JPH0448716A - 基板保持装置および該装置を有する露光装置 - Google Patents
基板保持装置および該装置を有する露光装置Info
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- JPH0448716A JPH0448716A JP2155611A JP15561190A JPH0448716A JP H0448716 A JPH0448716 A JP H0448716A JP 2155611 A JP2155611 A JP 2155611A JP 15561190 A JP15561190 A JP 15561190A JP H0448716 A JPH0448716 A JP H0448716A
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- blowout
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板の裏面を真空吸着することにより該基板
を保持するピンチャック方式の基板保持装置および該装
置を有する露光装置に関するものである。
を保持するピンチャック方式の基板保持装置および該装
置を有する露光装置に関するものである。
半導体製造装置の露光装置において、マスクパターンを
ウェハなどの基板に転写する際の基板保持装置としては
、該基板の裏面を真空吸着することにより保持する基板
保持装置(たとえば、特公平1−14703号公報)が
よく用いられている。
ウェハなどの基板に転写する際の基板保持装置としては
、該基板の裏面を真空吸着することにより保持する基板
保持装置(たとえば、特公平1−14703号公報)が
よく用いられている。
一般に、基板保持装置で基板を保持したとき、該基板と
該基板保持装置の保持台間の接触熱抵抗が大きいと、マ
スクパターンを前記基板に転写する際の露光エネルギー
が該基板から前記保持台に逃げていかないため、該基板
の温度上昇および熱変形を招きパターン転写精度が悪化
する。特に、真空吸着による基板保持装置の場合には、
前記基板の裏面と前記保持台のチャック面(吸着された
基板と対向する面)との間に形成される微小空間に、熱
を逃がすための熱媒体である気体が存在しないため、前
記基板の温度上昇によるパターン転写精度の悪化が顕著
となる。
該基板保持装置の保持台間の接触熱抵抗が大きいと、マ
スクパターンを前記基板に転写する際の露光エネルギー
が該基板から前記保持台に逃げていかないため、該基板
の温度上昇および熱変形を招きパターン転写精度が悪化
する。特に、真空吸着による基板保持装置の場合には、
前記基板の裏面と前記保持台のチャック面(吸着された
基板と対向する面)との間に形成される微小空間に、熱
を逃がすための熱媒体である気体が存在しないため、前
記基板の温度上昇によるパターン転写精度の悪化が顕著
となる。
そこで、真空吸着された基板の露光中の温度管理が行え
てしかも該基板の平坦度も保てる基板保持装置として、
ピンチャック方式の基板保持装置が提案されている。該
基板保持装置は、温度調節された水(以下、「温調水」
と称する。)を該基板保持装置の保持台内に設けた水路
に流すことにより前記基板の温度管理をするとともに、
前記保持台のチャック面に複数の突起部を設けることに
より前記基板の平坦度を保ち、しかも前記チャック面と
前記基板との間にごみなどが入るのを避けるものである
。
てしかも該基板の平坦度も保てる基板保持装置として、
ピンチャック方式の基板保持装置が提案されている。該
基板保持装置は、温度調節された水(以下、「温調水」
と称する。)を該基板保持装置の保持台内に設けた水路
に流すことにより前記基板の温度管理をするとともに、
前記保持台のチャック面に複数の突起部を設けることに
より前記基板の平坦度を保ち、しかも前記チャック面と
前記基板との間にごみなどが入るのを避けるものである
。
第9図はピンチャック方式の基板保持装置の従来例の一
つを示す概略構成図である。
つを示す概略構成図である。
この基板保持装置は、外周壁101aを有する保持台1
01と、該保持台101のチャック面106に対称性よ
く設けられた21個の円柱状の突起部102と、前記保
持台】01のチャック面106に前記突起部102の間
に対称性よく設けられた16個の吸弓口103と、該1
6個の吸引口103と不図示の真空発生源とを接続する
吸引管104と、前記保持台101内の前記各突起部1
02の下を通るように配管された、不図示の恒温槽から
温調水が循環される水路105とを有する。
01と、該保持台101のチャック面106に対称性よ
く設けられた21個の円柱状の突起部102と、前記保
持台】01のチャック面106に前記突起部102の間
に対称性よく設けられた16個の吸弓口103と、該1
6個の吸引口103と不図示の真空発生源とを接続する
吸引管104と、前記保持台101内の前記各突起部1
02の下を通るように配管された、不図示の恒温槽から
温調水が循環される水路105とを有する。
ここで、前記外周壁101aと前記各突起部102とは
同じ高さとなっており、またそれらの真空吸着される基
板と接触する面(以下、「接触面」と称する。)は平面
仕上げされている。
同じ高さとなっており、またそれらの真空吸着される基
板と接触する面(以下、「接触面」と称する。)は平面
仕上げされている。
この基板保持装置では、真空吸着される基板は、該基板
が保持台1(]1の外周壁101aおよび各突起部10
2の接触面と接触する位置まで公知の搬送ハンド(不図
示)により搬送されてくる。その後、吸引v104が不
図示の真空発生源に連通されることにより、前記基板の
裏面が保持台101に真空吸着される。また、露光中の
前記基板の温度管理は、水路105に温調水を循環させ
て前記保持台101(特に、前記各突起部102)の温
度を一定に保つことにより行われる。
が保持台1(]1の外周壁101aおよび各突起部10
2の接触面と接触する位置まで公知の搬送ハンド(不図
示)により搬送されてくる。その後、吸引v104が不
図示の真空発生源に連通されることにより、前記基板の
裏面が保持台101に真空吸着される。また、露光中の
前記基板の温度管理は、水路105に温調水を循環させ
て前記保持台101(特に、前記各突起部102)の温
度を一定に保つことにより行われる。
しかしながら、上記従来例では、各突起部102の接触
面が平面仕上げされているにもかかわらず、該接触面に
は微小な凹凸やうねりが存在し、かつ基板の裏面にも微
小な凹凸やうねりが存在するため、前記基板の裏面を真
空吸着させたときの実際の接触面積は見かけの面積に比
へ非常に小さくなる。その結果、前記基板と前記各突起
部102との間の接触熱抵抗が大きくなるので、水路1
05に温調水を循環させて前記各突起部102の温度を
一定に保っても前記基板から前記各突起部102に熱が
逃げていかないため、露光中に上昇する前記基板の温度
を低くすることができないという問題がある。
面が平面仕上げされているにもかかわらず、該接触面に
は微小な凹凸やうねりが存在し、かつ基板の裏面にも微
小な凹凸やうねりが存在するため、前記基板の裏面を真
空吸着させたときの実際の接触面積は見かけの面積に比
へ非常に小さくなる。その結果、前記基板と前記各突起
部102との間の接触熱抵抗が大きくなるので、水路1
05に温調水を循環させて前記各突起部102の温度を
一定に保っても前記基板から前記各突起部102に熱が
逃げていかないため、露光中に上昇する前記基板の温度
を低くすることができないという問題がある。
特に、X線露光装置(たとえば、特願昭63−2529
91号)などに使用される、マスクと基板とが数十ミク
ロンの距離を隔てて配置されてマスクパターンが転写さ
れるプロキシミティ方式による露光装置では、前記マス
クと前記基板との間には熱媒体である気体が存在するた
め、前記マスクの温度が前記基板の温度に追随するので
、該基板の温度上昇はそのまま前記マスクの熱歪を誘起
する。
91号)などに使用される、マスクと基板とが数十ミク
ロンの距離を隔てて配置されてマスクパターンが転写さ
れるプロキシミティ方式による露光装置では、前記マス
クと前記基板との間には熱媒体である気体が存在するた
め、前記マスクの温度が前記基板の温度に追随するので
、該基板の温度上昇はそのまま前記マスクの熱歪を誘起
する。
たとえば、第9図に示した保持台+01および各突起部
102をSUS材で構成して、基板を真空吸着したのち
の該基板と前記保持台101間の接触熱抵抗を測定した
ところ、該接触熱抵抗は10”[deg−cm”/ W
]であった。この接触熱抵抗値は、前記保持台101の
温度が一定であるとしても、X線露光で100 [mW
/cm21のエネルギーが投入されると、前記基板の温
度が数度上昇する値であり、該基板の温度上昇に伴なっ
て生じるマスクの熱歪によりパターンの位置ずれが生じ
てパターン転写精度が悪化する。
102をSUS材で構成して、基板を真空吸着したのち
の該基板と前記保持台101間の接触熱抵抗を測定した
ところ、該接触熱抵抗は10”[deg−cm”/ W
]であった。この接触熱抵抗値は、前記保持台101の
温度が一定であるとしても、X線露光で100 [mW
/cm21のエネルギーが投入されると、前記基板の温
度が数度上昇する値であり、該基板の温度上昇に伴なっ
て生じるマスクの熱歪によりパターンの位置ずれが生じ
てパターン転写精度が悪化する。
本発明の目的は、接触熱抵抗が小さくでき、パターン転
写精度の向上が図れる基板保持装置および該装置を有す
る露光装置を提供することにある。
写精度の向上が図れる基板保持装置および該装置を有す
る露光装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段]
本発明の基板保持装置は、
基板の裏面を真空吸着することにより該基板を保持する
ピンチャック方式の基板保持装置であって、 保持台のチャック面に設けられた複数の吹出口と、 該複数の吹出口と外部空間またはボンベとを接続する吹
出管と、 該吹出管の途中に設けられた吹出量調節弁と、前記保持
台のチャック面の前記各吹出口からそれぞれ吹出された
気体を吸収できる部位にそれぞれ設けられた複数の吸引
口と、 該複数の吸引口と真空発生源とを接続する吸引管と、 該吸引管の途中に設けられた吸引量調節弁と、前記基板
の裏面と前記保持台のチャック面との間に形成される微
小空間の圧力を検出する圧力センサと、 該圧力センサの出力信号より前記吹出量調節弁および前
記吸引量調節弁の開閉を制御する制御手段とを有する。
ピンチャック方式の基板保持装置であって、 保持台のチャック面に設けられた複数の吹出口と、 該複数の吹出口と外部空間またはボンベとを接続する吹
出管と、 該吹出管の途中に設けられた吹出量調節弁と、前記保持
台のチャック面の前記各吹出口からそれぞれ吹出された
気体を吸収できる部位にそれぞれ設けられた複数の吸引
口と、 該複数の吸引口と真空発生源とを接続する吸引管と、 該吸引管の途中に設けられた吸引量調節弁と、前記基板
の裏面と前記保持台のチャック面との間に形成される微
小空間の圧力を検出する圧力センサと、 該圧力センサの出力信号より前記吹出量調節弁および前
記吸引量調節弁の開閉を制御する制御手段とを有する。
また、前記制御手段は、前記微小空間の圧力が50 [
Torr1以上となるように前記吹出量調節弁および前
記吸引量調節弁の開閉を制御してもよい。
Torr1以上となるように前記吹出量調節弁および前
記吸引量調節弁の開閉を制御してもよい。
さらに、前記微小空間の隣り合う4個の突起部に囲まれ
た空間ごとに、前記吹出口と前記吸引口とが設けられて
おり、 該吹出口の位置が該吸引口の位置よりも高くされていて
もよい。
た空間ごとに、前記吹出口と前記吸引口とが設けられて
おり、 該吹出口の位置が該吸引口の位置よりも高くされていて
もよい。
本発明の露光装置は、請求項第1項乃至第3項いずれか
に記載の基板保持装置を有する。
に記載の基板保持装置を有する。
[作用]
本発明の基板保持装置では、保持台のチャック面に複数
の吹出口と複数の吸引口とが設けられており、基板の裏
面と前記保持台のチャック面との間に形成される微小空
間の圧力を圧力センサで検出し、該検出した圧力に応じ
て、前記複数の吹出口と外部空間またはボンベとを接続
する吹出管の途中に設けられた吹出量調節弁および前記
複数の吸引口と真空発生源とを接続する・吸引管の途中
に設けられた吸引量調節弁の開閉を制御手段が行うこと
により、前記微小空間の圧力を一定の値以上に保てるた
め、前記基板と前記保持台間の接触熱抵抗を一定の値以
下にすることができる。
の吹出口と複数の吸引口とが設けられており、基板の裏
面と前記保持台のチャック面との間に形成される微小空
間の圧力を圧力センサで検出し、該検出した圧力に応じ
て、前記複数の吹出口と外部空間またはボンベとを接続
する吹出管の途中に設けられた吹出量調節弁および前記
複数の吸引口と真空発生源とを接続する・吸引管の途中
に設けられた吸引量調節弁の開閉を制御手段が行うこと
により、前記微小空間の圧力を一定の値以上に保てるた
め、前記基板と前記保持台間の接触熱抵抗を一定の値以
下にすることができる。
また、前記微小空間の圧力が50 [Torr1以上と
なるように、前記制御手段が前記吹出量調節弁および前
記吸引量調節弁の開閉を制御することにより、Xa*光
装置などで用いられるプロキシミティ方式による露光装
置用の基板保持装置において、パターン転写精度が悪化
しない程度に前記接触熱抵抗を小さくすることができる
。
なるように、前記制御手段が前記吹出量調節弁および前
記吸引量調節弁の開閉を制御することにより、Xa*光
装置などで用いられるプロキシミティ方式による露光装
置用の基板保持装置において、パターン転写精度が悪化
しない程度に前記接触熱抵抗を小さくすることができる
。
さらに、前記吹出口の位置が前記吸引口の位置よりも高
くされて、前記吹出口と前記吸引口とが前記微小空間の
隣り合う4個の突起部に囲まれた空間ごとに設けられて
いることにより、前記吹出口より吹出される気体を滞り
なく前記吸引口から吸引することができるので、前記微
小空間内の圧力をより一定に保つことができる。
くされて、前記吹出口と前記吸引口とが前記微小空間の
隣り合う4個の突起部に囲まれた空間ごとに設けられて
いることにより、前記吹出口より吹出される気体を滞り
なく前記吸引口から吸引することができるので、前記微
小空間内の圧力をより一定に保つことができる。
本発明の露光装置は、請求項第1項乃至第3項いずれか
に記載の基板保持装置を有することにより、前記接触熱
抵抗を一定の値以下した状態で露光を行うことができる
ので、パターン転写精度の向上が図れる。
に記載の基板保持装置を有することにより、前記接触熱
抵抗を一定の値以下した状態で露光を行うことができる
ので、パターン転写精度の向上が図れる。
[実施例]
次に、本発明の実施例について図面を参照して明する。
第1図は本発明の基板保持装置の第1の実施例を示す概
略構成図である。
略構成図である。
本実施例の基板保持装置は、外周壁1aを有する保持台
1と、該保持台1のチャック面6に対称性よく設けられ
た複数(同図に示す断面には9個)の円柱状の突起部2
と、該各突起部2の下を通るように配管された水路5と
、該水路5に温調水を循環させる恒温槽12とを有する
点については第9図に示した従来のものと同様であるが
、前記保持台1のチャック面6に設けられた複数(同図
に示す断面には5個)の吹出ロアと、該各吹出ロアと外
部空間とを接続する吹出管8と、該吹出管8の途中に設
けられた吹出量調節弁14と、前記各吹出ロアからそれ
ぞれ吹出された気体を吸収できるよう該各吹出ロアと交
互に前記保持台1のチャック面6に設けられた複数(同
図に示す断面には5個)の吸引口3と、該各吸引口3と
真空発生源9とを接続する吸引管4と、該吸引管4の途
中に設けられた吸引量調節弁10と、真空吸着された基
板の裏面と前記保持台1のチャック面6との間に形成さ
れる微小空間の圧力を検出する圧力センサとして、前記
吸引管4の前記吸引量調節弁lOと前記各吸引口3との
間に設けられた、前記吸引管4内の圧力を検出する圧力
センサ11と、該圧力センサ11の出力信号より前記吹
出量調節弁14および前記吸引量調節弁1oの開閉を制
御する制御手段としてのマイクロプロセッサ(以下、r
cPUJと称する。)15およびコントローラ16とを
有する点については、従来のものと異なる。
1と、該保持台1のチャック面6に対称性よく設けられ
た複数(同図に示す断面には9個)の円柱状の突起部2
と、該各突起部2の下を通るように配管された水路5と
、該水路5に温調水を循環させる恒温槽12とを有する
点については第9図に示した従来のものと同様であるが
、前記保持台1のチャック面6に設けられた複数(同図
に示す断面には5個)の吹出ロアと、該各吹出ロアと外
部空間とを接続する吹出管8と、該吹出管8の途中に設
けられた吹出量調節弁14と、前記各吹出ロアからそれ
ぞれ吹出された気体を吸収できるよう該各吹出ロアと交
互に前記保持台1のチャック面6に設けられた複数(同
図に示す断面には5個)の吸引口3と、該各吸引口3と
真空発生源9とを接続する吸引管4と、該吸引管4の途
中に設けられた吸引量調節弁10と、真空吸着された基
板の裏面と前記保持台1のチャック面6との間に形成さ
れる微小空間の圧力を検出する圧力センサとして、前記
吸引管4の前記吸引量調節弁lOと前記各吸引口3との
間に設けられた、前記吸引管4内の圧力を検出する圧力
センサ11と、該圧力センサ11の出力信号より前記吹
出量調節弁14および前記吸引量調節弁1oの開閉を制
御する制御手段としてのマイクロプロセッサ(以下、r
cPUJと称する。)15およびコントローラ16とを
有する点については、従来のものと異なる。
次に、本実施例の動作を説明する前に、プロキシミティ
方式による露光装置における露光中のマスクの温度上昇
について、第3図〜第5図を用いて詳しく説明する。
方式による露光装置における露光中のマスクの温度上昇
について、第3図〜第5図を用いて詳しく説明する。
簡単化のために第4図に示すように、形状が板状である
厚さtcの保持台5oの反チャック面52側の面が温調
水により温度が一定に保たれ、前記保持台50のチャッ
ク面52に厚さtwの基板51の裏面が吸着され、該基
板51の表面とブロキシミティギャップgだけ離れた位
置にマスク53が設置されているとする。
厚さtcの保持台5oの反チャック面52側の面が温調
水により温度が一定に保たれ、前記保持台50のチャッ
ク面52に厚さtwの基板51の裏面が吸着され、該基
板51の表面とブロキシミティギャップgだけ離れた位
置にマスク53が設置されているとする。
ここで、前記保持台50の反チャック面52側の面を原
点にして前記マスク53に向って位置Xをとり、前記保
持台50のチャック面52の位置をxl、前記基板51
の表面の位置をX2.前記マスク53の前記基板51側
の面の位置をx3として、露光中の温度Tと位置Xとの
関係を求めたグラフを第3図に示す。
点にして前記マスク53に向って位置Xをとり、前記保
持台50のチャック面52の位置をxl、前記基板51
の表面の位置をX2.前記マスク53の前記基板51側
の面の位置をx3として、露光中の温度Tと位置Xとの
関係を求めたグラフを第3図に示す。
第3図により、次のことがわかる。
(1)位置x=0では前記保持台50の温度が温調水に
より一定に保たれているので、温度T=T0となる。
より一定に保たれているので、温度T=T0となる。
(2)前記保持台50内部では温度Tは位置Xに比例し
て増加し、該保持台5oのチャック面52の位置X=X
、では温度T=T、どなるが、同じ位置X=X、にある
前記基板51の裏面は前述した接触熱抵抗により温度T
= T 、。
て増加し、該保持台5oのチャック面52の位置X=X
、では温度T=T、どなるが、同じ位置X=X、にある
前記基板51の裏面は前述した接触熱抵抗により温度T
= T 、。
(T ++> T r )となる。
(3)前記基板51内では温度Tは位置Xに比例して増
加し、該基板51の表面の位置X = X zでは温度
T ” T tとなる。
加し、該基板51の表面の位置X = X zでは温度
T ” T tとなる。
(4)前記基板51と前記マスク53との間の空間(以
下、「ギャップ」と称する。)においても、熱媒体であ
る気体が存在するため温度Tは位置Xに比例して増加し
、前記マスク53の前記基板51側の面の位置X=X3
での温度T=T、となる。
下、「ギャップ」と称する。)においても、熱媒体であ
る気体が存在するため温度Tは位置Xに比例して増加し
、前記マスク53の前記基板51側の面の位置X=X3
での温度T=T、となる。
したがって、前記保持台50.前記基板51および前記
ギャップ間に存在する気体の熱伝導率をそれぞれλ。、
λ、およびλ1とし、前記接触熱抵抗なR1前記保持台
50と前記基板51との単位面積当りの接触面積をSと
し、単位時間、単位面積当りの前記マスク53に照射さ
れるX線の強度を0丁とすると、 Ts Tt= ’−・Qy λ。
ギャップ間に存在する気体の熱伝導率をそれぞれλ。、
λ、およびλ1とし、前記接触熱抵抗なR1前記保持台
50と前記基板51との単位面積当りの接触面積をSと
し、単位時間、単位面積当りの前記マスク53に照射さ
れるX線の強度を0丁とすると、 Ts Tt= ’−・Qy λ。
となるため、露光中の前記マスク53の温度上昇ΔT
(=73 To )は、次式で表わされる。
(=73 To )は、次式で表わされる。
ΔT=(エニー+・ニー+1シー十旦−→・Qア (1
)ね S λ、 λ6 また、該温度上昇6丁に伴なう前記マスク53の熱歪Δ
ρは、線膨張係数をαとし、露光画角を24とすると、 Δ12=a・ΔT−ε (2)で表わ
される。
)ね S λ、 λ6 また、該温度上昇6丁に伴なう前記マスク53の熱歪Δ
ρは、線膨張係数をαとし、露光画角を24とすると、 Δ12=a・ΔT−ε (2)で表わ
される。
ここで、ヘリウムガス(以下、rHeガス」と称する。
)雰囲気中の露光条件を、
tc =0.2 [cml
λ、 ==0.245 (W/cm−degltw =
=0.05 [cml λw =0.84 [W/cm−deg1g=lo[
μml λg = 1.42X 10−’ [W/cm−de
glS = 0.5 [cm”l Qy =0.1 [W/cm”l とし、線膨張係数a = 2.7 X 10−’(1/
deglおよび露光画角2 I2= 30mmの窒化シ
リコン(SisNJマスクを用いた場合の露光中の前記
マスク53の熱歪△βを求めてみる。
=0.05 [cml λw =0.84 [W/cm−deg1g=lo[
μml λg = 1.42X 10−’ [W/cm−de
glS = 0.5 [cm”l Qy =0.1 [W/cm”l とし、線膨張係数a = 2.7 X 10−’(1/
deglおよび露光画角2 I2= 30mmの窒化シ
リコン(SisNJマスクを用いた場合の露光中の前記
マスク53の熱歪△βを求めてみる。
第5図は、前記基板51と前記保持台50のチャック面
との間に形成される微小空間に、)Ieガスまたは空気
を閉じ込めたときの該微小空間の圧力と接触熱抵抗Rと
の関係を測定した一例を示すグラフである。ただし、前
記基板51の表面と裏面との圧力差が150 [Tor
rl一定となるように、該基板51の表面側の空間の圧
力を制御している。
との間に形成される微小空間に、)Ieガスまたは空気
を閉じ込めたときの該微小空間の圧力と接触熱抵抗Rと
の関係を測定した一例を示すグラフである。ただし、前
記基板51の表面と裏面との圧力差が150 [Tor
rl一定となるように、該基板51の表面側の空間の圧
力を制御している。
第5図より、Heガス雰囲気中では、第9図に示した従
来例のように前記微小空間を真空(すなわち、圧力Jv
O[Torrl )にしたときの接触熱抵抗Rは10
” [deg−cm”/Wl となるため、この値を(
1)式に代入して露光中の前記マスク53の温度上昇Δ
Tを求めると、 ΔT〜20 [deg] となり、このときの前記マスク53の露光中の熱歪Δρ
は(2)式より、 Δβ=0.81 [μm] となる。
来例のように前記微小空間を真空(すなわち、圧力Jv
O[Torrl )にしたときの接触熱抵抗Rは10
” [deg−cm”/Wl となるため、この値を(
1)式に代入して露光中の前記マスク53の温度上昇Δ
Tを求めると、 ΔT〜20 [deg] となり、このときの前記マスク53の露光中の熱歪Δρ
は(2)式より、 Δβ=0.81 [μm] となる。
X線露光装置におけるアライメント精度を、たとえば0
.(16[μml程度とすると、前記熱歪△4の最大許
容値Δβ。は0.025 [μml程度となるので、前
記熱歪△β=0.81 [μmlは前記最大許容値Δt
2oを大幅に超えてしまう。
.(16[μml程度とすると、前記熱歪△4の最大許
容値Δβ。は0.025 [μml程度となるので、前
記熱歪△β=0.81 [μmlは前記最大許容値Δt
2oを大幅に超えてしまう。
そこで、(1)式および(2)式より、前記熱歪Δβが
最大許容値Δ℃。以下となる接触熱抵抗Rを求めると、 で表わされるため、前記露光条件を(3)式に代入する
と、 R≦2.3 [deg−cn”/Wlとなる。
最大許容値Δ℃。以下となる接触熱抵抗Rを求めると、 で表わされるため、前記露光条件を(3)式に代入する
と、 R≦2.3 [deg−cn”/Wlとなる。
したがって、接触熱抵抗Rが2.3 [deg−cm”
/w3となる前記微小空間の圧力を第5図より求めると
、該圧力は50 [Torr1以上であることがわかる
。
/w3となる前記微小空間の圧力を第5図より求めると
、該圧力は50 [Torr1以上であることがわかる
。
また、第5図より、空気中においても、前記微小空間の
圧力を50 [Torr1以上とすることにより、前記
接触熱抵抗Rを2.3 [deg−cm”/W]以下に
することができることがわかる。
圧力を50 [Torr1以上とすることにより、前記
接触熱抵抗Rを2.3 [deg−cm”/W]以下に
することができることがわかる。
次に、本実施例の基板保持装置の動作について第1図を
用いて説明する。
用いて説明する。
この基板保持装置では、真空吸着される基板(不図示)
は、該基板が保持台1の外周壁1aおよび各突起部2の
接触面と接触する位置まで公知の搬送ハンド(不図示)
により搬送されてくる。
は、該基板が保持台1の外周壁1aおよび各突起部2の
接触面と接触する位置まで公知の搬送ハンド(不図示)
により搬送されてくる。
その後、CPU15は吸引量調節弁10を開くようにコ
ントローラ16を制御する。該吸引量調節弁10が開か
れると、吸引管4が真空発生源9に連通され、前記基板
の裏面と前記保持台1のチャック面6との間に形成され
る微小空間に存在する気体が吸引されて該微小空間の圧
力が減少し、これによりて生じる前記基板の表面と裏面
との圧力差によって該基板は前記保持台1に吸着・保持
される。また、露光中の前記基板の温度管理は、恒温槽
12により水路5に温調水を循環させて前記保持台1(
特に、前記各突起部2)の温度を一定に保つことにより
行われる。
ントローラ16を制御する。該吸引量調節弁10が開か
れると、吸引管4が真空発生源9に連通され、前記基板
の裏面と前記保持台1のチャック面6との間に形成され
る微小空間に存在する気体が吸引されて該微小空間の圧
力が減少し、これによりて生じる前記基板の表面と裏面
との圧力差によって該基板は前記保持台1に吸着・保持
される。また、露光中の前記基板の温度管理は、恒温槽
12により水路5に温調水を循環させて前記保持台1(
特に、前記各突起部2)の温度を一定に保つことにより
行われる。
このようにして前記基板の真空吸着が開始されると、前
記接触熱抵抗Rを2.3 [deg−cm2/W]以下
にするため、前記CPU15は、所定のタイミングで前
記圧力センサ11の8力信号を取り込んで該出力信号が
示す前記吸引管4内の圧力(すなわち、前記微小空間内
の圧力)を監視するとともに、該微小空間の圧力が常に
50 [Torr1以上となるように、吸引量調節弁1
0および吹出量調節弁14の開閉を行う前記コントロー
ラ16を制御する。
記接触熱抵抗Rを2.3 [deg−cm2/W]以下
にするため、前記CPU15は、所定のタイミングで前
記圧力センサ11の8力信号を取り込んで該出力信号が
示す前記吸引管4内の圧力(すなわち、前記微小空間内
の圧力)を監視するとともに、該微小空間の圧力が常に
50 [Torr1以上となるように、吸引量調節弁1
0および吹出量調節弁14の開閉を行う前記コントロー
ラ16を制御する。
なお、本実施例においては、吹出管8により各吹出ロア
と外部空間(真空吸着された前記基板の表面側の空間)
とを接続し、該外部空間と前記微小空間との間に生じる
圧力差を利用することにより、該微小空間に気体を送り
込んでいるが、前記外部空間に存在する気体と異なる気
体を前記微小空間に送り込む場合などには、送り込む気
体が充填されたボンベと各吹出ロアとを前記吹出管8に
より接続するようにしてもよい。
と外部空間(真空吸着された前記基板の表面側の空間)
とを接続し、該外部空間と前記微小空間との間に生じる
圧力差を利用することにより、該微小空間に気体を送り
込んでいるが、前記外部空間に存在する気体と異なる気
体を前記微小空間に送り込む場合などには、送り込む気
体が充填されたボンベと各吹出ロアとを前記吹出管8に
より接続するようにしてもよい。
第6図(A)、(B)はそれぞれ本発明の基板保持装置
の第2の実施例における保持台61の中央部を示す概略
構成図である。
の第2の実施例における保持台61の中央部を示す概略
構成図である。
本実施例の基板保持装置では、吹出口67と吸引口63
とが、基板(不図示ンの裏面と保持台61のチャック面
66との間に形成される微小空間の隣り合う4個の突起
部62に囲まれた空間ごとに設けられており、かつ前記
吹出口67の位置が前記吸引口63の位置よりも高くさ
れて設けられている点が、第1図に示したものと異なる
。
とが、基板(不図示ンの裏面と保持台61のチャック面
66との間に形成される微小空間の隣り合う4個の突起
部62に囲まれた空間ごとに設けられており、かつ前記
吹出口67の位置が前記吸引口63の位置よりも高くさ
れて設けられている点が、第1図に示したものと異なる
。
すなわち、吸引口63は、前記囲まれた空間ごとに、チ
ャック面66の該囲まれた空間の中央部に設けられてい
る。また、吹出口67は、各突起部62の第6図(A)
図示上下左右の側面に、該各突起部62と前記チャック
面66との中間の高さにそれぞれ4個ずつ設けられてい
る。
ャック面66の該囲まれた空間の中央部に設けられてい
る。また、吹出口67は、各突起部62の第6図(A)
図示上下左右の側面に、該各突起部62と前記チャック
面66との中間の高さにそれぞれ4個ずつ設けられてい
る。
本実施例においても、前記微小空間内の圧力を常に50
[Torr1以上とするように、前記吹出口67から
吹出す気体の量と前記吸引口63から吸引する気体の量
とを調節することにより、第1図に示したものと同じ効
果が得られる。また、前記吹出口67と前記吸引口63
とを前記囲まれた空間ごとに、かつ前記吹出口67の高
さを前記吸弓口63の高さよりも高くして設けることに
より、前記各吹出口67より吹出した気体を滞りなく前
記吸引口63から吸引することができるため、前記各微
小空間内の圧力をより一定に保つことができるので、真
空吸着される基板の冷却効率をさらによくすることがで
きる。
[Torr1以上とするように、前記吹出口67から
吹出す気体の量と前記吸引口63から吸引する気体の量
とを調節することにより、第1図に示したものと同じ効
果が得られる。また、前記吹出口67と前記吸引口63
とを前記囲まれた空間ごとに、かつ前記吹出口67の高
さを前記吸弓口63の高さよりも高くして設けることに
より、前記各吹出口67より吹出した気体を滞りなく前
記吸引口63から吸引することができるため、前記各微
小空間内の圧力をより一定に保つことができるので、真
空吸着される基板の冷却効率をさらによくすることがで
きる。
なお、前記囲まれた空間ごとに形成される吹出口67の
数は4個以外(たとえば、2個)であってもよい。
数は4個以外(たとえば、2個)であってもよい。
第7図は本発明の基板保持装置の第3の実施例における
保持台71の中央部を示す断面図である。
保持台71の中央部を示す断面図である。
本実施例の基板保持装置では、各突起部72の形状をき
のこ状、すなわち該各突起部72の上端部の幅を他の部
分の幅よりも広くしている点が、第6図に示した第2の
実施例と異なる。
のこ状、すなわち該各突起部72の上端部の幅を他の部
分の幅よりも広くしている点が、第6図に示した第2の
実施例と異なる。
したがって、第1図に示した第1の実施例および第6図
に示した第2の実施例では、各吹出ロア、67から吹出
される気体が直接基板に当り該基板を振動させることが
あったが、本実施例では、各吹出ロア7から前記基板の
方向に吹出される気体は前記各突起部72の上端部に当
って案内されるため、該気体が直接前記基板に当ること
を防ぐことができるので、前記基板の振動を防止するこ
とができる。
に示した第2の実施例では、各吹出ロア、67から吹出
される気体が直接基板に当り該基板を振動させることが
あったが、本実施例では、各吹出ロア7から前記基板の
方向に吹出される気体は前記各突起部72の上端部に当
って案内されるため、該気体が直接前記基板に当ること
を防ぐことができるので、前記基板の振動を防止するこ
とができる。
なお、前記囲まれた空間ごとに形成される吹出ロア7と
吸引ロア3の数は、4個以外(たとえば、2個)であっ
てもよい。
吸引ロア3の数は、4個以外(たとえば、2個)であっ
てもよい。
第8図は本発明の基板保持装置の第4の実施例における
保持台81の中央部を示す断面図である。
保持台81の中央部を示す断面図である。
本実施例では、基板(不図示)の裏面と保持台81のチ
ャック面86との間に形成される微小空間の隣り合う4
個の突起部82に囲まれた空間ごとに、突起部82より
も高さの低い吹出口87用の突起80が設けられており
、該各突起80に4個の吹出口87(同図左右と紙面前
方および後方)がそれぞれ設けられているとともに、前
記囲まれた空間内の前記突起80の回りに4個の吸弓口
83(同図左右と紙面前方および後方)が設けられてい
る点が、前述した第1.第2.第3の実棒例と異なる。
ャック面86との間に形成される微小空間の隣り合う4
個の突起部82に囲まれた空間ごとに、突起部82より
も高さの低い吹出口87用の突起80が設けられており
、該各突起80に4個の吹出口87(同図左右と紙面前
方および後方)がそれぞれ設けられているとともに、前
記囲まれた空間内の前記突起80の回りに4個の吸弓口
83(同図左右と紙面前方および後方)が設けられてい
る点が、前述した第1.第2.第3の実棒例と異なる。
本実施例においても、各吹出口87がら吹出される気体
は基板の裏面と平行する方向に吹出されるため、気体が
直接該基板に当ることを防ぐことができ、該基板の振動
を防止することができる。
は基板の裏面と平行する方向に吹出されるため、気体が
直接該基板に当ることを防ぐことができ、該基板の振動
を防止することができる。
なお、前記口まれた空間ごとに形成される吹出口87と
吸引口83の数は、4個以外(たとえば、2個)であっ
てもよい。
吸引口83の数は、4個以外(たとえば、2個)であっ
てもよい。
第2図は本発明の基板保持装置を有する露光装置の一実
施例を示す概略構成図である。
施例を示す概略構成図である。
本実施例の露光装置は、保持台21.吸引管24、水路
25.吹出管28.真空発生源29゜吸引量調節弁30
.圧力センサ31.恒温槽32、吹出量調節弁34.C
PU35およびコントローラ36を具備する第1図に示
した基板保持装置を有するX線露光装置である。
25.吹出管28.真空発生源29゜吸引量調節弁30
.圧力センサ31.恒温槽32、吹出量調節弁34.C
PU35およびコントローラ36を具備する第1図に示
した基板保持装置を有するX線露光装置である。
また、本実施例の露光装置は前記基板保持装置のほか、
蓄積リングなどにより発生されたX線を透過するヘリウ
ム(He)ガスで内部が満たされているチャンバ41と
、該チャンバ41の一部に設けられているX線透過用の
ベリリウム窓(以下、「Be窓」と称する。)42と、
前記チャンバ41内の圧力を検出するチャンバ内圧力セ
ンサ43と、前言己チャンバ41内にHeガスを供給す
るHeボンベ44と、前記チャンバ41内へのHeガス
の供給量を調節するHe調節弁45と、該He調節弁4
5の開閉を行うHeコントローラ46とを有する。
蓄積リングなどにより発生されたX線を透過するヘリウ
ム(He)ガスで内部が満たされているチャンバ41と
、該チャンバ41の一部に設けられているX線透過用の
ベリリウム窓(以下、「Be窓」と称する。)42と、
前記チャンバ41内の圧力を検出するチャンバ内圧力セ
ンサ43と、前言己チャンバ41内にHeガスを供給す
るHeボンベ44と、前記チャンバ41内へのHeガス
の供給量を調節するHe調節弁45と、該He調節弁4
5の開閉を行うHeコントローラ46とを有する。
なお、前記CPU35は、前記吸引量調節弁30と前記
吹出量調節弁34との開閉を行う前記コントローラ36
の制御のほかに、前記Heコントローラ46の制御も行
う、また、マスクパターンの転写を行うための基板47
は前記基板保持装置の保持台21に真空吸着されており
、マスク48は、前記基板47から一定のギャップ(間
隙)をもって前1己チヤンバ41内に設置されている。
吹出量調節弁34との開閉を行う前記コントローラ36
の制御のほかに、前記Heコントローラ46の制御も行
う、また、マスクパターンの転写を行うための基板47
は前記基板保持装置の保持台21に真空吸着されており
、マスク48は、前記基板47から一定のギャップ(間
隙)をもって前1己チヤンバ41内に設置されている。
次に、本実施例の露光装置の動作について説明する。
基板47へのマスクパターンの転写を行う前に、CPU
35はチャンバ内圧力センサ43の出力信号を取り込み
、該出力信号に応じて)Heコントローラ46を制御し
てHe調節弁45を開閉させることにより、チャンバ4
1内の圧力を200 [Torrlに保つ。その後、真
空吸着される基板47が公知の搬送ハント(不図示)に
より図示の位置まで搬送されてくると、前記CPU35
は吸引量調節弁30を開くようにコントローラ36を制
御する。
35はチャンバ内圧力センサ43の出力信号を取り込み
、該出力信号に応じて)Heコントローラ46を制御し
てHe調節弁45を開閉させることにより、チャンバ4
1内の圧力を200 [Torrlに保つ。その後、真
空吸着される基板47が公知の搬送ハント(不図示)に
より図示の位置まで搬送されてくると、前記CPU35
は吸引量調節弁30を開くようにコントローラ36を制
御する。
該吸引量調節弁30が開かれると、吸引管24が真空発
生源29に連通され、前記基板47の裏面と保持台21
のチャック面との間に形成される微小空間に存在するH
eガスが吸引されて該微小空間の圧力が減少し、これに
よって生じる前記基板47の表面と裏面との圧力差によ
って該基板47、は保持台21に吸着・保持される。
生源29に連通され、前記基板47の裏面と保持台21
のチャック面との間に形成される微小空間に存在するH
eガスが吸引されて該微小空間の圧力が減少し、これに
よって生じる前記基板47の表面と裏面との圧力差によ
って該基板47、は保持台21に吸着・保持される。
このようにして前記基板47の真空吸着が開始されると
、該基板47と前記保持台21間の接触熱抵抗Rを2.
3 [deg−cm”/W]以下にするため、前記CP
t135は、所定のタイミングで圧力センサ31の出力
信号を取り込んで該出力信号が示す前記吸引管24内の
圧力(すなわち、前記微小空間内の圧力)を監視すると
ともに、該微小空間の圧力が常に50 [Torrl
となるように、吸引量調節弁30および吹出量調節弁3
4の開閉を行う゛前記コントローラ36を制御する。
、該基板47と前記保持台21間の接触熱抵抗Rを2.
3 [deg−cm”/W]以下にするため、前記CP
t135は、所定のタイミングで圧力センサ31の出力
信号を取り込んで該出力信号が示す前記吸引管24内の
圧力(すなわち、前記微小空間内の圧力)を監視すると
ともに、該微小空間の圧力が常に50 [Torrl
となるように、吸引量調節弁30および吹出量調節弁3
4の開閉を行う゛前記コントローラ36を制御する。
前記微小空間内の圧力を一定に保ったのち、X線をBe
窓42およびマスク48を介して前記基板47に照射す
ることにより、マスクパターンの転写が行われる。この
とき、露光中の前記基板47の温度管理は、恒温槽32
により水路25に温調水を循環させて前記保持台21の
温度を一定に保つことにより行われる。
窓42およびマスク48を介して前記基板47に照射す
ることにより、マスクパターンの転写が行われる。この
とき、露光中の前記基板47の温度管理は、恒温槽32
により水路25に温調水を循環させて前記保持台21の
温度を一定に保つことにより行われる。
本実施例においては、前記チャンバ41内の圧力が20
0 [Torrlとなり、前記微小空間内の圧力が50
[Torrl となるようにしたが、前記チャンバ4
1内の圧力と前記微小空間内の圧力との差が前記基板4
7を真空吸着するのに十分な値であれば、前記チャンバ
41内の圧力および前記微小空間内の圧力はそれ以外の
圧力(ただし、前記微小空間内の圧力は50 [Tor
r]以上)であってもよい。
0 [Torrlとなり、前記微小空間内の圧力が50
[Torrl となるようにしたが、前記チャンバ4
1内の圧力と前記微小空間内の圧力との差が前記基板4
7を真空吸着するのに十分な値であれば、前記チャンバ
41内の圧力および前記微小空間内の圧力はそれ以外の
圧力(ただし、前記微小空間内の圧力は50 [Tor
r]以上)であってもよい。
以上説明した本発明の露光装置の実施例では、基板保持
装置として第1図に示したものを用いたが、該基板保持
装置の代わりに、第6図、第7図または第8図に示した
実施例の基板保持装置を用いてもよい。
装置として第1図に示したものを用いたが、該基板保持
装置の代わりに、第6図、第7図または第8図に示した
実施例の基板保持装置を用いてもよい。
また、本発明の露光装置の実施例としてX線露光装置を
示したが、たとえば光を用いた露光装置のように基板を
一定温度に保ちかつ該基板の表面と裏面との圧力差によ
り該基板を保持する基板保持装置を有するすべての露光
装置に適用可能である。
示したが、たとえば光を用いた露光装置のように基板を
一定温度に保ちかつ該基板の表面と裏面との圧力差によ
り該基板を保持する基板保持装置を有するすべての露光
装置に適用可能である。
[発明の効果]
本発明は、上述のとおり構成されているので、次に記載
する効果を奏する。
する効果を奏する。
本発明の基板保持装置では、保持台のチャック面に複数
の吹出口と複数の吸引口とが設けられており、基板の裏
面と前記保持台のチャック面との間に形成される微小空
間の圧力を圧力センサで検出し、該検出した圧力に応じ
て、前記複数の吹出口と外部空間またはボンベとを接続
する吹出管の途中に設けられた吹出量調節弁および前記
複数の吸引口と真空発生手段とを接続する吸引管の途中
に設けられた吸引量調節弁の開閉を制御手段が行うこと
により、前記基板と前記保持台間の接触熱抵抗を一定の
値以下にすることができるため、前記基板の温度上昇に
よるマスクの熱歪を防ぐことができるので、パターン転
写精度の向上が図れるという効果がある。
の吹出口と複数の吸引口とが設けられており、基板の裏
面と前記保持台のチャック面との間に形成される微小空
間の圧力を圧力センサで検出し、該検出した圧力に応じ
て、前記複数の吹出口と外部空間またはボンベとを接続
する吹出管の途中に設けられた吹出量調節弁および前記
複数の吸引口と真空発生手段とを接続する吸引管の途中
に設けられた吸引量調節弁の開閉を制御手段が行うこと
により、前記基板と前記保持台間の接触熱抵抗を一定の
値以下にすることができるため、前記基板の温度上昇に
よるマスクの熱歪を防ぐことができるので、パターン転
写精度の向上が図れるという効果がある。
本発明の露光装置は、請求項第1項乃至第3項いずれか
に記載の基板保持装置を有することにより、前記接触熱
抵抗を一定の値以下した状態で露光を行うことができる
ので、パターン転写精度の向上が図れるという効果があ
る。
に記載の基板保持装置を有することにより、前記接触熱
抵抗を一定の値以下した状態で露光を行うことができる
ので、パターン転写精度の向上が図れるという効果があ
る。
第1図は本発明の基板保持装置の第1の実施例を示す概
略構成図、第2図は本発明の基板保持装置を有する露光
装置の一実施例を示す概略構成図、第3図は露光中の温
度と位置との関係を求めたグラフ、第4図は第3図に示
したグラフの横軸である位置Xの意味を示す図、第5図
は基板と保持台のチャック面との間に形成される微小空
間にHeガスまたは空気を閉じ込めたときの該微小空間
の圧力と接触熱抵抗との関係を測定した一例を示すグラ
フ、第6図は本発明の基板保持装置の第2の実施例にお
ける保持台の中央部を示す概略構成図であり、(A)は
その上面図、(B)は(A)のA−A’線に沿う断面図
、第7図は本発明の基板保持装置の第3の実施例におけ
る保持台の中央部を示す断面図、第8図は本発明の基板
保持装置の第4の実施例における保持台の中央部を示す
断面図、第9図はピンチャック方式の基板保持装置の従
来例の一つを示す概略構成図であり、(A)はその上面
図、(B)は(A)のA−A’線に沿う断面図である。 1、21.50.61.71.81・・・保持台、18
・・・ 外周壁、 2.62.72.82・・・ 突起
部、3、63.73.83・・・ 吸引口、42464
7484・・・吸引管、 52565.75.85・・・水路、 6、52.66、76、86・・・チャック面、7、6
7、77、87・・・ 吹出口、8、28.68.78
.88・・・吹出管、9.29・・・ 真空発生源、 0.30・・・ 吸引量調節弁、 131・・・ 圧力センサ、 12.324.34・・
・ 吹出量調節弁、 535・・・ CPU、 6.36・・・ コントローラ、 41 ・・・チャンバ、 42・・・Be窓、4
3・・・チャンバ内圧力センサ、 44・・・Heボンベ、 45・・・He調節弁
、46・・・Heコントローラ、 47.51 ・・・
基板、48、53・・・マスク、 80・・・突
起、g・・・プロキシミテイギャップ、 tc、tw・・・厚さ、 X、X+ 、Xs 、Xs ”・位置、T、T、、T、
、、 T* 、T、・・・温度、・・・ 恒温槽、 R・・・ 接触熱抵抗。
略構成図、第2図は本発明の基板保持装置を有する露光
装置の一実施例を示す概略構成図、第3図は露光中の温
度と位置との関係を求めたグラフ、第4図は第3図に示
したグラフの横軸である位置Xの意味を示す図、第5図
は基板と保持台のチャック面との間に形成される微小空
間にHeガスまたは空気を閉じ込めたときの該微小空間
の圧力と接触熱抵抗との関係を測定した一例を示すグラ
フ、第6図は本発明の基板保持装置の第2の実施例にお
ける保持台の中央部を示す概略構成図であり、(A)は
その上面図、(B)は(A)のA−A’線に沿う断面図
、第7図は本発明の基板保持装置の第3の実施例におけ
る保持台の中央部を示す断面図、第8図は本発明の基板
保持装置の第4の実施例における保持台の中央部を示す
断面図、第9図はピンチャック方式の基板保持装置の従
来例の一つを示す概略構成図であり、(A)はその上面
図、(B)は(A)のA−A’線に沿う断面図である。 1、21.50.61.71.81・・・保持台、18
・・・ 外周壁、 2.62.72.82・・・ 突起
部、3、63.73.83・・・ 吸引口、42464
7484・・・吸引管、 52565.75.85・・・水路、 6、52.66、76、86・・・チャック面、7、6
7、77、87・・・ 吹出口、8、28.68.78
.88・・・吹出管、9.29・・・ 真空発生源、 0.30・・・ 吸引量調節弁、 131・・・ 圧力センサ、 12.324.34・・
・ 吹出量調節弁、 535・・・ CPU、 6.36・・・ コントローラ、 41 ・・・チャンバ、 42・・・Be窓、4
3・・・チャンバ内圧力センサ、 44・・・Heボンベ、 45・・・He調節弁
、46・・・Heコントローラ、 47.51 ・・・
基板、48、53・・・マスク、 80・・・突
起、g・・・プロキシミテイギャップ、 tc、tw・・・厚さ、 X、X+ 、Xs 、Xs ”・位置、T、T、、T、
、、 T* 、T、・・・温度、・・・ 恒温槽、 R・・・ 接触熱抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板の裏面を真空吸着することにより該基板を保持
するピンチャック方式の基板保持装置において、 保持台のチャック面に設けられた複数の吹出口と、 該複数の吹出口と外部空間またはボンベとを接続する吹
出管と、 該吹出管の途中に設けられた吹出量調節弁と、前記保持
台のチャック面の前記各吹出口からそれぞれ吹出された
気体を吸収できる部位にそれぞれ設けられた複数の吸引
口と、 該複数の吸引口と真空発生源とを接続する吸引管と、 該吸引管の途中に設けられた吸引量調節弁と、前記基板
の裏面と前記保持台のチャック面との間に形成される微
小空間の圧力を検出する圧力センサと、 該圧力センサの出力信号より前記吹出量調節弁および前
記吸引量調節弁の開閉を制御する制御手段とを有するこ
とを特徴とする基板保持装置。 2、制御手段は、微小空間の圧力が50[Torr]以
上となるように吹出量調節弁および吸引量調節弁の開閉
を制御することを特徴とする請求項第1項記載の基板保
持装置。 3、微小空間の隣り合う4個の突起部に囲まれた空間ご
とに、吹出口と吸引口とが設けられており、 該吹出口の位置が該吸引口の位置よりも高いことを特徴
とする請求項第1項または第2項記載の基板保持装置。 4、請求項第1項乃至第3項いずれかに記載の基板保持
装置を有する露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155611A JPH0448716A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 基板保持装置および該装置を有する露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155611A JPH0448716A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 基板保持装置および該装置を有する露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448716A true JPH0448716A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15609809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2155611A Pending JPH0448716A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 基板保持装置および該装置を有する露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448716A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970008470A (ko) * | 1995-07-18 | 1997-02-24 | 제임스 조셉 드롱 | 유체 흐름 조절기를 가지는 정전기 척 |
| EP1457830A3 (en) * | 2003-03-11 | 2005-07-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising a temperature conditioned load lock |
| JP2005328051A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| JP2007072267A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 露光装置 |
| US7394520B2 (en) | 2003-03-11 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Temperature conditioned load lock, lithographic apparatus comprising such a load lock and method of manufacturing a substrate with such a load lock |
| US7576831B2 (en) | 2003-03-11 | 2009-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for maintaining a machine part |
| US7878755B2 (en) | 2003-03-11 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Load lock and method for transferring objects |
| WO2024012768A1 (en) * | 2022-07-11 | 2024-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder, lithographic apparatus, computer program and method |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2155611A patent/JPH0448716A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970008470A (ko) * | 1995-07-18 | 1997-02-24 | 제임스 조셉 드롱 | 유체 흐름 조절기를 가지는 정전기 척 |
| EP1457830A3 (en) * | 2003-03-11 | 2005-07-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising a temperature conditioned load lock |
| US7394520B2 (en) | 2003-03-11 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Temperature conditioned load lock, lithographic apparatus comprising such a load lock and method of manufacturing a substrate with such a load lock |
| US7576831B2 (en) | 2003-03-11 | 2009-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for maintaining a machine part |
| US7878755B2 (en) | 2003-03-11 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Load lock and method for transferring objects |
| JP2005328051A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| JP2010141342A (ja) * | 2004-05-11 | 2010-06-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US8749762B2 (en) | 2004-05-11 | 2014-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9285689B2 (en) | 2004-05-11 | 2016-03-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2007072267A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 露光装置 |
| WO2024012768A1 (en) * | 2022-07-11 | 2024-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder, lithographic apparatus, computer program and method |
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