JPH0448038A - インジウムの分離方法およびインジウムとガリウムとの分離方法 - Google Patents

インジウムの分離方法およびインジウムとガリウムとの分離方法

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JPH0448038A
JPH0448038A JP15835790A JP15835790A JPH0448038A JP H0448038 A JPH0448038 A JP H0448038A JP 15835790 A JP15835790 A JP 15835790A JP 15835790 A JP15835790 A JP 15835790A JP H0448038 A JPH0448038 A JP H0448038A
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iii
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aqueous solution
extractant
acid
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JP15835790A
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Isamu Miura
勇 三浦
Akihiro Fujimoto
藤本 明弘
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Daihachi Chemical Industry Co Ltd
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Daihachi Chemical Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、金属湿式処理などによって生じる、In(m
)、Ga(m)、またはその他の金属イオンを含有する
金属塩水溶液から、In(III)を選択的に抽出し、
Inを分離回収する方法に関する。
さらに、本発明は、上記In(III)を抽出した金属
塩水溶液から、Ga(III)を選択的に抽出し、Ga
を分離回収する方法に関する。
(従来の技術) InおよびGaは、In−P、 Ga−Asなどの化合
物半導体を製造する際の原料であり、近年その需要は増
加している。しかし、これらの金属を主成分として含有
する鉱石は地球上に存在せず、ボーキサイトや一部の亜
鉛鉱石中の微量成分として含有されているにすぎない。
このため、各種の金属精錬プロセスや他の化学処理工程
で排出される溶液や沈澱物に、少量含有されているIn
または6aを回収して利用することが重要である。
例えば、Inは化合物半導体スクラップ、亜鉛鉱浸出残
渣などから回収されている。これらを無機酸で処理して
得られる水溶液は、Inとともに他の金属イオンが含ま
れている。特に、Gaが含まれている場合が多い。この
ような金属塩水溶液からInおよびGaを回収する方法
として溶媒抽出方法がある。例えば、亜鉛鉱浸出残渣を
酸処理して得られた、In、 Ga、 および大量のA
I% Znなどを含有する硫酸塩水溶液を、高級カルボ
ン酸系抽出剤(例えば、シェル化学社製、商品名バーサ
チック10)を含有する抽出溶媒で処理する方法がある
。この方法によれば、InおよびGaを、他の卑金属か
ら分離して、抽出溶媒中に抽出することができる。しか
し、この方法では、InとGaを分離することができず
、InおよびGaと他の卑金属との分離性能も充分でな
い。さらに、抽出剤の水溶性が大きいため、抽出剤が水
相に溶出し、分離性能が低下するとともに、抽出剤の損
失による経済的な問題も無視できない。
上記の方法で抽出されたInとGaとを分離する方法と
しては、上記InとGaとを担持した抽出溶媒から、塩
酸を用いてInおよびGaを逆抽出し、得られたInと
Gaの塩化物水溶液から、イソプロピルエーテルにより
、Gaを抽出し、トリブチルフォスフェートを用いてI
nを抽出する方法がある。しかし、この方法では、硫酸
を使用することができず、装置に対する腐食性が高い塩
酸を使用せざるを得ない。さらに、イソプロピルアルコ
ールは、水溶性’が大きく、金属塩水溶液中に溶出する
という問題点もある。
InとGaとを含有する金属塩水溶液からInを選択的
に抽出し得る抽出剤として、ジー2−エチルへキシルリ
ン酸(DEHPA>も使用され得る。この抽出剤を用い
た場合、抽出溶媒からInを逆抽出する際に、硫酸では
逆抽出能が不十分であり、高濃度の塩酸を使用する必要
がある。したがって、反広装置を腐食する可能性があり
、工業的に好適な方法とは言えない。
高級カルボン酸系抽出剤を用いた溶媒抽出法の欠点を解
決するためにキレート樹脂にInとGaを吸着させる方
法が考案されているが、連続的に分離を行う場合の処理
が煩雑であり、工業的に実施するには効率的に不十分で
ある。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は上記従来の欠点を解決するものであり、その目
的とするところは、In (m) 、Ga (III)
、またはその他の金屑イオンを含有する金屑塩水溶液か
ら、In(nl)を効率的に選択抽出し得、低濃度の無
機酸、特に硫酸を用いてIn(III)を効率的に逆抽
出し得る、Inの分離方法を提供することにある。さら
に、本発明の他の目的は、上記In(’m)を抽出した
金属塩水溶液、特に硫酸塩を含む水溶液から、Ga(I
II)を選択的に抽出し、無機酸を用いてGa(III
)を逆抽出して、Gaを効率的に分離回収する方法を提
供することにある。
(課題を解決するための手段) 本発明は、in(m)と、Ga([[)または少なくと
も1種の他の金属イオンとを含有する金屑塩水溶液から
溶媒抽出法によりインジウムを分離する方法であって、
下記の一般式(I)で示されるジアルキルリン酸を抽出
剤として含有する抽出溶媒と、該金属塩水溶液とを混合
接触させ、In(III)を選択的に抽出する工程;と
、該In(III)を担持した抽出溶媒と、無機酸を逆
抽出剤として含有する水溶液とを混合接触させ、In(
III)を該水溶液中に逆抽出する工程1とを包含し、
そのことにより上記目的が達成される: さらに本発明は、溶媒抽出法により、少なくともIn(
III)とGa(III)とを含有する金属塩水溶液中
のインジウムとガリウムとを分離する方法であって、請
求項1に記載の方法により、該金屑塩水溶液からIn(
III)を分離する工程; In(III)を除去した
該金属塩水溶液と、下記の一般式(m)で示される置換
キノリノールとを抽出剤として含有する抽出溶媒と混合
接触させ、Ga(III)を選択的に抽出する第2抽出
工程;および、Ga(III)を担持した該抽出溶媒と
、無機酸を逆抽出剤として含有する水溶液とを混合接触
することにより、Ga(III)を該水溶液中に逆抽出
する第2逆抽出工程;を包含し、そのことにより上記目
的が達成される:ここで、R1およびR2は、同一また
は相異なり、であり、l+nは8〜20の整数である。
Ql−( ここで、Rは、5〜15個の炭素原子を有するアルキル
基またはアルケニル基である。
本発明で使用される、上記式(I)で示される抽出剤(
抽出剤Aとする)は、高級アルコールとオキシ塩化燐を
反応させ、得られたジアルキルホスホロモノクロライド
を加水分解することによって得られる。高級アルコール
としては、2−へブチルウンデカノール、7,7−シメ
チルー5−メチル−2−(3,3−ジメチル−1−メチ
ルブチル)オクタツール、2−(3−メチルブチル)ノ
ナノール、2−(I−メチルブチル)ノナノールなどが
好適に使用される。上記抽出剤は、単独で、または二種
以上の混合物として用いられ得る。
上記反応生成物は通常目的とするジアルキルリン酸(ジ
エステル)と共に、モノアルキルリン酸(モノエステル
)、トリアルキルリン酸(トリエステル)および未反応
アルコールを含有する。特にモノアルキルリン酸はIn
(m)と安定な錯体を形成するため、抽出工程において
抽出溶媒の、In(II[)とその他金属イオンとの分
離性能を低下させる。また、逆抽出工程において抽出溶
媒からIn(III)を逆抽出することが困難となり、
本発明の方法に好ましくない影響を与える。したがって
、モノアルキルリン酸の含有量は通常、ジアルキルリン
酸とモノアルキルリン酸の合計量に対して10モル%以
下、好ましくは5モル%以下とする。
Ga(III)の抽出剤として用いられる、上記一般式
(III)で示される置換キノリノール(抽出剤Bとす
る)としては、?−(4−エチル−1−メチルオクチル
)−8−ハイドロオキシ牛ノリンなどがある。市販の置
換キノリノールとしては、シエーリング社製のKele
xlooなどが、好適に使用される。
上記の抽出剤AおよびBを必要に応じて適当な有機溶媒
(希釈剤)に混合し、希釈することによって抽出溶媒(
以下、抽出溶媒AおよびB)とする。使用される有機溶
媒は、実質的に水に不溶であり、かつ、抽出剤の機能を
妨害しない溶剤であれば特に限定されない。このような
有機溶媒としては、高引火点のパラフィン系炭化水素、
ナフテン系炭化水素、芳香族炭化水素などがある。この
有機溶媒は、抽出溶媒中の抽出剤の濃度が、通常1〜8
0vo1%、好ましくは、5〜50vo1%となるよう
に添加される。 有機相と水相の二相の分離を促進する
ために抽出溶媒に、相分離促進剤を添加してもよい。相
分離促進剤としては、中性のリン酸エステル、高級アル
コール、アル牛ルフェノール、高級分枝カルボン酸など
があり、例えばトリブチルリン酸、インデカノール、ノ
ニルフェノール、イソドデカン酸などが用いられる。
このような相分離促進剤は、抽出溶媒の金属イオン種を
選択的に抽出する能力を低下させる傾向を持つので添加
量は、抽出剤に対して通常0〜30重量%であることが
好ましい。
本発明を用いてIn(m)、またはIn(m)とGa(
III)とを分離回収することのできる金属塩水溶液と
しては、金属塩湿式処理などによって生じた金属塩水溶
液、化合物半導体スクラップ、亜鉛鉱浸出残渣などを無
機酸で処理して得られる金属塩水溶液など、他の金属イ
オンとともにIn(、m)、またはIn(Ill)とG
a(II[)とを含有する水溶液であればどのようなも
のでもよい。特に、In(III)およびGa(m)以
外の金属イオンとしてFa(II)、Al(m)、およ
びZn(II)を含有する水溶液では、効果的にIn(
III)およびGa(III)を分離することができる
本発明の方法を用いて、金属塩水溶液からIn(■)を
分離回収するには、まず、金属塩水溶液を上記抽出剤A
を含有する抽出溶媒と液−液接触させて、金属塩水溶液
からIn(III)を抽出する。
抽出剤Aを用いてIn(III)を抽出する本発明の方
法は、抽出剤の陽イオン交換能によって金屑イオンを抽
出剤に結合させて抽出する方法であり、抽出が進行する
と抽出剤のH0イオンが金屑イオンと交換されて、水溶
液相に遊離するため、水溶液相のpl+は低下する。第
1図は、抽出剤Aとしてビス (2−ヘブチルウンデン
ル)リン酸を用いて、種々の金属イオンを含有する金属
塩水溶液を抽出した場合の、抽出工程終了後の水相(ラ
フィネート水相)のpHと金属イオンの抽出率との関係
を表すグラフである。第1図かられかるように、ラフィ
ネート水相のpHを通常0.5〜4.0程度の範囲で任
意に調整することよってIn(I[[)を抽出すること
ができる。In(m)の抽出率を高めるためにはpHを
10以上とすることが好ましい。さらに、ラフィネート
水相のpl(を調整することによって、In(II[)
を選択的に抽出することが可能である。例えば、In(
m)、Ga(m)、およびAI (III)を含有する
金属塩水溶液から In(III)を分離しようとする
場合、 In(III)を十分に抽出し、Ga(III
)およびAI(III)を抽出しないpHを選択するこ
とが可能である。あるいは、上記3種のイオンをそれぞ
れ分離しようとする場合は、In(III)およびGa
(I[[)を充分に抽出し、AI (III)を抽出し
ないpHを選択することによって、AI(m)がラフィ
ネート水相中に分離され、In(III)とGa(II
[)とを担持した抽出溶媒から、Ga(III)のみを
充分に逆抽出し得るpHに調製した無機酸水溶液を用い
て、Ga(III)を逆抽出することによって、Ga(
III)が逆抽出水相中に分離される。しかしながら、
抽出剤Aを用いてGa(II[)をAI(III)など
のその他の金属と分離して回収する効率は必ずしも良好
ではない。
次いで、この抽出溶媒を、無機酸を逆抽出剤として含有
する水溶液と接触させて、In(III)を逆抽出する
。無機酸としては硫酸、塩酸、またはその混合物等が用
いられる。逆抽出水相中に回収されるIn塩の種類によ
り無機塩の種類が決定される。
例えば、In(III)を塩化物として回収しようとす
る場合は塩酸が用いられ、硫酸塩として回収しようとす
る場合は硫酸が用いられる。無機酸の濃度は、塩酸を用
いる場合には、0.IN以上、好ましくは0.25N以
上であり、硫酸を用いる場合には0.25N以上、好ま
しくはIN以上である。本発明の方法では逆抽出が容易
に進行するため、無機酸濃度を5N以上にする必要はな
い。この逆抽出工程において、有機相と無機酸を接触す
ることによって有機相中のIn(m)が無機酸のプロト
ンとイオン交換されて、水相のpttは上昇する。In
(III)を効果的に逆抽出するためには、液−液接触
後のpHを適切な値に調整する必要がある。例えば、接
触後のpHが、硫酸を使用した場合には0.9以下、好
ましくは0.4以下となるように、塩酸を使用した場合
には12以下、好ましくは0.8以下となるように水溶
液中の酸濃度を調節する。
さらに、本発明によれば、In(III)を除去したこ
の金属塩水溶液からGa(III)を分離回収すること
ができる。それには、In(III)を除いた金属塩水
溶液を上記抽出剤Bを含有する抽出溶媒と液−液接触さ
せ、その後、この抽出溶媒から無機塩水溶液を用いてG
a(III)を逆抽出する。
抽出剤Bを用いてGa(III)を分離回収する方法は
、抽出剤が金属イオンとキレートを形成して、金属イオ
ンを抽出する方法である。この場合も抽出が進行すると
、H3イオンが水溶液中に遊離し、水溶液相のpHは低
下する。第5図は、抽出剤BとしてKelexlOOを
用いて、種々の金属イオンを含有する金属塩水溶液を抽
出した場合のラフィネート水相のpttと金属イオンの
抽出率との関係を表すグラフである。第5図かられかる
ように、ラフィネート水相のpttを通常1.0〜4.
0種度の範囲で任意に調整することよって、Ga(II
I)を抽出することができる。Ga(m)の抽出率を高
めるためにはpHを1.5以上とすることが好ましい。
さらに、ラフィネート水相のpHを調整することによっ
て、Ga(■)を選択的に抽出することが可能である。
例えば、Ga(m)、Fe (It )、およびAt(
III)を含有する金属塩水溶液からGa(III)を
分離しようとする場合、 Ga(III)を十分に抽出
し、Fe (II )およびAI(III)を抽出しな
いpttを選択することが可能である。
Ga(Ill)を逆抽出するための無機酸としては硫酸
、塩酸、またはその混合物等が用いられる。例えば、G
a(III)を塩化物として回収しようとする場合は塩
酸が用いられ、硫酸塩として回収しようとする場合は硫
酸が用いられる。無機酸の濃度は、塩酸を使用する場合
には、IN以上、好ましくは1.5〜3Nであり、硫酸
を使用する場合には、2N以上、好ましくは3N以上、
さらに好ましくは4N−1ONである。
上記のIn(III)およびGa(m)の抽出工程にお
いてラフィネート水相のpHを調整するには、通常抽出
溶媒中の抽出剤の酸性基を予め適当な比率だけアルカリ
塩(例えば、アンモニウム塩)とする。
あるいは、要求に応じて装置に導入される有機相または
水相にアルカリまたは無機酸を添加混合してもよい。こ
こで、アルカリとしては、アンモニウムイオン、アルカ
リ金属イオン、および抽出する金属イオンより高pHに
おいて抽出される金属イオンの水酸化物または炭酸塩が
適当である。例えばアンモニア、水酸化ナトリウム、炭
酸ナトリウム等であり、これらは、通常、水溶液として
添加される。
抽出溶媒と金属塩水溶液とを接触させ抽出する方法は、
溶媒抽出法において用いられる周知のどの手順によって
もよい。連続の多段接触法のみならず、バッチ、連続バ
ッチ及びバッチ回流法も有効である。向流の多段式抽出
を行なう場合に充填塔、パルスカラム、円盤基等の塔式
装置、またはミキサー・セトラーが好んで用いられるが
本発明には一般に使用される周知のどの溶媒抽出法の接
触装置も使用可能である。
抽出に際して、抽出溶媒と金属塩水溶液との容積比は特
に限定されるものではないが、通常1:20から20:
1. 好ましくは、1:20〜5: 1である。この容
積比は、抽出溶媒中の抽出剤の濃度ならびに金属塩水溶
液中の抽出すべき金属イオンの濃度および有機相と水相
を接触させる方法(例えば装置の様式)を考慮して決定
する。一般に、ラフィネート水相中に残留する目的イオ
ン(In(m)またはGa(m))の量を最小限とし、
有機相(抽出溶媒)中に目的イオンが高濃度で含有され
るように、調整される。
液−液接触および相分離の行なわれる温度は、有機相の
粘度低下および相分離速度を促進するという点から高い
方が良好であるが決定的なものではない。その温度は、
抽出溶媒に使用した有機溶媒の引火点、反応エネルギー
などを考慮して、通常、10〜80℃に保たれる。液−
液接触の所要時間は、接触の方法、使用装置、温度およ
び抽出される金属イオンなどの条件によって異なるが、
通常5分間以上、撹拌混合することが好ましい。
In(III)またはGa(III)を担持した抽出溶
媒から、無機酸水溶液を用いてIn(m)またはGa(
III)を回収する逆抽出工程は、抽出工程と同様の手
順によって任意の液−液接触装置を用いて行ないうる。
例えばミキサ・七トラを1〜数段に用いることによって
、抽出溶媒から目的イオンを除去することができる。逆
抽出水相中にはIn(III)またはGa(m)が含有
されていてもよい。例えば、1度In(I[[)または
Ga(III)を逆抽出した逆抽出水相を、再度逆抽出
水相に循環使用することによって、In(m)またはG
a(III)を高濃度に濃縮して回収することができる
逆抽出工程での有機相と無機酸水溶液の容積比は、有機
相中のIn(III)またはGa(m)の濃度および無
機酸水溶液の濃度に関係し、かなり広範囲に設定するこ
とができる。その比は、通常、20:l〜l:10に選
択される。
逆抽出時の温度は、抽出時と同様の観点から、通常lO
〜80°Cにおいて実施されるが、決定的なものではな
い。逆抽出工程における液−液接触の必要時間も抽出工
程と同様の諸条件を考慮して決定されるべきである。通
常、5分間以上撹拌混合を行うことが好ましい。
逆抽出工程後再生された抽出溶媒は、新たな抽出工程に
循環使用され得る。
さらに、抽出工程において抽出されるべき金属イオンと
共に他の金属イオンが、抽出溶媒中に存在する場合、抽
出工程と逆抽出工程との間に洗浄工程を設けることによ
って、不純物金屑イオンを分離して目的イオンのみを回
収することできる。
例えば、抽出溶媒Aには、In(III)と共に、Ga
(■)、Zn(II)、AI(m)、Fe(I[)など
が抽出されやすい。そして、抽出溶媒Bには、Ga(I
ll)と共に、Fe(II)、Zn(II)、AI(I
[[)などが共存する場合が多い。洗浄工程では、周知
の液−液接触装置を用い、上記の液−液接触の手順を適
用して、抽出溶媒を、無機酸を含有する水溶液と接触さ
せる。このとき、無機酸水溶液の濃度によって接触後の
pHを調整し、不純物金属イオンが水相へ充分に移行し
、抽出すべき金属イオンが水相へ移行しないようにする
。接触後のpHの最適値は、対象金属イオン種に応じて
適宜設定されるが、通常1.0〜5.0の範囲である。
抽出溶媒と水相との容積比は広範囲に設定できるが、工
業的には、通常、1:5〜10:1の範囲が用いられる
。洗浄工程の温度は抽出または逆抽出工程と同様に通常
lO〜80°Cに保たれる。なお洗浄工程は、洗浄され
るべき金属イオン種;例えばGa(III)、Zn(I
I)、Al(III)、Fe(U)などの純度を向上さ
せるために、2段階以上の工程に分けても実施可能であ
る。洗浄後の金属塩を含有する水相は抽出工程に循環さ
れるかまたは別途回収される。
本発明の方法によれば、抽出溶媒Aを用いて、In(m
)、Ga(m)、Fe (II) 、AI (m)、Z
n(■)などを含有する金属塩水溶液からIn(III
)を効率的に抽出することが可能である。さらに、In
(III)を担持した抽出溶媒Aから、In(III)
を逆抽出することも容易である。例えば、0.IN以上
の低濃度の塩酸または0.25N以上の硫酸で効果的に
逆抽出を行うことができる。
さらに、本発明の方法によれば、上記でIn(III)
を分離した後の金属塩水溶液から、抽出溶媒Bを用いて
、Ga(III)を効率的に分離抽出することができる
。そして、抽出溶媒Bに担持されたGa(m)は、4N
−10Nの硫酸または1.5〜3Nの塩酸で逆抽出する
ことが可能である。
(実施例) 本発明を以下の実施例につき説明する。
夫流を口よ 抽出剤として下記の構造を有するビス(2−へブチルウ
ンデシル)リン酸(以下、B2HUPAとする)を用い
て、In(III)を含む数種の金属イオンに対する抽
出能を評価した。
ROO \/ /\ ROOH ここで、Rは、 (CH3)3CCH2CH(CHx)
CH2CH2CHCH2−(CH3)3CC112CH
(CH3)である。
B2HUPAをケロシン(脂肪族系炭化水素希釈剤)に
溶解させ、抽出溶媒とした。用いたB211UPAの純
度は?2. Ovt%であり、モノエステルを1.7v
t%含有していた。抽出溶媒中の抽出剤濃度は、B2H
UPAとモノエステルとの合計濃度が0.5mol/ 
IQ (以下、抽出溶媒中の抽出剤の濃度はジエステル
とモノエステルとの合計濃度で示す。)となるように調
整した(約45vo1%)。
ラフィネート水相のpHを調節するために、この抽出溶
媒を水酸化ナトリウム溶液と接触させ、適当な割合の抽
出剤をナトリウム塩とした。
金属塩水溶液としてIn(nI)、(ia(III)、
Fe(■)、AI(I[[)およびZn(II)ノ硫酸
塩を含有する水溶液を調製した。金属イオンの濃度は、
抽出溶媒に添加した水酸化ナトリウム溶液が接触の際に
水相に移行することを考慮し、水相の総体積に対して初
濃度が以下のようになるように調整した。
すなわち、In(m)が0.50g/jZ、  Ga 
(II[)が0.46g/4、Fe(n)が1.54g
/4、AI (III)が1.41g/42.モしテa
n(II)が3.1’8g/42.であった。後述の実
施例においても、酸およびアルカリの量を考慮して金属
塩の初濃度を調整している。
上記の抽出溶媒と金属塩水溶液とを、容積比が1: l
となるように混合し、エルシンマイエルフラスコ中で2
5°Cにおいて2時間系とうして、接触させた。次いで
混合物を静置し、水相と有機相とを分離させた。二相分
離後の水相(ラフィネート水相)のpHと、水溶液から
有機相に抽出された各金属イオンの比率(抽出率)との
関係を第1図に示す。
第1図から明らかなように本発明の方法によれ゛ば、ラ
フィネート水相のpt+が上昇するに従って、In(m
)、Zn (II )、Ga(III)、AI(m)、
Fe(■)の順序で金属イオンが抽出される。In(I
II)を十分に抽出するためにはラフィネート水相のp
Hを約0.5以上、好ましくは1.0以上に調整する。
ラフィネート水相のpl+を選択することによってIn
(III)を、その他の金属イオンと分離することが可
能である。例えば、ラフィネート水相のpl+を約lO
に調整することによって、In(m)のみが有機相に抽
出され、 Zn(II)の大部分およびGa(m)、A
I(m)、Fe(II)は水相に残ることがわかる。
爽血且1 金属塩水溶液として、In(m)、Ga(m)、Fe(
m)、Al(III)、およびZn(II)の硫酸塩を
含有する水溶液を用いたこと以外は実施例1と同様にし
て金属イオンの抽出を行った。金属イオンの初濃度は、
In(m)が0.50g/II、Ga(m)が0゜51
g/42. Fe(I[1)が1.67g/4、AI(
m)が1゜59g/42、そしてZn(II)が3.2
3g/4であった。
ラフィネート水相のpHと各金属イオンの抽出率の関係
を第2図に示す。第2図から明らかなように、本発明の
方法によれば、In(III)をZn(ff)、Ga(
III)、およびAI(III)の金属イオンと分離す
ることが可能である。しかし、Fe(m)はIn(II
I)とほぼ同じpHで抽出されるため、In(III)
と分離することは不可能であった。
火立匠立 金属塩水溶液として、In(In)、Ga(m)、Fe
(II)、AI(III)、およびZn(II)の硫酸
塩を含有する水溶液を用い、金属イオンの初濃度を、I
n(III)が0.31g/4. Ga(III)が0
.29g/42. Fe(I[)が15.7g/u、A
I (I[[)が15.7 g /ユ、そしてZr+(
IT)が320g/I2.とじたこと以外は実施例1と
同様にして金属イオンの抽出を行った。
ラフィネート水相のpHと各金属イオンの抽出率の関係
を第3図に示す。実施例1では、金属塩水溶液中のIn
(II[)の初濃度は、Fe(I[)および^1(II
I)の初濃度の1/3、Zn(II)のl/6であった
が、本実施例では、Fe(I[およびAI(m)の11
50、Zn (I[)の1/looとした。第3図から
明らかなように、本発明によれば、高濃度に不純物全屈
イオンを含有する金属塩水溶液からも容易にIn(nl
)を分離抽出することができる。
去1狙± 抽出剤として下記の構造を有するビス(2−ペンチルノ
ニル)リン酸(以下、B2PNPAとする)を用いて、
In(nl)を含む数種の金属イオンに対する抽出能を
評価した: ここで、Rは、・CH2Cl (Ch)CIhCHa−
1またはCH3C82C82C)I(C1+3)−であ
る。
B2PNPAをケロシンに溶解させ、抽出溶媒とした。
用いたB2PNPAの純度は67、8vt%であり、モ
ノエステルを0.2vt%含有していた。抽出溶媒中の
抽出剤濃度は、82PNPAとモノエステルとの合計濃
度が0.5mol/λとなるように調整された(約40
vo1%)。
金属塩水溶液としては、実施例3と同様の金属塩水溶液
を用いた。
上記抽出溶媒と金属塩水溶液とを用いて、実施例1と同
様にして金属イオンの抽出を行った。ラフィネート水相
のpl+と各金属イオンの抽出率との関係を第4図に示
す。第4図から明らかなように、B2PNPAはB21
1UPAと同様の抽出能を有する。そして、ラフィネー
ト水相のpHを選択することによって、In(III)
を他の金属イオンと分離することができる。
実迦lti 抽出剤として、代表的な置換キノリノールである、Ke
lexlOOを用いて、Ga(III)を含む数種の金
属イオンに対する抽出能を評価した。
まず、Kelexlooをケロシンに溶解させ、抽出溶
媒とした。抽出溶媒中の抽出剤の濃度は、25vo1%
となるように調整した。
金属塩水溶液としてGa(III)、Fe (II )
、AI(■)およびZn (II )の硫酸塩を含有す
る水溶液を調製した。金属イオンの濃度は、Ga(m)
が0.31g/j2.、Fe(I[)が15.6g/4
.  At (m)が16゜0 g / 42、そして
Zn(ff)が3L、3g/12であった。
ラフィネート水相のpHを調節するために、この金属塩
水溶液に、硫酸または水酸化ナトリウム溶液を添加した
上記抽出溶媒と金属塩水溶液とを用いて、実施例1と同
様にして金属イオンの抽出を行った。ラフィネート水相
のpHと各金属イオンの抽出率との関係を第5図に示す
。第5図から明らかなように、本発明の方法によれば、
ラフィネート水相のpHが上昇するに従って、Ga(I
II)、Fe (II )、AI (III)=Zn(
II)の順序で金属イオンが抽出される。Ga(III
)を十分に抽出するためにはラフィネート水相のpuを
約1.0以上、好ましくは1.5以上に調整する。ラフ
ィネート水相のpHを選択することによってGa(II
I)を、その他の金屑イオンと分離することが可能であ
る。例えば、ラフィネート水相のpHを1.6〜2.0
に調整することによって、Ga(III)のみが有機相
に抽出され、 Fe(II)の大部分およびAI(m)
とZn(II)は水相に残ることがわかる。
夫監匹立 抽出剤として、実施例1と同様のB2HUPAを用い、
B2HUPAの濃度が0.3mol#Zとなるようにケ
ロシンに溶解して、抽出溶媒とした(約27vo1%)
。この抽出溶媒を硫酸インジウムの水溶液と接触させて
、1.0g/、QのIn(III)を担持した有機相を
得た。この有機相を等容量の硫酸または塩酸水溶液と混
合し、25°Cで2時間振とうして接触させた。無機酸
水溶液の初濃度と、有機相から逆抽出されたIn(■)
の比率(逆抽出率)との関係を後述の比較例1の結果と
共に表1に示すとともに、第6図にグラフで示した。
止木1工 抽出剤として、ジ(2−エチルヘキフル)リン酸(D2
EHPA)を用いたこと以外は実施例6と同様にして、
In(m)の逆抽出を行った。無機酸水溶液の初濃度と
、有機相から逆抽出されたIn(III)の比率(逆抽
出率)との関係を表1に示す。
(以下余白) 表1から明らかなように、本発明の方法では、0.5N
の塩酸でも99%以上のIn(III)を逆抽出するこ
とが可能である。さらに、硫酸を用いた場合には、従来
の抽出剤を用いた比較例1では、8Nの硫酸でも50%
以下のIn(III)Lか逆抽出されないのに対し、本
発明の方法を用いた実施例6では、2Nの硫酸でも98
%以上のIn(III)を逆抽出することが可能である
実耐l舛1− 逆抽出を行う無機酸水溶液として、01〜2Nの硫酸ま
たは塩酸水溶液を用いたこと以外は、実施例6と同様に
逆抽出を行った。使用した無機酸の初濃度および接触後
の水相のpHと、In(m)の逆抽出率との関係を表2
に示す。
(以下余白) 表2から、有機相と無機酸水溶液との接触により、有機
相中のIn(m)と無機酸水溶液中のH9イオンとのイ
オン交換反応により、接触後の水相のH3イオン濃度が
、低下していることがわかる(pHが上昇している)。
接触後の水相のpHと逆抽出率との関係を第7図に示し
た。
第7図から明らかなように、In(III)の逆抽出に
おいて、接触後の水相のp)Iは、硫酸を使用する場合
には0.8以下、好ましくは0.6以下であり、塩酸を
使用する場合には1.1以下、好ましくは1.0以下で
あれば充分である。
え1匠且 抽出剤として、B2PNPAを用い、B2PNPA濃度
が03鵬o1/λとなるようにケロシンに溶解して抽出
溶媒を調製した(約25vo1%)。実施例6と同様に
して、この有機相に1.Og/ffiのIn(III)
を担持させた。次いで、実施例6と同様にしてこの有機
相を等容量の塩酸と接触させてIn(m)の逆抽出を行
った。塩酸の初濃度と逆抽出率の関係を表3に示す。
表3 0.24   0.49   0,97   1.94
逆抽出率(%>  40.8 91,6 99.6 1
00表3より、82PNPAを使用した場合でも、本発
明の方法では、0.5Nの塩酸で90%以上のIn(m
)が逆抽出され、低濃度の塩酸で逆抽出が可能であるこ
とが明かである。
L監匠ユ 抽出剤としてKelexlooを用い、Kelexlo
oの濃度が25vo1%となるようにケロンンに溶解さ
せて、抽出溶媒とした。この抽出溶媒を硫酸ガリウム水
溶液と接触させて、有機相に3.1g/4のGa(II
I)を担持させた。この有機相を等容量の無機酸水溶液
と混合し、25°Cで2時間糸とうして接触させ、逆抽
出を行った。無機酸の初濃度とGa(m)の逆抽出率と
の関係を表4に示す。
表4より、KelexlOOを抽出剤に用いた抽出溶媒
からのGa(I[[)の逆抽出において、硫酸を使用し
た場合には、4N程度の硫酸で、充分にGa(III)
を逆抽出することが可能であり、塩酸を用いた場合には
、約2Nの塩酸を用いた場合に逆抽出率が最高の値を示
すことがわかる。
(発明の効果) 本発明の方法によれば、In、 Gas またはその他
の金属イオンを含有する金属塩水溶液から、Inイオン
を効率的に選択抽出することが可能であり、さらに、低
濃度の無機酸水溶液を用いてIn(III)を逆抽出す
ることが可能である。例えば、2N以下の濃度の塩酸ま
たは硫酸を用いてIn(II[)をほぼ100%逆抽出
することが可能である。したがって、無機酸水溶液によ
って装置が腐食されるなどの問題が少ない。
さらに、本発明の方法によれば、上記Inイオンを抽出
した金属塩水溶液から、Gaイオンを効率的にかつ選択
的に抽出することができる。そして抽出したGaイオン
を容易に逆抽出することができる。
上記の逆抽出工程はいずれも高収率で実施されるため抽
出溶媒を繰り返し使用することが可能である。
このように、本発明の方法は、In(m)及びGa(I
II)を容易かつ安価に分離する方法を提供する。
4、・ の、 な説日 第1図は、B2HUPAを用いて、In (m) 、G
a (m)、Fe(II) 、Al (III) 、お
よび2n(II)の硫酸塩を含有する水溶液から金属イ
オンを抽出した場合の、ラフィネート水相のpHと抽出
率との関係を示すグラフである。
第2図は、B2+1UPAを用いて、In (m) 、
Ga (IIJ)、Fe (m) 、AI (III)
 、およびZn(II)の硫酸塩を含有する水溶液から
金属イオンを抽出した場合の、ラフィネート水相のp+
+と抽出率との関係を示すグラフである。
第3図は、B2HIIPAを用いて、In (LH) 
、Ga (III)、および、高濃度のFe (II)
 、AI (III)およびZn(IJ)の硫酸塩を含
有する水溶液から金属イオンを抽出した場合の、ラフィ
ネート水相のpHと抽出率との関係を示すグラフである
第4図は、B2PNPAを用いて、In (III) 
、Ga (m)、Fe (U ) 、AI (III)
 、およびZn(I[)の硫酸塩を含有する水溶液から
金屑イオンを抽出した場合の、ラフィネート水相のpH
と抽出率との関係を示すグラフである。
第5図は、kelexlOOを用いて、Ga(m)、F
e(I1) 、AI (m) 、およびZn (I[)
の硫酸塩を含有する水溶液から金屑イオンを抽出した場
合の、ラフィネート水相のpHと抽出率との関係を示す
グラフである。
第6図は、In(III)を担持したB2HUPAから
硫酸および塩酸水溶液を用いて、In(III)を逆抽
出した場合の、無機酸初濃度と逆抽出率との関係を示す
グラフである。
第7図は、In(III)を担持したB2HIIPAか
ら硫酸および塩酸水溶液を用いて、In(IIIr)を
逆抽出した場合の、接触後の水相のpHと逆抽出率との
関係を示すグラフである。
第3図 第4図 以上 ラフイネ−1−71(オ目 pH(25°C)第5図 ラフィネート木f目pH 第6図 100「、。
酸ネl渡(N) 第7図 水不目 H

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、In(III)と、Ga(III)または少なくとも1種
    の他の金属イオンとを含有する金属塩水溶液から溶媒抽
    出法によりインジウムを分離する方法であって、 下記の一般式( I )で示されるジアルキルリン酸を抽
    出剤として含有する抽出溶媒と、該金属塩水溶液とを混
    合接触させ、In(III)を選択的に抽出する工程;と
    、 該In(III)を担持した抽出溶媒と、無機酸を逆抽出
    剤として含有する水溶液とを混合接触させ、In(III
    )を該水溶液中に逆抽出する工程;とを包含する、 インジウムの分離方法: ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) ここで、R^1およびR^2は、同一または相異なり、
    ▲数式、化学式、表等があります▼の構造を有し、mは
    4以上の整数 であり、m+nは8〜20の整数である。 2、前記抽出剤に混入する下記の一般式(II)で示され
    るリン酸モノアルキルが、前記一般式( I )で示され
    るリン酸ジアルキルと該リン酸モノアルキルの合計量に
    対して10モル%以下の濃度である、請求項1に記載の
    方法: ▲数式、化学式、表等があります▼(II) ここで、R^3は前記式( I )で示されるR^1また
    はR^2と同様である。 3、前記抽出溶媒が、前記一般式(II)で示されるリン
    酸モノアルキルを、前記リン酸ジアルキルと該リン酸モ
    ノアルキルの合計量に対して5モル%以下の濃度で含有
    する、請求項2に記載の方法。 4、前記逆抽出剤が、塩酸、硫酸、およびそれらの混合
    物からなる群から選択される、請求項1に記載の方法。 5、前記逆抽出剤が硫酸であり、そして、逆抽出後の該
    逆抽出剤水溶液のpHが0.9以下である、請求項1に
    記載の方法。 6、前記逆抽出剤が塩酸であり、そして、該逆抽出剤水
    溶液の初期濃度が6N以下である、請求項1に記載の方
    法。 7、前記逆抽出剤が塩酸であり、そして、逆抽出後の該
    逆抽出剤水溶液のpHが1.2以下である、請求項1に
    記載の方法。 8、前記金属塩水溶液に含有されるIn(III)および
    Ga(III)以外の金属イオンが、Fe(II)、Al(
    III)、Zn(II)である、請求項1に記載の方法。 9、溶媒抽出法により、少なくともIn(III)とGa
    (III)とを含有する金属塩水溶液中のインジウムとガ
    リウムとを分離する方法であって、 請求項1に記載の方法により、該金属塩水溶液からIn
    (III)を分離する工程; In(III)を除去した該金属塩水溶液と、下記の一般
    式(III)で示される置換キノリノールとを抽出剤とし
    て含有する抽出溶媒と混合接触させ、Ga(III)を選
    択的に抽出する第2抽出工程;および、Ga(III)を
    担持した該抽出溶媒と、無機酸を逆抽出剤として含有す
    る水溶液とを混合接触することにより、Ga(III)を
    該水溶液中に逆抽出する第2逆抽出工程;を包含する、 インジウムとガリウムとの分離方法: ▲数式、化学式、表等があります▼(III) ここで、Rは、5〜15個の炭素原子を有するアルキル
    基またはアルケニル基である。 10、前記第2逆抽出工程で使用される前記逆抽出剤が
    、塩酸、硫酸、およびそれらの混合物からなる群から選
    択される、請求項9に記載の方法。 11、前記第2逆抽出工程で使用される前記逆抽出剤が
    、10N以下の濃度の硫酸である、請求項9に記載の方
    法。 12、前記第2逆抽出工程で使用される前記逆抽出剤が
    、1.5〜3Nの濃度の塩酸である、請求項9に記載の
    方法。
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JP2011063882A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Solar Applied Materials Technology Corp 銅・インジウム・ガリウム・セレンの回収方法
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