JPH0447632B2 - - Google Patents
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- JPH0447632B2 JPH0447632B2 JP59041789A JP4178984A JPH0447632B2 JP H0447632 B2 JPH0447632 B2 JP H0447632B2 JP 59041789 A JP59041789 A JP 59041789A JP 4178984 A JP4178984 A JP 4178984A JP H0447632 B2 JPH0447632 B2 JP H0447632B2
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
技術分野
本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光
記録媒体とその記録方法に関する。 先行技術 光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出し
ヘツドが非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化
しないという特徴をもち、このため、種々の光記
録媒体の開発研究が行われている。 このような光記録媒体のうち、暗室による画像
処理が不要である等の点で、ヒートモード光記録
媒体の開発が活発になつている。 このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱
として利用する光記録媒体であり、その1例とし
て、レーザー等の記録光で媒体の一部を融解、除
去等して、ピツチと称される小穴を形成して書き
込みを行い、このピツトにより情報を記録し、こ
のピツトを読み出し光で検出して読み出しを行う
ピツト形成タイプのものがある。 このようなピツト形成タイプの媒体、特にその
うち、装置を小型化できる半導体レーザーを光源
とするものにおいては、これまで、Teを主体と
する材料を記録層とするものが大半をしめてい
る。 しかし、近年、Te系材料が有害であること、
そしてより高感度化する必要があること、より製
造コストを安価にする必要があることから、Te
系にかえ、色素を主とした有機材料系の記録層を
用いる媒体についての提案や報告が増加してい
る。 例えば、He−Neレーザー用としては、スクワ
リリウム色素〔特開昭56−46221号、V.B.Jipson
and C.R.Jones,J.Vac.Sci.Tech−nol.,18(1)
105(1981)〕や、金属フタロシアニン色素(特開
昭57−82094号、同57−82095号)などを用いるも
のがある。 また、金属フタロシアニン色素を半導体レーザ
ー用として使用した例(特開昭56−86795号)も
ある。 これらは、いずれも色素を蒸着により記録層薄
膜としたものであり、媒体製造上、Te系と大差
はない。 しかし、色素蒸着膜のレーザーに対する反射率
は一般に小さく、反射光量のピツトによる変化
(減少)によつて読み出し信号をうる。現在行わ
れている通常の方式では、大きなS/N比をうる
ことができない。 また、記録層を担持した透明基体を、記録層が
対向するようにして一体化した、いわゆるエアー
サンドイツチ構造の媒体とし、基体をとおして書
き込みおよび読み出しを行うと、書き込み感度を
下げずに記録層の保護ができ、かつ記録密度も大
きくなる点で有利であるが、このような記録再生
方式も、色素蒸着膜では不可能である。 これは、通常の透明樹脂製基体では、屈折率が
ある程度の値をもち(ポリメチルメタクリレート
で1.5)、また、表面反射率がある程度大きく(同
4%)、記録層の基体をとおしての反射率が、例
えばポリメチルメタクリレートでは60%程度以下
になるため、低い反射率しか示さない記録層では
検出できないからである。 色素蒸着膜からなる記録層の、読み出しのS/
N比を向上させるためには、通常、基体と記録層
との間に、Al等の蒸着反射膜を介在させている。 この場合、蒸着反射膜は、反射率を上げてS/
N比を向上させるためのものであり、ピツト形成
により反射膜が露出して反射率が増大したり、あ
るいは場合によつては、反射膜を除去して反射率
を減少させるものであるが、当然のことながら、
基体をとおしての記録再生はできない。 同様に、特開昭55−161690号には、IR−132色
素(コダツク社製)とポリ酢酸ビニルとからなる
記録層、また、特開昭57−74845号には、1,
1′−ジエチル−2,2′−トリカルボシアニンイオ
ダイドとニトロセルロースとかなる記録層、さら
にはK.Y.Law,et al.,Appl.Phys.Lett.39(9)
718(1981)には、3,3′−ジエチル−12−アセチ
ルチアテトラカルボシアニンとポリ酢酸ビニルと
からなる記録層など、色素と樹脂とからなる記録
層を塗布法によつて設層した媒体が開示されてい
る。 しかし、これらの場合にも、基体と記録層との
間に反射膜を必要としており、基体裏面側からの
記録再生ができない点で、色素蒸着膜の場合と同
様の欠点をもつ。 このように、基体をとおしての記録再生が可能
であり、Te系材料からなる記録層をもつ媒体と
の互換性を有する、有機材料系の記録層をもつ媒
体を実現するには、有機材料自身が大きな反射率
を示す必要がある。 しかし、従来、反射層を積層せずに、有機材料
の単層にて高い反射率を示す例はきわめて少な
い。 わずかに、バナジルフタロシアニンの蒸着膜が
高反射率を示す旨が報告〔P.Kivits,et al.,
Appl.Phys.Part A 26(2)101(1981)、特開
昭55−97033号〕されているが、おそらく昇華温
度が高いためであろうと思われるが、書き込み感
度が低い。 また、チアゾール系やキノリン系等のシアニン
色素やメロシアニン色素を用いる旨が報告〔山本
他、第27回 応用物理学会予稿集 1p−P−9
(1980)〕されており、これにもとづく提案が特開
昭58−112790号になされているが、これら色素
は、特に塗膜として設層するときに、溶剤に対す
る溶解度が小さく、また結晶化しやすく、さらに
は読み出し光に対してきわめて不安定でただちに
脱色してしまい。実用に供しえない。 このような実状に鑑み、本発明者らは、先に、
溶剤に対する溶解度が高く、結晶化も少なく、か
つ熱的に安定であつて、塗膜の反射率が高いイン
ドレニン系のシアニン色素を単層膜として用いる
旨を提案している(特願昭57−134397号、同57−
134170号)。 また、インドレニン系、あるいはチアゾール
系、キノリン系、セレナゾール系等の他のシアニ
ン色素においても、長鎖アルキル基を分子中に導
入して、溶解性の改善と結晶化の防止がはかられ
ることを提案している(特願昭57−182589号、同
57−177776号等)。 さらに、光安定性をまし、特に読み出し光によ
る脱色(再生劣化)を防止するために、シアニン
色素にクエンチヤーを添加する旨の提案を行つて
いる(特願昭57−166832号、同57−168048号等)。 しかし、これらの各媒体とも、記録感度および
再生のS/N比の点で、より一層の向上が望まれ
ている。 発明の目的 本発明の目的は、有機材料系の塗膜を記録層と
する光記録媒体およびその記録方法を改良して、
記録感度を向上し、再生のS/N比を向上し、し
かも再生劣化を減少し、熱的安定性を向上するこ
とにある。 このような目的は、下記の本発明によつて達成
される。 すなわち第1の発明は、 ビニル基を有するフタロシアニンの2分子以上
を架橋してなるフタロシアニンポリマー、または
その組成物からなる記録層を基体上に有する光記
録媒体である。 また第2の発明は、 ビニル基を有するフタロシアニンの2分子以上
を架橋してなるフタロシアニンポリマー、または
その組成物からなる記録層を基体上に有する光記
録媒体に書き込み光をパルス状に照射して、記録
部分のフタロシアニン分子の配向ないし会合状態
をかえ、周囲と反射率ないし透過・吸収率の異な
る記録点を形成して記録を行うことを特徴とする
光記録媒体の記録方法である。 また第3の発明は、 ビニル基を有するフタロシアニンの2分子以上
を架橋してなるフタロシアニンポリマー、または
その組成物からなる記録層を基体上に有する光記
録媒体に書き込み光をパルス状に照射して、記録
層に凹部を形成することにより記録点を形成して
記録を行うことを特徴とする光記録媒体の記録方
