JPH0449175B2 - - Google Patents
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- JPH0449175B2 JPH0449175B2 JP61095264A JP9526486A JPH0449175B2 JP H0449175 B2 JPH0449175 B2 JP H0449175B2 JP 61095264 A JP61095264 A JP 61095264A JP 9526486 A JP9526486 A JP 9526486A JP H0449175 B2 JPH0449175 B2 JP H0449175B2
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- fluorocarbon
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学的記録用媒体に存する。詳しく
は、レーザービームを照射して局所的に加熱し、
その加熱部に穴もしくは凹部を形成することによ
つて記録する光学的記録用媒体に関するものであ
る。
は、レーザービームを照射して局所的に加熱し、
その加熱部に穴もしくは凹部を形成することによ
つて記録する光学的記録用媒体に関するものであ
る。
基板上に形成された薄膜にレーザービームを照
射して、孔を形成するようにした光学的記録媒体
として、従来よりTeを使用することが知られて
いる。Teは低融点、低熱伝導度を有するために
上記方法による記録において高い感度を示す。し
かしTeは酸化され易く酸化されると透明になり
記録できなくなるという問題がある。
射して、孔を形成するようにした光学的記録媒体
として、従来よりTeを使用することが知られて
いる。Teは低融点、低熱伝導度を有するために
上記方法による記録において高い感度を示す。し
かしTeは酸化され易く酸化されると透明になり
記録できなくなるという問題がある。
上記問題点を改良したものとして、Teを合金
化したものTeの低酸化物、Teを有機薄膜中に分
散させたもの等がある。（例えば特開昭53−31104
公報、特開58−54338公報、特開昭57−98394公
報）。
化したものTeの低酸化物、Teを有機薄膜中に分
散させたもの等がある。（例えば特開昭53−31104
公報、特開58−54338公報、特開昭57−98394公
報）。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明者らは、特に、Te−Se合金系記録媒体
を、Te−Se合金をターゲツトとしArガスを用い
てスパツタリングすることにより堆積せしめ、そ
の特性について検討した結果これらの媒体には、
膜全面に数千Åから1μｍの径を有する結晶粒が
存在することを発見し、これが、信号再生時のノ
イズの一因となり、Ｃ／Ｎ比（Carrier noise
ratio）を低下させる事実を確認した。
を、Te−Se合金をターゲツトとしArガスを用い
てスパツタリングすることにより堆積せしめ、そ
の特性について検討した結果これらの媒体には、
膜全面に数千Åから1μｍの径を有する結晶粒が
存在することを発見し、これが、信号再生時のノ
イズの一因となり、Ｃ／Ｎ比（Carrier noise
ratio）を低下させる事実を確認した。
本発明者らは、この様な結果をふまえて更に
種々検討した結果Arガスに、SeF6等のフツ化セ
レンガスを混入してターゲツトをスパツタする事
により、非晶質構造を有し、従つて結晶粒及び結
晶粒界が存在しないため、感度、ピツト形状共に
良好で、しかも、経時安定性に優れた光学的記録
用媒体が得られる事を見い出し、本発明を完成し
た。
種々検討した結果Arガスに、SeF6等のフツ化セ
レンガスを混入してターゲツトをスパツタする事
により、非晶質構造を有し、従つて結晶粒及び結
晶粒界が存在しないため、感度、ピツト形状共に
良好で、しかも、経時安定性に優れた光学的記録
用媒体が得られる事を見い出し、本発明を完成し
た。
一方、記録感度及びピツト形状の改善のために
は、基板と記録媒体との間に下引き層を設けるこ
とも有効である。下引き層材料としては、CS2、
フツ化炭素ガス等各種モノマーのプラズマ重合膜
（特開57−117139、59−90246公報）ポリテトラフ
ルオロエチレン樹脂等のスパツタ膜（特開59−
90246、58−50634公報）等がある。本発明者ら
は、特にフルオロカーボンの重合膜またはスパツ
タ膜に注目し、該フルオロカーボン薄膜の改善及
び上記Te及びSeを含むスパツタ膜からなる、記
録媒体との組合せについて、鋭意検討した結果、
Te又はSeを含む合金をターゲツト材として、特
に、フツ化セレンガスとArガスとの混合ガス中
において、反応性スパツタリングを行い、フルオ
ロカーボン薄膜層を被着した基板上に、Te及び
Seを含むスパツタ膜を形成することにより、経
時安定性に優れ、高Ｃ／Ｎ比（Carrier to noise
ratio）、高感度を有する光学的記録媒体が得られ
ることを見い出した。
は、基板と記録媒体との間に下引き層を設けるこ
とも有効である。下引き層材料としては、CS2、
フツ化炭素ガス等各種モノマーのプラズマ重合膜
（特開57−117139、59−90246公報）ポリテトラフ
ルオロエチレン樹脂等のスパツタ膜（特開59−
90246、58−50634公報）等がある。本発明者ら
は、特にフルオロカーボンの重合膜またはスパツ
タ膜に注目し、該フルオロカーボン薄膜の改善及
び上記Te及びSeを含むスパツタ膜からなる、記
録媒体との組合せについて、鋭意検討した結果、
Te又はSeを含む合金をターゲツト材として、特
に、フツ化セレンガスとArガスとの混合ガス中
において、反応性スパツタリングを行い、フルオ
ロカーボン薄膜層を被着した基板上に、Te及び
Seを含むスパツタ膜を形成することにより、経
時安定性に優れ、高Ｃ／Ｎ比（Carrier to noise
ratio）、高感度を有する光学的記録媒体が得られ
ることを見い出した。
以下図面を参照して、本発明を詳細に説明す
る。第１図は、本発明の光学的記録用媒体の具体
的構造の一例を示す模式図であつて、１は基板、
２は基板１上に配置したフルオロカーボンのプラ
ズマ重合膜あるいはポリフルオロカーボンのパツ
タ膜、３は膜２上に反応性スパツタリングにより
形成したTe及びSeを含む記録層４はトラツクサ
ーボ用の溝である。第１図の例では、基板１は射
出成形等によつてトラツクサーボ用の案内溝を設
けたポリメチルメタクリレート樹脂や、ポリカー
ボネート樹脂が用いられる。
る。第１図は、本発明の光学的記録用媒体の具体
的構造の一例を示す模式図であつて、１は基板、
２は基板１上に配置したフルオロカーボンのプラ
ズマ重合膜あるいはポリフルオロカーボンのパツ
タ膜、３は膜２上に反応性スパツタリングにより
形成したTe及びSeを含む記録層４はトラツクサ
ーボ用の溝である。第１図の例では、基板１は射
出成形等によつてトラツクサーボ用の案内溝を設
けたポリメチルメタクリレート樹脂や、ポリカー
ボネート樹脂が用いられる。
基板１上にフルオロカーボンのプラズマ重合
膜、あるいは、ポリフルオロカーボンのスパツタ
膜２を形成するにあたり、フルオロカーボンとし
ては、CF4，C2F6などのパーフルオロアルカン、
CF3CFCF2などのパーフルオロアルケン又は、パ
ーフルオロヘキサン、パーフルオロベンゼン等、
常温で気体、あるいは液体であつても蒸気圧が十
分高く、真空容器に該フルオロカーボンの蒸気を
10-3Torr以上満たし、グロー放電が可能となる
もので、フツ素の置換度が高いものが望ましい。
これらフツ化炭素をモノマーとして容量式あるい
は誘導式放電を用いることによりプラズマ重合膜
を形成する。ポリフルオロカーボンとしては、ポ
リテトラフルオロエチレン樹脂、テトラフルオロ
エチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合樹
脂、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアル
コキシエチレン共重合樹脂などを用い、これらを
ターゲツトとして、Arなどの不活性ガス、ある
いは、不活性ガスと前記モノマーの混合ガスでス
パツタすることにより、スパツタ膜を形成する。
このプラズマ重合膜またはスパツタ膜の膜厚は、
20〜1000Å、好適には50〜200Åとする。
膜、あるいは、ポリフルオロカーボンのスパツタ
膜２を形成するにあたり、フルオロカーボンとし
ては、CF4，C2F6などのパーフルオロアルカン、
CF3CFCF2などのパーフルオロアルケン又は、パ
ーフルオロヘキサン、パーフルオロベンゼン等、
常温で気体、あるいは液体であつても蒸気圧が十
分高く、真空容器に該フルオロカーボンの蒸気を
10-3Torr以上満たし、グロー放電が可能となる
もので、フツ素の置換度が高いものが望ましい。
これらフツ化炭素をモノマーとして容量式あるい
は誘導式放電を用いることによりプラズマ重合膜
を形成する。ポリフルオロカーボンとしては、ポ
リテトラフルオロエチレン樹脂、テトラフルオロ
エチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合樹
脂、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアル
コキシエチレン共重合樹脂などを用い、これらを
ターゲツトとして、Arなどの不活性ガス、ある
いは、不活性ガスと前記モノマーの混合ガスでス
パツタすることにより、スパツタ膜を形成する。
このプラズマ重合膜またはスパツタ膜の膜厚は、
20〜1000Å、好適には50〜200Åとする。
さらに、上記フルオロカーボン下引き層２の上
に、Te及びSeを含む記録層３を反応性スパツタ
リング法によつて、50Å〜1μｍ程度、好ましく
は、200〜1000Å程度の厚さに堆積する。この反
応性スパツタリング法に用いるターゲツト材とし
ては、Teあるいは、Teを母材としてSe，Pb，
Bi，Sb，Sn，Ge，As等を含む合金が挙げられ
る。一方Arガスに混合すべきフツ化セレンガス
としては、Se2F2、SeF4、Sef6等が挙げられる
が、SeF6が一般的であり、該混合ガス中におけ
る、フツ化セレンガスの比率は１〜50％（体積
比）の範囲に選ばれる。Te及びSeを含む体積膜
からなる記録層３におけるSeの含有率（このSe
はフツ化セレンガスに由来するもの及びTe−Se
合金を用いた場合の該合金に由来するものを含
む）は原子比（atomic％）で５〜25％で選ばれ
る。これは膜中のSe含有量が原子比で５％未満
であると、経時安定性が悪化し、25％以上である
と、感度、ピツト形状が悪化するためである。他
の第３成分等を含む場合、その量は通常、Teに
対し、原子比で１〜20％程度が好適に用いられ
る。
に、Te及びSeを含む記録層３を反応性スパツタ
リング法によつて、50Å〜1μｍ程度、好ましく
は、200〜1000Å程度の厚さに堆積する。この反
応性スパツタリング法に用いるターゲツト材とし
ては、Teあるいは、Teを母材としてSe，Pb，
Bi，Sb，Sn，Ge，As等を含む合金が挙げられ
る。一方Arガスに混合すべきフツ化セレンガス
としては、Se2F2、SeF4、Sef6等が挙げられる
が、SeF6が一般的であり、該混合ガス中におけ
る、フツ化セレンガスの比率は１〜50％（体積
比）の範囲に選ばれる。Te及びSeを含む体積膜
からなる記録層３におけるSeの含有率（このSe
はフツ化セレンガスに由来するもの及びTe−Se
合金を用いた場合の該合金に由来するものを含
む）は原子比（atomic％）で５〜25％で選ばれ
る。これは膜中のSe含有量が原子比で５％未満
であると、経時安定性が悪化し、25％以上である
と、感度、ピツト形状が悪化するためである。他
の第３成分等を含む場合、その量は通常、Teに
対し、原子比で１〜20％程度が好適に用いられ
る。
以上のような構成を有する本発明光学的記録媒
体は、フツ化セレンガスに由来するSeを、含む
ために、記録層が非晶質構造となり、感度、ピツ
ト形状に優れたものとなる。またSeの働きとし
て記録層の経時安定性が極めて良く、温度70℃、
相対湿度85％の加速試験を30日間行つた後でも、
その反対率は全く変化しないと云う効果もある。
更に上記のような下引き層を用いることにより、
特に、形状が均一で明確なリムを有するピツトが
形成され、従つて高Ｃ／Ｎ比が達成され、かつ、
高感度な記録媒体を得ることができる。
体は、フツ化セレンガスに由来するSeを、含む
ために、記録層が非晶質構造となり、感度、ピツ
ト形状に優れたものとなる。またSeの働きとし
て記録層の経時安定性が極めて良く、温度70℃、
相対湿度85％の加速試験を30日間行つた後でも、
その反対率は全く変化しないと云う効果もある。
更に上記のような下引き層を用いることにより、
特に、形状が均一で明確なリムを有するピツトが
形成され、従つて高Ｃ／Ｎ比が達成され、かつ、
高感度な記録媒体を得ることができる。
第２図は、本発明に係る光学的記録媒体の製造
のための装置の一例である。図中１は真空容器、
２はポリテトラフルオロエチレン樹脂ターゲツ
ト、３はTe又はTeを含む合金ターゲツト、４は
基板５を配置した対向電極、６はガス導入口、７
はシヤツター、８は排気口、９はRF電源、１０
は切り換えスイツチである。電極４は移動可能で
あつて、ポリテトラフルオロエチレン樹脂ターゲ
ツト２の直上に配置してフルオロカーボンのスパ
ツタ膜からなる下引き層を被着したのち、真空を
破ることなくターゲツト３の直上に移動せしめ、
ひき続き記録層の形成を行うことができる。第２
図に示した装置の場合、ガス導入口６よりArガ
スを導入してターゲツト２と電極４の間で高周波
グロー放電を生じせしめて、フルオロカーボンの
スパツタ膜を基板５上に形成し、ひき続きガス導
入口よりArとフツ化セレンの混合ガスを導入し
てTe又はTeを含む合金ターゲツト３と電極４の
間でやはり高周波グロー放電を生ぜしめて、反応
性スパツタリングを行い、Te及びSeを含む堆積
膜からなる記録層を形成する。記録層中のSe含
有量は、ターゲツトにTe及びSeを含む合金を使
用する場合には、ターゲツト中のSe含有量によ
つても制御できるが、特に、フツ化セレンのグロ
ー放電プラズマ中での分解により、気相中より膜
中に混入するSeの量については、フツ化セレン
ガスとArガスの混合比または、放電条件（放電
電力、全圧力等）によつても制御可能であり、こ
の場合、Se含有量を幅広く、かつ、連続的に制
御することができ、記録層薄膜中の深さ方向での
組成に望みの分布を与えることも可能である。
のための装置の一例である。図中１は真空容器、
２はポリテトラフルオロエチレン樹脂ターゲツ
ト、３はTe又はTeを含む合金ターゲツト、４は
基板５を配置した対向電極、６はガス導入口、７
はシヤツター、８は排気口、９はRF電源、１０
は切り換えスイツチである。電極４は移動可能で
あつて、ポリテトラフルオロエチレン樹脂ターゲ
ツト２の直上に配置してフルオロカーボンのスパ
ツタ膜からなる下引き層を被着したのち、真空を
破ることなくターゲツト３の直上に移動せしめ、
ひき続き記録層の形成を行うことができる。第２
図に示した装置の場合、ガス導入口６よりArガ
スを導入してターゲツト２と電極４の間で高周波
グロー放電を生じせしめて、フルオロカーボンの
スパツタ膜を基板５上に形成し、ひき続きガス導
入口よりArとフツ化セレンの混合ガスを導入し
てTe又はTeを含む合金ターゲツト３と電極４の
間でやはり高周波グロー放電を生ぜしめて、反応
性スパツタリングを行い、Te及びSeを含む堆積
膜からなる記録層を形成する。記録層中のSe含
有量は、ターゲツトにTe及びSeを含む合金を使
用する場合には、ターゲツト中のSe含有量によ
つても制御できるが、特に、フツ化セレンのグロ
ー放電プラズマ中での分解により、気相中より膜
中に混入するSeの量については、フツ化セレン
ガスとArガスの混合比または、放電条件（放電
電力、全圧力等）によつても制御可能であり、こ
の場合、Se含有量を幅広く、かつ、連続的に制
御することができ、記録層薄膜中の深さ方向での
組成に望みの分布を与えることも可能である。
以下実施例により、本発明を更に詳しく説明す
る。
る。
真空容器を３×10-6Torrまで排気した後、Ar
ガスを１×10-2Torrまで導入し、13.56MHzの高
周波電力100Wでグロー放電を生ぜしめ、ポリカ
ーボネート樹脂基板上にポリテトラフルオロエチ
レンのスパツタ膜を約15nm堆積した。この後基
板側電極をTe88％、Se12％の合金ターゲツト直
上に移動し、プリスパツタを行つた後SeF6ガス
を体積比にして10％程度導入し、全圧を５×10-3
Torrとした。やはり13.56MHzの高周波電力50W
でグロー放電を生ぜしめ、Te Se体積膜を約
45nm堆積させた。Se含有量は原子質量比
（atomic％）にして、12％であつた。
ガスを１×10-2Torrまで導入し、13.56MHzの高
周波電力100Wでグロー放電を生ぜしめ、ポリカ
ーボネート樹脂基板上にポリテトラフルオロエチ
レンのスパツタ膜を約15nm堆積した。この後基
板側電極をTe88％、Se12％の合金ターゲツト直
上に移動し、プリスパツタを行つた後SeF6ガス
を体積比にして10％程度導入し、全圧を５×10-3
Torrとした。やはり13.56MHzの高周波電力50W
でグロー放電を生ぜしめ、Te Se体積膜を約
45nm堆積させた。Se含有量は原子質量比
（atomic％）にして、12％であつた。
ついで、この光学的記録媒体に波長830nmの
GaAlAs半導体レーザーで記録と再生を行つたと
ころ、Ｃ／Ｎ比57dBが得られた。記録感度は、
記録媒体上のレーザーーパワー4mW及びビーム
径1.6μｍに対して、160nsecであつた。
GaAlAs半導体レーザーで記録と再生を行つたと
ころ、Ｃ／Ｎ比57dBが得られた。記録感度は、
記録媒体上のレーザーーパワー4mW及びビーム
径1.6μｍに対して、160nsecであつた。
〔実施例 ２〕
テトラフルオロエチレンモノマー及びArをAr
に対して較正されたマスブローコントローラーを
通じて各々50CCM、15CCM流し、真空容器内を
５×10-3Torrの反応性ガスで満たした。容量式
結合を用いた高周波電極に13.56MHzの高周波電
圧を印加し、放電電力100Wで５分間放電を行な
い、約100Åのプラズマ重合膜を形成した。この
後実施例１と同様にしてTeSe堆積膜を約45nm堆
積させた。
に対して較正されたマスブローコントローラーを
通じて各々50CCM、15CCM流し、真空容器内を
５×10-3Torrの反応性ガスで満たした。容量式
結合を用いた高周波電極に13.56MHzの高周波電
圧を印加し、放電電力100Wで５分間放電を行な
い、約100Åのプラズマ重合膜を形成した。この
後実施例１と同様にしてTeSe堆積膜を約45nm堆
積させた。
ついで、この光学的記録用媒体に実施例１と同
様にして記録と再生を行なつたところ、Ｃ／Ｎ比
56dBが得られた。記録感度は、170nescであつ
た。
様にして記録と再生を行なつたところ、Ｃ／Ｎ比
56dBが得られた。記録感度は、170nescであつ
た。
フルオロカーボン下引き膜を設けず、ポリカー
ボネート樹脂基板上に直接上記TeSe堆積膜を形
成した媒体ではＣ／Ｎ比52dBしか得られなかつ
た。また、記録感度は200nsecであつた。
ボネート樹脂基板上に直接上記TeSe堆積膜を形
成した媒体ではＣ／Ｎ比52dBしか得られなかつ
た。また、記録感度は200nsecであつた。
一方、実施例１と同様にして形成したフルオロ
カーボンのスパツタ膜からなる下引き膜上に、
ArガスのみでスパツタしてTeSe堆積膜を形成し
た場合、Ｃ／Ｎ比45dBしか得られなかつた。ま
た、記録感度は230nsecであつた。
カーボンのスパツタ膜からなる下引き膜上に、
ArガスのみでスパツタしてTeSe堆積膜を形成し
た場合、Ｃ／Ｎ比45dBしか得られなかつた。ま
た、記録感度は230nsecであつた。
本発明の光学的記録用媒体はフツ化セレンガス
に由来するSeを含有することにより記録層中に
結晶及び結晶粒界の存在しない均一な非晶質構造
の記録層が得られ、従つて感度に優れ、ピツト形
状が良好な記録媒体が得られる。またフルオロカ
ーボンのプラズマ重合膜、またはポリフルオロカ
ーボンのスパツタ膜からなる下引き層を設けれ
ば、この効果は一層向上する。
に由来するSeを含有することにより記録層中に
結晶及び結晶粒界の存在しない均一な非晶質構造
の記録層が得られ、従つて感度に優れ、ピツト形
状が良好な記録媒体が得られる。またフルオロカ
ーボンのプラズマ重合膜、またはポリフルオロカ
ーボンのスパツタ膜からなる下引き層を設けれ
ば、この効果は一層向上する。
第１図は、本発明記録媒体の実施例の構造を示
す、模式的断面図である。第２図は本発明に係る
光学的記録媒体の装置の一例を示す。 図中１は基板、２はフルオロカーボン膜、３は
記録層をそれぞれ示す。
す、模式的断面図である。第２図は本発明に係る
光学的記録媒体の装置の一例を示す。 図中１は基板、２はフルオロカーボン膜、３は
記録層をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Te又ははTeを含む合金をターゲツト材とし
て、フツ化セレンガスとArガスとの混合ガス中
において反応性スパツタリングすることにより、
基板上にTe及びSeを含む堆積膜を形成させてな
る光学的記録用媒体。 ２ 基板とTe及びSeを含む堆積膜との間にフル
オロカーボンのプラズマ重合膜、またはポリフル
オロカーボンのスパツタ膜からなる下引き層を設
けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光学的記録用媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61095264A JPS62252543A (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 光学的記録用媒体 |
| KR1019870000966A KR910009072B1 (ko) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | 광학기록매체와 그 제조방법 |
| EP87301046A EP0242942B1 (en) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | Optical recording medium and process for producing the same |
| DE8787301046T DE3776386D1 (de) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | Optisches aufzeichnungsmedium und verfahren zu dessen herstellung. |
| CA000529093A CA1258974A (en) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | Optical recording medium and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61095264A JPS62252543A (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 光学的記録用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62252543A JPS62252543A (ja) | 1987-11-04 |
| JPH0449175B2 true JPH0449175B2 (ja) | 1992-08-10 |
Family
ID=14132904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61095264A Granted JPS62252543A (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 光学的記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62252543A (ja) |
-
1986
- 1986-04-24 JP JP61095264A patent/JPS62252543A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62252543A (ja) | 1987-11-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |