JPH044554A - ショートアーク型水銀蒸気放電灯 - Google Patents
ショートアーク型水銀蒸気放電灯Info
- Publication number
- JPH044554A JPH044554A JP10312890A JP10312890A JPH044554A JP H044554 A JPH044554 A JP H044554A JP 10312890 A JP10312890 A JP 10312890A JP 10312890 A JP10312890 A JP 10312890A JP H044554 A JPH044554 A JP H044554A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- discharge lamp
- mercury
- vapor discharge
- mercury vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Discharge Lamp (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体やプリント基板の焼き付は等において
露光用光源として好適に使用されるショートアーク型水
銀蒸気放電灯に関する。
露光用光源として好適に使用されるショートアーク型水
銀蒸気放電灯に関する。
半導体ウェハーを露光するためには、水銀灯から放射さ
れる４３６ｎｍの光（以下ｇ線と称する）がよく利用さ
れているが、水銀灯からはこのｇ線のほかにも種々の光
が放出されており、必要とする光取外は露光装置内の光
学フィルターや反射ミラーでカットされる。そして、レ
ンズ系やフォトマスクを介して半導体ウェハーにはｇ線
の光が照射されるようになっている。
れる４３６ｎｍの光（以下ｇ線と称する）がよく利用さ
れているが、水銀灯からはこのｇ線のほかにも種々の光
が放出されており、必要とする光取外は露光装置内の光
学フィルターや反射ミラーでカットされる。そして、レ
ンズ系やフォトマスクを介して半導体ウェハーにはｇ線
の光が照射されるようになっている。
一方、半導体ウェハーの露光方式として、ステップ・ア
ンド・リピート方式を適用する場合には、−の微小区域
から次の微小区域へ移動する際の非露光時における放電
灯の消費電力を軽減する観点から、非露光時には点灯電
力を小さくして低レベルで点灯するとともにシャッター
により遮光し、そして露光時には点灯電力を大きくして
高レベルで点灯するパルス点灯方式が好適である。
ンド・リピート方式を適用する場合には、−の微小区域
から次の微小区域へ移動する際の非露光時における放電
灯の消費電力を軽減する観点から、非露光時には点灯電
力を小さくして低レベルで点灯するとともにシャッター
により遮光し、そして露光時には点灯電力を大きくして
高レベルで点灯するパルス点灯方式が好適である。
しかしながら、露光装置内の光学フィルターや反射ミラ
ーでは、ｇ線を利用する場合は４２６ｎｍ以下と４４６
ｎｍ以上の光は完全にカットされて問題とならないが、
４３６ｎ−±Ｉｏｎｓ以内の光はカットしきれないのが
実情である７そして近年、半導体ウェハーの回路パター
ンが微細化するにしたがって、光が光学ｉ／ンズ系を通
過する際の色収差が問題となってきているが、ｇ線を用
いて半導体ウェハーを露光するときに、色収差が問題と
ならない範囲は、４３６ｎｍ±４ｎ＋ｎの範囲とされて
おり、露光装置内の光学フィルターや反射ミラーではカ
ットしきれない範囲の光が露光時のボケの原因となって
いる。この露光時のボケを少なくするためには、ｇ線の
半値幅を小さくすれば良いが１．従来の半導体ウェハー
露光用水銀灯は半値幅が４〜５ｎｍ程度で満足できる値
ではなかった。すなわち、現在では、半値幅が３ｎｍ程
度の水銀灯が要求されているが、この半値幅にするため
には、従来より水銀の封入量を少なくしなければならず
、結果として放電電流が増加し、陽極が受けるダメージ
が大きくなるという問題が生しる。この問題は、水銀灯
をパルス点灯方式により使用する場合に顕著となる７、
本発明の目的は、ｇｌｓの放射強度が十分で、かつその
半値幅の狭い放射光が得られ乙とともに。
ーでは、ｇ線を利用する場合は４２６ｎｍ以下と４４６
ｎｍ以上の光は完全にカットされて問題とならないが、
４３６ｎ−±Ｉｏｎｓ以内の光はカットしきれないのが
実情である７そして近年、半導体ウェハーの回路パター
ンが微細化するにしたがって、光が光学ｉ／ンズ系を通
過する際の色収差が問題となってきているが、ｇ線を用
いて半導体ウェハーを露光するときに、色収差が問題と
ならない範囲は、４３６ｎｍ±４ｎ＋ｎの範囲とされて
おり、露光装置内の光学フィルターや反射ミラーではカ
ットしきれない範囲の光が露光時のボケの原因となって
いる。この露光時のボケを少なくするためには、ｇ線の
半値幅を小さくすれば良いが１．従来の半導体ウェハー
露光用水銀灯は半値幅が４〜５ｎｍ程度で満足できる値
ではなかった。すなわち、現在では、半値幅が３ｎｍ程
度の水銀灯が要求されているが、この半値幅にするため
には、従来より水銀の封入量を少なくしなければならず
、結果として放電電流が増加し、陽極が受けるダメージ
が大きくなるという問題が生しる。この問題は、水銀灯
をパルス点灯方式により使用する場合に顕著となる７、
本発明の目的は、ｇｌｓの放射強度が十分で、かつその
半値幅の狭い放射光が得られ乙とともに。
陽極が受けるダメージがｌすなく７使用寿命の長いシ習
−トアーク型水銀蒸気放嶌デ丁を提供することにある５
、 〔課題を解決するための手段〕 上記目的を達成するため、本発明においては、発光管の
中央の発光空間膨出部内Ｇこ陽極と陰極とが対向配置さ
れ、当該発光空間膨出部内に水謁と希ガスとが刺入され
マなり、 発光管の内容積１ｃｃ当りの水銀の封入量Ｘ（Ｂ／ｃｃ
）および希ガスの室温（２０°Ｃ）での封入圧力Ｙ（気
圧）が ２０≦Ｘ≦４０ ０．１≦ｙ≦３ に規定され１．かつ陽極における放電灯の定格消費電力
Ｊ、 Ｗ当りの体積Ｚ （ＣＣ／Ｗ’Ｊが２．０Ｘ１０
−”≦Ｚ に規定されている構成を採用するう 〔作用） 水銀の封入量Ｘが２０〜４０Ｂ／ｃｃであり、かつ希ガ
スの室ｉ！ （２０℃）での封入圧力Ｙが０３１〜３気
圧であるので、ｇａｌｌの放射強度が十分に大きく、か
つ当Ｆｉｇ線の半値幅も３ｎｗ＋程度の狭い放射光が得
られる。
−トアーク型水銀蒸気放嶌デ丁を提供することにある５
、 〔課題を解決するための手段〕 上記目的を達成するため、本発明においては、発光管の
中央の発光空間膨出部内Ｇこ陽極と陰極とが対向配置さ
れ、当該発光空間膨出部内に水謁と希ガスとが刺入され
マなり、 発光管の内容積１ｃｃ当りの水銀の封入量Ｘ（Ｂ／ｃｃ
）および希ガスの室温（２０°Ｃ）での封入圧力Ｙ（気
圧）が ２０≦Ｘ≦４０ ０．１≦ｙ≦３ に規定され１．かつ陽極における放電灯の定格消費電力
Ｊ、 Ｗ当りの体積Ｚ （ＣＣ／Ｗ’Ｊが２．０Ｘ１０
−”≦Ｚ に規定されている構成を採用するう 〔作用） 水銀の封入量Ｘが２０〜４０Ｂ／ｃｃであり、かつ希ガ
スの室ｉ！ （２０℃）での封入圧力Ｙが０３１〜３気
圧であるので、ｇａｌｌの放射強度が十分に大きく、か
つ当Ｆｉｇ線の半値幅も３ｎｗ＋程度の狭い放射光が得
られる。
しかるに、水銀の封入量Ｘを２０〜４０Ｂ／ｃｃにする
と、放電電流が増加して陽極はダメージを受けやすい状
態になるが、陽極における放電灯の定格消費電力１Ｗ当
りの体積Ｚを２．ＯＸ １０−ｃｃ／ Ｗ以上に規定し
たので、陽極が受けるダメージが相当に軽減される。従
って、パルス点灯方式により点灯する場合にも長い使用
寿命が確保される。
と、放電電流が増加して陽極はダメージを受けやすい状
態になるが、陽極における放電灯の定格消費電力１Ｗ当
りの体積Ｚを２．ＯＸ １０−ｃｃ／ Ｗ以上に規定し
たので、陽極が受けるダメージが相当に軽減される。従
って、パルス点灯方式により点灯する場合にも長い使用
寿命が確保される。
以下、本発明の実施例について説明する。
本実施例においては、第１図に示すように、発光管１の
中央の発光空間膨出部】１内に陰極３と特定の体積の陽
極２とを対向配置する。すなわち陽極２における放電灯
の定格消費電力１Ｗ当りの体積Ｚ （ｃｃ／Ｗ）は、２
．ＯＸ］Ｏ−”≦Ｚである。因みに 従来の陽極の定格
消費電力１Ｗ当りの体積Ｚ（ｃｃ／Ｗ）は１．９Ｘ］Ｑ
−３以下である。
中央の発光空間膨出部】１内に陰極３と特定の体積の陽
極２とを対向配置する。すなわち陽極２における放電灯
の定格消費電力１Ｗ当りの体積Ｚ （ｃｃ／Ｗ）は、２
．ＯＸ］Ｏ−”≦Ｚである。因みに 従来の陽極の定格
消費電力１Ｗ当りの体積Ｚ（ｃｃ／Ｗ）は１．９Ｘ］Ｑ
−３以下である。
そし７発光空間膨出部１１内に封入量が特定範囲の水銀
と希ガスとを封入する。すなわち発光管１の内容積１．
ｃｃ当りの水銀の封入量Ｘ （ｗｇ／ｃｃ）は、２０≦
Ｘ≦４０の範囲であり、希ガスの室温（２０°Ｃ）での
封入圧力Ｙ（気圧）は、０．１≦Ｙ≦３の範囲であるゆ
希ガスとしては、アルゴン、キセノン、クリプトン、ネ
オン等を用いることができ、２種以上のものを併用して
もよい、 このようＶご水銀の封入量Ｘと、希ガスの封入圧力Ｙと
、陽極２の定格消′ｇ！！電力１Ｗ当りの体積Ｚとを上
記の特定の範囲に規定する：：とにより、放射＠度が大
き？て半値幅が３ｎ＋ｍ程度と狭いｇ線が放射されると
ともに、陽極２が受けるダメージが小さくなって使用寿
命が十分に長くなる。
と希ガスとを封入する。すなわち発光管１の内容積１．
ｃｃ当りの水銀の封入量Ｘ （ｗｇ／ｃｃ）は、２０≦
Ｘ≦４０の範囲であり、希ガスの室温（２０°Ｃ）での
封入圧力Ｙ（気圧）は、０．１≦Ｙ≦３の範囲であるゆ
希ガスとしては、アルゴン、キセノン、クリプトン、ネ
オン等を用いることができ、２種以上のものを併用して
もよい、 このようＶご水銀の封入量Ｘと、希ガスの封入圧力Ｙと
、陽極２の定格消′ｇ！！電力１Ｗ当りの体積Ｚとを上
記の特定の範囲に規定する：：とにより、放射＠度が大
き？て半値幅が３ｎ＋ｍ程度と狭いｇ線が放射されると
ともに、陽極２が受けるダメージが小さくなって使用寿
命が十分に長くなる。
これに′対して水銀の封入量Ｘが２０ｍｇ／ｃｃ未滴の
場合には、ｇｌｉの放射強度が低下するとともに、ｇ線
の半値幅が過小になりすぎて放射光量が不足する。逆に
水銀の封入ＩＸが４０５ｇ／ｃｃを超える場合には、ｇ
ｌｉの半値幅が大きくなる。
場合には、ｇｌｉの放射強度が低下するとともに、ｇ線
の半値幅が過小になりすぎて放射光量が不足する。逆に
水銀の封入ＩＸが４０５ｇ／ｃｃを超える場合には、ｇ
ｌｉの半値幅が大きくなる。
また、希ガスの封入圧力Ｙが０．１気圧未満の場合また
は３気圧を超える場合には、いずれもｇ線の放射強度が
小さくなる。
は３気圧を超える場合には、いずれもｇ線の放射強度が
小さくなる。
また、陽極２の定格消費電力１Ｗ当りの体積Ｚが２．
ＯＸ １０−３ｃｃ ／ Ｗ未満の場合には、陽極２が
受けるダメージが大きくなって使用寿命が短くなる。
ＯＸ １０−３ｃｃ ／ Ｗ未満の場合には、陽極２が
受けるダメージが大きくなって使用寿命が短くなる。
なお、従来、陽極２の定格消費電力１Ｗ当りの体積Ｚの
値がいたずらＧこ大き（なると、赤外線の放射エネルギ
ーが増加し、半導体ウェハーの温度が上昇し、露光精度
が低下する問題が生ずる場合があるが、最近ではこの赤
外線の問題に関し２ては半導体露光装置内の光学系にコ
ールドミラーを使用することで半導体ウェハー表面にま
で赤外線が到達できなくなるようにして解決されている
。
値がいたずらＧこ大き（なると、赤外線の放射エネルギ
ーが増加し、半導体ウェハーの温度が上昇し、露光精度
が低下する問題が生ずる場合があるが、最近ではこの赤
外線の問題に関し２ては半導体露光装置内の光学系にコ
ールドミラーを使用することで半導体ウェハー表面にま
で赤外線が到達できなくなるようにして解決されている
。
なお、第１図において、１２は封止管部、２１．３１は
内部リード棒、４は口金である。また、図示はしないが
、各封止管部１２においては、４枚の金属箔によって気
密シールが達成されている。
内部リード棒、４は口金である。また、図示はしないが
、各封止管部１２においては、４枚の金属箔によって気
密シールが達成されている。
本発明のシシートアーク型水銀蒸気放電灯は、ステツプ
・アンド・リピート方式およびパルス点灯方式による露
光に好適に用いることができる。
・アンド・リピート方式およびパルス点灯方式による露
光に好適に用いることができる。
すなわち、パルス点灯方式においては、放！電流が大き
くなると陽極２が大きなダメージを受けやすいが、本発
明のショートアーク型水銀蒸気放電灯では、陽極２の体
積を定格消費電力との関係において規定しているため、
陽極２が受けるダメージが相当に軽減され、その結果、
長時間にわたり初期の高い放射強度で安定した点灯を繰
返して行うことができる。
くなると陽極２が大きなダメージを受けやすいが、本発
明のショートアーク型水銀蒸気放電灯では、陽極２の体
積を定格消費電力との関係において規定しているため、
陽極２が受けるダメージが相当に軽減され、その結果、
長時間にわたり初期の高い放射強度で安定した点灯を繰
返して行うことができる。
以下、本発明の効果を確認するために行った実験例につ
いて説明する。
いて説明する。
実験例１
水銀の封入量Ｘを種々の値に変更したほかは下記条件の
シシートアーク型水銀蒸気放電灯を多数作製したや 各放電灯を、定格より小さい消費電力１．５ＫＷで０．
４秒点灯する低レベル点灯と、定格消費電力２、ＯＫＷ
で０，４秒点灯する高レベル点灯とを交互に繰返すパル
ス点灯方式により点灯する試験を行い、高レベル点灯時
におけるｇ線（４３５±３ｎｍ）の放射強度およびその
半値幅を測定したところ、第２図においてそれぞれ曲線
ＡおよびＢで示すように水銀の封入量Ｘが２０〜４０５
ｇ／ｃｃの範囲にある場合には、ｇ線（４３５±３ｎ＋
＊）の放射強度が十分に大きく、しかもその半値幅は３
ｒ＋＋＋＋程度に狭くなる。
シシートアーク型水銀蒸気放電灯を多数作製したや 各放電灯を、定格より小さい消費電力１．５ＫＷで０．
４秒点灯する低レベル点灯と、定格消費電力２、ＯＫＷ
で０，４秒点灯する高レベル点灯とを交互に繰返すパル
ス点灯方式により点灯する試験を行い、高レベル点灯時
におけるｇ線（４３５±３ｎｍ）の放射強度およびその
半値幅を測定したところ、第２図においてそれぞれ曲線
ＡおよびＢで示すように水銀の封入量Ｘが２０〜４０５
ｇ／ｃｃの範囲にある場合には、ｇ線（４３５±３ｎ＋
＊）の放射強度が十分に大きく、しかもその半値幅は３
ｒ＋＋＋＋程度に狭くなる。
実験例２
実験例１において、水銀の封入量Ｘを３０ｍｇ／ｃｃに
固定し、希ガス（アルゴン）の室温（２０°Ｃ）での封
入圧力Ｙを種々の値に変更したほかは同様にしてショー
トアーク型水銀蒸気放電灯を多数作製した、 各放電灯を実験例１と同様にして点灯する試験を行い、
高レベル点灯時におけるｇ ｌ （４３５±３１…）の
放射強度を測定したところ、第３図において曲線Ｃで示
すように、希ガス（アルゴン）の封入時の圧力Ｙが０．
１〜３気圧の範囲にある場合には、ｇ線（４３５±３ｎ
ｍ）の放射強度が十分に大きかった。
固定し、希ガス（アルゴン）の室温（２０°Ｃ）での封
入圧力Ｙを種々の値に変更したほかは同様にしてショー
トアーク型水銀蒸気放電灯を多数作製した、 各放電灯を実験例１と同様にして点灯する試験を行い、
高レベル点灯時におけるｇ ｌ （４３５±３１…）の
放射強度を測定したところ、第３図において曲線Ｃで示
すように、希ガス（アルゴン）の封入時の圧力Ｙが０．
１〜３気圧の範囲にある場合には、ｇ線（４３５±３ｎ
ｍ）の放射強度が十分に大きかった。
実験例３
実験例１において、水銀の封入量χを３０ｎ＋ｇ／ｃｃ
、希ガスの室温（２０°Ｃ）での封入圧力Ｙを０．７気
圧に固定し、陽極の定格消費電力１Ｗ当りの体積Ｚを種
々の値に変更したほかは同様にしてショートアーク型水
銀蒸気放電灯を多数作製した。
、希ガスの室温（２０°Ｃ）での封入圧力Ｙを０．７気
圧に固定し、陽極の定格消費電力１Ｗ当りの体積Ｚを種
々の値に変更したほかは同様にしてショートアーク型水
銀蒸気放電灯を多数作製した。
各放電灯を実験例１と同様にして点灯する試験を行い、
放電灯の使用寿命を調べたところ、第４図において曲線
りで示すように、陽極の体積Ｚが２、ＯＸ １０− ’
ｃｃ ／ Ｗ以上の場合には使用寿命が長くなる。
放電灯の使用寿命を調べたところ、第４図において曲線
りで示すように、陽極の体積Ｚが２、ＯＸ １０− ’
ｃｃ ／ Ｗ以上の場合には使用寿命が長くなる。
（発明の効果〕
以上詳細に説明したように、本発明によれば、発光管の
内容積１ｃｃ当りの水銀の封入量Ｘ、希ガスの室温（２
０°Ｃ）での封入圧力Ｙおよび陽極における放電灯の定
格消費電力１Ｗ当りの体積Ｚをそれぞれ規定したので、
ｇＷａの放射強度が大きく、かつその半値幅が狭く、そ
して陽極が受けるダメージが少なくて使用寿命の長いシ
ョートアーク型水銀蒸気放電灯が得られる。
内容積１ｃｃ当りの水銀の封入量Ｘ、希ガスの室温（２
０°Ｃ）での封入圧力Ｙおよび陽極における放電灯の定
格消費電力１Ｗ当りの体積Ｚをそれぞれ規定したので、
ｇＷａの放射強度が大きく、かつその半値幅が狭く、そ
して陽極が受けるダメージが少なくて使用寿命の長いシ
ョートアーク型水銀蒸気放電灯が得られる。
従って、特に、陽極がダメージを受けやすいパルス点灯
方式によって点灯される場合にも、長時間にわたり、放
射強度が大きく、かつ半値幅の狭いｇ線が安定に放射さ
れる。
方式によって点灯される場合にも、長時間にわたり、放
射強度が大きく、かつ半値幅の狭いｇ線が安定に放射さ
れる。
第１図は本発明の実施例に係るショートアーク型水銀蒸
気放電灯の概略図、第２図は実験例１の測定結果であっ
て水銀の封入量Ｘを変化させたときのｇ線（４３５±３
ｎ＋ｓ）の放射強度およびその半値幅の変化を示す線図
、第３図は実験例２の測定結果であって希ガスの室温（
２０°Ｃ）での封入圧力Ｙを変化させたときのｇ線（４
３５±３ｎｍ）の放射強度の変化を示す線図、第４図は
実験例３の測定結果であって陽極における放電灯の定格
消費電力１Ｗ当りの体積Ｚを変化させたときの放電灯の
使用寿命を示す線図である。 １・・・発光管 １１・・・発光空間膨出部
１２・・・封止管部 ２・・・陽極３・・・陰
極 ２１．３１・・・内部リード棒４・・
・口金 −１へ ′くシー ＋ １ 図 ＋４図 ０ ２ ４ （ＸＩＯ−
３１陽極の定格消費電力１Ｗ当りの体積Ｚ （ｃｃ／Ｗ
）ミ；是郵Ｃミな堰） 梨；澗郭（晋波壇）
気放電灯の概略図、第２図は実験例１の測定結果であっ
て水銀の封入量Ｘを変化させたときのｇ線（４３５±３
ｎ＋ｓ）の放射強度およびその半値幅の変化を示す線図
、第３図は実験例２の測定結果であって希ガスの室温（
２０°Ｃ）での封入圧力Ｙを変化させたときのｇ線（４
３５±３ｎｍ）の放射強度の変化を示す線図、第４図は
実験例３の測定結果であって陽極における放電灯の定格
消費電力１Ｗ当りの体積Ｚを変化させたときの放電灯の
使用寿命を示す線図である。 １・・・発光管 １１・・・発光空間膨出部
１２・・・封止管部 ２・・・陽極３・・・陰
極 ２１．３１・・・内部リード棒４・・
・口金 −１へ ′くシー ＋ １ 図 ＋４図 ０ ２ ４ （ＸＩＯ−
３１陽極の定格消費電力１Ｗ当りの体積Ｚ （ｃｃ／Ｗ
）ミ；是郵Ｃミな堰） 梨；澗郭（晋波壇）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 発光管の中央の発光空間膨出部内に陽極と陰極とが対向
配置され、当該発光空間膨出部内に水銀と希ガスとが封
入されてなり、 発光管の内容積１ｃｃ当りの水銀の封入量Ｘ（ｍｇ／ｃ
ｃ）および希ガスの室温（２０℃）での封入圧力Ｙ（気
圧）が ２０≦Ｘ≦４０ ０．１≦Ｙ≦３ に規定され、かつ陽極における放電灯の定格消費電力１
Ｗ当りの体積Ｚ（ｃｃ／Ｗ）が ２．０×１０＾−＾３≦Ｚ に規定されていることを特徴とするショートアーク型水
銀蒸気放電灯。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10312890A JP2732457B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | ショートアーク型水銀蒸気放電灯 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10312890A JP2732457B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | ショートアーク型水銀蒸気放電灯 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH044554A true JPH044554A (ja) | 1992-01-09 |
| JP2732457B2 JP2732457B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=14345923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10312890A Expired - Lifetime JP2732457B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | ショートアーク型水銀蒸気放電灯 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2732457B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021034195A (ja) * | 2019-08-22 | 2021-03-01 | フェニックス電機株式会社 | 放電灯、光源ユニット、光源装置、および放電灯の点灯方法 |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP10312890A patent/JP2732457B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021034195A (ja) * | 2019-08-22 | 2021-03-01 | フェニックス電機株式会社 | 放電灯、光源ユニット、光源装置、および放電灯の点灯方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2732457B2 (ja) | 1998-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4988918A (en) | Short arc discharge lamp | |
| US5608227A (en) | Mercury-vapor high-pressure short-arc discharge lamp, and method and apparatus for exposure of semiconductor wafers to radiation emitted from said lamp | |
| US4532427A (en) | Method and apparatus for performing deep UV photolithography | |
| JPS61193358A (ja) | 光源装置 | |
| JPH0317213B2 (ja) | ||
| KR20170105043A (ko) | 레이저 유지 플라즈마 소스의 복사선 방출을 억제하기 위한 시스템 및 방법 | |
| US5471278A (en) | Cadmium/rare gas discharge lamp of the short arc type, as well as projection exposure device using the same | |
| US4190786A (en) | Discharge lamp | |
| KR100456297B1 (ko) | 숏아크형수은램프 | |
| JPH044554A (ja) | ショートアーク型水銀蒸気放電灯 | |
| KR100349800B1 (ko) | 방전램프 | |
| US20050151471A1 (en) | Light emitting apparatus and extra-high pressure mercury lamp therefor | |
| AU639104B2 (en) | Protective coating for high-intensity metal halide discharge lamps | |
| JPS622443A (ja) | フオトリソグラフイ | |
| JP2730001B2 (ja) | 半導体ウエハー露光方法と露光用水銀灯 | |
| US5791767A (en) | Semiconductor exposure device | |
| EP0908926B1 (en) | Metal halide lamp | |
| JPH03250550A (ja) | 金属蒸気放電灯 | |
| JPH11102663A (ja) | 金属蒸気放電ランプおよび投光装置 | |
| JP2880582B2 (ja) | ショートアーク型高圧水銀灯 | |
| JPH087835A (ja) | 半導体露光用放電ランプ | |
| JPH11111219A (ja) | 短アーク形のメタルハライド放電ランプ、メタルハライド放電ランプ装置および照明装置 | |
| JPH08195186A (ja) | ショートアーク型カドミウム希ガス放電ランプ | |
| JP2732453B2 (ja) | 縮小ミラープロジェクション用水銀希ガス放電灯 | |
| JP2732456B2 (ja) | ショートアーク型水銀蒸気放電灯 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071226 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081226 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081226 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081226 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081226 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091226 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091226 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101226 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101226 Year of fee payment: 13 |
|
| R154 | Certificate of patent or utility model (reissue) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R154 |