法である。 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明
する。 本発明における光記録媒体の記録層は、ビニル
基を有するフタロシアニンの2分子以上を重合な
いし架橋してなるフタロシアニンポリマーまたは
その組成物からなる。 この場合、フタロシアニンポリマーとは、1種
または2種以上のビニル基を有するフタロシアニ
ン色素を2分子以上有するフタロシアニン色素の
重合体、あるいはビニル基を有するフタロシアニ
ン色素と他の成分との共重合体をいう。 そして、このようなフタロシアニンポリマーの
うちでは、ビニル基を有するフタロシアニン色素
の1種または2種以上の単独重合体または共重合
体、ビニル基を有するフタロシアニン色素の1種
または2種以上と、1つまたは2つ以上のビニル
基等を有する共重合体成分の1種または2種以上
との共重合体であることが好ましい。 用いるビニル基を有するフタロシアニンは、下
記式で示されるものである。 Pc(−X)n この場合、Xは、ビニル基含有基であるが、特
に、−L−CR=CH2であることが好ましい。 この場合、Rは、水素または低級アルキル基で
ある。 また、Lは2価の連結基である。 2価の連結基としては、−COO−,−OCO−,−
CONH−,−NHCO−,−O−,−SO2−,−SO2
NH−,NHSO2−,アルキレン基、フエニレン
基ないし、これらが組み合わされた基であること
が好ましい。 この場合、Lのビニル基側端部は、OCO−を
もち、アクリロイル、メタクリロイルであること
が好ましい。 そして、nは1以上の整数であり、一般に1〜
8の任意の整数であつてよいが、通常、2、4ま
たは8ある。 一方、Pcはフタロシアニンの1価以上の残基
を表わし、 上記Xで示されるビニル含有基は、フタロシア
ニン環を形成するベンゼン環に結合するものであ
る。 この場合、ビニル含有基は、フタロシアニンの
ベンゼン環の任意の位置に結合するが、通常は3
−位ないし4−位に結合するものである。 従つて、ビニル含有基の結合位置は、n=2で
は、3,3′−、3,4′−、3,3″−、3,4″−、
4,4′−であり、これら異性体の混合物である。 また、n=4では、3,3′,3″,3−を主と
し、n=8では、3,4,3′,4′、3″,4″,3,
4を主とする。 さらに、フタロシアニンの中心原子には、特に
制限はなく、Fe,Cu,Co,Niなどの他、V,
Pb,Si,Ge,Sn,Al,Ru,Ti,Zn,Mg,
Mn,VO,AlCl,InBr,GaCl(Cl2),InBr(Br)
等の他、H2も可能である。 この場合、フタロシアニン環の上下には、さら
に1ないし2の他の配位子が配位してもよい。 なお、Pcフタロシアニン残基には、通常、他
の置換基は結合しないが、Pcの特にベンゼン環
にはカルボキシ基、スルホ基、アミノ基等の置換
基が結合していてもよい。 次に、ビニル基を有するフタロシアニンの具体
例を挙げる。 なお、下記においてMtはフタロシアニンの中
心金属元素または水素を表わす。 【表】 【表】 このようなフタロシアニン化合物は、以下のよ
うにして合成される。 まず、通常、ベンゼン環に、n個、通常2,4
ないし8個のカルボキシ基を有するフタロシアニ
ンを合成する。 これらの合成法は公知であり、例えば、n=2
は、高分子学会予稿集32巻(1983)3号 P505、
n=4は、Makromol.Chem.182 2429〜2438
(1981)、n=8は、Makromol.Chem.181 565
(1980)に示される。 あるいは、常法に従い、ヒドロキシ基、スルホ
基等の官能基を有するフタロシアニンを合成す
る。 これらに、【式】 (LおよびRは前記に同じ。 YはOH、NH2、COOH等の官能基。) を加え、加熱して反応を行う。 反応後、遠心分離し、上澄み液に水を添加し、
沈澱を得、これを瀘別し、乾燥後、アセトンに溶
解し、濃縮後、精製すればよい。 このようにして得られるフタロシアニン化合物
は、フタロシアニン自体がもつ電子スペクトルと
ほぼ同一である。 また、赤外吸収スペクトルには、1720cm-1前後
のνC=0と1610〜1650cm-1程度のνC=Cを有する。 そして、融点に関しては、一般に170〜200℃程
度で熱分解するものである。 なお、具体的合成例については、例えば昭和59
年3月2日付の特許願等に示される。 これらビニル基を有するフタロシアニンは、通
常、塗膜を形成したのち、紫外線、電子線、X線
等の活性輻射線によつて重合ないし架橋されるも
のである。 この場合、ビニル基を有するフタロシアニン
は、単独で用いてもよく、他の活性輻射線によつ
て硬化可能な化合物と組み合わせて硬化させても
よい。 本発明において特に好適に用いることのできる
活性輻射線により硬化可能な化合物(ポリマー、
オリゴマー、モノマー)としては、下記のものが
ある。 1 モノマーないしオリゴマー 1.1 単官能性モノマー 例えば、アクリル酸、メタクリル酸、メチル
アクリラート、メチルメタクリラート、ブチル
アクリラート、シクロヘキシルアクリラート、
ジメチルアミノエチルメタクリラート、ベンジ
ルアクリラート、カルビトールアクリラート、
2−エチルヘキシルアクリラート、2−エチル
ヘキシルメタクリラート、ラウリルメタクリラ
ート、2−ヒドロキシエチルアクリラート、2
−ヒドロキシエチルメタクリラート、2−ヒド
ロキシプロピルアクリラート、2−ヒドロキシ
プロピルメタクリラート、グリシジルメタクリ
ラート、アクリルアミド、メタクリルアミド、
N−メチロールアクリルアミド、N−ジアセト
ンアクリルアミド、N,N′−メチレンビスア
クリルアミド、スチレン、アクリロニトリル、
ビニルアセタート、N−ビニルピロリドン、フ
エノールエチレンオキサイド付加物のアクリレ
ート、ジシクロベンテニエルオキシエチルアク
リラートなど。 1.2 多官能性アクリル系モノマーないしオリゴ
マー 例えば、エチレングリコールジアクリラー
ト、ジエチレングリコールジアクリラート、ト
リエチレングリコールジアクリラート、ポリエ
チレングリコールジアクリラート、ポリエチレ
ングリコールジメタクリラート、ポリプロピレ
ングリコールジアクリラート、ポリプロピレン
グリコールジメタクリラート、ブチレングリコ
ールジアクリラート、ブチレングリコールジメ
タクリラート、ネオペンチルグリコールジアク
リラート、ネオペンチルグリコールジメタクリ
ラート、1,4−ブタンジオールジアクリラー
ト、1,6−ヘキサンジオールジアクリラー
ト、1,6−ヘキサンジオールジメタクリラー
ト、ペンタエリトリトールジアクリラート、ペ
ンタエリトリトールトリアクリラート、トリメ
チロールプロパントリアクリラート、トリメチ
ロールプロパントリメタクリラート、ビスフエ
ノールSエチレンオキサイド付加物のジアクリ
ラート、ビスフエノールAエチレンオキサイド
付加物のジアクリラート、トリス(2−ヒドロ
キシエチル)イソシアヌレートのジアクリラー
ト、トリス(2−アクリロイルオキシエチル)
イソシアヌレートなど。 1.3 アリル系の多官能性モノマー 例えば、ジアリルフタラート、ジアリルイソ
フタラート、ジアリルマレアート、ジアリルク
ロレンダート、ジアリルアジパート、ジアリル
ジグリコラート、トリアリルシアヌラート、ジ
エチレングリコールビスアリルカルボナートな
ど。 1.4 開環重合系モノマー 例えば、グリシジルシンナマート、オキシカ
ルコンのエポキシ誘導体など。 1.5 ウレタン型アクリル酸エステル 1.6 多価カルボン酸の不飽和エステル 1.7 不飽和アミド 1.8 無機酸とのエステル金属塩 1.9 アセチレン性不飽和基をもつモノマー 1.10グリシジル基をもつモノマー 1.11ジアゾニウム塩系 1.12o−キノンアジド類 例えば、o−ナフトキノンジアジドのスルホ
ン酸エステルなど。 1.13その他、ジヒドロキシカルコン、 ジバニラルアセトン、ジバニラルシロクペン
タノンなど。 1.14感光基をもつビニル系モノマー 1 シンナモイル系 例えば下記のもの 2 シンナミリデン系 例えば下記のもの 3 フリルアクリロイル系 例えば下記のもの 4 クマリン系 例えば下記のもの 5 ピロン系 例えば下記のもの 6 ベンザルアセトフエノン系 例えば下記のもの 7 アントラセン系 例えば下記のもの 8 スチルベン系 例えば下記のもの 9 α−フエニルマレイミド系 例えば下記のもの 10 アジド系 例えば下記のもの CH2=CHOCH2CH2N3 11 不飽和系 例えば下記のもの CH2=CHCOOCH2CH=CH2 CH2=CHOCH2CH2O−CO−CH=CH2 12 ベンゾフエノン系 例えば下記のもの 13 ベンゾイン系 例えば下記のもの 14 1,3−ジオキソラン系 例えば下記のもの 15 ジチオカルバマート系 例えば下記のもの CH2=CH−S−CS=NR 16 アザジオキサビシクロ系 例えば下記のもの 17 スピロピラン系 例えば下記のもの 2 ポリマーないしプレポリマー 既存のポリマーに、例えば、以下の感光基およ
び/またはモノマーで例示した各種感光基を化学
結合したもの。 ポリマーとしては、例えば、各種エポキシ樹
脂、ポリウレタン、ポリアミド、ポリアクリル酸
不飽和ポリエステル、ポリビニルアルコール、シ
リコーン樹脂、マレイン酸共重合体、セルロース
誘導体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、レジ
ナスポリオールアクリレート等、 感光基としては、上記の他、オレフイン、シン
ナモイル、シンナミリデンアセチル、ベンザルア
セトフエノン(カルコン)、スチリルピリジン、
α−フエニルマレイミド、フエニルアジド、スル
ホニルアジド、カルボニルアシド、ジアゾ、o−
キノンジアジド(ジアゾオキシド)、フリルアク
リロイル、クマリン、ピロン、アントラセン、ベ
ンゾフエノン、ベンゾイン、スチルベン、ジチオ
カルバマート、ザンタート、1,2,3−チアジ
アゾール、シクロプロペン、アザ−ジオキサビシ
クロ等がある。 さらには、環化ゴム、ポリコン(ポリエーテル
グリコールとトリレンジイソシアネートとの反応
によるポリウレタンの末端に、アリルイソシアネ
ートまたはアリルアルコールを反応結合せしめて
アリル基を導入したもの等も有用である。 これらは、フタロシアニンに対し、通常80wt
%以下とされる。 さらに、感光性架橋剤を添加することもでき
る。 架橋剤の添加量は、フタロシアニンの80wt%
以下、特に0.1〜80wt%程度とされる。 用いる架橋剤には特に制限はないが、下記のも
のが好適である。 1 重クロム酸塩 例えば、ゼラチン、グルー、卵白、アラビアゴ
ム、ポリビニルアルコールなどの水溶性高分子化
合物と重クロム酸塩との混合物 2 有機アジド化合物 例えば、4,4′−ジアジドスチルベン、4,
4′−ジアジドカルコンなど 3 イオウ化合物 例えば、ペンタエリスリトールテトラキス(β
−メルカプトプロピオネート)など 4 光2重化化合物 例えば、ケイ酸など さらに、開始剤および増感剤を添加することも
できる。 開始剤および増感剤の添加量は、フタロシアニ
ンの0.001〜10wt%程度とされる。 用いる開始剤および増感剤には特に制限はない
が、下記のものが好適である。 1 ベンゾインエーテル系 例えば、イゾブチルベンゾインエーテル、イソ
プロピルベンゾインエーテル、ベンゾインエチル
エーテル、ベンゾインメチルエーテルなど 2 α−アシロキシムエステル系 例えば、1−フエニル−1,2−プロパンジオ
ン−2−(−o−エトキシカルボニル)オキシム
など 3 ベンジルケタール系 例えば、2,2−ジメトキシ、2−フエニルア
セトフエノン、ベンジル、ヒドロキシシクロヘキ
シルフエニルケトンなど 4 アセトフエノン誘導体系 例えば、ジエトキシアセトフエノン、2−ヒド
ロキシ−2・メチル−1・フエニルプロパンアセ
ト1−オンなど 5 ケトン−(ケトン−アミン系)系 例えば、ベンゾフエノン、クロロチオキサント
ン、2−クロロチオキサントン、イソプロピルチ
オキサントン、2−メチルチオキサントン、塩素
置換ベンゾフエノン、ハロゲン置換アルキル−ア
リールケトンなど 6 ナフタレン、アントラセン、フエナントレ
ン、クリセン等の炭化水素類 7 ニトロベンゼン、p−ジニトロベンゼン、
1,3,5−トリニトロベンゼン、p−ニトロ
ジフエニル、m−ニトロアニリン、2,4−ジ
ニトロアニリンピクラミド、2−クロロ、4−
ニトロアニリン、2,6−ジニトロ−4−ニト
ロアニリンフエノール、p−ニトロフエノー
ル、2、4−ジニトロフエノール、2,4,6
−トリニトロフエノール等のアミノ,ニトロ,
フエノール性化合物 8 ベンズアルデヒド、9−アントラアルデヒ
ド、アセトフエノン、ベンゾフエノン、ジベン
ザルアセトン、ベンジル、p,p′−ジアミノベ
ンゾフエノン、p,p′−ジメチルアミノベンゾ
フエノン、p,p′−テトラメチルジアミノベン
ゾフエノン(ミヒラーケトン)等のケトン系 9 ベンゾキノン、1,2−ナフトキノン、1,
4−ナフトキノン、アントラキノン、1,2−
ベンゾアントラキノン等のキノン系 10 アントロン、1,9−ベンゾアントロン、6
−フエニル−1,9−ベンゾアントロン、3−
フエニル−1,9−ベンゾアントロン、2−ケ
ト−3−アザ−1,9−ベンゾアントロン、3
−メチル−1,3−ジアザ−1,9−ベンゾア
ントロン等のアントロン類 11 アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物 12 メルカプタン類、ジスルフイド類などの有機
イオウ化合物 13 各種ハロゲン化合物 この他、各種オリゴマーないしポリマー、シリ
コーンアクリル系等の各種レベリング剤、撥水、
撥油剤、光安定剤、可塑剤、界面活性剤、帯電防
止剤、各種反応触媒、各種顔料、フイラー、熱重
合禁止(抑制)剤、還元剤等を添加してもよい。 このような活性輻射線、特に紫外線、電子線、
X線により硬化可能なフタロシアニンないしその
組成物は、必要に応じて溶媒中に溶解され、基体
上に塗布設層後、活性輻射線を照射して硬化され
る。 この場合、用いる溶媒としては、 ケトン系(例えばメチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノン等)、芳香
族系(例えばトルエン、キシレン等)、ハロゲン
系(例えばジクロロエタン、トリクレン等)、ア
ルコール系(例えばメタノール、エタノール、プ
ロパノール、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ等)、エステル系(例えば酢酸ブチル、酢酸エ
チル、カルビトールアセテート、ブチルカルビト
ールアセテート等)、水素等が可能である。 そして、活性輻射線により硬化可能なフタロシ
アニンないしその組成物の濃度は、100%以下、
特に20〜100%程度とされる。 塗布方式としては、スピンナー法、デイツプ
法、グラビアコート法、スプレー法等を用いれば
よい。 硬化に用いる紫外線の波長は、主として200〜
400nm程度とされる。また光強度は、ランプ入力
が1w/cm〜1Kw/cm程度となるようにされる。
さらに、硬化時間は、1μsec〜1分程度とし、こ
のとき、硬化雰囲気は、空気中、不活性ガス中、
真空中等いずれであつてもよい。 なお、もし必要であれば、硬化前後、好ましく
は硬化前に、25〜150℃程度の加熱により溶媒の
除去を行う。 用いる電子線は、加速速度が、0.1〜1000kev、
好ましくは0.5〜300kevのものが好適である。 また、電子線照射量は、通常0.01〜100Mrad程
度とする。 なお、硬化雰囲気を窒素、アルゴン、ヘリウム
あるいはこれらの混合ガス等の不活性ガス雰囲気
中とすると、本発明の効果はより一層すぐれたも
のとなる。 なお、用いる電子線加速器には制限はない。 さらに、X線も用いることができる。 なお、重合ないし架橋後のフタロシアニンポリ
マー中には、フタロシアニン色素が100〜1000万
分子程度、特に300〜100万分子程度含まれること
が好ましい。 本発明の媒体の記録層は、このようなフタロシ
アニンポリマーからなるものであるが、記録層中
には、別途他の樹脂が含まれていてもよい。この
とき、塗布性が向上し、記録感度や読み出しの
S/N比等が向上する。 このような樹脂としては、例えば、特願昭58−
15229号等に記載したものが好適である。 樹脂は、フタロシアニンポリマーに対し、重量
%にて20%以下程度含有される。 また、記録層中には、クエンチヤーを含有させ
ることもできる。これにより、再生劣化が減少す
る。 用いるクエンチヤーとしては、特願昭58−
203945号等に記載したものが好適である。 このような記録層を設層するには、一般に常法
に従い塗設すればよい。 そして、記録層の厚さは、通常、0.02〜10μm
程度とされる。 このような記録層を設層する基体の材質には特
に制限はなく、各種樹脂、ガラス、セラミツク
ス、金属等いずれであつてもよいが、書き込み光
および読み出し光に対して実質的に透明であるも
のが好ましい。 また、その形状は使用用途に応じ、テープ、ド
ラム、ベルト等いずれであつてもよい。 なお、基体は、通常、トラツキング用の溝を有
する。 また、基体用の樹脂材質としては、ポリメチル
メタクリレート、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、
ポリカーボネート樹脂、ポリサルフオン樹脂、ポ
リエーテルサルフオン、メチルペンテンポリマー
等の、みぞ付きないしみぞなし基体が好適であ
る。 これらの基体には、耐溶剤性、ぬれ性、表面張
力、熱伝導度等を改善するために、基体上にプラ
イマーをコーテイングすることもできる。 プライマーとしては、例えば、チタン系、シラ
ン系、アルミ系のカツプリング剤や、各種感光性
樹脂等を用いることができる。 また配向を制御するため、配向処理層、配向制
御層を設けてもよい。 また、記録層上には、必要に応じ、各種最上層
保護層、ハーフミラー層などを設けることもでき
る。また、記録層の下に反射層を設けてもよい。 さらに基板に各種処理、例えばコロナ処理等を
行つてもよい。 本発明の媒体は、このような基体の一面上に上
記の記録層を有するものであつてもよく、その両
面に記録層を有するものであつてもよい。また、
基体の一面上に記録層を塗設したものを2つ用
い、それらを記録層が向かいあうようにして、所
定の間隙をもつて対向させ、それを密閉したりし
て、ホコリやキズがつかないようにすることもで
きる。 さらに、記録点が実質的に凹凸を有していない
ので、記録層上に樹脂をコーテイングしたり、さ
らにその上に他の樹脂板を接着したりすることが
できる。そして、このような密着構造とすると、
媒体のコンパクト化、軽量化、媒体の厚みを薄く
できる等の特長を出すことができ、媒体の信頼性
も向上する。 発明の具体的作用 本発明の媒体は、走行ないし回転下において、
記録光をパルス状に照射する。このとき記録層中
のフタロシアニンポリマーが発熱し、即座に急冷
される結果、フタロシアニンポリマー中のフタロ
シアニン間の配向ないし会合状態が変化し、周囲
と反射率ないし透過率の異なる記録点が形成され
る。 この場合、記録点は、通常、周囲と反射率ない
し吸収率の異なる点として記録される。そして、
記録点は実質的に凹凸を有しないものである。 このように形成された記録点は、やはり媒体の
走行ないし回転下、読み出し光の反射光ないし透
過光、特に反射光を検出することにより読み出さ
れる。 この場合、記録および読み出しは、基体側から
行つても、記録層側から行つてもよいが、基体を
とおして行うことが好適である。 そして、一旦記録層に形成した記録点を、光な
いし熱により昇温−徐冷して、フタロシアニンの
配向ないし会合状態をもとにもどし、再び反射率
を周囲と同一にして消去し、再書き込みを行うこ
ともできる。 なお、記録ないし読み出し光としては、半導体
レーザー、He−Neレーザー、Arレーザー、He
−Cdレーザー等を用いることができる。 あるいは、記録光の強度を前記の場合よりも大
きいものとすれば記録点は、周囲に対し凹をなす
ピツトとして形成される。 発明の具体的効果 本発明によれば、従来の有機系材料の記録層の
ように凹凸を有するピツトによつて記録を行わな
いので、記録感度が向上する。 また、再生のS/N比も向上する。 そして、フタロシアニンを用いるので、熱的安
定性や光に対する安定性がきわめて高い。 さらに、コンパクト化を計ることができ、媒体
のパフオーマンスおよび信頼性が向上する。 この場合、凹凸ビツトを形成するときでも、記
録光の光強度を上昇させていつたとき、記録が可
能となるスレツシユホールドが明瞭で、その立ち
上りが大きく、すぐ感度は飽和するので、記録光
強度の変動に対し特性が安定であるという効果が
生じる。 発明の具体的実施例 以下に、本発明の具体的実施例を示す。 実施例 1 基体として、直径30cm、厚さ1.5mmのアクリル
樹脂製のものを用いこの片面に深さ0.08mm、巾
0.9の矩形溝を同心円状に形成した。 次いで、下記組成Aを10%ジクロロエタンに溶
解し、この溶液を0.08厚に、スピンコートし、乾
燥したのち80w/cmの高圧水銀ランプを10秒間照
射して、架橋を行つた。 フタロシアニン No.23 モノマー ペンタエリトリトールテトラア クリラート 開始剤 2−tert−ブチルアントラキノン また、比較のため、FnBr−フタロシアニンの
みの記録層をもつものを同様に作製した。 このようにして作製した各サンプルについて、
600rpmで回転させながら、半導体レーザー
(830nm)をNA=0.5のレンズで集光し(集光部
出力10mW)、パルス巾をかえて書き込み感度を
測定した。 表2に40dBの再生S/N比をとれる感度を示
す。 次いで、パルス巾100nsecで書き込みを行つた。 これにより凹凸がなく、周囲より反射率の異な
る記録点が形成された。 この後0.6mWの半導体レーザー読み出し光を
0.2μsec巾、3KHzのパルスとして照射して、その
反射光を検知して、C/N比を測定した。 また、0.6mW、0.8μs、3KHzの読み出し光りを
5分間照射したときの反射率の劣化率(%)が表
1に併記される。 【表】 表1に示される結果から本発明の効果が明らか
である。 実施例 2 実施例1と同様の基板を用い、下記組成をジク
ロロエタンとシクロヘキサノンの1:1溶液に溶
解し、この溶液を0.09スピンコートし乾燥したの
ち、60W/cmの高圧水銀灯を1秒間照射して架橋
を行つた。 フタロシアニン No.14 ペンタエリトリトールテトラアクリラート 2−tert−ブチルアントラキノン また、比較のためCu−フタロシアニンのみの
記録層の媒体を作成した。 このようにして作製した各サンプルについて、
900rpmで回転させながら、基体裏面側から、He
−Neレーザーを1φに集光し(集光部出力
10mW)、パルス巾100nsecで書き込みを行つた。 これにより、本発明のサンプルでは、実質的に
凹部をなす記録点が形成された。 この後、実施例1と同様の測定を行つた。 結果を表2に示す。 【表】 表2に示される結果から、本発明の効果があき
らかである。
記録媒体とその記録方法に関する。 先行技術 光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出し
ヘツドが非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化
しないという特徴をもち、このため、種々の光記
録媒体の開発研究が行われている。 このような光記録媒体のうち、暗室による画像
処理が不要である等の点で、ヒートモード光記録
媒体の開発が活発になつている。 このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱
として利用する光記録媒体であり、その1例とし
て、レーザー等の記録光で媒体の一部を融解、除
去等して、ピツチと称される小穴を形成して書き
込みを行い、このピツトにより情報を記録し、こ
のピツトを読み出し光で検出して読み出しを行う
ピツト形成タイプのものがある。 このようなピツト形成タイプの媒体、特にその
うち、装置を小型化できる半導体レーザーを光源
とするものにおいては、これまで、Teを主体と
する材料を記録層とするものが大半をしめてい
る。 しかし、近年、Te系材料が有害であること、
そしてより高感度化する必要があること、より製
造コストを安価にする必要があることから、Te
系にかえ、色素を主とした有機材料系の記録層を
用いる媒体についての提案や報告が増加してい
る。 例えば、He−Neレーザー用としては、スクワ
リリウム色素〔特開昭56−46221号、V.B.Jipson
and C.R.Jones,J.Vac.Sci.Tech−nol.,18(1)
105(1981)〕や、金属フタロシアニン色素(特開
昭57−82094号、同57−82095号)などを用いるも
のがある。 また、金属フタロシアニン色素を半導体レーザ
ー用として使用した例(特開昭56−86795号)も
ある。 これらは、いずれも色素を蒸着により記録層薄
膜としたものであり、媒体製造上、Te系と大差
はない。 しかし、色素蒸着膜のレーザーに対する反射率
は一般に小さく、反射光量のピツトによる変化
(減少)によつて読み出し信号をうる。現在行わ
れている通常の方式では、大きなS/N比をうる
ことができない。 また、記録層を担持した透明基体を、記録層が
対向するようにして一体化した、いわゆるエアー
サンドイツチ構造の媒体とし、基体をとおして書
き込みおよび読み出しを行うと、書き込み感度を
下げずに記録層の保護ができ、かつ記録密度も大
きくなる点で有利であるが、このような記録再生
方式も、色素蒸着膜では不可能である。 これは、通常の透明樹脂製基体では、屈折率が
ある程度の値をもち(ポリメチルメタクリレート
で1.5)、また、表面反射率がある程度大きく(同
4%)、記録層の基体をとおしての反射率が、例
えばポリメチルメタクリレートでは60%程度以下
になるため、低い反射率しか示さない記録層では
検出できないからである。 色素蒸着膜からなる記録層の、読み出しのS/
N比を向上させるためには、通常、基体と記録層
との間に、Al等の蒸着反射膜を介在させている。 この場合、蒸着反射膜は、反射率を上げてS/
N比を向上させるためのものであり、ピツト形成
により反射膜が露出して反射率が増大したり、あ
るいは場合によつては、反射膜を除去して反射率
を減少させるものであるが、当然のことながら、
基体をとおしての記録再生はできない。 同様に、特開昭55−161690号には、IR−132色
素(コダツク社製)とポリ酢酸ビニルとからなる
記録層、また、特開昭57−74845号には、1,
1′−ジエチル−2,2′−トリカルボシアニンイオ
ダイドとニトロセルロースとかなる記録層、さら
にはK.Y.Law,et al.,Appl.Phys.Lett.39(9)
718(1981)には、3,3′−ジエチル−12−アセチ
ルチアテトラカルボシアニンとポリ酢酸ビニルと
からなる記録層など、色素と樹脂とからなる記録
層を塗布法によつて設層した媒体が開示されてい
る。 しかし、これらの場合にも、基体と記録層との
間に反射膜を必要としており、基体裏面側からの
記録再生ができない点で、色素蒸着膜の場合と同
様の欠点をもつ。 このように、基体をとおしての記録再生が可能
であり、Te系材料からなる記録層をもつ媒体と
の互換性を有する、有機材料系の記録層をもつ媒
体を実現するには、有機材料自身が大きな反射率
を示す必要がある。 しかし、従来、反射層を積層せずに、有機材料
の単層にて高い反射率を示す例はきわめて少な
い。 わずかに、バナジルフタロシアニンの蒸着膜が
高反射率を示す旨が報告〔P.Kivits,et al.,
Appl.Phys.Part A 26(2)101(1981)、特開
昭55−97033号〕されているが、おそらく昇華温
度が高いためであろうと思われるが、書き込み感
度が低い。 また、チアゾール系やキノリン系等のシアニン
色素やメロシアニン色素を用いる旨が報告〔山本
他、第27回 応用物理学会予稿集 1p−P−9
(1980)〕されており、これにもとづく提案が特開
昭58−112790号になされているが、これら色素
は、特に塗膜として設層するときに、溶剤に対す
る溶解度が小さく、また結晶化しやすく、さらに
は読み出し光に対してきわめて不安定でただちに
脱色してしまい。実用に供しえない。 このような実状に鑑み、本発明者らは、先に、
溶剤に対する溶解度が高く、結晶化も少なく、か
つ熱的に安定であつて、塗膜の反射率が高いイン
ドレニン系のシアニン色素を単層膜として用いる
旨を提案している(特願昭57−134397号、同57−
134170号)。 また、インドレニン系、あるいはチアゾール
系、キノリン系、セレナゾール系等の他のシアニ
ン色素においても、長鎖アルキル基を分子中に導
入して、溶解性の改善と結晶化の防止がはかられ
ることを提案している(特願昭57−182589号、同
57−177776号等)。 さらに、光安定性をまし、特に読み出し光によ
る脱色(再生劣化)を防止するために、シアニン
色素にクエンチヤーを添加する旨の提案を行つて
いる(特願昭57−166832号、同57−168048号等)。 しかし、これらの各媒体とも、記録感度および
再生のS/N比の点で、より一層の向上が望まれ
ている。 発明の目的 本発明の目的は、有機材料系の塗膜を記録層と
する光記録媒体およびその記録方法を改良して、
記録感度を向上し、再生のS/N比を向上し、し
かも再生劣化を減少し、熱的安定性を向上するこ
とにある。 このような目的は、下記の本発明によつて達成
される。 すなわち第1の発明は、 ビニル基を有するフタロシアニンの2分子以上
を架橋してなるフタロシアニンポリマー、または
その組成物からなる記録層を基体上に有する光記
録媒体である。 また第2の発明は、 ビニル基を有するフタロシアニンの2分子以上
を架橋してなるフタロシアニンポリマー、または
その組成物からなる記録層を基体上に有する光記
録媒体に書き込み光をパルス状に照射して、記録
部分のフタロシアニン分子の配向ないし会合状態
をかえ、周囲と反射率ないし透過・吸収率の異な
る記録点を形成して記録を行うことを特徴とする
光記録媒体の記録方法である。 また第3の発明は、 ビニル基を有するフタロシアニンの2分子以上
を架橋してなるフタロシアニンポリマー、または
その組成物からなる記録層を基体上に有する光記
録媒体に書き込み光をパルス状に照射して、記録
層に凹部を形成することにより記録点を形成して
記録を行うことを特徴とする光記録媒体の記録方
法である。 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明
する。 本発明における光記録媒体の記録層は、ビニル
基を有するフタロシアニンの2分子以上を重合な
いし架橋してなるフタロシアニンポリマーまたは
その組成物からなる。 この場合、フタロシアニンポリマーとは、1種
または2種以上のビニル基を有するフタロシアニ
ン色素を2分子以上有するフタロシアニン色素の
重合体、あるいはビニル基を有するフタロシアニ
ン色素と他の成分との共重合体をいう。 そして、このようなフタロシアニンポリマーの
うちでは、ビニル基を有するフタロシアニン色素
の1種または2種以上の単独重合体または共重合
体、ビニル基を有するフタロシアニン色素の1種
または2種以上と、1つまたは2つ以上のビニル
基等を有する共重合体成分の1種または2種以上
との共重合体であることが好ましい。 用いるビニル基を有するフタロシアニンは、下
記式で示されるものである。 Pc(−X)n この場合、Xは、ビニル基含有基であるが、特
に、−L−CR=CH2であることが好ましい。 この場合、Rは、水素または低級アルキル基で
ある。 また、Lは2価の連結基である。 2価の連結基としては、−COO−,−OCO−,−
CONH−,−NHCO−,−O−,−SO2−,−SO2
NH−,NHSO2−,アルキレン基、フエニレン
基ないし、これらが組み合わされた基であること
が好ましい。 この場合、Lのビニル基側端部は、OCO−を
もち、アクリロイル、メタクリロイルであること
が好ましい。 そして、nは1以上の整数であり、一般に1〜
8の任意の整数であつてよいが、通常、2、4ま
たは8ある。 一方、Pcはフタロシアニンの1価以上の残基
を表わし、 上記Xで示されるビニル含有基は、フタロシア
ニン環を形成するベンゼン環に結合するものであ
る。 この場合、ビニル含有基は、フタロシアニンの
ベンゼン環の任意の位置に結合するが、通常は3
−位ないし4−位に結合するものである。 従つて、ビニル含有基の結合位置は、n=2で
は、3,3′−、3,4′−、3,3″−、3,4″−、
4,4′−であり、これら異性体の混合物である。 また、n=4では、3,3′,3″,3−を主と
し、n=8では、3,4,3′,4′、3″,4″,3,
4を主とする。 さらに、フタロシアニンの中心原子には、特に
制限はなく、Fe,Cu,Co,Niなどの他、V,
Pb,Si,Ge,Sn,Al,Ru,Ti,Zn,Mg,
Mn,VO,AlCl,InBr,GaCl(Cl2),InBr(Br)
等の他、H2も可能である。 この場合、フタロシアニン環の上下には、さら
に1ないし2の他の配位子が配位してもよい。 なお、Pcフタロシアニン残基には、通常、他
の置換基は結合しないが、Pcの特にベンゼン環
にはカルボキシ基、スルホ基、アミノ基等の置換
基が結合していてもよい。 次に、ビニル基を有するフタロシアニンの具体
例を挙げる。 なお、下記においてMtはフタロシアニンの中
心金属元素または水素を表わす。 【表】 【表】 このようなフタロシアニン化合物は、以下のよ
うにして合成される。 まず、通常、ベンゼン環に、n個、通常2,4
ないし8個のカルボキシ基を有するフタロシアニ
ンを合成する。 これらの合成法は公知であり、例えば、n=2
は、高分子学会予稿集32巻(1983)3号 P505、
n=4は、Makromol.Chem.182 2429〜2438
(1981)、n=8は、Makromol.Chem.181 565
(1980)に示される。 あるいは、常法に従い、ヒドロキシ基、スルホ
基等の官能基を有するフタロシアニンを合成す
る。 これらに、【式】 (LおよびRは前記に同じ。 YはOH、NH2、COOH等の官能基。) を加え、加熱して反応を行う。 反応後、遠心分離し、上澄み液に水を添加し、
沈澱を得、これを瀘別し、乾燥後、アセトンに溶
解し、濃縮後、精製すればよい。 このようにして得られるフタロシアニン化合物
は、フタロシアニン自体がもつ電子スペクトルと
ほぼ同一である。 また、赤外吸収スペクトルには、1720cm-1前後
のνC=0と1610〜1650cm-1程度のνC=Cを有する。 そして、融点に関しては、一般に170〜200℃程
度で熱分解するものである。 なお、具体的合成例については、例えば昭和59
年3月2日付の特許願等に示される。 これらビニル基を有するフタロシアニンは、通
常、塗膜を形成したのち、紫外線、電子線、X線
等の活性輻射線によつて重合ないし架橋されるも
のである。 この場合、ビニル基を有するフタロシアニン
は、単独で用いてもよく、他の活性輻射線によつ
て硬化可能な化合物と組み合わせて硬化させても
よい。 本発明において特に好適に用いることのできる
活性輻射線により硬化可能な化合物(ポリマー、
オリゴマー、モノマー)としては、下記のものが
ある。 1 モノマーないしオリゴマー 1.1 単官能性モノマー 例えば、アクリル酸、メタクリル酸、メチル
アクリラート、メチルメタクリラート、ブチル
アクリラート、シクロヘキシルアクリラート、
ジメチルアミノエチルメタクリラート、ベンジ
ルアクリラート、カルビトールアクリラート、
2−エチルヘキシルアクリラート、2−エチル
ヘキシルメタクリラート、ラウリルメタクリラ
ート、2−ヒドロキシエチルアクリラート、2
−ヒドロキシエチルメタクリラート、2−ヒド
ロキシプロピルアクリラート、2−ヒドロキシ
プロピルメタクリラート、グリシジルメタクリ
ラート、アクリルアミド、メタクリルアミド、
N−メチロールアクリルアミド、N−ジアセト
ンアクリルアミド、N,N′−メチレンビスア
クリルアミド、スチレン、アクリロニトリル、
ビニルアセタート、N−ビニルピロリドン、フ
エノールエチレンオキサイド付加物のアクリレ
ート、ジシクロベンテニエルオキシエチルアク
リラートなど。 1.2 多官能性アクリル系モノマーないしオリゴ
マー 例えば、エチレングリコールジアクリラー
ト、ジエチレングリコールジアクリラート、ト
リエチレングリコールジアクリラート、ポリエ
チレングリコールジアクリラート、ポリエチレ
ングリコールジメタクリラート、ポリプロピレ
ングリコールジアクリラート、ポリプロピレン
グリコールジメタクリラート、ブチレングリコ
ールジアクリラート、ブチレングリコールジメ
タクリラート、ネオペンチルグリコールジアク
リラート、ネオペンチルグリコールジメタクリ
ラート、1,4−ブタンジオールジアクリラー
ト、1,6−ヘキサンジオールジアクリラー
ト、1,6−ヘキサンジオールジメタクリラー
ト、ペンタエリトリトールジアクリラート、ペ
ンタエリトリトールトリアクリラート、トリメ
チロールプロパントリアクリラート、トリメチ
ロールプロパントリメタクリラート、ビスフエ
ノールSエチレンオキサイド付加物のジアクリ
ラート、ビスフエノールAエチレンオキサイド
付加物のジアクリラート、トリス(2−ヒドロ
キシエチル)イソシアヌレートのジアクリラー
ト、トリス(2−アクリロイルオキシエチル)
イソシアヌレートなど。 1.3 アリル系の多官能性モノマー 例えば、ジアリルフタラート、ジアリルイソ
フタラート、ジアリルマレアート、ジアリルク
ロレンダート、ジアリルアジパート、ジアリル
ジグリコラート、トリアリルシアヌラート、ジ
エチレングリコールビスアリルカルボナートな
ど。 1.4 開環重合系モノマー 例えば、グリシジルシンナマート、オキシカ
ルコンのエポキシ誘導体など。 1.5 ウレタン型アクリル酸エステル 1.6 多価カルボン酸の不飽和エステル 1.7 不飽和アミド 1.8 無機酸とのエステル金属塩 1.9 アセチレン性不飽和基をもつモノマー 1.10グリシジル基をもつモノマー 1.11ジアゾニウム塩系 1.12o−キノンアジド類 例えば、o−ナフトキノンジアジドのスルホ
ン酸エステルなど。 1.13その他、ジヒドロキシカルコン、 ジバニラルアセトン、ジバニラルシロクペン
タノンなど。 1.14感光基をもつビニル系モノマー 1 シンナモイル系 例えば下記のもの 2 シンナミリデン系 例えば下記のもの 3 フリルアクリロイル系 例えば下記のもの 4 クマリン系 例えば下記のもの 5 ピロン系 例えば下記のもの 6 ベンザルアセトフエノン系 例えば下記のもの 7 アントラセン系 例えば下記のもの 8 スチルベン系 例えば下記のもの 9 α−フエニルマレイミド系 例えば下記のもの 10 アジド系 例えば下記のもの CH2=CHOCH2CH2N3 11 不飽和系 例えば下記のもの CH2=CHCOOCH2CH=CH2 CH2=CHOCH2CH2O−CO−CH=CH2 12 ベンゾフエノン系 例えば下記のもの 13 ベンゾイン系 例えば下記のもの 14 1,3−ジオキソラン系 例えば下記のもの 15 ジチオカルバマート系 例えば下記のもの CH2=CH−S−CS=NR 16 アザジオキサビシクロ系 例えば下記のもの 17 スピロピラン系 例えば下記のもの 2 ポリマーないしプレポリマー 既存のポリマーに、例えば、以下の感光基およ
び/またはモノマーで例示した各種感光基を化学
結合したもの。 ポリマーとしては、例えば、各種エポキシ樹
脂、ポリウレタン、ポリアミド、ポリアクリル酸
不飽和ポリエステル、ポリビニルアルコール、シ
リコーン樹脂、マレイン酸共重合体、セルロース
誘導体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、レジ
ナスポリオールアクリレート等、 感光基としては、上記の他、オレフイン、シン
ナモイル、シンナミリデンアセチル、ベンザルア
セトフエノン(カルコン)、スチリルピリジン、
α−フエニルマレイミド、フエニルアジド、スル
ホニルアジド、カルボニルアシド、ジアゾ、o−
キノンジアジド(ジアゾオキシド)、フリルアク
リロイル、クマリン、ピロン、アントラセン、ベ
ンゾフエノン、ベンゾイン、スチルベン、ジチオ
カルバマート、ザンタート、1,2,3−チアジ
アゾール、シクロプロペン、アザ−ジオキサビシ
クロ等がある。 さらには、環化ゴム、ポリコン(ポリエーテル
グリコールとトリレンジイソシアネートとの反応
によるポリウレタンの末端に、アリルイソシアネ
ートまたはアリルアルコールを反応結合せしめて
アリル基を導入したもの等も有用である。 これらは、フタロシアニンに対し、通常80wt
%以下とされる。 さらに、感光性架橋剤を添加することもでき
る。 架橋剤の添加量は、フタロシアニンの80wt%
以下、特に0.1〜80wt%程度とされる。 用いる架橋剤には特に制限はないが、下記のも
のが好適である。 1 重クロム酸塩 例えば、ゼラチン、グルー、卵白、アラビアゴ
ム、ポリビニルアルコールなどの水溶性高分子化
合物と重クロム酸塩との混合物 2 有機アジド化合物 例えば、4,4′−ジアジドスチルベン、4,
4′−ジアジドカルコンなど 3 イオウ化合物 例えば、ペンタエリスリトールテトラキス(β
−メルカプトプロピオネート)など 4 光2重化化合物 例えば、ケイ酸など さらに、開始剤および増感剤を添加することも
できる。 開始剤および増感剤の添加量は、フタロシアニ
ンの0.001〜10wt%程度とされる。 用いる開始剤および増感剤には特に制限はない
が、下記のものが好適である。 1 ベンゾインエーテル系 例えば、イゾブチルベンゾインエーテル、イソ
プロピルベンゾインエーテル、ベンゾインエチル
エーテル、ベンゾインメチルエーテルなど 2 α−アシロキシムエステル系 例えば、1−フエニル−1,2−プロパンジオ
ン−2−(−o−エトキシカルボニル)オキシム
など 3 ベンジルケタール系 例えば、2,2−ジメトキシ、2−フエニルア
セトフエノン、ベンジル、ヒドロキシシクロヘキ
シルフエニルケトンなど 4 アセトフエノン誘導体系 例えば、ジエトキシアセトフエノン、2−ヒド
ロキシ−2・メチル−1・フエニルプロパンアセ
ト1−オンなど 5 ケトン−(ケトン−アミン系)系 例えば、ベンゾフエノン、クロロチオキサント
ン、2−クロロチオキサントン、イソプロピルチ
オキサントン、2−メチルチオキサントン、塩素
置換ベンゾフエノン、ハロゲン置換アルキル−ア
リールケトンなど 6 ナフタレン、アントラセン、フエナントレ
ン、クリセン等の炭化水素類 7 ニトロベンゼン、p−ジニトロベンゼン、
1,3,5−トリニトロベンゼン、p−ニトロ
ジフエニル、m−ニトロアニリン、2,4−ジ
ニトロアニリンピクラミド、2−クロロ、4−
ニトロアニリン、2,6−ジニトロ−4−ニト
ロアニリンフエノール、p−ニトロフエノー
ル、2、4−ジニトロフエノール、2,4,6
−トリニトロフエノール等のアミノ,ニトロ,
フエノール性化合物 8 ベンズアルデヒド、9−アントラアルデヒ
ド、アセトフエノン、ベンゾフエノン、ジベン
ザルアセトン、ベンジル、p,p′−ジアミノベ
ンゾフエノン、p,p′−ジメチルアミノベンゾ
フエノン、p,p′−テトラメチルジアミノベン
ゾフエノン(ミヒラーケトン)等のケトン系 9 ベンゾキノン、1,2−ナフトキノン、1,
4−ナフトキノン、アントラキノン、1,2−
ベンゾアントラキノン等のキノン系 10 アントロン、1,9−ベンゾアントロン、6
−フエニル−1,9−ベンゾアントロン、3−
フエニル−1,9−ベンゾアントロン、2−ケ
ト−3−アザ−1,9−ベンゾアントロン、3
−メチル−1,3−ジアザ−1,9−ベンゾア
ントロン等のアントロン類 11 アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物 12 メルカプタン類、ジスルフイド類などの有機
イオウ化合物 13 各種ハロゲン化合物 この他、各種オリゴマーないしポリマー、シリ
コーンアクリル系等の各種レベリング剤、撥水、
撥油剤、光安定剤、可塑剤、界面活性剤、帯電防
止剤、各種反応触媒、各種顔料、フイラー、熱重
合禁止(抑制)剤、還元剤等を添加してもよい。 このような活性輻射線、特に紫外線、電子線、
X線により硬化可能なフタロシアニンないしその
組成物は、必要に応じて溶媒中に溶解され、基体
上に塗布設層後、活性輻射線を照射して硬化され
る。 この場合、用いる溶媒としては、 ケトン系(例えばメチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノン等)、芳香
族系(例えばトルエン、キシレン等)、ハロゲン
系(例えばジクロロエタン、トリクレン等)、ア
ルコール系(例えばメタノール、エタノール、プ
ロパノール、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ等)、エステル系(例えば酢酸ブチル、酢酸エ
チル、カルビトールアセテート、ブチルカルビト
ールアセテート等)、水素等が可能である。 そして、活性輻射線により硬化可能なフタロシ
アニンないしその組成物の濃度は、100%以下、
特に20〜100%程度とされる。 塗布方式としては、スピンナー法、デイツプ
法、グラビアコート法、スプレー法等を用いれば
よい。 硬化に用いる紫外線の波長は、主として200〜
400nm程度とされる。また光強度は、ランプ入力
が1w/cm〜1Kw/cm程度となるようにされる。
さらに、硬化時間は、1μsec〜1分程度とし、こ
のとき、硬化雰囲気は、空気中、不活性ガス中、
真空中等いずれであつてもよい。 なお、もし必要であれば、硬化前後、好ましく
は硬化前に、25〜150℃程度の加熱により溶媒の
除去を行う。 用いる電子線は、加速速度が、0.1〜1000kev、
好ましくは0.5〜300kevのものが好適である。 また、電子線照射量は、通常0.01〜100Mrad程
度とする。 なお、硬化雰囲気を窒素、アルゴン、ヘリウム
あるいはこれらの混合ガス等の不活性ガス雰囲気
中とすると、本発明の効果はより一層すぐれたも
のとなる。 なお、用いる電子線加速器には制限はない。 さらに、X線も用いることができる。 なお、重合ないし架橋後のフタロシアニンポリ
マー中には、フタロシアニン色素が100〜1000万
分子程度、特に300〜100万分子程度含まれること
が好ましい。 本発明の媒体の記録層は、このようなフタロシ
アニンポリマーからなるものであるが、記録層中
には、別途他の樹脂が含まれていてもよい。この
とき、塗布性が向上し、記録感度や読み出しの
S/N比等が向上する。 このような樹脂としては、例えば、特願昭58−
15229号等に記載したものが好適である。 樹脂は、フタロシアニンポリマーに対し、重量
%にて20%以下程度含有される。 また、記録層中には、クエンチヤーを含有させ
ることもできる。これにより、再生劣化が減少す
る。 用いるクエンチヤーとしては、特願昭58−
203945号等に記載したものが好適である。 このような記録層を設層するには、一般に常法
に従い塗設すればよい。 そして、記録層の厚さは、通常、0.02〜10μm
程度とされる。 このような記録層を設層する基体の材質には特
に制限はなく、各種樹脂、ガラス、セラミツク
ス、金属等いずれであつてもよいが、書き込み光
および読み出し光に対して実質的に透明であるも
のが好ましい。 また、その形状は使用用途に応じ、テープ、ド
ラム、ベルト等いずれであつてもよい。 なお、基体は、通常、トラツキング用の溝を有
する。 また、基体用の樹脂材質としては、ポリメチル
メタクリレート、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、
ポリカーボネート樹脂、ポリサルフオン樹脂、ポ
リエーテルサルフオン、メチルペンテンポリマー
等の、みぞ付きないしみぞなし基体が好適であ
る。 これらの基体には、耐溶剤性、ぬれ性、表面張
力、熱伝導度等を改善するために、基体上にプラ
イマーをコーテイングすることもできる。 プライマーとしては、例えば、チタン系、シラ
ン系、アルミ系のカツプリング剤や、各種感光性
樹脂等を用いることができる。 また配向を制御するため、配向処理層、配向制
御層を設けてもよい。 また、記録層上には、必要に応じ、各種最上層
保護層、ハーフミラー層などを設けることもでき
る。また、記録層の下に反射層を設けてもよい。 さらに基板に各種処理、例えばコロナ処理等を
行つてもよい。 本発明の媒体は、このような基体の一面上に上
記の記録層を有するものであつてもよく、その両
面に記録層を有するものであつてもよい。また、
基体の一面上に記録層を塗設したものを2つ用
い、それらを記録層が向かいあうようにして、所
定の間隙をもつて対向させ、それを密閉したりし
て、ホコリやキズがつかないようにすることもで
きる。 さらに、記録点が実質的に凹凸を有していない
ので、記録層上に樹脂をコーテイングしたり、さ
らにその上に他の樹脂板を接着したりすることが
できる。そして、このような密着構造とすると、
媒体のコンパクト化、軽量化、媒体の厚みを薄く
できる等の特長を出すことができ、媒体の信頼性
も向上する。 発明の具体的作用 本発明の媒体は、走行ないし回転下において、
記録光をパルス状に照射する。このとき記録層中
のフタロシアニンポリマーが発熱し、即座に急冷
される結果、フタロシアニンポリマー中のフタロ
シアニン間の配向ないし会合状態が変化し、周囲
と反射率ないし透過率の異なる記録点が形成され
る。 この場合、記録点は、通常、周囲と反射率ない
し吸収率の異なる点として記録される。そして、
記録点は実質的に凹凸を有しないものである。 このように形成された記録点は、やはり媒体の
走行ないし回転下、読み出し光の反射光ないし透
過光、特に反射光を検出することにより読み出さ
れる。 この場合、記録および読み出しは、基体側から
行つても、記録層側から行つてもよいが、基体を
とおして行うことが好適である。 そして、一旦記録層に形成した記録点を、光な
いし熱により昇温−徐冷して、フタロシアニンの
配向ないし会合状態をもとにもどし、再び反射率
を周囲と同一にして消去し、再書き込みを行うこ
ともできる。 なお、記録ないし読み出し光としては、半導体
レーザー、He−Neレーザー、Arレーザー、He
−Cdレーザー等を用いることができる。 あるいは、記録光の強度を前記の場合よりも大
きいものとすれば記録点は、周囲に対し凹をなす
ピツトとして形成される。 発明の具体的効果 本発明によれば、従来の有機系材料の記録層の
ように凹凸を有するピツトによつて記録を行わな
いので、記録感度が向上する。 また、再生のS/N比も向上する。 そして、フタロシアニンを用いるので、熱的安
定性や光に対する安定性がきわめて高い。 さらに、コンパクト化を計ることができ、媒体
のパフオーマンスおよび信頼性が向上する。 この場合、凹凸ビツトを形成するときでも、記
録光の光強度を上昇させていつたとき、記録が可
能となるスレツシユホールドが明瞭で、その立ち
上りが大きく、すぐ感度は飽和するので、記録光
強度の変動に対し特性が安定であるという効果が
生じる。 発明の具体的実施例 以下に、本発明の具体的実施例を示す。 実施例 1 基体として、直径30cm、厚さ1.5mmのアクリル
樹脂製のものを用いこの片面に深さ0.08mm、巾
0.9の矩形溝を同心円状に形成した。 次いで、下記組成Aを10%ジクロロエタンに溶
解し、この溶液を0.08厚に、スピンコートし、乾
燥したのち80w/cmの高圧水銀ランプを10秒間照
射して、架橋を行つた。 フタロシアニン No.23 モノマー ペンタエリトリトールテトラア クリラート 開始剤 2−tert−ブチルアントラキノン また、比較のため、FnBr−フタロシアニンの
みの記録層をもつものを同様に作製した。 このようにして作製した各サンプルについて、
600rpmで回転させながら、半導体レーザー
(830nm)をNA=0.5のレンズで集光し(集光部
出力10mW)、パルス巾をかえて書き込み感度を
測定した。 表2に40dBの再生S/N比をとれる感度を示
す。 次いで、パルス巾100nsecで書き込みを行つた。 これにより凹凸がなく、周囲より反射率の異な
る記録点が形成された。 この後0.6mWの半導体レーザー読み出し光を
0.2μsec巾、3KHzのパルスとして照射して、その
反射光を検知して、C/N比を測定した。 また、0.6mW、0.8μs、3KHzの読み出し光りを
5分間照射したときの反射率の劣化率(%)が表
1に併記される。 【表】 表1に示される結果から本発明の効果が明らか
である。 実施例 2 実施例1と同様の基板を用い、下記組成をジク
ロロエタンとシクロヘキサノンの1:1溶液に溶
解し、この溶液を0.09スピンコートし乾燥したの
ち、60W/cmの高圧水銀灯を1秒間照射して架橋
を行つた。 フタロシアニン No.14 ペンタエリトリトールテトラアクリラート 2−tert−ブチルアントラキノン また、比較のためCu−フタロシアニンのみの
記録層の媒体を作成した。 このようにして作製した各サンプルについて、
900rpmで回転させながら、基体裏面側から、He
−Neレーザーを1φに集光し(集光部出力
10mW)、パルス巾100nsecで書き込みを行つた。 これにより、本発明のサンプルでは、実質的に
凹部をなす記録点が形成された。 この後、実施例1と同様の測定を行つた。 結果を表2に示す。 【表】 表2に示される結果から、本発明の効果があき
らかである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ビニル基を有するフタロシアニンの2分子以
上を重合ないし架橋してなるフタロシアニンポリ
マー、またはその組成物からなる記録層を基体上
に有することを特徴とする光記録媒体。 2 ビニル基を有するフタロシアニンの2分子以
上を重合ないし架橋してなるフタロシアニンポリ
マー、またはその組成物からなる記録層を基体上
に有する光記録媒体に書き込み光をパルス状に照
射して、記録部分のフタロシアニン分子の配向な
いし会合状態をかえ、周囲と反射率ないし透過・
吸収率の異なる記録点を形成して記録を行うこと
を特徴とする光記録媒体の記録方法。 3 記録点が、実質的に凹凸を有しない特許請求
の範囲第2項に記載の光記録媒体の記録方法。 4 ビニル基を有するフタロシアニンの2分子以
上を重合ないし架橋してなるフタロシアニンポリ
マー、またはその組成物からなる記録層を基体上
に有する光記録媒体に書き込み光をパルス状に照
射して、記録層に凹部を形成することにより記録
点を形成して記録を行うことを特徴とする光記録
媒体の記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59041789A JPS60184887A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | 光記録媒体およびその記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59041789A JPS60184887A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | 光記録媒体およびその記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60184887A JPS60184887A (ja) | 1985-09-20 |
| JPH0447632B2 true JPH0447632B2 (ja) | 1992-08-04 |
Family
ID=12618107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59041789A Granted JPS60184887A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | 光記録媒体およびその記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60184887A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5578419A (en) * | 1991-12-12 | 1996-11-26 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Dyes for color filters, and photosensitive resist resin composition containing the same |
| JP4602807B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2010-12-22 | Jsr株式会社 | スチレン系重合体およびその製造方法並びに屈折率変換材料および光−熱エネルギー変換蓄積材料 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130742A (en) * | 1980-03-18 | 1981-10-13 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Novel recording material |
| JPS5782096A (en) * | 1980-11-12 | 1982-05-22 | Ricoh Co Ltd | Optical information recording medium |
| JPS57212636A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-27 | Ricoh Co Ltd | Optical information recording medium |
| JPS57212639A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-27 | Ricoh Co Ltd | Information recording medium |
| JPS5836490A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-03-03 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPS5962188A (ja) * | 1982-10-02 | 1984-04-09 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS5971894A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-23 | Tdk Corp | 光記録方法 |
| JPS5973994A (ja) * | 1982-10-20 | 1984-04-26 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
-
1984
- 1984-03-05 JP JP59041789A patent/JPS60184887A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60184887A (ja) | 1985-09-20 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |