JPH0448626A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0448626A JPH0448626A JP15791190A JP15791190A JPH0448626A JP H0448626 A JPH0448626 A JP H0448626A JP 15791190 A JP15791190 A JP 15791190A JP 15791190 A JP15791190 A JP 15791190A JP H0448626 A JPH0448626 A JP H0448626A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- processing
- wafer
- semiconductor wafer
- dry etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
乙の発明は、半導体ウェハプロセスで、半導体ウェハに
ドライ処理を施すドライエツチング装置に関するもので
ある。
ドライ処理を施すドライエツチング装置に関するもので
ある。
従来のこの種のドライエツチング装置の概略構成図を第
２図に示す。この図で、１は処理室で、気密が保たれる
ように構成されており、その底面に設けた排気路２に真
空ポンプ（図示せず）を接続して室内を真空引きする。
２図に示す。この図で、１は処理室で、気密が保たれる
ように構成されており、その底面に設けた排気路２に真
空ポンプ（図示せず）を接続して室内を真空引きする。
３は前記処理室１内に配置され、半導体ウェハ４を載置
保持するステジてあり、半導体ウェハ４を冷却させる冷
却機５が接続されている。また、処理室１の上部には処
理ガスを室内に導入するためのガス導入＃５６が設けら
れている。７は前記処理室１の上部に石英窓８を介して
設けられている導液管で、マイクロ波発生装置９が接続
され、処理室１内へマイクロ波を印加する。１０は前記
処理室１の外部に設けられたコイルであり、ステージ３
に載置された半導体ウェハ４の面に垂直方向に磁界が発
生するように設計されている。１１は予備室で、処理室
１に真空開閉手段１２を介し隣接している。１３はウェ
ハバッファ室で、予備室１１に真空開閉手段１４を介し
隣接し、室内には半導体ウェハ４を収納するカセット１
５が収容されている。１６はウェハ搬送手段で、ウェハ
バッファ室１３から処理室１までの間の半導体ウェハ４
の搬送を行う。
保持するステジてあり、半導体ウェハ４を冷却させる冷
却機５が接続されている。また、処理室１の上部には処
理ガスを室内に導入するためのガス導入＃５６が設けら
れている。７は前記処理室１の上部に石英窓８を介して
設けられている導液管で、マイクロ波発生装置９が接続
され、処理室１内へマイクロ波を印加する。１０は前記
処理室１の外部に設けられたコイルであり、ステージ３
に載置された半導体ウェハ４の面に垂直方向に磁界が発
生するように設計されている。１１は予備室で、処理室
１に真空開閉手段１２を介し隣接している。１３はウェ
ハバッファ室で、予備室１１に真空開閉手段１４を介し
隣接し、室内には半導体ウェハ４を収納するカセット１
５が収容されている。１６はウェハ搬送手段で、ウェハ
バッファ室１３から処理室１までの間の半導体ウェハ４
の搬送を行う。
次に、動作について説明する。
半導体ウェハ４が収納されたカセット１５がウェハバッ
ファ室１３に収容され、排気が完了すると、真空開閉手
段１２と真空開閉手段１４が開き、半導体ウェハ４はウ
ェハバッファ室１３より処理室１ヘウエへ搬送手段１６
により搬送され、真空開閉手段１２が閉じられると一連
の処理シーケンスが開始される。
ファ室１３に収容され、排気が完了すると、真空開閉手
段１２と真空開閉手段１４が開き、半導体ウェハ４はウ
ェハバッファ室１３より処理室１ヘウエへ搬送手段１６
により搬送され、真空開閉手段１２が閉じられると一連
の処理シーケンスが開始される。
まず、所期の真空排気を行い、同時に半導体ウェハ４を
冷却する。それぞれ所期の値に達すると、ガス導入路６
より所定のガスを導入し、所定の圧力に達すると磁場と
マイクロ波を印加し、プラズマを発生させエツチング処
理を行う。前述の真空排気とウェハ冷却は、この種のＥ
ＣＲ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｅｔｃ
ｈｉｎｇ ）原理を利用した装置においてはエツチング
処理上重要なファクタであり、真空排気は処理ガスを導
入する前に処理室１内の不純物を取り除く目的であり、
ｌＸｌ０−’〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒ台くらいまで排気する
。また、ウェハ冷却は、第３図（ａ）に示すようなマス
ク１７の寸法通りに被エツチング［１８をエツチングす
るために必要であり、冷却を行わなければ、第３図（ｂ
）に示すような形状になってしまう。冷却温度は使用す
る処理ガスにより異なるが、通常Ｏ℃〜−数十℃くらい
である。しかし、第２図の構成のように、半導体ウェハ
４を常温より冷却する場合、例えば３０℃くらいに冷却
する場合に１分程度の時間を要する。また、冷却するた
めに半導体ウニへ４上に付着している水分等のアラ１−
ガスがしずらくなり、所期真空度のＩ Ｘ １０ ’−
’〜１０−’Ｔｏｒｒまでに真空排気するまでにも数分
の時間を要するという不具合があった。
冷却する。それぞれ所期の値に達すると、ガス導入路６
より所定のガスを導入し、所定の圧力に達すると磁場と
マイクロ波を印加し、プラズマを発生させエツチング処
理を行う。前述の真空排気とウェハ冷却は、この種のＥ
ＣＲ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｅｔｃ
ｈｉｎｇ ）原理を利用した装置においてはエツチング
処理上重要なファクタであり、真空排気は処理ガスを導
入する前に処理室１内の不純物を取り除く目的であり、
ｌＸｌ０−’〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒ台くらいまで排気する
。また、ウェハ冷却は、第３図（ａ）に示すようなマス
ク１７の寸法通りに被エツチング［１８をエツチングす
るために必要であり、冷却を行わなければ、第３図（ｂ
）に示すような形状になってしまう。冷却温度は使用す
る処理ガスにより異なるが、通常Ｏ℃〜−数十℃くらい
である。しかし、第２図の構成のように、半導体ウェハ
４を常温より冷却する場合、例えば３０℃くらいに冷却
する場合に１分程度の時間を要する。また、冷却するた
めに半導体ウニへ４上に付着している水分等のアラ１−
ガスがしずらくなり、所期真空度のＩ Ｘ １０ ’−
’〜１０−’Ｔｏｒｒまでに真空排気するまでにも数分
の時間を要するという不具合があった。
上記のように、従来例によるドライエツチング装置にお
いては、処理室１内のステージ３上で半導体ウェハ４を
常温まり一数十℃まで冷却を行うので、冷却完了まで時
間がかかり、また、冷却することにより半導体ウエノ飄
４上に付着してし）ろ水分等のアウトガスがしずらくな
り、所定の真空度のＩ Ｘ １．０−’ 〜１０−’Ｔ
ｏｒｒまでに真空排気するまでにも数分の時間がかかり
、エツチング処理上でのスルーブッ）・を著しく低下さ
せるという問題点があった。
いては、処理室１内のステージ３上で半導体ウェハ４を
常温まり一数十℃まで冷却を行うので、冷却完了まで時
間がかかり、また、冷却することにより半導体ウエノ飄
４上に付着してし）ろ水分等のアウトガスがしずらくな
り、所定の真空度のＩ Ｘ １．０−’ 〜１０−’Ｔ
ｏｒｒまでに真空排気するまでにも数分の時間がかかり
、エツチング処理上でのスルーブッ）・を著しく低下さ
せるという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、あらかじめ半導体ウエノ１上の水分等のア
ラ）−ガスと冷却を行っておき、処理室内での処理を迅
速に行えるようにしたドライエツチング装置を得ること
を目的とするものである。
れたもので、あらかじめ半導体ウエノ１上の水分等のア
ラ）−ガスと冷却を行っておき、処理室内での処理を迅
速に行えるようにしたドライエツチング装置を得ること
を目的とするものである。
この発明に係るドライエツチング装置は、予備室または
ウェハバッファ室に、予備室またはウェハバッファ室内
であらかしめ半導体ウニ／’１を昇温させる昇温手段と
、同じく冷却させる冷却手段とを備えたものである。
ウェハバッファ室に、予備室またはウェハバッファ室内
であらかしめ半導体ウニ／’１を昇温させる昇温手段と
、同じく冷却させる冷却手段とを備えたものである。
この発明におけるドライエツチング装置は、処理室内に
搬送される前にあらかじめ予備室内またはウェハバッフ
ァ室内において半導体ウニ／４に付着した水分等のアウ
トガスや、冷却を行った後に処理室内へ搬送するように
したので、処理室内においての所期の冷却温度に達する
までの冷却時間と、所期の真空度に達するまでの真空排
気時間を大きく短縮することができる。
搬送される前にあらかじめ予備室内またはウェハバッフ
ァ室内において半導体ウニ／４に付着した水分等のアウ
トガスや、冷却を行った後に処理室内へ搬送するように
したので、処理室内においての所期の冷却温度に達する
までの冷却時間と、所期の真空度に達するまでの真空排
気時間を大きく短縮することができる。
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示すドライエツチング装
置の概略構成図である。この図で、１〜１６は第２図と
同一部分を示す。１９は前記予備室１１内に設けた予備
ステージで、半導体ウェハ４を１００℃くらいまで昇温
させる乙とができる昇温機２０と、−数十℃まで冷却さ
する冷却機２１が接続されている。
置の概略構成図である。この図で、１〜１６は第２図と
同一部分を示す。１９は前記予備室１１内に設けた予備
ステージで、半導体ウェハ４を１００℃くらいまで昇温
させる乙とができる昇温機２０と、−数十℃まで冷却さ
する冷却機２１が接続されている。
さて、このように構成されたこの発明の実施例において
は、処理室１内へ半導体ウェハ４を搬送する前に半導体
ウェハ４を予備ステージ１９上に載置し、まず、半導体
ウェハ４を昇温させ、半導体ウェハ４上に付着した水分
等のアウトガスを行い、その後、半導体ウェハ４を所期
の値まで冷却する。この昇温、冷却は前の半導体ウェハ
４が処理室１でエツチング処理が行われている間に行わ
れ、処理終了とともに処理室１に搬送される。この後、
従来と同様の処理シーケンスが開始されるが、あらかじ
めアウトガスと冷却が行われているため、所定の真空度
、温度に達するまでの時間が大幅に短縮される。
は、処理室１内へ半導体ウェハ４を搬送する前に半導体
ウェハ４を予備ステージ１９上に載置し、まず、半導体
ウェハ４を昇温させ、半導体ウェハ４上に付着した水分
等のアウトガスを行い、その後、半導体ウェハ４を所期
の値まで冷却する。この昇温、冷却は前の半導体ウェハ
４が処理室１でエツチング処理が行われている間に行わ
れ、処理終了とともに処理室１に搬送される。この後、
従来と同様の処理シーケンスが開始されるが、あらかじ
めアウトガスと冷却が行われているため、所定の真空度
、温度に達するまでの時間が大幅に短縮される。
なお、上記実施例においては、半導体ウェハ４の昇温に
よるアウトガスおよび冷却を予備室１１内で行ったが、
ウェハバッファ室１３内において行っても良く、上記実
施例と同様の効果を奏する。
よるアウトガスおよび冷却を予備室１１内で行ったが、
ウェハバッファ室１３内において行っても良く、上記実
施例と同様の効果を奏する。
以上説明したように、この発明は、予備室またはウェハ
バッファ室に、予備室またはウニ八バッファ室内であら
かしめ半導体ウェハを昇温させる昇温手段と、同じく冷
却させる冷却手段とを備えたので、その後の処理シーケ
ンス内でのウェハ冷却真空排気の時間を大幅に短縮でき
、エツチング処理上のスルーブツトを大きく改善させる
という極めて優れた特徴を有するものである。
バッファ室に、予備室またはウニ八バッファ室内であら
かしめ半導体ウェハを昇温させる昇温手段と、同じく冷
却させる冷却手段とを備えたので、その後の処理シーケ
ンス内でのウェハ冷却真空排気の時間を大幅に短縮でき
、エツチング処理上のスルーブツトを大きく改善させる
という極めて優れた特徴を有するものである。
第１図はこの発明の一実施例を示すドライエツチング装
置の概要構成図、第２図のドライエツチング装置の概要
構成図、第３図はエツチング処理後のウェハ断面を示す
図である。 図において、１は処理室、２は排気路、３はステージ、
４は半導体ウェハ、５は冷却機、６はガス導入路、７は
導波管、８は石英窓、９はマイクロ波発生装置、１０は
コイル、１１は予備室、１２は真空開閉手段、１３はウ
ェハバッファ室、１４は真空開閉手段、１５はカセット
、１６はウェハ搬送手段、１９は予備ステージ、２ｏは
昇温機、２１は冷却機である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 （ａ） （ｂ） ］○ コイル
置の概要構成図、第２図のドライエツチング装置の概要
構成図、第３図はエツチング処理後のウェハ断面を示す
図である。 図において、１は処理室、２は排気路、３はステージ、
４は半導体ウェハ、５は冷却機、６はガス導入路、７は
導波管、８は石英窓、９はマイクロ波発生装置、１０は
コイル、１１は予備室、１２は真空開閉手段、１３はウ
ェハバッファ室、１４は真空開閉手段、１５はカセット
、１６はウェハ搬送手段、１９は予備ステージ、２ｏは
昇温機、２１は冷却機である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 （ａ） （ｂ） ］○ コイル
Claims (1)
- 磁界とマイクロ波による電界により処理ガスをプラズ
マ化し、半導体ウェハにドライ処理を施す処理室と、前
記処理室に真空開閉手段を介して具備された予備室と、
この予備室に真空開閉手段を介して具備されたウェハバ
ッファ室とで構成されたドライエッチング装置において
、前記予備室またはウェハバッファ室に、前記予備室ま
たはウェハバッファ室内であらかじめ前記半導体ウェハ
を昇温させる昇温手段と、同じく冷却させる冷却手段と
を備えたことを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15791190A JPH0448626A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15791190A JPH0448626A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448626A true JPH0448626A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15660148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15791190A Pending JPH0448626A (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448626A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100364089B1 (ko) * | 2000-08-03 | 2002-12-12 | 주식회사 아펙스 | 진공 버퍼 챔버를 구비한 핫플레이트 장치 |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP15791190A patent/JPH0448626A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100364089B1 (ko) * | 2000-08-03 | 2002-12-12 | 주식회사 아펙스 | 진공 버퍼 챔버를 구비한 핫플레이트 장치 |
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