JPH0448341B2 - - Google Patents
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- JPH0448341B2 JPH0448341B2 JP9229286A JP9229286A JPH0448341B2 JP H0448341 B2 JPH0448341 B2 JP H0448341B2 JP 9229286 A JP9229286 A JP 9229286A JP 9229286 A JP9229286 A JP 9229286A JP H0448341 B2 JPH0448341 B2 JP H0448341B2
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- Japan
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- temperature
- heating
- value
- heating cylinder
- control
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラスチツク射出成形機に係り、特
にそれの加熱シリンダにおける温度制御装置に関
するものである。
にそれの加熱シリンダにおける温度制御装置に関
するものである。
通常のプラスチツク射出成形機は、加熱シリン
ダ内に射出用スクリユーを回転ならびに前後進可
能に配設していた。そしてこのスクリユーの回転
により溶融状態の合成樹脂を加熱シリンダ先端部
の蓄積室に送り込み、しかる後にスクリユーを前
進させてキヤビテイ内に合成樹脂を射出、充填す
るシステムになつている。
ダ内に射出用スクリユーを回転ならびに前後進可
能に配設していた。そしてこのスクリユーの回転
により溶融状態の合成樹脂を加熱シリンダ先端部
の蓄積室に送り込み、しかる後にスクリユーを前
進させてキヤビテイ内に合成樹脂を射出、充填す
るシステムになつている。
プラスチツクの成形を高精度、高品質に行うた
めに、前記加熱シリンダをその軸方向に沿つて４
〜６個程度の複数の加熱ゾーンに分けて、各加熱
ゾーン毎に温度制御を行つている。
めに、前記加熱シリンダをその軸方向に沿つて４
〜６個程度の複数の加熱ゾーンに分けて、各加熱
ゾーン毎に温度制御を行つている。
この温度制御には、比例制御（Ｐ制御）を基本
として、温度制御プロセスの遅れを補償するため
の微分制御（Ｄ制御）、ならびにオフセツト値を
小さくするための積分制御（Ｉ制御）を加えた所
謂、PID制御法が使用されている。
として、温度制御プロセスの遅れを補償するため
の微分制御（Ｄ制御）、ならびにオフセツト値を
小さくするための積分制御（Ｉ制御）を加えた所
謂、PID制御法が使用されている。
このPID制御の各設定値を適当に組合せること
によつて、一定の設定温度に対しては、ヒータの
オン、オフ切替頻度および設定温度からの偏差を
最小に保つように加熱シリンダの温度制御を行う
ことができる。
によつて、一定の設定温度に対しては、ヒータの
オン、オフ切替頻度および設定温度からの偏差を
最小に保つように加熱シリンダの温度制御を行う
ことができる。
このPID温度制御法におけるＰ，Ｉ，Ｄ設定の
最適値については、チグラー アンド ニコラス
（Ziegler ＆ Nichols）の方法が知られており、
制御が安定している状態で、制御動作をＰ制御の
みにして、比例帯を徐々に狭めていき、サイクリ
ングが発生する比例帯を求める。このときの比例
帯Kp（％）と振動周期Tc（分）より、下式で与え
られる。なお各式の設定値1.6、0.5、0.125は、推
賞値である。
最適値については、チグラー アンド ニコラス
（Ziegler ＆ Nichols）の方法が知られており、
制御が安定している状態で、制御動作をＰ制御の
みにして、比例帯を徐々に狭めていき、サイクリ
ングが発生する比例帯を求める。このときの比例
帯Kp（％）と振動周期Tc（分）より、下式で与え
られる。なお各式の設定値1.6、0.5、0.125は、推
賞値である。
Ｐ＝1.6Kp
Ｉ＝0.5Tc
Ｄ＝0.125Tc
またＰ，Ｉ，Ｄ制御の設定値を変更するときの
各特性の傾向は次のようになる。
各特性の傾向は次のようになる。
(イ) Ｐの設定値を大きくすると、
・オーバシユートは小となる。
・応答は緩やかになる。
(ロ) Ｐの設定値を小さくすると、
・オーバシユートは大となる。
・応答は速くなる。
(ハ) Ｄの設定値を大きくすると、
・オーバシユートは小となる。
・応答は緩やかとなる。
(ニ) Ｄの設定値を小さくすると、
・オーバシユートは大となる。
・応答は速くなる。
(ホ) Ｉの設定値を大きくすると、
・オフセツト値は小となる。
・応答は緩やかとなる。
(ヘ) Ｉの設定値を小さくすると、
・オフセツト値は大となる。
・応答は速くなる。
しかし、射出成形機においては、
加熱シリンダの熱容量（加熱シリンダの熱容
量は、機種によつて決まる。）、 加熱シリンダの設定温度（加熱シリンダの設
定温度は、原料樹脂の種類で決まる。）、 形成サンクル時間、特に溶融樹脂の充填時
間、保圧時間ならびに冷却時間（これらは、原
料樹脂の種類、成形品の肉厚、重量ならびに流
路長などによつて決まる。）、 などによつてＰ，Ｉ，Ｄ制御の最適設定値が相互
に複雑に関連するので、前述の経験式や前述の傾
向だけでは簡単に設定することはできない。
量は、機種によつて決まる。）、 加熱シリンダの設定温度（加熱シリンダの設
定温度は、原料樹脂の種類で決まる。）、 形成サンクル時間、特に溶融樹脂の充填時
間、保圧時間ならびに冷却時間（これらは、原
料樹脂の種類、成形品の肉厚、重量ならびに流
路長などによつて決まる。）、 などによつてＰ，Ｉ，Ｄ制御の最適設定値が相互
に複雑に関連するので、前述の経験式や前述の傾
向だけでは簡単に設定することはできない。
更に射出成形機に特有なこととして、同じ成形
機を用いても、金型や使用材料の交換の度毎に、
前記、の要因により、一度決めたPID制御の
設定値を頻繁に再設定しなければならない煩雑さ
があつた。
機を用いても、金型や使用材料の交換の度毎に、
前記、の要因により、一度決めたPID制御の
設定値を頻繁に再設定しなければならない煩雑さ
があつた。
そのうえ、
気温、水温ならびに印加電圧などの外乱、
例えば射出ノズルの詰り、あるいは金型の調
子の狂いによつて成形品が自動落下できなくな
るなどの要因による成形サイクルの一時停止、 なども加わり、PID制御値の修正設定は、手動で
はとても対応することもできない。
子の狂いによつて成形品が自動落下できなくな
るなどの要因による成形サイクルの一時停止、 なども加わり、PID制御値の修正設定は、手動で
はとても対応することもできない。
このようなことから、通常は、大体の経験で
PID制御値の設定を行ない、ヒータのオン、オフ
切替頻度、ならびに設定温度との偏差値の実状を
常にチエツクして、従来の経験により少しずつ設
定値の修正を行ない、非常に長い時間をかけてよ
りよい温度制御を追求していた。
PID制御値の設定を行ない、ヒータのオン、オフ
切替頻度、ならびに設定温度との偏差値の実状を
常にチエツクして、従来の経験により少しずつ設
定値の修正を行ない、非常に長い時間をかけてよ
りよい温度制御を追求していた。
一方、成形品の不良率は、加熱シリンダ、特に
それのノズル部温度の安定に大きく依存してお
り、他の射出出力、射出速度、保圧・冷却時間な
どの設定条件の適正さよりもずつと大きく影響す
る。すなわち、加熱シリンダ温度のPID制御を最
適に行なえば成形品の不良率が激減することは経
験上の事実である。
それのノズル部温度の安定に大きく依存してお
り、他の射出出力、射出速度、保圧・冷却時間な
どの設定条件の適正さよりもずつと大きく影響す
る。すなわち、加熱シリンダ温度のPID制御を最
適に行なえば成形品の不良率が激減することは経
験上の事実である。
以上述べたように、最適のPID制御で加熱シリ
ンダ温度管理を完全に行なうことが重要である。
ンダ温度管理を完全に行なうことが重要である。
本発明の目的は、前述した従来技術の問題点を
解決し、PID制御に関する特別の知識を持たない
一般のユーザーが、最適PID制御の設定状態を簡
単に得ることができるように、PID設定値を自動
的に修正することのできる射出成形機の加熱シリ
ンダ温度制御装置を提供して、形成不良の低減を
図ることにある。
解決し、PID制御に関する特別の知識を持たない
一般のユーザーが、最適PID制御の設定状態を簡
単に得ることができるように、PID設定値を自動
的に修正することのできる射出成形機の加熱シリ
ンダ温度制御装置を提供して、形成不良の低減を
図ることにある。
前述の目的を達成するため、本発明は、加熱シ
リンダをそれの軸方向に沿つて複数の加熱ゾーン
に区分して、各加熱ゾーン毎に例えばバンドヒー
タなどの加熱手段と、例えば熱電対などの温度測
定手段とを備えて、各加熱ゾーン毎に温度制御す
る射出成形機の加熱シリンダ温度制御装置を対象
とするものである。
リンダをそれの軸方向に沿つて複数の加熱ゾーン
に区分して、各加熱ゾーン毎に例えばバンドヒー
タなどの加熱手段と、例えば熱電対などの温度測
定手段とを備えて、各加熱ゾーン毎に温度制御す
る射出成形機の加熱シリンダ温度制御装置を対象
とするものである。
そして本発明では、使用する樹脂材料や成形サ
イクル時間などの成形条件に基づいて各加熱ゾー
ン毎に比例制御仮設定値、積分制御仮設定値なら
びに微分制御仮設定値をそれぞれ例えばキーボー
ドスイツチなどからの入力によつて設定する仮設
定手段と、 各加熱ゾーンの実際の温度を一定周期でサンプ
リングする実温サンプリング手段と、 前述のサンプリング周期よりも少なくとも複数
倍長い一定処理期間内に前記サンプリング手段に
よつて入力された信号を基にして演算されるデー
タと予め設定されている基準値とを比較して、そ
の比較結果に基づいて各加熱ゾーンの実際の温度
とそれの設定温度との偏差値が許容限界中におさ
まるように前記仮設定値をそれぞれ修正する修正
演算部とを有し、 その修正演算部からの指令信号により、前記比
例制御仮設定値、積分制御仮設定値ならびに微分
制御仮設定値をそれぞれ自動修正する構成になつ
ていることを特徴とするものである。
イクル時間などの成形条件に基づいて各加熱ゾー
ン毎に比例制御仮設定値、積分制御仮設定値なら
びに微分制御仮設定値をそれぞれ例えばキーボー
ドスイツチなどからの入力によつて設定する仮設
定手段と、 各加熱ゾーンの実際の温度を一定周期でサンプ
リングする実温サンプリング手段と、 前述のサンプリング周期よりも少なくとも複数
倍長い一定処理期間内に前記サンプリング手段に
よつて入力された信号を基にして演算されるデー
タと予め設定されている基準値とを比較して、そ
の比較結果に基づいて各加熱ゾーンの実際の温度
とそれの設定温度との偏差値が許容限界中におさ
まるように前記仮設定値をそれぞれ修正する修正
演算部とを有し、 その修正演算部からの指令信号により、前記比
例制御仮設定値、積分制御仮設定値ならびに微分
制御仮設定値をそれぞれ自動修正する構成になつ
ていることを特徴とするものである。
次に本発明の実施例について、図とともに説明
する。第１図はこの実施例に係る射出成形機にお
ける加熱シリンダ温度制御装置の機能ブロツク
図、第２図、第３図ならびに第４図はPID自動修
正制御のフローチヤートである。
する。第１図はこの実施例に係る射出成形機にお
ける加熱シリンダ温度制御装置の機能ブロツク
図、第２図、第３図ならびに第４図はPID自動修
正制御のフローチヤートである。
まず、第１図を用いて加熱シリンダ温度制御装
置の概略構成とその動作について説明する。
置の概略構成とその動作について説明する。
射出機本体１の上部に原料投入用のホツパー２
が付設され、さらに射出機本体１の前方には加熱
シリンダ３が設けられている。図示していないが
この加熱シリンダ３の中空部には、射出スクリユ
ーが回転ならびに前後進可能に配置されている。
加熱シリンダ３の前方には、固定金型４ａと移動
金型４ｂとから構成された金型４が配置されてい
る。
が付設され、さらに射出機本体１の前方には加熱
シリンダ３が設けられている。図示していないが
この加熱シリンダ３の中空部には、射出スクリユ
ーが回転ならびに前後進可能に配置されている。
加熱シリンダ３の前方には、固定金型４ａと移動
金型４ｂとから構成された金型４が配置されてい
る。
この実施例の場合、加熱シリンダ３が先端の方
からノズル部加熱ゾーン、前部加熱ゾーン、中央
部加熱ゾーンならびに後部加熱ゾーンの４つの加
熱ゾーンに分かれており、各加熱ゾーンに対応し
てノズルヒータHn５、前部ヒータHf６、中央部
ヒータHc７ならびに後部ヒータHr７がそれぞれ
巻装されており、なお各ヒータ５〜８はバンドヒ
ータから構成されている。また各ヒータ５〜８の
近傍には、熱電対からなるノズルヒータ用温度セ
ンサTCn９、前部ヒータ用温度センサTCf１０、
中央部ヒータ用温度センサTCc１１ならびに後部
ヒータ用温度センサTCr１２がそれぞれ付設され
て、各加熱ゾーンの実温が計測できるようになつ
ている。
からノズル部加熱ゾーン、前部加熱ゾーン、中央
部加熱ゾーンならびに後部加熱ゾーンの４つの加
熱ゾーンに分かれており、各加熱ゾーンに対応し
てノズルヒータHn５、前部ヒータHf６、中央部
ヒータHc７ならびに後部ヒータHr７がそれぞれ
巻装されており、なお各ヒータ５〜８はバンドヒ
ータから構成されている。また各ヒータ５〜８の
近傍には、熱電対からなるノズルヒータ用温度セ
ンサTCn９、前部ヒータ用温度センサTCf１０、
中央部ヒータ用温度センサTCc１１ならびに後部
ヒータ用温度センサTCr１２がそれぞれ付設され
て、各加熱ゾーンの実温が計測できるようになつ
ている。
加熱シリンダ３の内部は前述の各ヒータ５〜８
によつて所定の温度に加熱されており、前記ホツ
パー２から投入されたペレツト状の樹脂材料１３
が、加熱シリンダ３内に供給される。そして供給
された樹脂材料１３はスクリユーの回転とヒータ
５〜８の加熱とによつて順次、混練、可塑化、溶
融されながらノズル部内の蓄積室に送り込まれ
る。しかる後に前記金型４内に溶融樹脂を射出、
充填し、冷却、固化させて所望の形状の成形品を
得るようになつている。
によつて所定の温度に加熱されており、前記ホツ
パー２から投入されたペレツト状の樹脂材料１３
が、加熱シリンダ３内に供給される。そして供給
された樹脂材料１３はスクリユーの回転とヒータ
５〜８の加熱とによつて順次、混練、可塑化、溶
融されながらノズル部内の蓄積室に送り込まれ
る。しかる後に前記金型４内に溶融樹脂を射出、
充填し、冷却、固化させて所望の形状の成形品を
得るようになつている。
加熱シリンダ３の温度制御について説明する。
前述の各ヒータ５〜８によつて加熱された各加熱
ゾーンの実際の温度は、前記温度センサ９〜１２
によつて検出され、その検出信号はヒータ温度調
節装置１４のＡ／Ｄ変換器１５を介して中央処理
演算ユニツト（CPU）１６に入力される。この
CPU１６には、ヒータ温度調節装置１４のプロ
グラムなどを記憶したリードオンリーメモリー
（ROM）１７、後述するPID制御用仮設定値やサ
ンプリングされた加熱シリンダ３の実温などが所
定のアドレスに記憶されるランダムアクセスメモ
リー（RAM）１８、クロツク信号を発生するク
ロツク発生手段１９ならびに出力インターフエー
ス２０がそれぞれ接続されている。また出力イン
ターフエース２０は、ノズルヒータ用無接点リレ
ーSSRn２１、前部ヒータ用無接点リレーSSRf２
２、中央部ヒータ用無接点リレーSSRc２３なら
びに後部ヒータ用無接点リレーSSRr２４にそれ
ぞれ接続されている。
前述の各ヒータ５〜８によつて加熱された各加熱
ゾーンの実際の温度は、前記温度センサ９〜１２
によつて検出され、その検出信号はヒータ温度調
節装置１４のＡ／Ｄ変換器１５を介して中央処理
演算ユニツト（CPU）１６に入力される。この
CPU１６には、ヒータ温度調節装置１４のプロ
グラムなどを記憶したリードオンリーメモリー
（ROM）１７、後述するPID制御用仮設定値やサ
ンプリングされた加熱シリンダ３の実温などが所
定のアドレスに記憶されるランダムアクセスメモ
リー（RAM）１８、クロツク信号を発生するク
ロツク発生手段１９ならびに出力インターフエー
ス２０がそれぞれ接続されている。また出力イン
ターフエース２０は、ノズルヒータ用無接点リレ
ーSSRn２１、前部ヒータ用無接点リレーSSRf２
２、中央部ヒータ用無接点リレーSSRc２３なら
びに後部ヒータ用無接点リレーSSRr２４にそれ
ぞれ接続されている。
図に示すように、前記ノズルヒータ用無接点リ
レーSSRn２１はノズルヒータ用回路２５の有接
点SSRn２６に、前記前部ヒータ用無接点リレー
SSRf２２は前部ヒータ用回路２７の有接点２８
に、前記中央部ヒータ用無接点リレーSSRc２３
は中央部ヒータ回路２９の有接点３０に、前記後
部ヒータ用無接点SSRr２４は後部ヒータ用回路
３１の有接点３２に、それぞれ接続されている。
レーSSRn２１はノズルヒータ用回路２５の有接
点SSRn２６に、前記前部ヒータ用無接点リレー
SSRf２２は前部ヒータ用回路２７の有接点２８
に、前記中央部ヒータ用無接点リレーSSRc２３
は中央部ヒータ回路２９の有接点３０に、前記後
部ヒータ用無接点SSRr２４は後部ヒータ用回路
３１の有接点３２に、それぞれ接続されている。
図中の３３はノズルヒータ用中間リレーRnの
コイル、３４はその中間リレーRnの接点、３５
は前部ヒータ用中間リレーRfのコイル、３６は
その中間リレーRfの接点、３７は中央部ヒータ
用リレーRcのコイル、３８はその中間リレーRc
の接点、３９は後部ヒータ用中間リレーRrのコ
イル、４０はその中間リレーRrの接点である。
コイル、３４はその中間リレーRnの接点、３５
は前部ヒータ用中間リレーRfのコイル、３６は
その中間リレーRfの接点、３７は中央部ヒータ
用リレーRcのコイル、３８はその中間リレーRc
の接点、３９は後部ヒータ用中間リレーRrのコ
イル、４０はその中間リレーRrの接点である。
４１は射出成形機全体の制御装置、４２は表示
装置、４３は後述の仮設定値などを入力するキー
ボードである。
装置、４３は後述の仮設定値などを入力するキー
ボードである。
次にPID設定値の自動修正フローについて、各
項目別に第２図ないし第７図を用いて説明する。
これらの図は、ノズルヒータ部のPID自動修正制
御のフローチヤートならびに説明図である。
項目別に第２図ないし第７図を用いて説明する。
これらの図は、ノズルヒータ部のPID自動修正制
御のフローチヤートならびに説明図である。
(A) Ｐ（比例制御）設定値の自動修正
第２図に示すようにステツプ（以下、Ｓと略記
する）１において、加熱シリンダの各加熱ゾーン
毎に希望する設定温度TsならびにPID制御の仮
設定値を、それぞれ第１図で示すキーボード４３
を用いてヒータ温度調節装置１４に入力する。こ
の仮設定値は、例えば前述のチグラー アンドニ
コラス法に基づいて仮設定される。例えばノズル
ヒータの場合を例にとれば、Ｐ＝30℃、Ｉ＝300
秒、Ｄ＝30秒と仮設定する。
する）１において、加熱シリンダの各加熱ゾーン
毎に希望する設定温度TsならびにPID制御の仮
設定値を、それぞれ第１図で示すキーボード４３
を用いてヒータ温度調節装置１４に入力する。こ
の仮設定値は、例えば前述のチグラー アンドニ
コラス法に基づいて仮設定される。例えばノズル
ヒータの場合を例にとれば、Ｐ＝30℃、Ｉ＝300
秒、Ｄ＝30秒と仮設定する。
次にＳ２において、Ｐの仮設定値（Ｐ＝30℃）
をRAM１８からCPU１６へ呼び出す。このとき
経過回数Ｎは０である。
をRAM１８からCPU１６へ呼び出す。このとき
経過回数Ｎは０である。
前述のようにしてCPU１６にＰの仮設定値を
呼び出したのち、Ｓ３において加熱シリンダの実
際の温度Ｔを温度センサ９で、一定周期（例えば
10秒毎）毎にT1，T2、T3……と読み取り、それ
を順次制御部のメモリー（RAM１８）に入力す
るサンプリング操作を行なう。
呼び出したのち、Ｓ３において加熱シリンダの実
際の温度Ｔを温度センサ９で、一定周期（例えば
10秒毎）毎にT1，T2、T3……と読み取り、それ
を順次制御部のメモリー（RAM１８）に入力す
るサンプリング操作を行なう。
測定された実温T1，T2、T3……が、設定値Ts
に近ずくほどヒータへの通電電流のオン、オフの
割合をオンが順次少なくなるように比例制御する
と同時に、一定処理周期tc（例えば10分間）を決
めて、その処理周期tc内の実温の偏差値ΔTpを
演算する（Ｓ４）。この偏差値ΔTpを図示したの
が第５図である。
に近ずくほどヒータへの通電電流のオン、オフの
割合をオンが順次少なくなるように比例制御する
と同時に、一定処理周期tc（例えば10分間）を決
めて、その処理周期tc内の実温の偏差値ΔTpを
演算する（Ｓ４）。この偏差値ΔTpを図示したの
が第５図である。
ΔTp＝｜Tmax−Tmin｜
このようにして演算さた偏差値ΔTpがＳ５に
おいて安定限界値（例えば３℃）より大であるか
否か判断される。偏差値ΔTpが安定限界値より
大であれば、Ｓ６に進みＰの設定値を１℃ずつ大
きくして、前述Ｓ３からＳ６までのステツプを繰
返す。こうしている内に偏差値ΔTpが希望する
安定限界内に入り、そのことを２度確認する（経
過回数Ｎ＝２ Ｓ７ならびにＳ８参照）と、Ｓ９
において最終のＰの値をRAM１８の所定のアド
レスに入力する。
おいて安定限界値（例えば３℃）より大であるか
否か判断される。偏差値ΔTpが安定限界値より
大であれば、Ｓ６に進みＰの設定値を１℃ずつ大
きくして、前述Ｓ３からＳ６までのステツプを繰
返す。こうしている内に偏差値ΔTpが希望する
安定限界内に入り、そのことを２度確認する（経
過回数Ｎ＝２ Ｓ７ならびにＳ８参照）と、Ｓ９
において最終のＰの値をRAM１８の所定のアド
レスに入力する。
(B) Ｄ（微分制御）設定値の自動修正
入力しているＤの仮設定値（例えば30秒）をＳ
１０においてCPU１６へ呼び出し、Ｓ１１で加
熱シリンダの実温Ｔを温度センサ９で測定し、一
定周期（例えば２秒）毎に、T1，T2，T3……と
読み取り、制御部のメモリ（RAM１８）に入力
するサンプリング操作を行なう。
１０においてCPU１６へ呼び出し、Ｓ１１で加
熱シリンダの実温Ｔを温度センサ９で測定し、一
定周期（例えば２秒）毎に、T1，T2，T3……と
読み取り、制御部のメモリ（RAM１８）に入力
するサンプリング操作を行なう。
次にＳ１２において、Ｄの仮設定値（この例で
は30秒）をそのまま処理周期tcとし、処理周期tc
の最初の実温t1と処理周期tcの最後の実温toとの
偏差差ΔTdを演算する。この偏差値ΔTdを示し
たのが第６図である。
は30秒）をそのまま処理周期tcとし、処理周期tc
の最初の実温t1と処理周期tcの最後の実温toとの
偏差差ΔTdを演算する。この偏差値ΔTdを示し
たのが第６図である。
ΔTd＝｜To−T1｜
そして演算された偏差値ΔTdがＳ１３で安定
限界値（例えば２℃）より大きいか否か判断さ
れ、偏差値ΔTdが安定限界値よりも小であれば、
Ｓ１４に進みＤの値を例えば１秒ずつ大きくし、
前述のＳ１１からＳ１４までのステツプを何回か
繰返す。そうするうちに偏差値ΔTdが希望する
安定限界値内に入り、そのことを２回確認して
（Ｓ１５ならびにＳ１６参照）した後、Ｓ１７に
おいて最終のＤの値をRAM１８の所定のアドレ
スに入力する。
限界値（例えば２℃）より大きいか否か判断さ
れ、偏差値ΔTdが安定限界値よりも小であれば、
Ｓ１４に進みＤの値を例えば１秒ずつ大きくし、
前述のＳ１１からＳ１４までのステツプを何回か
繰返す。そうするうちに偏差値ΔTdが希望する
安定限界値内に入り、そのことを２回確認して
（Ｓ１５ならびにＳ１６参照）した後、Ｓ１７に
おいて最終のＤの値をRAM１８の所定のアドレ
スに入力する。
(C) Ｉ（積分制御）設定値の自動修正
予め入力されているＩの仮設定値（Ｉ＝300秒）
を、Ｓ１８においてCPU１６へ呼び出す。次に
Ｓ１９において加熱シリンダの実温を温度センサ
９で、一定周期（例えば10秒毎）毎にT1，T2，
T3……と読み取り、それを順次制御部のメモリ
ー（RAM１８）に入力するサンプリング操作を
行なう。
を、Ｓ１８においてCPU１６へ呼び出す。次に
Ｓ１９において加熱シリンダの実温を温度センサ
９で、一定周期（例えば10秒毎）毎にT1，T2，
T3……と読み取り、それを順次制御部のメモリ
ー（RAM１８）に入力するサンプリング操作を
行なう。
Ｓ２０でＩの仮設定値（この例では300秒）を
そのまま処理周期Tcとして、その間に測定され
た実温T1，T2，T3……Toの平均値を演算す
る。次にＳ２１において、前記平均値と設定値
Tsとの偏差値ΔTiを演算する。
そのまま処理周期Tcとして、その間に測定され
た実温T1，T2，T3……Toの平均値を演算す
る。次にＳ２１において、前記平均値と設定値
Tsとの偏差値ΔTiを演算する。
ΔTi＝｜−Ts｜
これら平均値ならびに設定値Tsを図示した
のが第７図である。
のが第７図である。
このようにして演算さた偏差値ΔTiがＳ２２に
おいて安定限界値（例えば１℃）より大であるか
否か判断される。偏差値ΔTiが安定限界値より大
であれば、Ｓ２３に進みＩの設定値を10秒ずつ大
きくして、前述Ｓ１９からＳ２３までのステツプ
を繰返す。こうしている内に偏差値ΔTiが希望す
る安定限界内に入り、そのことを２度確認する
（経過回数Ｎ＝２ Ｓ２４ならびにＳ２５参照）
と、Ｓ２６において最終のＩの値をRAM１８の
所定のアドレスに入力されて、PIDの自動修正制
御を終了する。
おいて安定限界値（例えば１℃）より大であるか
否か判断される。偏差値ΔTiが安定限界値より大
であれば、Ｓ２３に進みＩの設定値を10秒ずつ大
きくして、前述Ｓ１９からＳ２３までのステツプ
を繰返す。こうしている内に偏差値ΔTiが希望す
る安定限界内に入り、そのことを２度確認する
（経過回数Ｎ＝２ Ｓ２４ならびにＳ２５参照）
と、Ｓ２６において最終のＩの値をRAM１８の
所定のアドレスに入力されて、PIDの自動修正制
御を終了する。
他のヒータ部においても併行して同様の自動修
正が行なわれる。
正が行なわれる。
この実施例では制御時間の短縮を図るために、
最初にＰ設定値の自動修正を行ない、次にＤ設定
値の自動修正を、最後にＩ設定値の自動修正を行
なうプログラムにしたが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、例えばＰ，Ｉ，Ｄの順序に設
定値の自動修正を行なつても構わない。
最初にＰ設定値の自動修正を行ない、次にＤ設定
値の自動修正を、最後にＩ設定値の自動修正を行
なうプログラムにしたが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、例えばＰ，Ｉ，Ｄの順序に設
定値の自動修正を行なつても構わない。
また、第２図ないし第４図のフローステツプが
１回完了すればPID自動修正は一応完了である
が、その後の外乱などに対応するために、第２図
に示すようにＳ２とＳ３との間に戻つて前述と同
様の処理を行なうとよい。このようにすれば、そ
の成形作業が完了するまで、常に加熱シリンダの
実際の温度と所望の温度との差を１℃以内とする
ことができる。
１回完了すればPID自動修正は一応完了である
が、その後の外乱などに対応するために、第２図
に示すようにＳ２とＳ３との間に戻つて前述と同
様の処理を行なうとよい。このようにすれば、そ
の成形作業が完了するまで、常に加熱シリンダの
実際の温度と所望の温度との差を１℃以内とする
ことができる。
本発明は前述のような構成になつており、最初
仮設定したＰ，Ｉ，Ｄ設定値の修正が自動的にで
きるから、煩しい修正の手作業が少省略でき、例
えば30分程度の短時間のうちに加熱シリンダの実
際の温度と所望の設定温度との差を１℃以内とす
ることができ、特に温度依存度の強い射出成形品
の品質が向上し、不良率の低減が図れるととも
に、取扱性の良好な射出成形機が提供できる。
仮設定したＰ，Ｉ，Ｄ設定値の修正が自動的にで
きるから、煩しい修正の手作業が少省略でき、例
えば30分程度の短時間のうちに加熱シリンダの実
際の温度と所望の設定温度との差を１℃以内とす
ることができ、特に温度依存度の強い射出成形品
の品質が向上し、不良率の低減が図れるととも
に、取扱性の良好な射出成形機が提供できる。
図面はすべて本発明の実施例を説明するための
もので、第１図は射出成形機における加熱シリン
ダ温度制御装置の機能ブロツク図、第２図、第３
図ならびに第４図はPID自動修正制御のフローチ
ヤート、第５図、第６図ならびに第７図は演算さ
れる偏差値ΔTを示す説明図である。 ３……加熱シリンダ、５……ノズルヒータ、６
……前部ヒータ、７……中央部ヒータ、８……後
部ヒータ、９……ノズルヒータ用温度センサ、１
０……前部ヒータ用温度センサ、１１……中央部
ヒータ用温度センサ、１２……後部ヒータ用温度
センサ、１４……ヒータ温度調節装置、１７……
ROM、１８……RAM、１９……クロツク発生
手段、２５……ノズルヒータ用回路、２７……前
部ヒータ用回路、２９……中央部ヒータ用回路、
３１……後部ヒータ用回路、４３……キーボー
ド。
もので、第１図は射出成形機における加熱シリン
ダ温度制御装置の機能ブロツク図、第２図、第３
図ならびに第４図はPID自動修正制御のフローチ
ヤート、第５図、第６図ならびに第７図は演算さ
れる偏差値ΔTを示す説明図である。 ３……加熱シリンダ、５……ノズルヒータ、６
……前部ヒータ、７……中央部ヒータ、８……後
部ヒータ、９……ノズルヒータ用温度センサ、１
０……前部ヒータ用温度センサ、１１……中央部
ヒータ用温度センサ、１２……後部ヒータ用温度
センサ、１４……ヒータ温度調節装置、１７……
ROM、１８……RAM、１９……クロツク発生
手段、２５……ノズルヒータ用回路、２７……前
部ヒータ用回路、２９……中央部ヒータ用回路、
３１……後部ヒータ用回路、４３……キーボー
ド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 加熱シリンダを軸方向に沿つて複数の加熱ゾ
ーンに区分し、各加熱ゾーン毎に加熱手段と温度
測定手段とを備えて各加熱ゾーン毎に温度制御す
る射出成形機の加熱シリンダ温度制御装置におい
て、 使用する樹脂材料や成形サイクル時間などの成
形条件に基づいて各加熱ゾーン毎に比例制御仮設
定値、積分制御仮設定値ならびに微分制御仮設定
値をそれぞれ設定する仮設定手段と、各加熱ゾー
ンの実際の温度を一定周期でサンプリングする実
温サンプリング手段と、一定処理期間内に前記サ
ンプリング手段によつて入力された信号を基にし
て演算されるデータと基準値とを比較して、その
比較結果に基づいて各加熱ゾーンの実際の温度と
それの設定温度との偏差値が許容限界内におさま
るように前記各仮設定値をそれぞれ修正する修正
演算部とを有していることを特徴とする射出成形
機の加熱シリンダ温度制御装置。 ２ 特許請求の範囲第１項記載において、前記修
正演算部によつて、比例制御仮設定値、微分制御
仮設定値ならびに積分制御仮設定値の順に仮設定
値の修正が行われるように構成されていることを
特徴とする射出成形機の加熱シリンダ温度制御装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9229286A JPS62249723A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 射出成形機の加熱シリンダ温度制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9229286A JPS62249723A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 射出成形機の加熱シリンダ温度制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62249723A JPS62249723A (ja) | 1987-10-30 |
| JPH0448341B2 true JPH0448341B2 (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=14050340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9229286A Granted JPS62249723A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 射出成形機の加熱シリンダ温度制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62249723A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07267Y2 (ja) * | 1988-08-22 | 1995-01-11 | 三菱重工業株式会社 | シリンダ温度制御装置 |
| JPH04105915A (ja) * | 1990-08-27 | 1992-04-07 | Nissei Plastics Ind Co | 射出成形機の温度制御方法 |
| JPH064266B2 (ja) * | 1990-10-18 | 1994-01-19 | 日精樹脂工業株式会社 | 射出成形機の非干渉温度制御方法 |
| JPH0764004B2 (ja) * | 1991-06-10 | 1995-07-12 | 日精樹脂工業株式会社 | 射出成形機の温度制御装置と温度制御方法 |
| JP2971639B2 (ja) * | 1991-10-09 | 1999-11-08 | 住友重機械工業株式会社 | ガラスの成形方法 |
-
1986
- 1986-04-23 JP JP9229286A patent/JPS62249723A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62249723A (ja) | 1987-10-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |