JPH04500217A - 弗素化ビフェニル誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 弗素化ビフェニル誘導体 本発明は、式Ｉ ［式中、Ｒ］は１２個までの炭素原子を宥するアルキル基（１個または２個の隣 接していないＣＨ，−基は、また、−ｏ−、−ｏ−ｃｏ−、−ｃｏ−ｏ−および （または）−ＣＨ＝ＣＨ−により！換されていてもよい）を示し、ｍは０または １であり、そして、Ｘは一〇ＣＦ３、−０ＣＨＦ２であり、あるいはｍが１を示 す場合は、さらに［、ＣＦ、またはＮＣ３であるコの弗素化ビフェニル誘導体、 そしてまた、少なくとも１種の化合物が式■の弗素化ビフェニル誘導体であるこ とを特徴とする少なくとも２種の化合物の混合物である液晶相に間するものであ る。

本発明は、液晶相の成分として適しており、そして、特に低粘度および高いネマ ティック相形成性と組み合わされた光学および誘電異方性に対する有利な値を有 している新規な安定な液晶またはメソーゲン化合物を発見する目的に基づくもの である。

比較的低い粘度を示す３．４−ジフルオロビフェニルか、米国特許第４７９７２ ２８号に記載されている。しかしながら、これらのビフェニルは、特に低温度で スメクティック相を誘起する好ましくない傾向を有している。

式Ｉの弗素化ビフェニルは、液晶相の極性成分として非常に適していることか見 出された。特に、これらの化合物は、光学および誘；異方性の有利な値を有しそ して３．４−ジ置換類似体はどスメクティンク相形成性を有していない、また、 これらの化合物の助けによって、ａ好な低温度動作および比較的低い粘度を包含 する広いネマティ・ツクメソフェース範囲を有する安定な液晶相を得ることが可 能である。

ＷＬ換分の選択によって、式１の化合物は、おもに液晶相を構成する基材料とし て使用することができる。しかしながら、式■の化合物は、また、例えば誘電異 方性および（または）光学異方性および（または）粘度および（または）このよ うな誘電体のネマティックメソフェース範囲に影響を及ぼすために、他の級の化 合物の液晶基材料に加えることも可能である。

式１の化合物は、純粋な状態において無色でありそして電気光学目的に対して有 利に使用される温度範囲において液晶性である。これらの化合物は、化学薬品、 熱および光に対して非常に安定でありそして有意に改善された電気抵抗性値を有 しそして特に熱的および（または）ｕｖ−負荷下において改善された抵抗性動作 を示す液晶相の実現化を可能にする。

すなわち、本発明は、式ｌめ弗素化ビフェニル誘導体、少なくともＩＮの成分が 式１の化合物である少なくとも２種の液晶成分を有する液晶相およびこのような 相を含有する液晶表示装置に間するものである。

上記および以下の記載において、Ｒ１、ｍおよびＸは、別に明白に示されない限 り、上述した意義を有す。

式１の化合物は、弐１１および工２ のシクロへキシルビフェニル誘導体および式Ｉ３、Ｒ４、工ａ、よりおよびＩＣ のシクロヘキシルエチルビフェニル誘導体を包含する。

Ｒ１は、好ましくは、アルキル、アルコキシ、オキサアルキル、アルカノイルオ キシまたはアルケニルでありそして直鎖状または分枝鎖状の構造を示すことがで きる。

アルキルまたはアルコキシは、好ましくは、直鎖状でありそして２．３．４．５ ．６または７個のＣ原子を有している。したがって、これらの基は、好ましくは エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、エトキシ、プロポ キシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシまたはへブトキシ、さらに、メチル、 オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル 、ペンタデシル、メトキシ、オクトキシ、ツノキシ、デコキシ、ウンデコキシ、 ドデコキシ、トリデコキシまたはテトラデシルシである。

オキサアルキルは、好ましくは、直鎖状の２−オキサプロピル（＝メトキシメチ ル）、２−（＝エトキシメチル）または３−オキシブチル（＝２−メトキシエチ ル）、２−２３−または４−オキサペンチル、２−１３−５４−または５−オキ サヘキシル、２−２３−５４−２５−または６−オキサヘプチル、２−１３−５ ４−５５−１６−または７−オキサオクチル、２−２３−．４−２５−５６−１ ７−または８−オキサノニルまたは２−２３−５４−１５−２６−１７−５８− １または９−オキサデシルである。

アルケニルは、好ましくは、直鎖状でありそして２個または１０個のＣ原子を有 している。したがって、それは、特にビニル、プロプ−１−またはグロブ−２− エニルブト−１−５−２−または−３−エニル、ベント−１−２−２−１−３− または−４−エニル、ヘキス−１−１−２−１−３−１−４−または−５−エニ ル、ヘプト−１−５−２−５−３−１−４−１−５−または−６−エニル、オク ト−１−５−２−５−３−１−４−１−５−１−６−または−７−エニル、ノン −１−５−２−１−３−１−４−５−５−１−６−５−７−または−８−工二ル またはチク−１−５−２−１−３−１−４−１−５−１−６−２−７−５−８− ｔたは−９−エニルである。

分枝鎖状末端基を含有する式■の化合物は、慣用の液晶基材料中における改善さ れた溶解度のためにときおり重要であるが、これらの化合物が光学活性である場 合はカイラルドーピング物質として重要である。

一般に、この型の分枝鎖状基は、１個より多くの鎖枝分れを含有していない、好 ましい分校ａ状の基は、イソプロピル、２−ブチル（＝１−メチルプロピル）、 イソブチル（＝２−メチルプロピル）、２−メチルブチル、イソペンチル（＝３ −メチルブチル）、２−メチルペンチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペ ンチル、２−オクチル、イソプロポキシ、２−メチルプロポキシ、２−メチルブ トキシ、３−メチルブトキシ、２−メチルペントキシ、３−メチルペントキシ、 ２−エチルヘキソキシ、２−メチルヘキソキシ、１−メチルヘキソキシ、１−メ チルへブトキシ（＝２−オクチルオキシ）、２−オキチー３−メナルブチル、３ 〜オ虞サー４　メチルペンチル、４−メチルヘキシル、２−ノニル、２−デシル 、２−ドデシル、６−メチルオクトキシ、６−メチルオクタノイルオキシ、４− メチルへブチルオキシカルボニル、２−メチルブチリルオキシ、３−メチルバレ リルオキシ、４−メチルヘキサノイルオキシ、２−メチル−３−オキサペンチル および２−メチル−３−オキサヘキシルである。

分枝鎖状の末端基Ｒ】を有する化合物の場合においては、式１は、光学対掌体お よびラセミ体ならびにこれらの混合物を包含する。

式１およびその下位の式の化合物の中で、化合物中に含有されている基の少なく とも１個が上述した好ましい意義の一つを有する化合物が、好ましい。

式１の化合物は、文献（例えばＨｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙｌ−Ｈｅｔｈｏ−ｄｅｎ　 ｄｅｒ　Ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ　Ｃｈｅ＋ｓｉｅ（Ｍｅｔｈｏｄｓ　ｏｆ　Ｏ ｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅ−１ｉＳｔｒＶ）　、ａｅｏｒｇ　Ｔｈ１ｅｉｅ　Ｖｅｒ ｌａｇ、Ｓｔｕｔｔｇａｒｔのような標準文献）に記載されているようなそれ自 体既知の方法によってそして特に反応に対して知られそして適当である反応条件 下において製造される。それ自体既知でありそして文献に詳細に記載されていな い変形法も、また、この点に関して使用することができる。

もし必要ならば、出発物質を反応混合物から単離しないで、直接さらに反応させ て式１の化合物を得るように、出発物質を反応系内で形成させることができる。

式■の化合物を製造する好ましい方法は、次のスキーム１に示される通りである 。

スキームＩ Ｌ　ＢｕＬｉ／Ｋｔ、Ｂｕｏ ８（ＯＨｅ）３ 他の方法は、スキーム２に示される通りである。

↓　ｉ、　、　２ｎＣｊ２　／′［ｉ２０↓　２，４−ブロモ−３−フルオロ− １−ヨードベンゼン／　ＴＨＥ／Ｐｄテトラ（トリフェニルホスフィン） Ｈ，、／Ｐｄ−Ｃ 他の方法は、次のスキーム３に示される通りである。

駈　１４１２／ＤＨＦ ↓　）Ｉ２／Ｐ（１−Ｃ 式１１の化合物を製造する好ましい方法は、次のスキーム４に示される通りであ る。

妻 Ｐ　異性体の分離 ↓ ↓ 最後に、式１１または工２の化合物を製造する好ましい方法は、次のスキーム５ および６に示される通りである。

↓　２．Ｗ性体の分離 ↓ ル 番 ↓　ｌ　、Ｈ２，／Ｐｄ−Ｃ ↓　２．異性体の分離 他の方法も、また、当業者に明らかである。さらに、所望の基とは具なる基Ｘを 使用して上述した方法を実施しそして最終工程において所望の基Ｘを導入するこ と、例えば−ＮＨ，を−ＮＣ５に変換すること、−ＣＮを−ＣＱＯＨにそして最 後に−ＣＦ８に変換すること（また、ＢｒまたはＪをＣＦ３またはＣＭに対する プレカーサーとして使用すること）、または−ＯＭｅを一〇Ｈにそして最後に一 〇ＣＦ１＊たは一〇〇ＨＦ２に変換することが可能である。すべてのこれらの工 程および相当する反応条件は、当業者に知られている。

出発物質は、既知であるかまたは既知化合物と同様にして製造することができる ０例えば、２−フルオロ−４−ブロモ−４’−Ｘ−と７　ｘ　ニル（Ｘ　＝　０ ＣＦａ、０ＣＨＦ、　、Ｆ、ＣＦ３またはＮＣ８）は、例えば、遷移金ｌ！接触 りロスーカッグリング反応［Ｅ、Ｐｏｅｔｓｃｈ、Ｋｏｎｔａｋｔｅ（Ｄａｒａ ｓｔａｄｔ）　１９８８（２）Ｐ、１５　］により製遺することができる。

式１の１種または２種以上の化合物のほかに、本発明による液晶相は、好ましく は２〜４０種の成分、特に４〜３０種の成分を含有する０式Ｉの１種または２種 以上の化合物および７〜２５種の他の成分からなる液晶相が、特に好ましい。

これらの他の成分は、好ましくはネマティックまたはネマティック相形成（単変 酸または等方性）物質、特にアゾキシベンゼン、ベンジリデンアニリン、ビフェ ニル、ターフェニル、フェニルまたはシクロへキシルベンゾエート、フェニルま たはシクロへキシルシクロヘキサンカルボキシレート、フェニルまたはシクロへ キシルシクロへキシルベンゾエート、フェニルまたはシクロへキシルシクロへキ シルシクロヘキサンカルボキシレート、シクロへキシルフェニルベンゾエート、 シクロへキシルフェニルシクロヘキサンカルボキシレート、シクロへキシルフェ ニルシクロへキシルシクロヘキサンカルボキシレート、フェニルシクロヘキサン 、シクロへキシルビフェニル、フェニルシクロへキシルシクロヘキサン、シクロ へキシルシクロヘキサン、シクロへキシルシクロヘキセン、シクロへキシルシク ロへキシルシクロヘキセン、１，４−とスーシクロヘキシルベンゼン、４，４° −とスーシクロへキシルビフェニル、フェニル−またはシクロへキシルピリミジ ン、フェニル−またはシクロへキシルピリジン、フェニル−またはシクロへキシ ルジオキサン、フェニル、−またはシクロへキシル−１，３−ジチアン、１．２ −ジフェニルエタン、１．２−ジシクロヘキシルエタン、１−フェニル−２−シ クロヘキシルエタン、！−シクロへキシル−２−（４−フェニル−シクロヘキシ ル）−エタン、１−シクロへキシル−２−ビフェニルエタン、１−フェニルー２ −シクロへキシル−フェニルエタン、場合によってはハロゲン化されたスチルベ ン、ベンジルフェニルエーテル、トランおよび置換された桂皮酸の級から選択さ れる。これらの化合物の１，４−フユニレン基は、弗素化されていてもよい。

本発明による液晶相の可能な成分であるもつとも重要な化合物は、次の式１．２ ．３．４および５により特徴づけることができる。

Ｒ’−Ｌ−ｔ！−Ｒ″　Ｉ Ｒ’−Ｌ−ＣＯＯ−ｔｌ−Ｒ’　２ Ｒ’−Ｌ−００Ｃ−Ｕ−Ｒ’“　３ Ｒ’−Ｌ−ＣＨ２ＣＨ＊−ｋｌ−Ｒ’　４Ｒ’−Ｌ−ＣＣ−Ｕ−Ｒ”　５ 式１．２．３．４および５において、ＬおよびＵは、相互に同一であっても興な っていてもよい、ＬおよびＵは、相互に独立して、−Ｐｈｅ−、−Ｃｙｃ−、− Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−１−Ｐｈｅ−Ｃｙｃ−、−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−、−Ｐｙｒ−、− Ｄｉｏ−、−Ｇ−Ｐｈｅ−１−Ｇ−Ｃｙｃ−およびこれらの鏡像体からなる群か ら選択された２価の基を示す、これらの基において、Ｐｈｅは非置換または弗素 化された１、４−フユニレンを示し、Ｃｙｃはトランス−１，４−シクロヘキシ レンまたは１．４−シクロヘキセニレンを示し、Ｐｙｒはピリミジン−２，５− ジイルまたはピリジン−２，５−ジイルを示し、Ｄｉｏは１．３−ジオキサン− ２，５−ジイルそしてＧは２−（トランス−１，４−シクロヘキシル）−エチル 、ピリミジン−２，５−ジイル、ビジジン−２，５−ジイルまたは１．３−ジオ キサン−２，５−ジイルを示す。

基りおよびＵの一方は、好ましくはＣｙｃ　、　ＰｈｅまたはＰｙｒである。Ｕ は、好ましくはＣｙｃ　、　ＰｈｅまたはＰｈｅ−Ｃｙｃを示す０本発明による 液晶相は、好ましくはしおよびＵがＣｙｃ　、　ＰｈｅおよびＰｙｒを意味する 式１．２．３．４および５の化合物から選択された１種または２種以上の成分を 含有する。さらに、該液晶相は、同時に、基しおよびＵの一方がＣｙｃ　、　Ｐ ｈｅおよびＰｙｒを示しそして他方の基が−Ｐｈｅ、−Ｐｈｅ−、−Ｐｈｅ−Ｃ ｙｃ−、−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−、−Ｇ−Ｃｙｃ−からなる群から選択されたもので ある式１．２．３．４および５の化合物から選択された１種または２種以上の成 分を含有する。該液晶相は、これに加えて、場合によっては、しおよびＵが−Ｐ ｈ’ｅ−Ｃｙｃ−、−Ｃｙｃ＝Ｃｙｃ−、−Ｇ−Ｐｈｅ−および−〇−Ｃｙｃ　 からなる群から選択されたものである式１．２．３．４および５の化合物から選 択された１種または２種以上の成分を含有する。

式１．２．３．４および５の化合物の好ましいサブグループ（サブグループ１） において、Ｒ゛およびＲ”は、相互に独立して、８個までの炭素原子を有するア ルキル、アルケニル、アルコキシ、アルケノキシである。Ｒ゛およびＲ“は、大 部分のこれらの化合物において相互に興なっており、基の一方は通常アルキルま たはアルケニルである。

式１．２．３．４および５の化合物の他の好ましいサブグループ（サブグループ ２）においては、Ｒ“は−ＣＮ、−ＣＦ３、−Ｆ、−ＣＭまたは−ＮＣ３を示し そして他方Ｒ°はサブグループ１において示した意義、好ましくはアルキルまた はアルケニルを示す９式１．２．３．４および５の化合物における他の種類の期 待される置換分も、また、慣用される。多くのこのような物質は、商業的に入手 することができる。これらの物質は、すべて、文献から知られている方法により または類似した方法により得ることができる。

本発明による液晶相は、好ましくは、サブグループ１から選択された化合物に加 えて、さらにサブグループ２の成分を含有する。これらの成分の％は次の通りで ある。

サブグループ１：２０〜９０％、特に３０〜９０％サブグループ２：１０〜５０ ％、特に１０〜５０％これらの液晶相において、本発明の化合物およびサブグル ープ１および２の化合物の％は、１００％を与えるまで加えることができる。

本発明による液晶相は、好ましくは本発明の化合物１〜４０％、特に５〜３０％ を含有する。さらに、本発明の化合物の４０％より大なる量、特に４５〜９０％ の量も、好ましい、該液晶相は、好ましくは本発明による３、４．４たは５の化 合物を含有する。

本発明の液晶相は、それ自体慣用の方法で製造される。

一般に、成分を、有利には上昇した温度で相互に溶解する０本発明の液晶相は、 該液晶相をすべての型の液晶表示装！に使用することができるようにするために 、適当な添加剤により変性することができる。このような添加剤は、当業者に既 知でありそして文献（Ｈ，にｅｌｋｅｒ／Ｒ。

Ｈａｔｚ＋Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌｓ　、　Ｖ ｅｒｔａｇ　Ｃｈｅｎｉｅ　。

１４ｅｉｎｈｅｉｉ、１９８０）に詳細に記載されている０例えば、着色したゲ スト−ホスト系を製造するために多色性染料を、または、ネマティック相の誘電 異方性、粘度および（または）配向を変性する物質を添加することが可能である 。

以下の例は、単に説明のなめに示すものであって、限定のために示すものではな い、　ｉ、ｐ、−４！点、　Ｃ，ｐ、＝透明点、上述したおよび後述する説明に おいて、部および％は、すべて重量部および重量％でありそして温度は℃で示さ れる。“慣用の処理“とは、水を加え、混合物を塩化メチレンで抽出し、有機相 を分離し、乾燥し次に蒸発しそして生成物を結晶化および（または）クロマトグ ラフィーにより精製することを意味するものである。

さらに、Ｃ：結晶性一固体状態、Ｓ：スメクティヅク相（指標は、スメク干イッ ク相の型を示す）、Ｎ：ネマティック相、Ｃｈ：コレステリック相、■：イソト ロビプク相である。２個のこれらの記号により囲まれた数字は、相変化の温度を 示す。

製造例 例　１ クロロホルム１００ｎｊ中のＰ−２−フルオロ−４−（トランス−４−ｎ−プロ ピル−シクロヘキシル−エチル−アニリン［２−１ランス−４−ｎ−プロピルシ クロヘキシル）−１−（２−フルオロ−４−ビフェニル）エタンと硝酸との反応 次いで水素添加によって得られた］０．１モルおよびトリエチルアミン１５−の 溶液に、チオホスゲン０．１モルを滴加する。混合物を朝まで撹拌し次に３Ｎ塩 酸に注加する。溶剤を蒸溜した後、残留物を、結晶化により精製する。ｐ−２− フルオロ−４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロへキシル−エチル）−フェ ニル−イソチオシアネートベンゼンを得る。

例　２〜５ 同様にして、次のイソチオシアネートが得られる。

！２）ｐ−（２−フルオロ−４−（トランス−４−ペンチルシクロへキシル−エ チル）−フェニル）−イソチオシアネートベンゼン ｆ３）ｐ−（２−フルオロ−４−（トランス−４−へ１チルシクロへキシル−エ チル）−フェニル）−インチオシアネートベンゼン （４）ｐ−（２−フルオロ−４−（トランス−４−ブチルジクロへキシル−エチ ル）−フェニル）−インチオシアネートベンゼン （５）Ｐ−（２−フルオロ−４−（トランス−４−エチルシクロへキシル−エチ ル）−フェニル）−イソチオシアネートベンゼン 例　６ １−クロロ−２−フルオロ−４−〈トランス−４−ｎ−プロビルシクロヘキシル エチル）ベンセンＥ４−ｎ−プロビルシクロヘキシルメチルホスホニウムアイオ ダイトと４−クロロ−３−フルオロベンズアルデヒドとの反応次いで水素添加に より得られた］０．１モル、４−フルオロフェニルボロン酸［４−ブロモフルオ ロベンゼンとマグネシウムおよびトリメチルボレートとの反応により得られた３ ｏ、１Ｍ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１モル％）、２ ｍ炭酸ナトリウム溶液（１５０ｍｅ）　、トルエン（２５ＣＩｉＪ　）　オヨヒ １ｔ４ｓ　（６０＋ｓｅ）　ノミ合物を、窒素雰囲気下で１６時間撹拌、還流す る。冷却後、有機層を分離し、水で洗浄し次に溶剤を蒸発除去する。

粗製の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシルエチル）−２，４°−ジフ ルオロビフェニルを、シリカ上のクロマトグラフィーおよび結晶化により精製す る。Ｃ４７Ｎ　８９１゜ 同様にして、次の化合物か得られる。

ｎ−ペンチル　Ｆ ｎ−プロピル　ＣＦ３ ｎ−ペンチル　Ｃ「３ ｎ−プロピル　０ＣＦａ　Ｃ３６Ｎ　８９．１　Ｔｎ−ペンチル　０ＣＦｓ ｎ−プロピル　６戸・１ ｎ−ペンチル　０ＣＨＦ２ 例　７ ４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロ−１−クロロベ ンゼン（４−プロビルシクロヘキサノンおよび３−４−クロロフェニルマグネシ ウムブロマイドの反応により得られた）０．１ｎ、トリフルオロメトキシフェニ ルボロン９０．１ｎ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１モ ル％）、２ｍ炭酸ナトリウム（１５０１ｊ　）　、トルエン（２５０ｎｊ　）お よびＩＭＳ（６０ａ＋ｔ）の混合物を、窒素雰囲気中で１６時間還流下で撹拌す る０通常の処理およびクロマトグラフィー処理および結晶化後、純粋な４−（ト ランス−４−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロ−４゛−トリフルオロメ トキシビフェニルが得られる。

同様にして、次の化合物が得られる。

ｎ−ペンチル　０ＣＦａ　Ｃ５６Ｎ　１０７．４１ｎ−ノニル　０ＣＦａ ｎ−へブチル　０ＣＦａ ｎ−ブチル　ＯＣ「３ エチル　０ＣＦ８ エチル　ＯＣＲＦ２ ｎ−プロピル　ＱＣ）ＩＦ。

ｎ−ブチル　ＯＣＨＦ２ ｎ−ペンチル　０ＣＨＦ２ ｎ−ヘプチル　０ＣＨＦ２ 例　８ 工程１および工程２ ブチルリチウム（１，６ｎ）　ｆ９５ｉＪ　）を、２０℃のＴＨＥ　（１４０− ）中のトランス１，４−プロビルシクロヘキシルメチルホスホニウムアイオダイ ド（７０ｇ）に徐々に加えそして１時間撹拌する。　ＴＨＥ　（２０＋ｄ）中の ３−フルオロベンズアルデヒド（１６，５ｇ＞を滴加しそして１５分撹拌する。

水（１００１Ｎ　＞を加えそして揮発性物質を溜去する。ジクロロメタン（２０ ０１１Ｊ　）を加えそして有機層を分離し、稀過酸化水素、それからＫＰｉ第一 鉄アンモニウムおよび水で洗浄する。カラムクロマトグラフィー処理によってシ ス／トランスアルケンを得、これをＴＨＦ　（１００ｆｆｌｌり中でＰｄ／Ｃで 水素添加して必要とするエタンを得る（スキーム１を参照されたい）。

工程３ ＴＨＦ　（３０ｄ　）に溶解した工程２からの生成物（１７，８ｇ　）　１．　 ＴＨＥ　（３０ｏｆｆｉ　）中のカリウムブトキシド（８ｇ）およびＤＨＰＵ　 （９，５ｇ　）　ヲ、−１１０℃ｔ、＝冷却する。ブチルリチウム（１，６ｍ） 　（５０１ｎｊ　）を、４０分にわたり、滴加しそして一１００℃で１時間撹拌 する。ＴＨＦ　（２０ＴＩｌ）中の硼酸トリメチル（８，２ｇ）を加えそして反 応混合物を２０℃に加温する６通常の処理によって必要なボロン酸を得る。

工程４ 前工程からのボロン酸（１，９ｇ）、４−プロモトリフルオロメトキシベンゼン （１，６ｇ）、）’ルエン（２０ｍｅ）、エタノール（５ｅ）　、パラジウムテ トラ（トリフェニルホスフィン）（０，１ｇ＞および炭酸ナトリウム溶液（１０ Ｊ　’）の混合物を、撹拌しそして５時間還流下で加熱する。生成物を、抽出に より単離しそしてカラムクロマトグラフィー処理して４−（トランス−４−ｎ− プロピルシクロヘキシルエチル）−２−フルオロ−４°−トリフルオロメトキシ ビフェニルを得る。Ｃ３６Ｎ　８９１　。

ＦおよびＣＦ、のような他の末端基化合物は、同じ方法で製造することができる 。

４−プロモトリフルオロメトキシベンゼン（７５，９ｇ）のグリニヤール試薬を 、ＴＨＥ　（５１５Ｉｌｊｌ　）中におけるマグネシウム（８，３ｇ）との反応 により製遺し、２０℃に冷却した後、塩化亜鉛（ジエチルエーテル中の１．０１ 溶液３１５−）を冷却しながら加え、過剰のマグネシウムをＰ去する、この混合 物を、パラジウムテトラ（トリフェニルホスフィン）　ｆｌ、ｏｇ　＞を含有す るＴＨＥ　（１５０ｉ、Ｏ）中の４−ブロモ−３−フルオロ−１−ヨードベンゼ ン＜８６．２ｇ）の混合物に加えそして窒素下で２日間撹拌する０通常の処理お よびクロマトグラフィー処理によって、４−ブロモ−２−フルオロ−４′−トリ フルオロメトキシビフェニルを得る。

工程２ 工程１からの生成物（１８，６ｇ　＞を、マグネシウム（１，４ｇ）およびＴ） ＩＦ　（７０１１４りを使用してグリニヤール試薬に変換する。　ＴＨＦ　（２ ０＋ｅ）中のトランス４−ペンチルシクロヘキサノン（８，７ｇ）を徐々に加え そしてそれから混合物を１時開還洸下で加熱する０通常の処理後、粘稠な油２２ ．５ｇを単離し、これをトルエン（１００１１ｊ　）中のトルエンスルホン酸（ ０，２ｇ）を使用して脱水してアルケンを得る（スキーム６）、二重結合の水素 添加後に、トランス−異性体を抽出およびカラムクロマトグラフィーにより単離 して、４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）−２−フルオＯ−４ ’−）リフルオロメトキシビフェニルを得る。　Ｃ５６Ｎ　１（ｆ７１゜０ＣＨ Ｆ、およびエチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ヘキシルおよびｎ−へブチ ルを包含するすべてのアルキル同族体のような他の末端基の化合物は、同じ方法 で製造することかできる。

例　１０（使用例） ２ｔｌ−３０８６（ＦＲＧ　、　Ｄａｒ＋ｇｓｔａｄｔのＥ、Ｈｅｒｃｋから商 業的に入手できるン９０％および４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキ シルエチル）−２−フルオロ−４゛−トリフルオロメトキシビフェニル１０％か らなる液晶相は、７２．２℃の透明点、ｉｉ、６ｃｓｔの粘度、ｖ、８３の複屈 折Δｎおよび＋０．８の誘；異方性Δ已を示す。

国際調査報告 国際調査報告 ＥＰ　９０００８４７ Ｓ＾　３７１６３

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. １．式Ｉ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉ ［式中、Ｒ１は１２個までの炭素原子を有するアルキル基（１個または２個の隣 接していないＣＨ２−基は、また、−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−および （または）−ＣＨ＝ＣＨ−により置換されていてもよい）を示し、ｍは０または １であり、そして、Ｘは−ＯＣＦ３、−ＯＣＨＦ２であり、あるいはｍが１を示 す場合には、さらにＦ、ＣＦ３またはＮＣＳである〕の弗素化ビフェニル誘導体 。
2. ２．Ｘが−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２を示す請求項１記載のビフェニル誘導体 。
3. ３．式Ｉａ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉａにより特徴づけられる請求項１記載のビ フェニル誘導体。
4. ４．式Ｉｂ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉｂにより特徴づけられる請求項１記載のビ フェニル誘導体。
5. ５．式Ｉｃ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉｃにより特徴づけられる請求項１記載のビ フェニル誘導体。
6. ６．少なくとも１種の化合物が請求項１記載の弗素化ビフェニル誘導体であるこ とを特徴とする少なくとも２種の化合物の混合物である液晶相。
7. ７．請求項６記載の液晶相を含有することを特徴とする液晶表示装置。
8. ８．請求項６記載の液晶相を含有することを特徴とする電気光字表示装置。