱ガス処理ができるようにするために
、絶縁体32内に加熱用ヒータを埋め込んでやることが
望ましい。 また、電子源1から第二電極4にいたるまでの非常に小
型な走査型電子顕微鏡の電子光学系を。 さまざまな試料室42に取り付けられるようにするため
に、電子源1と引出電極7がら第二電極4までを保持円
筒43を介してプリセットしたものとを鏡筒39に取り
付けることによって一体化している。また、外部擾乱磁
界の電子ビームに対する影響を除き微小スポットを得る
ため、鏡筒39と保持円筒43の少なくとも一方は磁性
材料で作成することが望ましい。また、この鏡筒39側
に高電圧導入端子や電流導入端子40を設けている。 そのため、電子源1が取り付けられている側のフランジ
35用のガスケット35′よりも大きな径のガスケット
38′を用いて、フランジ38側を他の分析装置などの
様々な試料室42に容易に取り付けて使用できる。また
、試料室42が超高真空でない装置にも対応できるよう
にするためには、電子g1近傍と試料室42の間で差動
排気を行なう必要がある。本実施例では、第二電極4以
外の電極はすべてアース電位でないため、アース電位に
ある第二電極4がそれを鏡筒39に取り付ける部分、も
しくは絶縁体32,33.34などの絶縁物の両側部分
を境界部として、超高真空を要する電界放出電子源側と
試料室側とでの差動排気を行なう。この場合、電子源側
は鏡筒側壁に設けられた排気口を介して高真空排気され
る。また、レンズ系内部の真空度をよくするために、該
レンズ系の保持円筒43の@壁にも大きな開口部44が
設けられている。なお、鏡筒部分全体が体積的に従来よ
り2桁程度小さいため、試料室42が超高真空である場
合には、敢えて鏡筒側に真空排気系を設けなくても、試
料室側の排気系を利用して鏡筒側でも十分な真空度が得
られるようにできるという利点がある。 本実施例の走査型電子顕微鏡において、ワーキング距M
Aを2 m rnとすることにより、1kVの低加速電
圧で6nmという高分解能が実現されている。これは、
従来の磁界型対物レンズを用いた大型の走査型電子顕微
鏡(試料をレンズの外部に置くタイプ)の分解能(〜1
0nm)を大きく凌ぐものである。 以上、本発明をいろいろな実施例にそって説明してきた
が、本発明はこれら実施例に示した具体的構成のみに限
定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である
。例えば、上記実施例では、本発明を走査形電子顕微鏡
に適用する場合について説明してきたが1本発明はさら
に電子線測長装置や電子線描画装置などの他の類似の電
子線装置にもそのまま応用することが可能であり、さら
にはイオン顕微鏡や集束イオンビーム装置や二次イオン
質量分析器などの集束イオンビームを用いる装置にも単
に印加電圧などの極性を変換してやる程度の簡単な変形
により容易に適用可能である。 本発明は、このような場合も含むものであることもちろ
んである。 [発明の効果] 本発明によれば、2つの電極からなる静電型対物レンズ
を用い、レンズの主面をレンズを構成する画電極の外側
(下側電極よりもさらに下側)にもってくることにより
、試料をレンズの内部空間中に入れることなくレンズ収
差を十分に小さくして使用することができる。このこと
によって、例えば走査型電子顕微鏡では、半導体ウェハ
などの大面積試料であっても高分解で非破壊[察を行な
うことができる。さらに本発明における対物レンズ構成
は、その構造が極めて簡単であるため、小型化が容易で
ある。従って、高分解能を維持しながら、対物レンズの
下面と試料との間に十分な空間を確保してやることでき
るので、例えば走査形トンネル顕微鏡などの他の試料観
察・計測装置との結合による複合化にも好都合である。 また、本発明によれば、上記した二電極構成の静電型対
物レンズにおける電子源側電極と同極性電位もしくは同
電位にある空間内において電子線の偏向をおこなわせる
ことにより、何ら分解能を損なうことなくして、装置全
体をより一層コンパクトに構成できる。 また1本発明によれば、静電レンズを構成する電極の内
部空間内で荷電粒子線を電気的手段によりアラインメン
トする構成としているため、静電レンズを構成する各電
極間の軸ずれを精度よく補正してやることができ、光学
収差をより効果的に低減できる。しかも、機械的なアラ
インメント機構を用いる場合に比べ電子光学系の構造が
非常に簡単かつ小型になる。またアラインメントを行な
わせる電極内部空間と同一の空間内において電子線を偏
向させ、さらにはそれと同一の空間内で非点収差補正を
も行なわせる構成にすることにより、荷電粒子線装置に
おける光学収差を増大させることなく電子光学系を容易
に小型化できる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図、および第3図は、それぞれ本発明の一
実施例になる走査形荷電粒子m装置の一実施例を示す断
面概略図、第4図は、従来の磁界型対物レンズの構成を
示す断面概略図、第5図は、従来のアインツェル型静電
対物レンズの構成を示す断面概略図、第6図は、本発明
による静電型対物レンズの主面位置を示すための断面概
略図、第7図は、磁界型対物レンズと本発明による静電
型対物レンズの収差を比較して示す特性説明図、第8図
、第9図、第10図、および第11図は、それぞれ本発
明の一実施例になる走査形電子顕微鏡の概略構成を示す
断面模式図、第12図および第13図は、それぞれ従来
の走査形電子顕微鏡の一構成例を示す断面概略図、第1
4図は、レンズ電極間の軸ずれによる電子線スポット径
のボケ量を表す特性説明図、第15図は、静電レンズに
おける電子速度、電子軌道、レンズ作用の説明図、第1
6図は、本発明のさらに別の一実施例になる走査形電子
顕微鏡の概略構成を示す断面構造図、第17図は1本発
明による静電型対物レンズにおけるワーキング距離と色
収差係数の関係を従来の磁界型対物レンズにおけるそれ
と比較して示す特性説明図、第18図は、本発明のさら
に別の一実施例になる走査形電子顕微鋲の概略構成を示
す断面模式図、第19図は、本発明による静電型対物レ
ンズにおける偏向空間形成用電極への印加電圧と収差係
数の関係を従来の磁界型対物レンズにおけるそれと比較
して示す特性説明図、である。 1−電子源、2−電子線、3−第一電極、4−第二電極
、5−偏向器、6−試料、7−引出電極。 8−二次電子、9−二次電子検出器、10−制御・表示
装置、12−プローブ電流制御用電極、13−偏向空間
形成用電極、14−ヨーク、15−励磁コイル、17−
アインツエルレンズ、19−第一陽極、2〇−第二陽極
、21−第三陽極、22−第一アラインメントコイル、
23−第ニアラインメントコイル、24−スティグマコ
イル、25−第三アラインメントコイル。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、荷電粒子源から荷電粒子線を発生させる荷電粒子線
    発生手段と、該荷電粒子線を試料上に集束させるための
    少なくとも対物レンズを含む荷電粒子線集束手段とを有
    する荷電粒子線装置において、上記対物レンズは、上記
    荷電粒子線を通過させるための開口をそれぞれ有する相
    対向する2つの電極、即ち上記荷電粒子源に近い側の第
    一電極と上記試料に近い側の第二電極とよりなる静電型
    対物レンズであり、上記第一電極の電位が上記第二電極
    の電位に対して、上記荷電粒子線が負に帯電した粒子線
    である場合には正の電位に、正に帯電した粒子線である
    場合には負の電位に保たれ、かつ、該静電型対物レンズ
    のレンズ主面は上記第二電極の下面よりも試料側の位置
    に形成されてなることを特徴とする荷電粒子線装置。 2、荷電粒子源から荷電粒子線を発生させる荷電粒子線
    発生手段と、該荷電粒子線を試料上に集束させるための
    少なくとも対物レンズを含む荷電粒子線集束手段と、該
    荷電粒子線を試料上で走査させるための荷電粒子線偏向
    手段とを有する荷電粒子線装置において、上記対物レン
    ズは、上記荷電粒子線を通過させるための開口をそれぞ
    れ有する相対向する2つの電極、即ち上記荷電粒子源に
    近い側の第一電極と上記試料に近い側の第二電極とより
    なる静電型対物レンズであり、上記第一電極の電位が上
    記第二電極の電位に対して、上記荷電粒子線が負に帯電
    した粒子線である場合には正極性側の電位に、正に帯電
    した粒子線である場合には負極性側の電位に保たれ、か
    つ、上記荷電粒子線偏向手段は、上記第二電極の電位に
    対して上記第一電極の電位と同極性側の電位に保たれた
    空間内において、上記荷電粒子線を偏向させるものであ
    ることを特徴とする荷電粒子線装置。 3、上記第一電極の上記荷電粒子源側に、上記第二電極
    の電位に対して上記第一電極の電位と同極性側の電位に
    保持された偏向空間形成用電極が付設され、上記荷電粒
    子線偏向手段は、上記偏向空間形成用電極によって取り
    囲まれた空間内で、上記荷電粒子線を偏向させるもので
    あることを特徴とする請求項2に記載の荷電粒子線装置
    。 4、上記荷電粒子線偏向手段によって荷電粒子線を偏向
    させる空間と同一の空間内において荷電粒子線の光軸合
    わせを行なうための電磁的または静電的なアラインメン
    ト手段が付設されてなることを特徴とする請求項2また
    は3に記載の荷電粒子線装置。 5、上記荷電粒子線偏向手段によって荷電粒子線を偏向
    させる空間と同一の空間内において上記静電レンズの非
    点収差補正を行なうための電磁的または静電的な非点収
    差補正手段が付設されてなることを特徴とする請求項2
    ないし4のいずれかに記載の荷電粒子線装置。 6、荷電粒子源から荷電粒子線を発生させる荷電粒子線
    発生手段と、該荷電粒子線を試料上に集束させるための
    少なくとも対物レンズを含む荷電粒子線集束手段と、該
    荷電粒子線を試料上で走査させるための荷電粒子線偏向
    手段とを有する荷電粒子線装置において、上記対物レン
    ズは、上記荷電粒子線を通過させるための開口をそれぞ
    れ有する相対向する2つの電極、即ち上記荷電粒子源に
    近い側の第一電極と上記試料に近い側の第二電極とより
    なる静電型対物レンズであり、上記第一電極の電位が上
    記第二電極の電位に対して、上記荷電粒子線が負に帯電
    した粒子線である場合には正極性側の電位に、正に帯電
    した粒子線である場合には負極性側の電位に保たれ、か
    つ、上記荷電粒子線偏向手段は、上記第一電極と同電位
    に保たれた空間内において、上記荷電粒子線を偏向させ
    るものであることを特徴とする荷電粒子線装置。 7、上記荷電粒子線偏向手段は、上記第一電極によって
    取り囲まれた空間内において、上記荷電粒子線を偏向さ
    せるものであることを特徴とする請求項6に記載の荷電
    粒子線装置。 8、上記第一電極の上記荷電粒子源側に該第一電極と同
    電位に保持された偏向空間形成用電極が付設され、上記
    荷電粒子線偏向手段は、該偏向空間形成用電極によって
    取り囲まれた空間内において、上記荷電粒子線を偏向さ
    せるものであることを特徴とする請求項6に記載の荷電
    粒子線装置。 9、上記荷電粒子線発生手段の荷電粒子源として電界放
    出型電子源が用いられ、該電子源と上記荷電粒子線偏向
    手段によって上記電子源からの電子線を偏向させる空間
    との間に、上記電子源から電子線を電界放出させるため
    の引出電圧を印加された引出電極が付設されてなること
    を特徴とする請求項2ないし8のいずれかに記載の荷電
    粒子線装置。 10、上記引出電極と上記荷電粒子線偏向手段によって
    上記電子源からの電子線を偏向させる空間との間に試料
    へ照射される荷電粒子線のプローブ電流を制御するため
    のプローブ電流制御用電極が付設されてなることを特徴
    とする請求項9に記載の荷電粒子線装置。 11、上記荷電粒子線偏向手段によって荷電粒子線を偏
    向させる空間と同一の空間内において荷電粒子線の光軸
    合わせを行なうための電磁的または静電的なアラインメ
    ント手段が付設されてなることを特徴とする請求項6な
    いし10のいずれかに記載の荷電粒子線装置。 12、上記荷電粒子線偏向手段によって荷電粒子線を偏
    向させる空間と同一の空間内において上記静電レンズの
    非点収差補正を行なうための電磁的または静電的な非点
    収差補正手段が付設されてなることを特徴とする請求項
    6ないし11のいずれかに記載の荷電粒子線装置。 13、荷電粒子源から荷電粒子線を発生させる荷電粒子
    線発生手段と、該荷電粒子線を試料上に集束させるため
    の荷電粒子線集束手段と、該荷電粒子線の光軸合わせを
    行うための電磁的または静電的なアラインメント手段と
    を有する荷電粒子線装置において、上記荷電粒子線集束
    手段は静電レンズによって構成されており、上記アライ
    ンメント手段は、上記静電レンズを構成する電極のうち
    接地電位以外の電位が印加される電極の内部空間内で荷
    電粒子線の光軸合わせを行なうものであることを特徴と
    する荷電粒子線装置。 14、荷電粒子源から荷電粒子線を発生させる荷電粒子
    線発生手段と、該荷電粒子線を試料上に集束させるため
    の荷電粒子線集束手段と、該荷電粒子線の光軸合わせを
    行うための電磁的または静電的なアラインメント手段と
    を有する荷電粒子線装置において、上記荷電粒子線集束
    手段は静電レンズと磁界レンズとの組合せレンズによっ
    て構成されており、上記アラインメント手段は、上記静
    電レンズを構成する電極のうち接地電位以外の電位が印
    加される電極の内部空間内において、荷電粒子線の光軸
    合わせを行なうものであることを特徴とする荷電粒子線
    装置。 15、上記アラインメント手段は、上記静電レンズを構
    成する電極のうち荷電粒子線の速度を極大とするような
    電位が印加される電極の内部空間内において、荷電粒子
    線の光軸合わせを行なうものであることを特徴とする請
    求項13または14に記載の荷電粒子線装置。 16、荷電粒子線を試料上で二次元的に走査するために
    、上記アラインメント手段によって荷電粒子線の光軸合
    わせを行なわせる空間と同一の空間内において、上記荷
    電粒子線を偏向させるための電磁的または静電的な荷電
    粒子線偏向手段が付設されてなることを特徴とする請求
    項13ないし15のいずれかに記載の荷電粒子線装置。 17、上記アラインメント手段によって荷電粒子線の光
    軸合わせを行なわせる空間と同一の空間内において、上
    記静電レンズの非点収差補正を行なわせるための電磁的
    または静電的な非点収差補正手段が付設されてなること
    を特徴とする請求項13ないし16のいずれかに記載の
    荷電粒子線装置。
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