JPH0445522A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0445522A JPH0445522A JP15469490A JP15469490A JPH0445522A JP H0445522 A JPH0445522 A JP H0445522A JP 15469490 A JP15469490 A JP 15469490A JP 15469490 A JP15469490 A JP 15469490A JP H0445522 A JPH0445522 A JP H0445522A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- nozzle pipe
- nozzle
- wafer
- pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 67
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 45
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 10
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 9
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 241000238557 Decapoda Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は気相成長装置に関し、特にｉｎ ５ｉｔｕでＰ
型あるいはＮ型の不純物をドーピングして薄膜を形成す
る気相成長装置に関するものである。
型あるいはＮ型の不純物をドーピングして薄膜を形成す
る気相成長装置に関するものである。
気相成長装置は種々の成膜に使われるが、以下シリコン
エピタキシャル成長について説明する。
エピタキシャル成長について説明する。
エピタキシャル成長技術は、半導体製造プロセスにおい
てはすでに重要な技術分野となっており、特にバイポー
ラ系のデバイスではデバイス製造上必須のプロセスにな
っている。さらに近年、超高集積度、超高速デバイスの
要求から少消費電力で、しかも高速のＢｉ−０ＭＯ３構
造のＳＲＡＭ、あるいは超高集積化にともなうラッチア
ップ対策からエビ構造を用いたＤＲＡＭ等の開発が精力
的に行なわれているが、これらのデバイスはいずれもエ
ピタキシャル成長プロセスを必要としている。
てはすでに重要な技術分野となっており、特にバイポー
ラ系のデバイスではデバイス製造上必須のプロセスにな
っている。さらに近年、超高集積度、超高速デバイスの
要求から少消費電力で、しかも高速のＢｉ−０ＭＯ３構
造のＳＲＡＭ、あるいは超高集積化にともなうラッチア
ップ対策からエビ構造を用いたＤＲＡＭ等の開発が精力
的に行なわれているが、これらのデバイスはいずれもエ
ピタキシャル成長プロセスを必要としている。
ス、デバイスチップ当りの製造プロセスコスト低減のた
め、シリコンウェーハの大口径化や製造装置に関しては
１バッチ当りの処理枚数の向上による高スループツト化
が進められている。エピタキシャル成長装置においても
、従来のバレル型、パンケーキ型と呼ばれる装置では、
すでにスループットの点で現状の要求を満たすことは困
難となっており、最近になって種々の新しい方式の装置
が試作されるようになって来た６例えば、縦型反応管を
用いたホットウォール方式で、大口径６インチウェーハ
を大量に処理できる装置が提案されている（特開昭６３
−００８６４２４号）。
め、シリコンウェーハの大口径化や製造装置に関しては
１バッチ当りの処理枚数の向上による高スループツト化
が進められている。エピタキシャル成長装置においても
、従来のバレル型、パンケーキ型と呼ばれる装置では、
すでにスループットの点で現状の要求を満たすことは困
難となっており、最近になって種々の新しい方式の装置
が試作されるようになって来た６例えば、縦型反応管を
用いたホットウォール方式で、大口径６インチウェーハ
を大量に処理できる装置が提案されている（特開昭６３
−００８６４２４号）。
第４図はこの装置の概略を示したものである。
第４図に示す装置は、ウエーハホールダ４にウェーハ５
を水平に積み重ねるように保持し、減圧下で抵抗加熱炉
９により９００℃〜１２００℃程度に加熱してそのウェ
