JPH0446477B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0446477B2 JPH0446477B2 JP60285958A JP28595885A JPH0446477B2 JP H0446477 B2 JPH0446477 B2 JP H0446477B2 JP 60285958 A JP60285958 A JP 60285958A JP 28595885 A JP28595885 A JP 28595885A JP H0446477 B2 JPH0446477 B2 JP H0446477B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- active layer
- guide layer
- diffraction grating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は、回折格子の形成された単一縦モード
でレーザ発振する発振波長660〜890nmの分布帰
還形または分布ブラツク反射形半導体レーザ素子
に関するものである。
でレーザ発振する発振波長660〜890nmの分布帰
還形または分布ブラツク反射形半導体レーザ素子
に関するものである。
＜従来技術とその問題点＞
光フアイバを利用した光情報システムあるいは
光計測システムにおける光源として半導体レーザ
装置を利用する場合には、半導体レーザ装置は単
一縦モードで発振する動作特性を有することが望
ましい。単一縦モードのレーザ発振特性を得るた
めのレーザ素子構造としては、活性領域もしくは
活性領域に近接して周期的な凹凸形状の回折格子
を形成した分布帰還形または分布ブラツグ反射形
のレーザ素子が知られている（日経エレクトロニ
クス1981，12，21，p66〜p70）。
光計測システムにおける光源として半導体レーザ
装置を利用する場合には、半導体レーザ装置は単
一縦モードで発振する動作特性を有することが望
ましい。単一縦モードのレーザ発振特性を得るた
めのレーザ素子構造としては、活性領域もしくは
活性領域に近接して周期的な凹凸形状の回折格子
を形成した分布帰還形または分布ブラツグ反射形
のレーザ素子が知られている（日経エレクトロニ
クス1981，12，21，p66〜p70）。
従来、InP基板上に構成されたInGaPAs／InP
系材料により発振波長1.3μm〜1.55μmの回折格子
付半導体レーザが開発されてきた。一方、波長
890nm以下の発振光が得られるGaAs基板上に形
成されたGaAlAs活性層を有する半導体レーザに
おいては、回折格子を形成するGaAlAs光ガイド
層上に瞬時に酸化膜が生成するため、その上への
再成長が困難であるという製作上の欠点があり、
実用化されるには至つていない。この点について
は、光ガイド層材料として酸化し難いInGaPAs
を用いることにより有効に解決した半導体レーザ
素子が本出願人により特願昭59−223576号にて示
されている。第５図にこの分布帰還形半導体レー
ザの構造を示す。ｎ型GaAs基板１上にｎ型
GaAlAsクラツド層２、ノンドープGaAs活性層
３、Ｐ型InGaPAs光ガイド層４、ｐ型GaAlAsク
ラツド層５、ｐ型GaAsキヤツプ層６の順に積層
され、基板１とキヤツプ層６にはそれぞれｎ側、
ｐ側のオーミツク電極７，８が形成されている。
レーザ発振動作用の回折格子は光ガイド層４上に
形成されている。この構造では、光ガイド層４の
酸化の問題はなく、光ガイド層４上への２番目の
成長には何ら支障はない。しかし、活性層３に注
入された電子が一部光ガイド層４まで流れ込み、
無効電流となるため、発振閾値の増大を招き、特
に温度特性劣化の要因となる。
系材料により発振波長1.3μm〜1.55μmの回折格子
付半導体レーザが開発されてきた。一方、波長
890nm以下の発振光が得られるGaAs基板上に形
成されたGaAlAs活性層を有する半導体レーザに
おいては、回折格子を形成するGaAlAs光ガイド
層上に瞬時に酸化膜が生成するため、その上への
再成長が困難であるという製作上の欠点があり、
実用化されるには至つていない。この点について
は、光ガイド層材料として酸化し難いInGaPAs
を用いることにより有効に解決した半導体レーザ
素子が本出願人により特願昭59−223576号にて示
されている。第５図にこの分布帰還形半導体レー
ザの構造を示す。ｎ型GaAs基板１上にｎ型
GaAlAsクラツド層２、ノンドープGaAs活性層
３、Ｐ型InGaPAs光ガイド層４、ｐ型GaAlAsク
ラツド層５、ｐ型GaAsキヤツプ層６の順に積層
され、基板１とキヤツプ層６にはそれぞれｎ側、
ｐ側のオーミツク電極７，８が形成されている。
レーザ発振動作用の回折格子は光ガイド層４上に
形成されている。この構造では、光ガイド層４の
酸化の問題はなく、光ガイド層４上への２番目の
成長には何ら支障はない。しかし、活性層３に注
入された電子が一部光ガイド層４まで流れ込み、
無効電流となるため、発振閾値の増大を招き、特
に温度特性劣化の要因となる。
＜発明の概要＞
本発明は、Ga1-xAlxAs（０≦ｘ≦0.4）から成
るレーザ発振用活性層と、In1-yGayP1-zAsz（0.51
≦ｙ≦１，ｚ≒2.04y−1.04）から成る回折格子
の形成された回折格子形成層と、該回折格子形成
層の回折格子面と前記活性層との間に光ガイド層
を設けて成る半導体レーザ素子において、前記活
性層及び前記光ガイド層より禁止帯幅の大きな
Ga1-xAlxAs（0.2≦ｘ≦１）からなるバリア層を、
前記活性層と前記光ガイド層との間に挿入するこ
とにより、光ガイド層に流入する無効電流を低減
し、良好な素子特性を確立した新規な分布帰還形
あるいは分布ブラツグ反射形の半導体レーザ素子
を提供することを目的とする。
るレーザ発振用活性層と、In1-yGayP1-zAsz（0.51
≦ｙ≦１，ｚ≒2.04y−1.04）から成る回折格子
の形成された回折格子形成層と、該回折格子形成
層の回折格子面と前記活性層との間に光ガイド層
を設けて成る半導体レーザ素子において、前記活
性層及び前記光ガイド層より禁止帯幅の大きな
Ga1-xAlxAs（0.2≦ｘ≦１）からなるバリア層を、
前記活性層と前記光ガイド層との間に挿入するこ
とにより、光ガイド層に流入する無効電流を低減
し、良好な素子特性を確立した新規な分布帰還形
あるいは分布ブラツグ反射形の半導体レーザ素子
を提供することを目的とする。
＜実施例 １＞
本発明の１実施例について第１図とともに説明
する。ｎ型GaAs基板１上にｎ型GaAlAsクラツ
ド層２、ノンドープGaAs活性層３、ｐ型
GaAlAsバリア層９、ｐ型InGaPAs光ガイド層４
を液相エピタキシヤル成長法により連続的に成長
させる。次に、光ガイド層４上にホトレジスト膜
を塗布し、紫外線レーザを用いた干渉露光によ
り、周期2500Åでホトレジストの回折格子を形成
する。これをマスクとして化学エツチングによ
り、光ガイド層４上に溝を刻設し、ホトレジスト
膜を除去する。以上により光ガイド層４上に周期
2500Åの凹凸状回折格子が形成される。この表面
に回折格子を備えた光ガイド層４上に同様の液相
エピタキシヤル成長法によりｐ型GaAlAsクラツ
ド層５、ｐ型GaAsキヤツプ層６を順次成長させ
た後、基板１上及びキヤツプ層６上にそれぞれ
Au／Ge／Ni，Au／Znから成るｎ側及びｐ側オ
ーミツク電極７，８を形成してダブルヘテロ接合
構造のレーザ発振動作用多層結晶構造とする。活
性層３の厚さは0.1μm、バリア層９の厚さは
0.05μm、光ガイド層４の厚さは0.3μm程度とす
る。
する。ｎ型GaAs基板１上にｎ型GaAlAsクラツ
ド層２、ノンドープGaAs活性層３、ｐ型
GaAlAsバリア層９、ｐ型InGaPAs光ガイド層４
を液相エピタキシヤル成長法により連続的に成長
させる。次に、光ガイド層４上にホトレジスト膜
を塗布し、紫外線レーザを用いた干渉露光によ
り、周期2500Åでホトレジストの回折格子を形成
する。これをマスクとして化学エツチングによ
り、光ガイド層４上に溝を刻設し、ホトレジスト
膜を除去する。以上により光ガイド層４上に周期
2500Åの凹凸状回折格子が形成される。この表面
に回折格子を備えた光ガイド層４上に同様の液相
エピタキシヤル成長法によりｐ型GaAlAsクラツ
ド層５、ｐ型GaAsキヤツプ層６を順次成長させ
た後、基板１上及びキヤツプ層６上にそれぞれ
Au／Ge／Ni，Au／Znから成るｎ側及びｐ側オ
ーミツク電極７，８を形成してダブルヘテロ接合
構造のレーザ発振動作用多層結晶構造とする。活
性層３の厚さは0.1μm、バリア層９の厚さは
0.05μm、光ガイド層４の厚さは0.3μm程度とす
る。
上記実施例において、活性層３はGaAsより成
つているため、Ga1-xAlxAsクラツド層２，５の
液晶比はｘ≧0.2の範囲で設定されており、発振
波長は約880nmである。また光ガイド層４は
In1-yGayP1-zAsz混晶より成り、0.68≦ｙ≦１，
0.34≦Ｚ≦1z＝2.04y−1.04の範囲で選択され、禁
止帯幅及び屈折率が活性層３とクラツド層２，５
の中間の値となるように設定される。バリア層９
はGa1-xAlxAs層より成り、活性層３及び光ガイ
ド層４よりも禁制帯幅は大きく、屈折率は小さく
設定されており、混晶比ｘはクラツド層２，５の
ｘと同程度である。またバリア層９は0.05μmと
非常に薄いのでキヤリアの障壁としては十分であ
るが、光の障壁としては不十分であるため、光は
光ガイド層４中にも分布し、光ガイド層４に設け
られた回折格子によりレーザ光の反射器としての
作用が行なわれる。
つているため、Ga1-xAlxAsクラツド層２，５の
液晶比はｘ≧0.2の範囲で設定されており、発振
波長は約880nmである。また光ガイド層４は
In1-yGayP1-zAsz混晶より成り、0.68≦ｙ≦１，
0.34≦Ｚ≦1z＝2.04y−1.04の範囲で選択され、禁
止帯幅及び屈折率が活性層３とクラツド層２，５
の中間の値となるように設定される。バリア層９
はGa1-xAlxAs層より成り、活性層３及び光ガイ
ド層４よりも禁制帯幅は大きく、屈折率は小さく
設定されており、混晶比ｘはクラツド層２，５の
ｘと同程度である。またバリア層９は0.05μmと
非常に薄いのでキヤリアの障壁としては十分であ
るが、光の障壁としては不十分であるため、光は
光ガイド層４中にも分布し、光ガイド層４に設け
られた回折格子によりレーザ光の反射器としての
作用が行なわれる。
第２図に上記レーザ発振動作用多層結晶構造の
禁制帯幅と屈折率の分布を表わす。次に発振波長
を赤外から可視光域まで変化させるために活性層
３をGa1-xAlxAsとしその混晶比を０≦ｘ≦0.4の
範囲内で変化させるかあるいは活性層３へZn，
Si等の不純物をドーピングすることにより890〜
660nmの範囲でレーザ発振が得られる。この場
合、クラツド層２，５、に関してはそれぞれ禁制
帯幅と屈折率が第２図に示すような分布を有する
ように設定し、材料はGa1-xAlxAs，In1-yGay
P1-zAszのどちらでもよい。ただし光ガイド層４
はIn1-yGayP1-zAszに限定される。
禁制帯幅と屈折率の分布を表わす。次に発振波長
を赤外から可視光域まで変化させるために活性層
３をGa1-xAlxAsとしその混晶比を０≦ｘ≦0.4の
範囲内で変化させるかあるいは活性層３へZn，
Si等の不純物をドーピングすることにより890〜
660nmの範囲でレーザ発振が得られる。この場
合、クラツド層２，５、に関してはそれぞれ禁制
帯幅と屈折率が第２図に示すような分布を有する
ように設定し、材料はGa1-xAlxAs，In1-yGay
P1-zAszのどちらでもよい。ただし光ガイド層４
はIn1-yGayP1-zAszに限定される。
本実施例においては活性層３と光ガイド層４と
の間にバリア層９を挿入しており、活性層３に注
入された電子はバリア層９により遮られて光ガイ
ド層４まで達することがなく、発振閾値の増大は
抑えられる。
の間にバリア層９を挿入しており、活性層３に注
入された電子はバリア層９により遮られて光ガイ
ド層４まで達することがなく、発振閾値の増大は
抑えられる。
ｎ側及びｐ側電極７，８を介して電流を注入す
ると、活性層３でレーザ発振が開始される。レー
ザ発振の共振方向は図の左右方向に対応し、注入
された電流は周知の内部ストライブ構造により帯
状の電流通路に集束され、この電流通路に対応す
る活性層３の左右端面よりレーザ光が放射され
る。発振波長は回折格子の周期によつて定まり、
レーザ光の波長に対応して回折格子の周期を適宜
制御することにより単一縦モードの安定なレーザ
発振が得られる。従つて、長距離光通信や計測制
御用の光源等として利用する場合に精度が高く維
持され、非常に優れたレーザ光源となる。
ると、活性層３でレーザ発振が開始される。レー
ザ発振の共振方向は図の左右方向に対応し、注入
された電流は周知の内部ストライブ構造により帯
状の電流通路に集束され、この電流通路に対応す
る活性層３の左右端面よりレーザ光が放射され
る。発振波長は回折格子の周期によつて定まり、
レーザ光の波長に対応して回折格子の周期を適宜
制御することにより単一縦モードの安定なレーザ
発振が得られる。従つて、長距離光通信や計測制
御用の光源等として利用する場合に精度が高く維
持され、非常に優れたレーザ光源となる。
尚、上記実施例は分布帰還形半導体レーザ素子
について説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、分布ブラツグ反射形半導体レーザ
素子等他の素子にも適用可能である。
について説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、分布ブラツグ反射形半導体レーザ
素子等他の素子にも適用可能である。
＜実施例 ２＞
第３図は本発明の他の実施例を示す半導体レー
ザ素子の構成図である。ｎ型GaAs基板１１上に
ｎ型InGaPクラツド層１２を成長させ、この
InGaPクラツド層１上に実施例１と同様の手段に
より回折格子を形成した後、ｎ型InGaPAs光ガ
イド層１３、ｎ型GaAlAsバリア層１４、ノンド
ープGaAs活性層１５、ｐ型InGaPクラツド層１
６、ｐ型GaAsキヤツプ層１７を順次エピタキシ
ヤル成長させてダブルヘテロ接合構造のレーザ発
振動作用多層結晶を形成する。本実施例ではｎ型
InGaPクラツド層１２に回折格子を形成している
点で実施例１と相違する。ｎ型InGaPAs光ガイ
ド層１３とGaAs活性層１５との間にｎ型
GaAlAsバリア層１４が挿入されているため活性
層１５に注入された正孔は光ガイド層１３まで達
することがなく、無効電流は微少である。本実施
例のレーザ発振用多層結晶構造の禁制帯幅と屈折
率の分布は第４図の如くとなる。キヤツプ層１７
及び基板１１上にそれぞれオーミツク電極１８，
１９を形成することにより本実施例の半導体レー
ザ素子が作製される。
ザ素子の構成図である。ｎ型GaAs基板１１上に
ｎ型InGaPクラツド層１２を成長させ、この
InGaPクラツド層１上に実施例１と同様の手段に
より回折格子を形成した後、ｎ型InGaPAs光ガ
イド層１３、ｎ型GaAlAsバリア層１４、ノンド
ープGaAs活性層１５、ｐ型InGaPクラツド層１
６、ｐ型GaAsキヤツプ層１７を順次エピタキシ
ヤル成長させてダブルヘテロ接合構造のレーザ発
振動作用多層結晶を形成する。本実施例ではｎ型
InGaPクラツド層１２に回折格子を形成している
点で実施例１と相違する。ｎ型InGaPAs光ガイ
ド層１３とGaAs活性層１５との間にｎ型
GaAlAsバリア層１４が挿入されているため活性
層１５に注入された正孔は光ガイド層１３まで達
することがなく、無効電流は微少である。本実施
例のレーザ発振用多層結晶構造の禁制帯幅と屈折
率の分布は第４図の如くとなる。キヤツプ層１７
及び基板１１上にそれぞれオーミツク電極１８，
１９を形成することにより本実施例の半導体レー
ザ素子が作製される。
尚、クラツド層１６、光ガイド層１３の組成は
上記に限定されることなく実施例１と同様に発振
波長（活性層組成）に応じてGa1-xAlxAs，In1-y
GayP1-zAszのいずれかから適当な組成を選択す
ればよい。但しｎ型クラツド層１２はIn1-yGay
P1-zAsz（ｚ＝2.04y−1.04，0.51≦ｙ≦0.8）に限
定されるため、得られる発振波長は890nm〜
770nmの範囲内となる。またバリア層１４は実施
例１と同様にGa1-xAlxAs（0.2≦ｘ≦１）より選
択すればよい。
上記に限定されることなく実施例１と同様に発振
波長（活性層組成）に応じてGa1-xAlxAs，In1-y
GayP1-zAszのいずれかから適当な組成を選択す
ればよい。但しｎ型クラツド層１２はIn1-yGay
P1-zAsz（ｚ＝2.04y−1.04，0.51≦ｙ≦0.8）に限
定されるため、得られる発振波長は890nm〜
770nmの範囲内となる。またバリア層１４は実施
例１と同様にGa1-xAlxAs（0.2≦ｘ≦１）より選
択すればよい。
本実施例においてもオーミツク電極１８，１９
を介してキヤリアを注入することにより発振波長
880nmの単一縦モードレーザ発振が得られる。レ
ーザ光は図中の左右方向の端面より放射される。
本実施例の構造を、分布ブラツグ反射形のレーザ
発振素子に適用することも当然に可能である。
を介してキヤリアを注入することにより発振波長
880nmの単一縦モードレーザ発振が得られる。レ
ーザ光は図中の左右方向の端面より放射される。
本実施例の構造を、分布ブラツグ反射形のレーザ
発振素子に適用することも当然に可能である。
＜発明の効果＞
以上詳述した如く、In1-yGayP1-zAszを回折格
子形成層とする発振波長890nm以下の単一縦モー
ドレーザ素子において活性層と光ガイド層との間
に双方より禁制帯幅の大きい半導体層をバリア層
として挿入することにより活性層から光ガイド層
へ流入する無効キヤリアが低減され、素子特性特
に温度特性に優れた分布帰還形または分布プラツ
グ反射形の半導体レーザ素子を得ることができ
る。
子形成層とする発振波長890nm以下の単一縦モー
ドレーザ素子において活性層と光ガイド層との間
に双方より禁制帯幅の大きい半導体層をバリア層
として挿入することにより活性層から光ガイド層
へ流入する無効キヤリアが低減され、素子特性特
に温度特性に優れた分布帰還形または分布プラツ
グ反射形の半導体レーザ素子を得ることができ
る。
第１図及び第３図は本発明の実施例を説明する
分布帰還形半導体レーザ素子の共振方向に平行な
方向で切断した断面図である。第２図及び第４図
はそれぞれ第１図、第３図の半導体レーザ素子に
おける多層結晶構造の禁制帯幅及び屈折率の分布
を表わす説明図である。第５図は従来の分布帰還
形半導体レーザの断面図である。 １，１１…ｎ型基板、２，１２…ｎ型クラツド
層、３，１５…ノンドープ活性層、４…ｐ型光ガ
イド層、５，１６…ｐ型クラツド層、６，１７…
ｐ型キヤツプ層、７，１８…ｎ側オーミツク電
極、８，１９…ｐ側オーミツク電極、９…ｐ型バ
リア層、１３…ｎ型光ガイド層、１４…ｎ型バリ
ア層。
分布帰還形半導体レーザ素子の共振方向に平行な
方向で切断した断面図である。第２図及び第４図
はそれぞれ第１図、第３図の半導体レーザ素子に
おける多層結晶構造の禁制帯幅及び屈折率の分布
を表わす説明図である。第５図は従来の分布帰還
形半導体レーザの断面図である。 １，１１…ｎ型基板、２，１２…ｎ型クラツド
層、３，１５…ノンドープ活性層、４…ｐ型光ガ
イド層、５，１６…ｐ型クラツド層、６，１７…
ｐ型キヤツプ層、７，１８…ｎ側オーミツク電
極、８，１９…ｐ側オーミツク電極、９…ｐ型バ
リア層、１３…ｎ型光ガイド層、１４…ｎ型バリ
ア層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ga1-xAlxAs（０≦ｘ≦0.4）から成るレーザ
発振用活性層と、In1-yGayP1-zAsz（0.51≦ｙ≦
１，ｚ≒2.04y−1.04）から成る回折格子の形成
された回折格子形成層と、該回折格子形成層の回
折格子面と前記活性層との間に光ガイド層を設け
て成る半導体レーザ素子において、 前記活性層及び前記光ガイド層よりも禁制帯幅
の大きなGa1-xAlxAs（0.2≦ｘ≦１）からなるバ
リア層を、前記活性層と前記光ガイド層との間に
挿入したことを特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285958A JPS62144379A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 半導体レ−ザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285958A JPS62144379A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62144379A JPS62144379A (ja) | 1987-06-27 |
| JPH0446477B2 true JPH0446477B2 (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=17698156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60285958A Granted JPS62144379A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62144379A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2703784B2 (ja) * | 1988-11-08 | 1998-01-26 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| US6195381B1 (en) * | 1998-04-27 | 2001-02-27 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Narrow spectral width high-power distributed feedback semiconductor lasers |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP60285958A patent/JPS62144379A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62144379A (ja) | 1987-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5436195A (en) | Method of fabricating an integrated semiconductor light modulator and laser | |
| US4257011A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP2746326B2 (ja) | 半導体光素子 | |
| US4775980A (en) | Distributed-feedback semiconductor laser device | |
| EP0680119B1 (en) | Fabrication process for semiconductor optical device | |
| JP2701569B2 (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
| JPS6318686A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH0211027B2 (ja) | ||
| JP2703784B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP4027639B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2882335B2 (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0248151B2 (ja) | ||
| JPH0416032B2 (ja) | ||
| JPH0446477B2 (ja) | ||
| JPH08274406A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH10154847A (ja) | 半導体レーザ素子及びその設計方法 | |
| JP2629678B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPS6046087A (ja) | 分布ブラッグ反射型半導体レ−ザ | |
| JPH0147031B2 (ja) | ||
| JPH0422033B2 (ja) | ||
| JPS59184585A (ja) | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ | |
| JP2973215B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH06334256A (ja) | 半導体光反射層の製造方法 | |
| JPS61220389A (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
| JPH0671115B2 (ja) | 量子井戸半導体レ−ザ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |