JPH0445895B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0445895B2 JPH0445895B2 JP57216688A JP21668882A JPH0445895B2 JP H0445895 B2 JPH0445895 B2 JP H0445895B2 JP 57216688 A JP57216688 A JP 57216688A JP 21668882 A JP21668882 A JP 21668882A JP H0445895 B2 JPH0445895 B2 JP H0445895B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light beam
- surface acoustic
- optical waveguide
- disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
- G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B7/0908—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for focusing only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
- G11B7/085—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam into, or out of, its operative position or across tracks, otherwise than during the transducing operation, e.g. for adjustment or preliminary positioning or track change or selection
- G11B7/08547—Arrangements for positioning the light beam only without moving the head, e.g. using static electro-optical elements
- G11B7/08552—Arrangements for positioning the light beam only without moving the head, e.g. using static electro-optical elements using electro-optical elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
- G11B7/124—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate the integrated head arrangements including waveguides
- G11B7/1245—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate the integrated head arrangements including waveguides the waveguides including means for electro-optical or acousto-optical deflection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
≪発明の分野≫
この発明は光デイスクなどの光学的情報記録媒
体用のピツクアツプ装置に係り、特に各要素を一
体的に集積化するようにしたものに関する。
体用のピツクアツプ装置に係り、特に各要素を一
体的に集積化するようにしたものに関する。
≪従来技術とその問題点≫
最近実用化されるようになつた光学式ビデオデ
イスクシステムや光学式デイジタルオーデイオデ
イスクシステムにあつては、基本的に、第1図に
示すような個別の光学部品を用いた構造のピツク
アツプが用いらている。
イスクシステムや光学式デイジタルオーデイオデ
イスクシステムにあつては、基本的に、第1図に
示すような個別の光学部品を用いた構造のピツク
アツプが用いらている。
レーザダイオード1から出射したレーザ光(波
長は約800nm)は偏光プリズムスプリツタ2を
直進し、1/4波長板4を通過し、対物レンズ3に
よりデイスク5面に焦点を絞つて照射される。デ
イスク5上のピツトの有無によつて上記レーザ光
の反射光強度が変化するが、その反射光は対物レ
ンズにより集光され、先の光学系を逆方向に進行
し、1/4波長板4を再度通過して偏光プリズムス
プリツタ2に入射する。このときの反射光はレー
ザダイオード1の出射光に対して偏波面が90度回
転しているので、反射光は偏光プリズムスプリツ
タ2によつて進路が変えられ、受光素子6によつ
てデイスク5上のビツトの有無による反射光強度
の変化が検出される。
長は約800nm)は偏光プリズムスプリツタ2を
直進し、1/4波長板4を通過し、対物レンズ3に
よりデイスク5面に焦点を絞つて照射される。デ
イスク5上のピツトの有無によつて上記レーザ光
の反射光強度が変化するが、その反射光は対物レ
ンズにより集光され、先の光学系を逆方向に進行
し、1/4波長板4を再度通過して偏光プリズムス
プリツタ2に入射する。このときの反射光はレー
ザダイオード1の出射光に対して偏波面が90度回
転しているので、反射光は偏光プリズムスプリツ
タ2によつて進路が変えられ、受光素子6によつ
てデイスク5上のビツトの有無による反射光強度
の変化が検出される。
しかし、このような従来のピツクアツプにあつ
ては次のような問題がある。
ては次のような問題がある。
まず、半導体レーザは発振特性が外部からの入
射光によつて変化させられることは周知の通りで
あるが、この種ピツクアツプにおいて、レーザダ
イオード1の発振特性が変化するということは再
生特性の低下や音質の低下をきたすことになる。
そこで、従来のピツクアツプは、上述したよう
に、1/4波長板4と偏光プリズムプリツタ2の作
用により、デイスク5からの反射光がレーザダイ
オード1に戻り入射することを防止し、レーザダ
イオード1が安定した動作をなすようにしてい
る。しかし、これは1/4波長板を通過した反射光
の偏波面がレーザダイオード1の出射光のそれに
対して完全に直交している理想的な場合である。
実際にはデイスク5を透明基板材料(ポリカーボ
ネートやアクリル等が使用されている)が被屈折
性を持つているなどが原因して、完全に直交させ
ることは困難であり、レーザダイオード1への戻
り入射は避けられないのが実情である。
射光によつて変化させられることは周知の通りで
あるが、この種ピツクアツプにおいて、レーザダ
イオード1の発振特性が変化するということは再
生特性の低下や音質の低下をきたすことになる。
そこで、従来のピツクアツプは、上述したよう
に、1/4波長板4と偏光プリズムプリツタ2の作
用により、デイスク5からの反射光がレーザダイ
オード1に戻り入射することを防止し、レーザダ
イオード1が安定した動作をなすようにしてい
る。しかし、これは1/4波長板を通過した反射光
の偏波面がレーザダイオード1の出射光のそれに
対して完全に直交している理想的な場合である。
実際にはデイスク5を透明基板材料(ポリカーボ
ネートやアクリル等が使用されている)が被屈折
性を持つているなどが原因して、完全に直交させ
ることは困難であり、レーザダイオード1への戻
り入射は避けられないのが実情である。
この問題を解決するために、例えばレーザ光を
斜め入射させることが考えられるが、これでは光
学部品の点数が増加し、高密度の光学部品の集積
を行なわなければならないので、部品点数の増加
によるコスト上昇とともに高度の部品集積技術が
必要となる。
斜め入射させることが考えられるが、これでは光
学部品の点数が増加し、高密度の光学部品の集積
を行なわなければならないので、部品点数の増加
によるコスト上昇とともに高度の部品集積技術が
必要となる。
また、個別のレンズ系やミラーを用いて公学系
を構成しているので、組立調整が面倒であり、ま
た小形化が困難である。
を構成しているので、組立調整が面倒であり、ま
た小形化が困難である。
≪発明の目的≫
この発明は、デイスクへのレーザ光の斜め入射
によつてレーザダイオードの発振特性が変化する
のを防止すると同時に、レーザ光を発生する発
光、出射部分と反射光を検知する部分を1つの基
板上に集積化することにより、組立調整が不要
で、かつ小形化を可能にした光学的情報記録媒体
用ピツクアツプ装置を提供することにある。
によつてレーザダイオードの発振特性が変化する
のを防止すると同時に、レーザ光を発生する発
光、出射部分と反射光を検知する部分を1つの基
板上に集積化することにより、組立調整が不要
で、かつ小形化を可能にした光学的情報記録媒体
用ピツクアツプ装置を提供することにある。
≪発明の構成と効果≫
上記の目的を達成するために、この発明は、表
面に光導波路が形成された基板に; 上記光導波路上に光ビームを伝搬させる発光部
と; 上記光導波路上に弾性表面波を伝搬させて、そ
の弾性表面波により上記光ビームを上記光導波路
の平面内で偏向させる弾性表面波発生部と; 上記光ビームを上記光導波路側端面から出射さ
せるとともに、その出射ビームの2次元フオーカ
シングおよび焦点位置調整を行なう集積化レンズ
部と; 上記光ビームの出射位置から適宜間隔において
配置され、上記光ビームの反射光を受光する複数
の受光素子が組合わされた受光部と; 上記受光部出力を受けて信号処理をし、その制