ーハ５表面にジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）等のシ
ラン系のガス、水素（Ｈ２）及びドーピングガスを導入
してエピタキシャル成長させるものとなっていた。
を水平に積み重ねるように保持し、減圧下で抵抗加熱炉
９により９００℃〜１２００℃程度に加熱してそのウェ
ーハ５表面にジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）等のシ
ラン系のガス、水素（Ｈ２）及びドーピングガスを導入
してエピタキシャル成長させるものとなっていた。
反応容器は架台１に支持された内外管２．３の二重構造
で、外管２で真空を保持し、回転するウェーハ５にノズ
ル管６を用いて反応ガスを供給する１反応ガスは内管３
の円筒面内に設けられた多数のガス排出孔７を通して排
気口８より排出される。従来装置では、ＰＨ３，８２Ｈ
ａ 、ＡｓＨｌ等のドーピングガスと成長に係わる５ｉ
Ｈ２Ｃ１，等の反応ガスを同一ノズル管から放出するか
、あるいはドーピングガスと成長に係わる反応ガスを異
なるノズル管から放出しているが、後者の装置において
もドーピングガスの流線および膜成長に係わる反応ガス
の流線とウェーハ表面とは平行な関係にあった。
で、外管２で真空を保持し、回転するウェーハ５にノズ
ル管６を用いて反応ガスを供給する１反応ガスは内管３
の円筒面内に設けられた多数のガス排出孔７を通して排
気口８より排出される。従来装置では、ＰＨ３，８２Ｈ
ａ 、ＡｓＨｌ等のドーピングガスと成長に係わる５ｉ
Ｈ２Ｃ１，等の反応ガスを同一ノズル管から放出するか
、あるいはドーピングガスと成長に係わる反応ガスを異
なるノズル管から放出しているが、後者の装置において
もドーピングガスの流線および膜成長に係わる反応ガス
の流線とウェーハ表面とは平行な関係にあった。
気相成長法でウェーハ面上に均一な膜成長を行うなめに
は、反応ガスの熱分解により生じた種々の反応種を全被
成長領域に対し均一に供給する必要がある。５ＬＨ４Ｃ
ｌ＊ Ｈ２ＰＨｓ系のＮ型シリコンエピタキシャル成
長を例に挙げて説明すれば、Ｓ Ｉ Ｈｘ Ｃ１２の熱
分解により生じな膜成長に係わるＳ Ｉ Ｃｌ ２およ
びＰＨｓの熱分解により生成したドーピングに係わるＰ
ＨＩ （ｉ＝１゜２．３）などの反応ガス種を全ウェ
ーハ被成長領域に均一供給する必要がある。前述した単
一ノズル管を使用した従来装置では、第５図（＾） 、
（Ｂ）に示すように均一成長のため、ノズル管６から
噴出されるガスの流速とガス流線１０の方向について最
適化を行っているが、５ｉＨ２ＣＩ２およびＰＨｊの熱
分解温度、あるいはそれらの熱分解種とＳｔ基板との化
学反応速度に差があることがら、膜厚と抵抗率を同時に
均一とする成長条件を見いだすことは困難となっている
。
は、反応ガスの熱分解により生じた種々の反応種を全被
成長領域に対し均一に供給する必要がある。５ＬＨ４Ｃ
ｌ＊ Ｈ２ＰＨｓ系のＮ型シリコンエピタキシャル成
長を例に挙げて説明すれば、Ｓ Ｉ Ｈｘ Ｃ１２の熱
分解により生じな膜成長に係わるＳ Ｉ Ｃｌ ２およ
びＰＨｓの熱分解により生成したドーピングに係わるＰ
ＨＩ （ｉ＝１゜２．３）などの反応ガス種を全ウェ
ーハ被成長領域に均一供給する必要がある。前述した単
一ノズル管を使用した従来装置では、第５図（＾） 、
（Ｂ）に示すように均一成長のため、ノズル管６から
噴出されるガスの流速とガス流線１０の方向について最
適化を行っているが、５ｉＨ２ＣＩ２およびＰＨｊの熱
分解温度、あるいはそれらの熱分解種とＳｔ基板との化
学反応速度に差があることがら、膜厚と抵抗率を同時に
均一とする成長条件を見いだすことは困難となっている
。
一方、複数ノズル管を用いた成長装置は第６図（＾）
、 （Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （０）に示すように、５
ｆＨ２ＣＩ ｔを供給して膜成長を行うためのノズル管
６ｂと、ＰＨ，を供給して抵抗率制御を行うためのノズ
ル管６ａとを別に設けることにより、膜成長と抵抗率に
ついて独立に最適条件を得ようとしたものである。しか
し、この装置の場合でも、各ノズル管６ａ、６ｂのガス
噴出孔６ｃ、６ｄはウェーハ面に対し同一高さ位置に開
口しであるため、ガス噴出孔６ｃ、６ｃｆから噴出され
た反応ガス特にキャリアガス同士がウェーハ面内で相互
干渉するために、膜厚分布と抵抗率分布とを完全に独立
させて制御することはできない、即ち、一方のノズル管
から噴出されたガス流のウェーハ面内でのフローパター
ンが、他方のノズル管からのガス流に大きく影響される
ことになる０以上述べたように、従来装置では、大口径
ウェーハに対して良好な膜厚均一性と低効率均一性を同
時に満足する成長条件を見いだすことは困難となってい
る。
、 （Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （０）に示すように、５
ｆＨ２ＣＩ ｔを供給して膜成長を行うためのノズル管
６ｂと、ＰＨ，を供給して抵抗率制御を行うためのノズ
ル管６ａとを別に設けることにより、膜成長と抵抗率に
ついて独立に最適条件を得ようとしたものである。しか
し、この装置の場合でも、各ノズル管６ａ、６ｂのガス
噴出孔６ｃ、６ｄはウェーハ面に対し同一高さ位置に開
口しであるため、ガス噴出孔６ｃ、６ｃｆから噴出され
た反応ガス特にキャリアガス同士がウェーハ面内で相互
干渉するために、膜厚分布と抵抗率分布とを完全に独立
させて制御することはできない、即ち、一方のノズル管
から噴出されたガス流のウェーハ面内でのフローパター
ンが、他方のノズル管からのガス流に大きく影響される
ことになる０以上述べたように、従来装置では、大口径
ウェーハに対して良好な膜厚均一性と低効率均一性を同
時に満足する成長条件を見いだすことは困難となってい
る。
本発明の目的は、ガス同士のウェーハ面内での相互干渉
を阻止することにより、従来の問題点を解消した気相成
長装置を提供することにある。
を阻止することにより、従来の問題点を解消した気相成
長装置を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係る気相成長装置に
おいては、ウェーハホルダと、ノズル管とを有する気相
成長装置であって、 ウェーハホルダは、複数のウェーハを一定ピッチで上下
に積み重ねて保持するものであり、ノズル管は、前記ウ
ェーハホルダの各段に保持されたウェーハの成長面に反
応ガスを供給するもので、主として膜成長に係わるシラ
ン系の反応ガスを含む反応ガスを供給する第１ノズル管
と、主としてＮ型あるいはＰ型のドーピングガスを含む
反応ガスを供給する第２ノズル管とから構成されており
、 該第１ノズル管からのガス流線と該第２ノズル管からの
ガス流線とをウェーハ面に対して異なる平面上に設定し
たものである。
おいては、ウェーハホルダと、ノズル管とを有する気相
成長装置であって、 ウェーハホルダは、複数のウェーハを一定ピッチで上下
に積み重ねて保持するものであり、ノズル管は、前記ウ
ェーハホルダの各段に保持されたウェーハの成長面に反
応ガスを供給するもので、主として膜成長に係わるシラ
ン系の反応ガスを含む反応ガスを供給する第１ノズル管
と、主としてＮ型あるいはＰ型のドーピングガスを含む
反応ガスを供給する第２ノズル管とから構成されており
、 該第１ノズル管からのガス流線と該第２ノズル管からの
ガス流線とをウェーハ面に対して異なる平面上に設定し
たものである。
また、本発明においては、前記第１ノズル管と第２ノズ
ル管とは、反応ガスのガス噴出孔をウェーハ面に対し異
なる高さ位置にそれぞれ開口したものであり、また前記
第１ノズル管と第２ノズル管とは、反応ガスのガス噴出
孔をウェーハ面に対し異なる角度にそれぞれ開口したも
のである。
ル管とは、反応ガスのガス噴出孔をウェーハ面に対し異
なる高さ位置にそれぞれ開口したものであり、また前記
第１ノズル管と第２ノズル管とは、反応ガスのガス噴出
孔をウェーハ面に対し異なる角度にそれぞれ開口したも
のである。
従来装置では、ノズル管からの各ガス流線がウェーハ面
と平行な同一平面上で重なっているのに対し、本発明で
は、各ガス流は夫々異なる平面上を流れている。このた
め各ノズル管から噴出されたガス流の相互干渉が大幅に
低減され、良好な膜厚均一性と抵抗率均一性を同時に得
ることができる。
と平行な同一平面上で重なっているのに対し、本発明で
は、各ガス流は夫々異なる平面上を流れている。このた
め各ノズル管から噴出されたガス流の相互干渉が大幅に
低減され、良好な膜厚均一性と抵抗率均一性を同時に得
ることができる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図（＾） 、 （Ｂ） 、 （Ｃ）は本発明の実施
例１を示す図である０図において、成長に使用した反応
管は第４図に示した従来装置と同様に、外管２と内管３
とからなる二重管構造の反応管であり、さらにウェーハ
５を保持するためのウェーハホールダ４と、反応管内を
加熱するための抵抗加熱炉９を備えている点は従来装置
と同じである０本発明において、反応ガスを供給するた
めのノズル管６は、主として膜成長に係わるシラン系（
ＰＨｓ）の反応ガスを含む反応ガスを供給する第１ノズ
ル管６ａと、主としてＮ型あるいはＰ型のドーピングガ
スを含む反応ガスを供給する第２ノズル管６ｂとから構
成したものである。そして本発明で特徴的なガスフロー
パターンを実現するため、第１ノズル管６ａについては
隣接ウェーハ間隔りのノズル管長手方向１／３Ｌの高さ
位置にガス噴出孔６ｃを開口し、第２ノズル管６ｂにつ
いては２／３Ｌの高さ位置にガス噴出孔６ｄを設置した
ものである。
例１を示す図である０図において、成長に使用した反応
管は第４図に示した従来装置と同様に、外管２と内管３
とからなる二重管構造の反応管であり、さらにウェーハ
５を保持するためのウェーハホールダ４と、反応管内を
加熱するための抵抗加熱炉９を備えている点は従来装置
と同じである０本発明において、反応ガスを供給するた
めのノズル管６は、主として膜成長に係わるシラン系（
ＰＨｓ）の反応ガスを含む反応ガスを供給する第１ノズ
ル管６ａと、主としてＮ型あるいはＰ型のドーピングガ
スを含む反応ガスを供給する第２ノズル管６ｂとから構
成したものである。そして本発明で特徴的なガスフロー
パターンを実現するため、第１ノズル管６ａについては
隣接ウェーハ間隔りのノズル管長手方向１／３Ｌの高さ
位置にガス噴出孔６ｃを開口し、第２ノズル管６ｂにつ
いては２／３Ｌの高さ位置にガス噴出孔６ｄを設置した
ものである。
ウェーハホールダ４に直径１５０■のＰ型シリコンウェ
ーハ５を５０枚搭載し、反応管内温度を１０８０℃、真
空度を８０ｔｏｒｒとした。ウェーハホールダ４を毎分
５回転の速度で回転させ、第１ノズル管６ａのガス噴出
孔６Ｃより、Ｈ，２０１／ｓｉｎ、Ｐ Ｈｊ５００１１
／ Ｓｉｎ 、第２ノズル管６ｂのガス噴出孔６ｄよ
り、Ｈ２を２０１ ／ｓｉｎ 、 Ｓ ｉ Ｈ２Ｃｌ
２を２００ｍＪ／Ｓｉｎの流量で１５分間供給してＮ型
のシリコンエピタキシャル膜を成長させた。
ーハ５を５０枚搭載し、反応管内温度を１０８０℃、真
空度を８０ｔｏｒｒとした。ウェーハホールダ４を毎分
５回転の速度で回転させ、第１ノズル管６ａのガス噴出
孔６Ｃより、Ｈ，２０１／ｓｉｎ、Ｐ Ｈｊ５００１１
／ Ｓｉｎ 、第２ノズル管６ｂのガス噴出孔６ｄよ
り、Ｈ２を２０１ ／ｓｉｎ 、 Ｓ ｉ Ｈ２Ｃｌ
２を２００ｍＪ／Ｓｉｎの流量で１５分間供給してＮ型
のシリコンエピタキシャル膜を成長させた。
第２図は成長したウェーハについて膜厚と抵抗率を測定
したものであるが、いずれも従来装置で成長した場合（
第５．６図）と比較して大幅に改善され、膜厚均一性±
３％、抵抗率均一性±５％の良好な値を得な。
したものであるが、いずれも従来装置で成長した場合（
第５．６図）と比較して大幅に改善され、膜厚均一性±
３％、抵抗率均一性±５％の良好な値を得な。
本実施例では、ノズル管６ａ、６ｂを２本としたが、第
１ノズル管６ａ及び第２ノズル管６ｂをそれぞれ複数本
とした成長も試みており、この場合も良好な結果が得ら
れている。
１ノズル管６ａ及び第２ノズル管６ｂをそれぞれ複数本
とした成長も試みており、この場合も良好な結果が得ら
れている。
（実施例２）
第３図（＾） 、 （Ｂ） 、 （Ｃ）は本発明の実施
例２を示す図である０本実施例において、反応管につい
ては実施例１と同様の装置を使用した０本実施例で特徴
的なガスフローパターンを実現するため、第１ノズル管
６ａのガス噴出孔６ｃの開口方向は、ウェーハ面に垂直
なａ−ａ′線断面上の水平方向に対し６０°に設定して
あり、第２ノズル管６ｂのガス噴出孔６ｄの開口方向は
、ウェーハ面に垂直なり−ｂ′線断面上の水平方向に対
し３０”とした。
例２を示す図である０本実施例において、反応管につい
ては実施例１と同様の装置を使用した０本実施例で特徴
的なガスフローパターンを実現するため、第１ノズル管
６ａのガス噴出孔６ｃの開口方向は、ウェーハ面に垂直
なａ−ａ′線断面上の水平方向に対し６０°に設定して
あり、第２ノズル管６ｂのガス噴出孔６ｄの開口方向は
、ウェーハ面に垂直なり−ｂ′線断面上の水平方向に対
し３０”とした。
本実施例では、実施例１と同条件で成長を行い、膜厚分
布と抵抗率分布を測定したところ、実施例の場合も実施
例１の場合と同様、膜厚均一性±３％、抵抗率均一性±
５％の良好な結果を得た。
布と抵抗率分布を測定したところ、実施例の場合も実施
例１の場合と同様、膜厚均一性±３％、抵抗率均一性±
５％の良好な結果を得た。
以上説明したように本発明は、２系統からの反応ガスの
ウェーハ面での相互干渉を阻止するため、大口径ウェー
ハに対して膜厚および抵抗率ともに均一な膜を形成でき
るという効果がある。
ウェーハ面での相互干渉を阻止するため、大口径ウェー
ハに対して膜厚および抵抗率ともに均一な膜を形成でき
るという効果がある。
第１図（Ａ）は本発明の実施例１を示す横断面図、（Ｂ
）は第１図（Ａ）のａ−ａ′線断面図、（Ｃ）は第１図
（Ａ）のｂ−ｂ”線断面図、第２図は実施例１の膜厚お
よび抵抗率分布を示す図、第３図（＾）は本発明の実施
例２を示す横断面図、（Ｂ）は第３図（＾）のａ−ａ”
線断面図、（Ｃ）は第３図（＾）のｂ−ｂ’線断面図、
第４図は本発明および従来の装置で使用した反応管を示
す縦断面図、第５図（＾）。 （Ｂ）は単一ノズル管を使用した従来装置のガスフロー
パターンと膜の均一性を示す図、第６図（Ａ）。 （Ｂ）は複数ノズル管を使用した従来装置のガスフロー
パターンと膜の均一性を示す図、第６図（Ｃ）は第６図
（８）のａ−ａ’線断面図、第６図（Ｄ）は第６図（Ｂ
）のｂ−ｂ′線断面図である。 １・・・架台 ２・・・外管３・・・内管
４・・・ウエーハホールダ５・・・ウェ
ーハ ６．６ａ、６ｂ・・・ノズル管 ７・・・ガス排出孔 ８・・・排気口９・・・抵
抗加熱炉 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中箱 ■ 図 第 ■ 図 測定位置 第 図 第 図 （Ｂ） （Ｃ） 第 図 ４クニー八ホルダ 第 図 第 図 す 第 図
）は第１図（Ａ）のａ−ａ′線断面図、（Ｃ）は第１図
（Ａ）のｂ−ｂ”線断面図、第２図は実施例１の膜厚お
よび抵抗率分布を示す図、第３図（＾）は本発明の実施
例２を示す横断面図、（Ｂ）は第３図（＾）のａ−ａ”
線断面図、（Ｃ）は第３図（＾）のｂ−ｂ’線断面図、
第４図は本発明および従来の装置で使用した反応管を示
す縦断面図、第５図（＾）。 （Ｂ）は単一ノズル管を使用した従来装置のガスフロー
パターンと膜の均一性を示す図、第６図（Ａ）。 （Ｂ）は複数ノズル管を使用した従来装置のガスフロー
パターンと膜の均一性を示す図、第６図（Ｃ）は第６図
（８）のａ−ａ’線断面図、第６図（Ｄ）は第６図（Ｂ
）のｂ−ｂ′線断面図である。 １・・・架台 ２・・・外管３・・・内管
４・・・ウエーハホールダ５・・・ウェ
ーハ ６．６ａ、６ｂ・・・ノズル管 ７・・・ガス排出孔 ８・・・排気口９・・・抵
抗加熱炉 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中箱 ■ 図 第 ■ 図 測定位置 第 図 第 図 （Ｂ） （Ｃ） 第 図 ４クニー八ホルダ 第 図 第 図 す 第 図
Claims (3)
- （１）ウェーハホルダと、ノズル管とを有する気相成長
装置であつて、 ウェーハホルダは、複数のウェーハを一定ピッチで上下
に積み重ねて保持するものであり、ノズル管は、前記ウ
ェーハホルダの各段に保持されたウェーハの成長面に反
応ガスを供給するもので、主として膜成長に係わるシラ
ン系の反応ガスを含む反応ガスを供給する第１ノズル管
と、主としてＮ型あるいはＰ型のドーピングガスを含む
反応ガスを供給する第２ノズル管とから構成されており
、 該第１ノズル管からのガス流線と該第２ノズル管からの
ガス流線とをウェーハ面に対して異なる平面上に設定し
たことを特徴とする気相成長装置。 - （２）前記第１ノズル管と第２ノズル管とは、反応ガス
のガス噴出孔をウェーハ面に対し異なる高さ位置にそれ
ぞれ開口したものであることを特徴とする請求項第（１
）項記載の気相成長装置。 - （３）前記第１ノズル管と第２ノズル管とは、反応ガス
のガス噴出孔をウェーハ面に対し異なる角度にそれぞれ
開口したものであることを特徴とする請求項第（１）項
記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15469490A JP3231312B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15469490A JP3231312B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445522A true JPH0445522A (ja) | 1992-02-14 |
| JP3231312B2 JP3231312B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=15589903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15469490A Expired - Fee Related JP3231312B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3231312B2 (ja) |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP15469490A patent/JP3231312B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3231312B2 (ja) | 2001-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0637058B1 (en) | Method of supplying reactant gas to a substrate processing apparatus | |
| US4796562A (en) | Rapid thermal cvd apparatus | |
| US4992301A (en) | Chemical vapor deposition apparatus for obtaining high quality epitaxial layer with uniform film thickness | |
| JP3184000B2 (ja) | 薄膜の形成方法およびその装置 | |
| US6316361B1 (en) | CVD reactor and process for producing an epitally coated semiconductor wafer | |
| CN116427023A (zh) | 一种用于外延设备的气体分配装置 | |
| EP0605725B1 (en) | Apparatus for introducing gas, and apparatus and method for epitaxial growth | |
| JP3345929B2 (ja) | 半導体級多結晶シリコン製造反応炉 | |
| JPH0316208A (ja) | シリコンエピタキシャル成長装置 | |
| JPH0445522A (ja) | 気相成長装置 | |
| KR20040014760A (ko) | 멀티 홀 앵글드 가스분사 시스템을 갖는 반도체소자제조장치 및 이를 이용한 반도체소자 제조방법 | |
| JPH0658880B2 (ja) | 気相エピタキシヤル成長装置 | |
| JP2762576B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH05251359A (ja) | 気相シリコンエピタキシャル成長装置 | |
| JP2004296639A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP3057716B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH04163912A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH01157519A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH11102871A (ja) | 半導体単結晶薄膜の製造方法 | |
| US20230143108A1 (en) | Furnace and method for forming film | |
| JP2002141290A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH01235236A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH05211123A (ja) | シリコンエピタキシャル膜の成長方法 | |
| JPH02102524A (ja) | ウェハーボート | |
| JPH05243161A (ja) | 気相成長装置及びエピタキシャル膜の成長方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |