JPH0448653A - 有機整流素子 - Google Patents

有機整流素子

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Publication number
JPH0448653A
JPH0448653A JP2153850A JP15385090A JPH0448653A JP H0448653 A JPH0448653 A JP H0448653A JP 2153850 A JP2153850 A JP 2153850A JP 15385090 A JP15385090 A JP 15385090A JP H0448653 A JPH0448653 A JP H0448653A
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JP
Japan
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semiconductor layer
organic semiconductor
organic
rectification
metal
Prior art date
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Pending
Application number
JP2153850A
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English (en)
Inventor
Kinya Kumazawa
金也 熊沢
Mitsugi Yamanaka
貢 山中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Motor Co Ltd
Original Assignee
Nissan Motor Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Motor Co Ltd filed Critical Nissan Motor Co Ltd
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Publication of JPH0448653A publication Critical patent/JPH0448653A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、金属と有機半導体層との接合を利用した有機
整流素子に関し、特に、周囲の雰囲気を変えることによ
って、整流特性、即ち、順方向と逆方向とを逆転できる
有機整流素子に関するものである。
(従来の技術) 従来、有機半導体を用いた有機整流素子を作製する試み
は多くなされてきた。その主たる動作原理は、試料内に
形成される電位勾配を利用するもので、具体的には、金
属と有機半導体との接合を利用した、いわゆる、■ショ
ットキー障壁を用いるもの、■有機半導体自身のP−N
接合を用いるもの、等である。
また、その主な有機半導体としては、例えば、シアニン
、ビリリウム、アズレニウム、スウアリリウムなどのイ
オン性色素やピリジウム、キクナトノン、ジオキサジン
、さらにフタロシアニンなどが挙げられる。
ところで、これらの有機半導体においては、N型のもの
は極めて少なく、また、ドーピングなどによる価電子制
御も困難であったり、安定性に欠けるなどのため、現状
では、そのほとんどがP型半導体に属する。
従って、特開昭56−35477号、特開昭60−20
1672号および特開平1−200677号公報や文献
(A、K。
Ghosh、 J、Appl、Phys、45.230
 (1974)、 Fen−Ren。
J、Chem、Phys、69.7.3342 (19
78))などにおいても、有機整流素子としては、上記
■ショットキー障壁を用いたものが多数見受けられる。
ところで、このショットキー障壁を形成するには、背面
電極、あるいは表面電極の一方に、P型有機半導体層よ
りも仕事関数の小さな、例えば、In、 AI、 Mg
などの金属を用いてショットキー障壁を、もう一方には
、P型有機半導体層よりも仕事関数の大きな、例えば、
Pt、^u、 Ag、 Cuなどの金属を用いてオーミ
ックコンタクトすることにより可能である。
従って、例えば、P型有機半導体層として、銅フタロシ
アニンを、オーミンクコンタクトとしてAuを、ショッ
トキーコンタクトとしてAIを用いた有機整流素子にお
いては、AI側に負(−)のバイアス電圧を印加した時
に順方向となり、その整流比は、(電圧+Vでの電流値
)/(電圧−■での電流値)として表すことが出来る。
なお、これらの素子の電流値は一般に真空中に比べ、大
気中の方が大きくなることが知られている。その理由と
しては、大気中の酸素が有機半導体層に吸着拡散してア
クセプタ準位とし働き、これに有機半導体の価電子帯か
ら電子が移行するためにキャリア(正札)濃度が増加す
るものと考えられている。即ち、これがP型有機半導体
の起源とされている。
(発明が解決しようとする課H) 本発明は、以上のような従来の有機整流素子とは異なり
、周囲の雰囲気を変えることにより、一つの整流素子で
整流特性が逆転、即ち、順方向と逆方向が逆転する新規
な有機整流素子を提供することを目的としている。
(課題を解決するための手段) 上記目的を達成した本発明の有機整流素子は、背面電極
、有機半導体層、表面電極を有する有機整流素子におい
て、前記有機半導体層がシャトルコック構造の金属フタ
ロシアニン系分子からなる蒸着膜であることを特徴とす
る。
ここでシャトルコック構造の金属フタロシアニン系分子
とは、次式 で表わされるように、4個のイソインドリン環からなる
ポルフィリン環の類縁体であり、分子の中心にY、 E
u、 Er、 La、 Nd、 Hg+ Ba、 Pd
、 Pt、 Pb等の金属(M)を含み、配位している
また、その中心金属(M)のイオン半径が大きいため、
第2図の側面図に示すように、フタロシアニン分子面か
ら飛び出し、分子面が傘状に湾曲した構造(シャトルコ
ック構造)をとっている。
シャトルコック構造に関しては文献(例えば、K。
υkei、 Phys、Lett、45A、 4.34
5 (1973))に詳細に記載されている。
本発明の有機整流素子の有機半導体層は、上記シャトル
コック構造を有する金属フタロシアニン系分子からなる
蒸着膜より成るもので、その蒸着膜厚は数百人〜数μ囮
程度、好ましくは0.1〜1μ−で用いられる。
本発明において用いる背面電極および表面電極のいずれ
か一方は、有機半導体層より仕事関数が大きく、またも
う一方は有機半導体層より仕事関数が小さい電極金属か
ら構成される。
以下、本発明を図面を用いて具体的に説明する。
第1図は、本発明の一実施例の有機整流素子の断面図で
ある。ガラスなどの基板1上に、有機半導体層3よりも
仕事関数の大きな金属を背面電極2として形成し、その
上に有機半導体層3として、シャトルコック構造の金属
フタロシアニン分子を蒸着形成する。
そして、その上に有機半導体層3よりも仕事関数の小さ
な金属を表面電極4として形成したものである。
有機半導体層3よりも仕事関数の大きな電極金属として
は、例えば、Pt、 Au、 Ag、 Cuなどが、ま
た、有機半導体層3よりも仕事関数の小さな電極金属と
しては、AI、 In、 Mgなどが挙げられるが、安
定性の点から、前者では、Pt、 Auなどが、後者で
は、AI、 Mgなどが好ましい。
また、ショットキーコンタクトは後で述べる理由により
、背面電極2と有機半導体層3との界面より、表面電極
4と有機半導体層3との界面で形成される方が好ましい
このようにして作製した有機整流素子は、背面電極2、
表面電極4にリード線を接続し、外部回路へと導かれる
大気中で、この素子の電流−電圧特性を測定すると、整
流比は約10〜100  (V=±2,0■において)
であり、一方10−3トール(Torr)程度の真空下
では、1/10〜1/100程度となる新規な現象が発
現する。
この現象は、P型有機半導体であるシャトルコック構造
を有する金属フタロシアニン系分子の蒸着膜が、あたか
もN型有機半導体に転移した様相となるが、実際に変化
していないことを光起電力、その他の評価より確認して
いる。
このように、大気中での整流比が10〜100程度であ
ったものが、真空中で、1/10〜1/100となる理
由は明らかでないが、他のCu、 Ni、 Zn、 C
o、 Fe。
Mg等の平面分子構造をとる金属フタロシアニンと異な
り、中心金属イオンがフタロシアニン環の面から飛び出
したシャトルコック構造を持っていることに大きく起因
しているものと考えられる。
さらには、また、表面電極4とシャトルコック構造を有
する金属フタロシアニン系薫着膜との間でショットキー
コンタクトを形成した方が、整流比が大きい傾向となる
ことから、大気中では、この表面電極4を通して、ある
いは側面から酸素や水分などが吸着、拡散していくため
に、逆方向側で、正孔注入に対し、AIなどの電極金属
とプロ・ンキングコンタクトを形成しているとも考えら
れる。
いずれにしても、本発明の素子は、周囲雰囲気を大気圧
から真空、例えば、10−’Torrに変えることによ
って、整流比の逆転する新規な素子を提供する。
なお、このようなシャトルコック構造を有する金属フタ
ロシアニン系物質を他の方法、すなわち、スピナー塗布
したり、他のポリマーと分散させることによって形成し
た薄膜では、残念ながらこのような現象は認められなか
った。
(実施例) 本発明をさらに詳細に説明するために、以下に実施例を
示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
実JiLL ガラス基板上に背面電極として、Auを真空蒸着した後
、シャトルコック構造を有する金属フタロシアニン分子
の蒸着膜として、鉛フタロシアニン(PbPc)を真空
度; 5 Xl0−6Torr、基板温度;室温、蒸着
速度;約1人/secにて膜厚、 1000人を真空蒸
着法により形成した。
次に、この上に、AIを膜厚約120人真空蒸着して表
面電極を形成し、有機整流素子とした。
その後、背面電極、表面電極にAgペーストにてリード
線を取り付け、クライオスタットにセットした後、大気
中、真空中(約10−’Torr)で暗時の電流−電圧
特性を測定した(第3図参照)。
その結果、大気中、真空中での整流比はそれぞれ12.
1/30と極めて大きな差異を生じた。
(発明の効果) 以上述べたように、本発明によれば、有機半導体層とし
て、シャトルコック構造の金属フタロシアニン系蒸着膜
を用い、しかも、背面電極、表面電極のいずれか一方に
は、有機半導体層より仕事関数が大きく、また、もう一
方は有機半導体層より仕事関数が小さい電極金属を用い
ることにより、周囲の雰囲気で順方向と逆方向とを逆転
できる新規な有機整流素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一例の有機整流素子の断面図、第2図
はシャトルコック構造を有する金属フタロシアニン分子
の構造を説明するための拡大側面図、 第3図は実施例の有機整流素子の電流−電圧特性(大気
中と真空中での比較)を示すグラフである。 1・・・基板 3・・・有機半導体層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、背面電極、有機半導体層、表面電極を有する有機整
    流素子において、前記有機半導体層が、シャトルコック
    構造の金属フタロシアニン系分子からなる蒸着膜である
    ことを特徴とする有機整流素子。
JP2153850A 1990-06-14 1990-06-14 有機整流素子 Pending JPH0448653A (ja)

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JP2153850A JPH0448653A (ja) 1990-06-14 1990-06-14 有機整流素子

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JP2153850A JPH0448653A (ja) 1990-06-14 1990-06-14 有機整流素子

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JPH0448653A true JPH0448653A (ja) 1992-02-18

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ID=15571470

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JP2153850A Pending JPH0448653A (ja) 1990-06-14 1990-06-14 有機整流素子

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6274722A (ja) * 1985-09-26 1987-04-06 Kubota Ltd 作業車
JP2004508731A (ja) * 2000-09-11 2004-03-18 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 有機整流器、回路、rfidタグ、および有機整流器の使用

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6274722A (ja) * 1985-09-26 1987-04-06 Kubota Ltd 作業車
JP2004508731A (ja) * 2000-09-11 2004-03-18 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 有機整流器、回路、rfidタグ、および有機整流器の使用

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