御信号を弾性表面波発生部および集積化レンズ部
に供給することにより、光ビームの偏向角の制御
ならびに出射ビームの2次元フオーカシングおよ
び焦点位置の制御を行なう制御部と; を一体的に集積化したことを特徴とする。
面に光導波路が形成された基板に; 上記光導波路上に光ビームを伝搬させる発光部
と; 上記光導波路上に弾性表面波を伝搬させて、そ
の弾性表面波により上記光ビームを上記光導波路
の平面内で偏向させる弾性表面波発生部と; 上記光ビームを上記光導波路側端面から出射さ
せるとともに、その出射ビームの2次元フオーカ
シングおよび焦点位置調整を行なう集積化レンズ
部と; 上記光ビームの出射位置から適宜間隔において
配置され、上記光ビームの反射光を受光する複数
の受光素子が組合わされた受光部と; 上記受光部出力を受けて信号処理をし、その制
御信号を弾性表面波発生部および集積化レンズ部
に供給することにより、光ビームの偏向角の制御
ならびに出射ビームの2次元フオーカシングおよ
び焦点位置の制御を行なう制御部と; を一体的に集積化したことを特徴とする。
この発明によればデイスクに対する入射光とデ
イスクからの反射光の経路を全く異ならせ、しか
も入射経路および反射経路ともに極めて簡単な集
積化された光学系装置で実現でき、反射光の光源
側への戻りが全くなくなり、従来のような戻り入
射によるレーザダイオードの発振特性変化に基づ
く信頼性の低下等を防止することができる。
イスクからの反射光の経路を全く異ならせ、しか
も入射経路および反射経路ともに極めて簡単な集
積化された光学系装置で実現でき、反射光の光源
側への戻りが全くなくなり、従来のような戻り入
射によるレーザダイオードの発振特性変化に基づ
く信頼性の低下等を防止することができる。
また、光ビーム出射位置と反射光受光位置は基
板の同一側面に形成されるので、当該ピツクアツ
プとデイスク間の間隔を狭くでき、装置全体の小
形化が可能になるという優れた効果を有する。
板の同一側面に形成されるので、当該ピツクアツ
プとデイスク間の間隔を狭くでき、装置全体の小
形化が可能になるという優れた効果を有する。
≪実施例の説明≫
第2図はこの発明の実施例に係るピツクアツプ
の概略構成を示している。このピツクアツプはシ
リコン基板21を用いて構成されており、発光部
側のシリコン基板21上にはLiNbO3基板22が
載置されている。このLiNbO3基板22上には薄
膜光導波路23がチタン(Ti)の熱拡散によつ
て作成されている。レーザダイオード24は導波
路23の端面に接合されており、レーザダイオー
ド24から生じたレーザビームは導波路23を伝
搬する。
の概略構成を示している。このピツクアツプはシ
リコン基板21を用いて構成されており、発光部
側のシリコン基板21上にはLiNbO3基板22が
載置されている。このLiNbO3基板22上には薄
膜光導波路23がチタン(Ti)の熱拡散によつ
て作成されている。レーザダイオード24は導波
路23の端面に接合されており、レーザダイオー
ド24から生じたレーザビームは導波路23を伝
搬する。
レーザダイオード24から導波路23に出射し
た光ビームはまずコリメートレンズ25により平
行化される。平行化されたビームは導波路23上
に作成されたIDT(櫛形電極超音波発振子)26
から後述のように発生する弾性表面波(SAW)
と交わり、こ弾性表面波の波面に対してブラツグ
角θ0で入射する。レーザ光の波長をλ、弾性表面
波の波長をΛ0、導波路の屈折率をnとすると、 sinθ0=λ/2nΛ0 の条件で満足されるならば、適宜な振幅の弾性表
面波の波面によつてレーザ光は完全に反射され、
レーザ光の進行方向が2θ0だけ変化する。
た光ビームはまずコリメートレンズ25により平
行化される。平行化されたビームは導波路23上
に作成されたIDT(櫛形電極超音波発振子)26
から後述のように発生する弾性表面波(SAW)
と交わり、こ弾性表面波の波面に対してブラツグ
角θ0で入射する。レーザ光の波長をλ、弾性表面
波の波長をΛ0、導波路の屈折率をnとすると、 sinθ0=λ/2nΛ0 の条件で満足されるならば、適宜な振幅の弾性表
面波の波面によつてレーザ光は完全に反射され、
レーザ光の進行方向が2θ0だけ変化する。
第3図に示しているように、弾性表面波SAW
の波面の存在する領域はIDT26の電極の交差幅
Lで制限されているため、付随する屈折率変化の
周期構造も同じLの範囲に限られる。従つて、こ
の幅の限定された弾性表面波は無限に広がつた弾
性表面波と異なり1方向にのみ伝搬する波で表す
ことができず、伝搬方向の異なる無数の平面波の
重ね合せで表わされる。IDT26に印加する周波
数をf0よりf1に減少すると、発生する弾性表面波
の周期Λ1はΛ0より大きくなり、角度θ0で入射す
るレーザビーム40は周期Λ1に対してブラツク
条件を満足していない。しかしながら、先に見た
ように幅の限定された弾性表面波は種々の伝搬方
向を持つ弾性表面波を含むので、特定の方向の波
に対してブラツク回折条件 sinθ1=λ/2nΛ1が満足されるので、レ
ーザビーム40はブラツグ回折され、進行方向が
2θ1だけ変化する。次にIDT26に印加する高周
波信号の周波数をf0より大きいf2にすると、この
場合もブラツグ回折条件 sinθ2=λ/2nΛ2 を満足する方向の波が存在し、レーザビーム40
は進行方向から2θ2だけずれた方向に回折される。
このようにしてブラツグ回折による光偏向により
レーザビームの照射位置の制御が可能である。こ
れは後述のようにデイスク5のトラツク方向に対
して直向するヘビームを振る制御に利用される。
の波面の存在する領域はIDT26の電極の交差幅
Lで制限されているため、付随する屈折率変化の
周期構造も同じLの範囲に限られる。従つて、こ
の幅の限定された弾性表面波は無限に広がつた弾
性表面波と異なり1方向にのみ伝搬する波で表す
ことができず、伝搬方向の異なる無数の平面波の
重ね合せで表わされる。IDT26に印加する周波
数をf0よりf1に減少すると、発生する弾性表面波
の周期Λ1はΛ0より大きくなり、角度θ0で入射す
るレーザビーム40は周期Λ1に対してブラツク
条件を満足していない。しかしながら、先に見た
ように幅の限定された弾性表面波は種々の伝搬方
向を持つ弾性表面波を含むので、特定の方向の波
に対してブラツク回折条件 sinθ1=λ/2nΛ1が満足されるので、レ
ーザビーム40はブラツグ回折され、進行方向が
2θ1だけ変化する。次にIDT26に印加する高周
波信号の周波数をf0より大きいf2にすると、この
場合もブラツグ回折条件 sinθ2=λ/2nΛ2 を満足する方向の波が存在し、レーザビーム40
は進行方向から2θ2だけずれた方向に回折される。
このようにしてブラツグ回折による光偏向により
レーザビームの照射位置の制御が可能である。こ
れは後述のようにデイスク5のトラツク方向に対
して直向するヘビームを振る制御に利用される。
コリメートレンズ25で平行化され、弾性表面
波によつて適宜に進行方向の変えられた光ビーム
は、次に導波路23上に作成されたグレーテイン
グレンズ27によつて集光される。このグーレテ
イングレンズ27は両側に設けた電極28,28
間に電圧を印加することにより、グレーテイング
レンズ27の屈折率を変化させ、もつて導波光の
位相定数を変化させるものである。このグレーテ
イングレンズ27により光ビームの集光位置は導
波路23の面方向において前後に変えられる。こ
のとき、導波光の位相定数の変化量は電極28,
28間の印加電圧に比例するから、光ビームの集
光位置制御は印加電圧に比例してなされる。
波によつて適宜に進行方向の変えられた光ビーム
は、次に導波路23上に作成されたグレーテイン
グレンズ27によつて集光される。このグーレテ
イングレンズ27は両側に設けた電極28,28
間に電圧を印加することにより、グレーテイング
レンズ27の屈折率を変化させ、もつて導波光の
位相定数を変化させるものである。このグレーテ
イングレンズ27により光ビームの集光位置は導
波路23の面方向において前後に変えられる。こ
のとき、導波光の位相定数の変化量は電極28,
28間の印加電圧に比例するから、光ビームの集
光位置制御は印加電圧に比例してなされる。
グレーテイングレンズ27を経た光ビームは、
次に導波路23の側端側に作成された導波光出射
用の導波路形レンズ29に入射し、このレンズ2
9により導波路23の側端面から出射する。
次に導波路23の側端側に作成された導波光出射
用の導波路形レンズ29に入射し、このレンズ2
9により導波路23の側端面から出射する。
このレンズ29は、チタンを熱拡散させて導波
路23の表面から適宜深さ略半球状に形成した高
屈折率領域からなり、両側に作成した電極30,
30間に印加する電圧により、屈折率が変化す
る。電極30,30は導波路23に平行な溝3
1,31を穿設し、その対向壁にアルミニウムを
蒸着して形成されている。第4図a,bは電極3
0,30間に印加する電圧によつて平面内でなさ
れる焦点制御を示す。点Bは電圧を印加しない場
合の焦点であり、印加電圧を制御してレンズ29
の屈折率が増加すると焦点は点Aに移動し、また
屈折率が減少すると焦点は点Cに移動する。この
レンズ29と上記グレーテイングレンズ27とに
より2次元のフアーカツシングが可能である。
路23の表面から適宜深さ略半球状に形成した高
屈折率領域からなり、両側に作成した電極30,
30間に印加する電圧により、屈折率が変化す
る。電極30,30は導波路23に平行な溝3
1,31を穿設し、その対向壁にアルミニウムを
蒸着して形成されている。第4図a,bは電極3
0,30間に印加する電圧によつて平面内でなさ
れる焦点制御を示す。点Bは電圧を印加しない場
合の焦点であり、印加電圧を制御してレンズ29
の屈折率が増加すると焦点は点Aに移動し、また
屈折率が減少すると焦点は点Cに移動する。この
レンズ29と上記グレーテイングレンズ27とに
より2次元のフアーカツシングが可能である。
従つて、IDT26からの弾性表面波SAWによ
り適宜角度変更され、グレーテイングレンズ27
により適宜位置に集光された光ビームは、レンズ
29により導波路23の側端面から適宜角度傾斜
してデイスク5の所定のトラツクに向けて出射さ
れる。このビームの照射位置と焦点位置の制御
は、IDT26に印加する周波数、電極28,28
間に印加する電圧、電極30,30間に印加する
電圧の組合せによりなされる。
り適宜角度変更され、グレーテイングレンズ27
により適宜位置に集光された光ビームは、レンズ
29により導波路23の側端面から適宜角度傾斜
してデイスク5の所定のトラツクに向けて出射さ
れる。このビームの照射位置と焦点位置の制御
は、IDT26に印加する周波数、電極28,28
間に印加する電圧、電極30,30間に印加する
電圧の組合せによりなされる。
次に、デイスク5からの反射光ビームは同一基
板21の側端面に設けられた受光部32に入射す
る。
板21の側端面に設けられた受光部32に入射す
る。
受光部32は、第5図に示すように6分割され
たホトダイオードA1、A2、B1、B2、C1、C2か
らなる。詳述すると、デイスク5の半径方向には
A1、B1、C1のグループとA2、B2、C2のグルー
プに2分割されており、デイスク5のトラツク方
向にはA1、A2の組とB1、B2の組とC1、C2の組
とに3分割されている。また、6つのホトダイオ
ードのうち、デイスク5のトラツク方向の中央に
位置する2つのホトダイオードB1とB2は他のも
のより小さくなつている。この6分割ホトダイオ
ードの出力により、デイスク5面に対する光ビー
ムの焦点のずれを知るフオーカス誤差信号とトラ
ツク方向にピツト17の中心とビームの中心がど
れだけずれているかを知るトラツク誤差信号と、
ビームの強度を知るRF信号(データ信号)が得
られる。
たホトダイオードA1、A2、B1、B2、C1、C2か
らなる。詳述すると、デイスク5の半径方向には
A1、B1、C1のグループとA2、B2、C2のグルー
プに2分割されており、デイスク5のトラツク方
向にはA1、A2の組とB1、B2の組とC1、C2の組
とに3分割されている。また、6つのホトダイオ
ードのうち、デイスク5のトラツク方向の中央に
位置する2つのホトダイオードB1とB2は他のも
のより小さくなつている。この6分割ホトダイオ
ードの出力により、デイスク5面に対する光ビー
ムの焦点のずれを知るフオーカス誤差信号とトラ
ツク方向にピツト17の中心とビームの中心がど
れだけずれているかを知るトラツク誤差信号と、
ビームの強度を知るRF信号(データ信号)が得
られる。
各ホトダイオードの出力レベルもそれぞれA1
〜C2と表わすと、フオーカス誤差信号の出力Vf
は、 Vf=(B1+B2)−(A1+A2+C1+C2) で与えられる。この出力Vfは第5図の差動増幅
器DA1から得られる。
〜C2と表わすと、フオーカス誤差信号の出力Vf
は、 Vf=(B1+B2)−(A1+A2+C1+C2) で与えられる。この出力Vfは第5図の差動増幅
器DA1から得られる。
フオーカス誤差信号の出力特性は第6図のよう
になり、合焦点位置においては出力が0になるよ
うにホトダイオードB1とB2の大きさが他のもの
より小さくなつている。ビームの焦点がデイスク
5面より近くなると、ビーム径は受光部32上で
拡大するので、ホトダイオードB1とB2の出力を
低下し、ホトダイオードA1、A2、C1、C2の出力
は増加する。よつてフオーカス誤差信号Vfはマ
イナスになる。逆に焦点がデイスク5よりも遠く
なれば、受光部32上におけるビーム径は減少
し、ホトダイオードB1、B2の出力が大きくなる
ので、フオーカス誤差信号Vfはプラスになる。
このフオーカス誤差信号Vfが第2図に示す制御
回路33で求められ、その誤差に基づいて上述し
た電極28および電極30に印加する制御電圧が
調整され、デイスク5面に正しくビームの焦点が
合うように制御される。これがいわゆるフオーカ
スサーボである。
になり、合焦点位置においては出力が0になるよ
うにホトダイオードB1とB2の大きさが他のもの
より小さくなつている。ビームの焦点がデイスク
5面より近くなると、ビーム径は受光部32上で
拡大するので、ホトダイオードB1とB2の出力を
低下し、ホトダイオードA1、A2、C1、C2の出力
は増加する。よつてフオーカス誤差信号Vfはマ
イナスになる。逆に焦点がデイスク5よりも遠く
なれば、受光部32上におけるビーム径は減少
し、ホトダイオードB1、B2の出力が大きくなる
ので、フオーカス誤差信号Vfはプラスになる。
このフオーカス誤差信号Vfが第2図に示す制御
回路33で求められ、その誤差に基づいて上述し
た電極28および電極30に印加する制御電圧が
調整され、デイスク5面に正しくビームの焦点が
合うように制御される。これがいわゆるフオーカ
スサーボである。
また、トラツク誤差信号Vtは次式のように表
わされる。
わされる。
Vt=(A1+B1+C1)−(A2+B2+C2)
このトラツク誤差信号Vtは第5図の差動増幅
器DA2から得られる。受光部32上におけるビ
ームの中心がホトダイオードA1、B1、C1のグル
ープとA2、B2、C2のグループの中央にあるなら
ば信号出力Vtは0になるが、中央からどちらか
のグループ側へずれると、そのグループの出力が
増加し、他方のグループの出力は減少する。例え
ば、ビーム中心がホトダイオードA1、B1、C1の
グループの方向、つまり第5図のデイスク半径方
向の上方にずれると、このグループの出力が増加
し、「2」グループの出力は低下するので、トラ
ツク誤差信号Vtはプラスのある値になる。これ
とは逆の方向にビーム中心がずれれば、トラツク
誤差信号Vtはマイナスの値になり、それぞれ信
号の大きさからずれた距離がわかる。このトラツ
ク誤差信号Vtも制御回路33で求められ、その
誤差信号に基づいてIDT26に印加する周波数が
制御され、これによりいわゆるトラツクサーボの
制御がなされる。
器DA2から得られる。受光部32上におけるビ
ームの中心がホトダイオードA1、B1、C1のグル
ープとA2、B2、C2のグループの中央にあるなら
ば信号出力Vtは0になるが、中央からどちらか
のグループ側へずれると、そのグループの出力が
増加し、他方のグループの出力は減少する。例え
ば、ビーム中心がホトダイオードA1、B1、C1の
グループの方向、つまり第5図のデイスク半径方
向の上方にずれると、このグループの出力が増加
し、「2」グループの出力は低下するので、トラ
ツク誤差信号Vtはプラスのある値になる。これ
とは逆の方向にビーム中心がずれれば、トラツク
誤差信号Vtはマイナスの値になり、それぞれ信
号の大きさからずれた距離がわかる。このトラツ
ク誤差信号Vtも制御回路33で求められ、その
誤差信号に基づいてIDT26に印加する周波数が
制御され、これによりいわゆるトラツクサーボの
制御がなされる。
なお、デイスク5のピツトで表わされるデイジ
タルデータ信号は、反射光の強度変化として検出
されるものであり、従つて受光部32のすべての
分割ホトダイオードの出力の合計値をRF信号
(データ信号)とする。
タルデータ信号は、反射光の強度変化として検出
されるものであり、従つて受光部32のすべての
分割ホトダイオードの出力の合計値をRF信号
(データ信号)とする。
上記制御回路33は、シリコン基板7に集積形
成されており、マイクロコンピユータ等を含み、
上述したフオーカスサーボやトラツキングサーボ
等の他、デイスク5からデータを正しく読取るた
めの各種の制御および信号処理を行なう。
成されており、マイクロコンピユータ等を含み、
上述したフオーカスサーボやトラツキングサーボ
等の他、デイスク5からデータを正しく読取るた
めの各種の制御および信号処理を行なう。
第1図は従来のデイジタルデイスク用ピツクア
ツプの構造の概略図、第2図は本発明の一実施例
に係るピツクアツプの斜視図、第3図は同じく本
発明のピツクアツプの要部の1つである弾性表面
波による光ビームのブラツグ回折を説明する図、
第4図a,bは同じく本発明の要部の1つである
導波路形レンズにより平面方向の光ビームの集光
のようすを示す概略平面図および概略側面断面
図、第5図は本発明のピツクアツプにおける受光
部の構成を示す図、第6図は受光部32に対応し
たフオーカス誤差信号の出力特性を示す図であ
る。 5……デイスク、21……シリコン基板、22
……LiNbO3基板、23……導波路、24……レ
ーザダイオード、25……コリメートレンズ、2
6……IDT、27……グレーテイングレンズ、2
8……電極、29……導波路形レンズ、30……
電極、32……受光部、33……制御回路。
ツプの構造の概略図、第2図は本発明の一実施例
に係るピツクアツプの斜視図、第3図は同じく本
発明のピツクアツプの要部の1つである弾性表面
波による光ビームのブラツグ回折を説明する図、
第4図a,bは同じく本発明の要部の1つである
導波路形レンズにより平面方向の光ビームの集光
のようすを示す概略平面図および概略側面断面
図、第5図は本発明のピツクアツプにおける受光
部の構成を示す図、第6図は受光部32に対応し
たフオーカス誤差信号の出力特性を示す図であ
る。 5……デイスク、21……シリコン基板、22
……LiNbO3基板、23……導波路、24……レ
ーザダイオード、25……コリメートレンズ、2
6……IDT、27……グレーテイングレンズ、2
8……電極、29……導波路形レンズ、30……
電極、32……受光部、33……制御回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 表面に光導波路が形成された基板に; 上記光導波路上に光ビームを伝搬させる発光部
と; 上記光導波路上に弾性表面波を伝搬させて、そ
の弾性表面波により上記光ビームを上記光導波路
の平面内で偏向させる弾性表面波発生部と; 上記光ビームを上記光導波路側端面から出射さ
せるとともに、その出射ビームの2次元フオーカ
シングおよび焦点位置調整を行なう集積化レンズ
部と; 上記光ビームの出射位置から適宜間隔をおいて
配置され、上記光ビームの反射光を受光する複数
の受光素子が組合わされた受光部と; 上記受光部出力を受けて信号処理をし、その制
御信号を弾性表面波発生部および集積化レンズ部
に供給することにより、光ビームの偏向角の制御
ならびに出射ビームの2次元フオーカシングおよ
び焦点位置の制御を行なう制御部と; を一体的に集積化したことを特徴とする光学的情
報記録媒体用ピツクアツプ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57216688A JPS59107431A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 光学的情報記録媒体用ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57216688A JPS59107431A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 光学的情報記録媒体用ピツクアツプ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59107431A JPS59107431A (ja) | 1984-06-21 |
| JPH0445895B2 true JPH0445895B2 (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=16692358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57216688A Granted JPS59107431A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 光学的情報記録媒体用ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59107431A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6069840A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-20 | Canon Inc | 情報記録又は再生装置 |
| US4737946A (en) * | 1984-09-03 | 1988-04-12 | Omron Tateisi Electronics Co. | Device for processing optical data with improved optical allignment means |
| JP2629168B2 (ja) * | 1984-10-01 | 1997-07-09 | 三菱電機株式会社 | 光学式ヘツド装置 |
| DE3546796C2 (ja) * | 1984-10-01 | 1993-09-23 | Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo, Jp | |
| JPS6192444A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式ピツクアツプ |
| JPH0731819B2 (ja) * | 1985-03-22 | 1995-04-10 | 株式会社日立製作所 | 光デイスク装置 |
| US4779259A (en) * | 1985-04-25 | 1988-10-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical head assembly with efficient light source coupling surface and method of construction |
| JPS61269234A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-28 | Omron Tateisi Electronics Co | 光情報処理装置 |
| US5159586A (en) * | 1985-05-24 | 1992-10-27 | Omron Tateisi Electronics Co. | Device for processing optical data |
| JP2629170B2 (ja) * | 1985-06-08 | 1997-07-09 | ブラザー工業株式会社 | レーザプリンタ |
| EP0259832A3 (en) * | 1986-09-09 | 1989-03-15 | Hitachi, Ltd. | Optical head |
| JP2539406B2 (ja) * | 1987-02-04 | 1996-10-02 | 株式会社日立製作所 | 固体光ピツクアツプ |
| JPH01241027A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Hitachi Ltd | 光ピックアップ |
-
1982
- 1982-12-10 JP JP57216688A patent/JPS59107431A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59107431A (ja) | 1984-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5930219A (en) | Optical pickup device for discs of varying characteristics | |
| US5243583A (en) | Optical pickup device with dual grating element | |
| US5608695A (en) | Optical pick-up apparatus with tracking error detection by detection of amount of light in fan field | |
| JPH0743843B2 (ja) | 光学的読取装置 | |
| JPH0445895B2 (ja) | ||
| US6636464B1 (en) | Optical pickup device capable of detecting stable error signal | |
| US5894466A (en) | Optical pickup device for accessing each of optical disks of different types | |
| JPS6117103A (ja) | 偏光ビ−ムスプリツタ | |
| US6445668B2 (en) | Astigmatism generating device to remove comma aberration and spherical aberration | |
| JP2594970B2 (ja) | 薄膜光導波路型光ヘツド | |
| JPH0619838B2 (ja) | 光学式再生装置 | |
| JP3031841B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH0460931A (ja) | 光ピックアップ | |
| JPS63247925A (ja) | 光ヘツド | |
| KR100480638B1 (ko) | 광픽업장치 | |
| JP2915597B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| US7369479B2 (en) | Optical miniaturized module, optical pickup device, and optical disk device provided with light source and photodetector | |
| JPS61237246A (ja) | 光ピツクアツプ装置 | |
| US20070104070A1 (en) | Optical pickup apparatus | |
| JP3019867B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| KR100644588B1 (ko) | 고밀도 기록 재생 가능한 광픽업장치 | |
| JP2501097B2 (ja) | 光ヘッド装置 | |
| US6806964B2 (en) | Optical recording and/or reproduction apparatus, tracking method, and optical recording medium | |
| JPH09223325A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH0646463B2 (ja) | 光ピツクアツプ装置 |