JPH0447417B2

JPH0447417B2 -

Info

Publication number: JPH0447417B2
Application number: JP61120701A
Authority: JP
Inventors: Takehiko Okada; Yoichi Aoyama
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1986-05-26
Filing date: 1986-05-26
Publication date: 1992-08-03
Also published as: JPS62276724A

Description

【発明の詳細な説明】

〔技術分野〕この発明は、回路しや断器や電磁接触器等に適
用される消弧装置に関するものである。〔背景技術〕回路しや断器等の接続部に開閉動作にともなつ
て接点部に発生するアークを消弧室に導くため、
通常、接点部の接点および接触子で構成されるＵ
字形態による自己誘導磁場を形成したり、積極的
にブローアウトコイル等を接点部に設けてアーク
を接点から離れ方向に磁気駆動するようにしてい
る。このように駆動されたアークの消弧は従来、
第１１図ないし第１５図のような手段により行わ
れていた。すなわち、第１１図は絶縁材料による冷却消弧
方式であり、接点部５０に隣接する消弧室５１を
絶縁材料で構成したものである。接点部５０は自
己誘導磁場を形成するＵ字形態に構成している。
５２はアークである。このものは、消弧室５１を
回路しや断器等のケースで構成することができ、
構成がきわめて簡単でコストが安いという利点が
ある。しかし、磁気駆動されたアークは消弧室５
１で単に冷却されるだけのため、アーク電圧が低
くしや断能力は低いという欠点がある。第１２図および第１３図は磁性体による冷却方
式であり、消弧室５１内にＵ字形をなす磁性体
（通常は鉄板）５３を配置し、その開口側が接点
部５０に対向するようにしている。このものは、
磁性体５３にアーク５２による磁束が通り、この
磁束によりアーク５２を強力に吸引し、磁性体５
３によりアーク５２を急速に冷却することができ
る。しかも、構造が比較的簡単である。しかし、
アーク５２を磁性体５３により短絡するため、ア
ーク５２の伸長効果（陽光柱電圧の上昇）は得ら
れず、高いアーク電圧を得ることができないとい
う欠点がある。第１４図および第１５図はグリツド５６による
分割方式であり、アーク５２を吸引する切欠５４
を形成した複数のグリツド板５５を連結板５７に
より間隔をおいて積層してグリツド５６を形成
し、このグリツド５６を消弧室５１内に配置して
いる。このものは、アーク５２を磁気効果により
吸引するとともに、図のようにグリツド板５５に
よりアーク５２を分割するため、分割による陰極
降下電圧の上昇により高いアーク電圧を発生す
る。しかし、第１２図および第１３図と比べて磁
気吸引力が小さく、しかも構造が複雑で大型化し
コスト高になるという欠点がある。〔発明の目的〕この発明の目的は、構造が簡単でしかも高いア
ーク電圧が得られる消弧装置を提供することであ
る。〔発明の開示〕この発明の消弧装置は、一対の側板と背板とで
Ｕ字形に形成されてアーク熱により熱分解ガスを
発生する絶縁体と、この絶縁体の内側で前記側板
と平行な方向にアークを発生させる接点部とを備
え、絶縁体は後述の構造式で表されるポリメチル
ペンテン樹脂およびポリメチルメタクリレート樹
脂の一方からなるものである。この発明の構成によれば、絶縁体がアーク熱に
より熱分解ガスを発生してその熱分解ガスにより
アークを冷却するため、アーク電圧を高めること
ができる。とくに絶縁体にポリメチルペンテン樹
脂またはポリメチルメタクリレート樹脂を用いた
ため、後述の実験結果から明らかなように従来用
いられた樹脂と比較して高いアーク電圧が得られ
る。さらに従来のグリツドと比較して、構造が簡
単である。実施例この発明の第１の実施例を第１図に基づいて説
明する。すなわち、この消弧装置は、一対の側板
１，２と背板３とでＵ字形に形成されてアーク熱
により熱分解ガスを発生する絶縁体４と、この絶
縁体４の内側で前記側板１，２と平行な方向にア
ークを発生させる接点部５とを備えている。前記接点部５は、固定接点６を固着した固定接
触子７と、可動接点８を固着した可動接触子９か
らなる。また開離時に接点部５に発生したアーク
Ｘは固定接触子７および可動接触子９により形成
されるＵ字形態の電路を流れる電流により発生す
る磁束により絶縁体４側に自己誘導駆動される。この実施例の消弧装置の消弧動作について説明
する。接点部５の開閉動作により接点部５にアー
クＸが発生する。アークＸは接点部５の自己誘導
磁場により磁気駆動され、側板１，２の間に進入
する。その結果、アークＸは伸長するため、陽光
柱の電圧が上昇し、アーク電圧が高まる。また絶
縁体４はアーク熱により加熱されて熱分解ガスを
発生し、熱分解ガスによりアークＸを冷却し、消
弧する。このとき、アークＸの磁気駆動によりア
ークＸが背板３に押付けられるため、冷却効果が
高い。さらにこの実施例は絶縁性能および熱分解ガス
の発生の優れた絶縁体４を選択することにより前
記効果を高めることができ、消弧性能を向上でき
る。絶縁体４の好ましい実施例として、下表に記
載する。

【表】この表において、ポリメチルペンテン樹脂は、で特徴づけられる構造式（ＲはC_oH_2o+1ｎ＝１、
２、３…）の樹脂を指し、ポリメチルメタクリレ
ート樹脂は、で特徴づけられる構造式の樹脂を指し、ポリブチ
レンテレフタレート樹脂は、で特徴づけられる構造式の樹脂を指し、ポリカー
ボネート樹脂は、で特徴づけられる構造式の樹脂を指している。ここで、△Hcpdは化合物を構成するすべての
結合のエネルギーの総和、△Hcは化合物の熱分
解反応においてカーボンを生成する結合のエネル
ギーの和、△Hvolは揮発物（熱分解ガス）を生
成する結合のエネルギーの和、△H_C-Hは熱分解
ガスとして水素を生成するＣ−Ｈ結合のエネルギ
ーの和である。また△Hvol／△Hcpdは、揮発物
の生成のし易さを示し、△H_C-H／△Hcpdは水素
ガスの発生のし易さを示すものである。この表に
見られるように、本発明で用いるところのポリメ
チルペンテン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹
脂は従来の材料に比べて熱分解反応時に熱分解生
成物としてガス特に水素ガスを発生しやすいこと
が分かる。なお、結合エネルギーの値（単位Kcal／mol）
は、Ｃ−Ｃ：83、Ｃ−Ｃ：147、Ｃ−Ｈ：99、Ｃ
−Ｎ：70、Ｃ−Ｎ：213、Ｃ−Ｏ：84、Ｃ＝Ｏ：
171、Ｃ−Ｆ：105、Ｃ−Cl：78、Ｃ−Si：69、Ｎ
−Ｈ：93、Ｏ−Ｈ：110、Si−Ｏ：88、

〔発明の効果〕

この発明の消弧装置によれば、絶縁体がアーク
熱により熱分解ガスを発生してその熱分解ガスに
よりアークを冷却するため、アーク電圧を高める
ことができる。とくに絶縁体にポリメチルペンテ
ン樹脂またはポリメチルメタクリレート樹脂を用
いたため、実験結果から明らかなように従来用い
られた樹脂と比較して高いアーク電圧が得られ
る。さらに従来のグリツドと比較して、構造が簡
単であるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の第１の実施例の要部斜視
図、第２図は各種絶縁体のアーク電圧特性図、第
３図は変形例の要部斜視図、第４図は第２の実施
例の要部斜視図、第５図はその変形例の一部破断
斜視図、第６図は第３の実施例の一部破断斜視
図、第７図はその側面図、第８図はアークの駆動
原理を示す説明図、第９図は変形例の一部破断斜
視図、第１０図は回路しや断器に適用した断面
図、第１１図は従来例の断面図、第１２図は他の
従来例の断面図、第１３図はその磁性体の断面
図、第１４図はさらに他の実施例の断面図、第１
５図はそのグリツドの側面図である。１，２……側板、３……背面、４……絶縁体、
５……接点部。

Claims

【特許請求の範囲】１一対の側板と背板とでＵ字形に形成されてア
ーク熱により熱分解ガスを発生する絶縁体と、こ
の絶縁体の内側で前記側板と平行な方向にアーク
を発生させる接点部とを備え、前記絶縁体は、で特徴づけられる構造式（ＲはC_oH_2o+1、ｎ＝
１、２、３…）のポリメチルペンテン樹脂、およ
びで特徴づけられる構造式のポリメチルメタクリレ
ート樹脂のいずれか一方からなる消弧装置。