JPH04500291A - 共軸ケーブル用絶縁材及びそれから作った共軸ケーブル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 共軸ケーブル用絶縁材及びそ れから作った共軸ケーブル 背景技術 本発明は一般にワイヤ絶縁材として使用するための高度に充填されたフルオロ重 合体ジャケット形成組成物ｌこ関する。特に本発明は共軸ケーブルに使用するた め広い温度範囲にわたって均一な材料特性を有するセラミック充填フルオロ重合 体ワイヤ絶縁材料に関する。本発明またこのセラミック充填フルオロ重合体絶縁 材料から作った共軸ケーブルに関する。

共軸ケーブルは種々の精巧にして必要な電子応用分野で使用される。良く知られ ているように、共軸ケーブルはケーブル絶縁層でとりまかれた内部金属導電体を 含有し、それらの全てが金属接地用導体（ｇｒｏｕｎａ　）層で被われている。

更に接地用導体ジャケットに外側絶縁保護層を付与してもよい。現在、ケーブル 絶縁材はＰＴＩの如きフルオロ重合体材料を含む多くの重合体材料の何れからな っている。

かかる従来の絶縁材組成物は幾つかの重大な欠点に悩才されている。従来技術の 共軸ケーブル絶縁材に伴われる重大な問題の一つに、温度変化と共に材料特性の 均一性の不足がある。代表的には、ケーブルが作動するためのめられる温度範囲 にわたって誘電率が大きく変化する。又これらの従来技術のケーブルの熱膨張係 数は比較的大である。これは機械的又は熱的応力の下でクリープする望ましから ぬ傾向のみならずケーブルの電気的動作に変化をもたらす絶縁材の誘電率におけ る望才しからぬ変動をもたらす傾向がある。かかる望ましからぬ性質を示す共軸 ケーブル絶縁材料の例に固体ｐ’ｒｐ’ｇ絶縁材がある。

発明の開示 従来技術の上述した及びその他の問題及び欠点は、本発明のセラミック充填フル オロ重合体複合共軸ケーブル絶縁材（及びそれから作った共軸ケーブル）によっ て克服もしくは軽減される。本発明によれば、共軸ケーブル絶縁材は、６０〜２ ５％のフィブリル化しつるフルオロ重合体及び４０〜７５％のセラミック充填材 及び約２３０未満の誘電率を与えるに有効である気孔率からなる。本発明の好ま しい実施！！様において、共軸ケーブル絶縁複合体は約４０重量％のＰＴＦＥ、 ６０重量％の溶融アモルファスシリカ及び３０〜６０の気孔容積率を含有する。

又成る種の実施態様においては、複合体は１〜４重貴％のミクロガラス繊維を含 有でき、セラミック充填材はシラン核種で被覆できる。

気孔容積の規定は本発明の重要な特長であり、絶縁複合体の全誘電率を実質的に 低下させる作用をする。気孔容積は種々の既知の方法で形成できる。一つの好ま しい方法は。

ケーブル複合体を成形する前に複合体から除去し１うる除去性（ｆｕｇｉｔｉｖ ｅ　）充填材の使用にある。これらの充填材は絶締材内ｌζ微孔性気泡を作る作 用をする。かかる除去性充填材の例には水、浸出性塩もしくは他の水溶性材料又 はフルオロ重合体マ）　１７ツクスの融点未満の温度で熱酸化又は分解によって 絶縁材から除去しうる酸化性重合体を含む。奸才しい酸化性重合体はポリメチル メタクリレートである。気孔を形成する別の方法は組立中に絶縁材に小さい孔を 機械的に穿孔することである。

本発明の更に別の重要な特長は、熱膨張係数（ＣＴＥ　）を銅のＣＴＥに近似し たＣＴＥまで下げるようにセラミック充填材（シリカ）の有効量を与えることで ある。これは従来技術よりも温度安定性である電気的性質を有する共軸ケーブル をもたらす：そして共軸ケーブル集成体は従来技術に比較して改良された熱機械 的安定性を有する。

本発明の新規な共軸ケーブル絶縁材は従って低熱膨張のみならず広い温度範囲に わたって低くかつ安定な誘電率を有するケーブル絶縁材を提供することｌこよっ て従来技術の問題を克服する。

本発明の上述した及びその他の特長及び利点は」メ下の詳細な説明及び図面から 当業者に理解されるであろう。

図面の簡単な説明 図面を参照すると、同様の素子には同じ番号を付しである：第１図は本発明の新 規な絶縁材を組入れた共軸ケーブルの断面図である； 第２図は本発明の共軸ケーブル及び従来技術の共軸ケーブルに対する温度対相変 化を示すグラフである：第３図は本発明の共軸ケーブル及び従来技術の共軸ケー ブルに対する温度対ＶＳＷＲ変化％を示すグラフである；第４図は本発明の共軸 ケーブル絶縁材及び従来技術の共軸ケーブル絶縁材Ｉζ対する温度対誘電率変化 を示すグラフ本発明は特に共軸ケーブル用に有用性を見出したケーブル絶縁材層 こ関！ｉ−る。本発明の共軸ケーブル用絶縁材はセラミック充填材４０〜７５％ （重量）及びフィブリル化しうる一フルオＯ重合体材料６０〜２５％（重量）の 複合材料を含有するう本発明の重要な特長ｌこおいて、フルオロ重合体複合材料 ｊこは複合体の誘電率を２３０未満に低下させるのに有効である気孔容積を設け る。好丈しいフルオロ重合体マトリックスはＰＴＦＥであり、奸才しＧ１セラミ ック充填材は溶融アモルファスシリカ粉末である。本発明はまたセラミンク充填 材に付与したシラン被覆を含むのが奸才しい。本発明はまた１〜４重量％の量で マイクロガラス繊維の如き他の繊維充填材を含有できる。

ここで第１図を参照すると、共軸ケーブルの断面図を１０で一般的ｌζ示しであ る。ケーブル】０は中心導電体１２（代表的には鋼）、導電体１２をとりまく絶 縁材層１４（本発明の主題である）、及び絶縁材１４をとりまく外側金属接地用 導体ジャケット１６を含む良く知られている構成を有する。電気的に絶縁性のシ ース１８が所望によって金属ジャケット１６をカバーしてもよい。

本発明のケーブル絶縁材１４は１９８７年２月１７日出願の米国特許出願第０１ ５１９ｉ号に記載された回路板基体に組成において幾つかの類似点を有する。上 記出願は本願出願人Ｊζ譲渡されており、その全記載内容をここに引用して組入 れる。米国特許出願第０１５１９１号の回路基体材料は、セラミックがシランで 被覆されている高ｉにセラミック充填されたフルオロ重合体を含有する。しかし ながらこの回路材料は、共軸ケーブル絶縁用に望まれているものより高い約２． ８の誘電率を有する。

本発明の絶縁材組成物は、前述した米国特許出願第０１５１９ｆｆｉ号に記載さ れた方法と同様の方法で製造する。

一度混合し１本発明の絶縁材はケーブルの周囲を包むための薄いシートに形成す ることができる、或いは本発明はケーブルワイヤーの周囲に直接ペースト押出し することができる。

前述した如く奸才しくはセラミック（シリカ）表面は、前記表面を疎水性にする 作用を有する米国特許出願第０１５１９１号に記載されたシランで処理する。

本発明のケーブルジャケットを製造する方法（これは後述する説明及び実施例で 説明する）は誘電率を少なくとも２３０に低下させるのに充分な気孔容積を提供 するが、所望によってケーブルジャケットの誘電率は気孔容積を増大することに よって更に低下させることさえできる。これは米国特許第３５５６１６１号に記 載されている如き除去しうる充填材を用いる種々の既知の方法で達成できる。除 去性充填材はその除去方法ＡＣよって広く別けることができる。

例えばある充填材は溶媒作用によって除去でき、塩等の如き水溶性材料を含む。

他の充填材は化学作用によって溶解できる、−万更に別の充填材はフルオロ重合 体マトリックスの融点未満の温度Ｉこ加熱したとき揮発性成分に分解できる。か かる充填材には塩化アンモニウム、炭酸アンモニウム及びポリメチルメタクリレ ート（Ｐ）ＪＭＡ）の如き重合体を含む。充填材を除去する工程は後述する押出 し及び圧延工程前に行う。２種の好ましい除去性又はぎ甘い充填材は微粉砕水溶 性塩及び微粉砕ポリメチルメタクリレートである。

塩は水中に浸漬することによってシートから浸出させる。

ＰＭＭＡはフルオロ重合体マトリックス（ＰＴＦＥ　）の融点より充分に低い温 度で熱分解することによって除去する。絶縁複合体中の追加の気孔容積を与える 更に別の方法はシートを巻いてケーブル集成体ｊこする前にシート中に小さい孔 を機械的に穿孔することである。

ぎせい充填材の使用と共に、シートを機械的に穿孔したとき、高気孔容積も達成 し、絶縁材の誘電率及び誘電正接も低下させる。勿論、シート中の穿孔はケープ ７Ｌ・絶縁材を内部導電体の周囲で巻く場合にのみ有用であろう、そしてペース ト押出し７を含む製造法に対しては有用でないであろ′）。包むために好適なか かる絶縁シートを製造する方法は次の通りである：第一に米国特許出願第０１５ １９１号に記載された如く数成分を作る。その後の方法はペーストを薄いシート に押出し、圧延する方法である。このシートは押出し及び圧延を可能にするのに 必要な滑剤を掃去できる。

この掃去作用は多くの小さい気孔を作る。シートを熱水（又は他の好適な溶媒） 中に浸漬することによって掃去する。

次ｆζシートは製造ｌこ当っで使用した溶媒及び残存滑剤の乾燥をする。所望に よってこの乾燥したシートは、更にシートを３４０℃以上に曝すことによってフ ルオロ重合体を焼結して更に凝結した連続相にする処理をすることができる。

焼結は多孔度の若干の減少を生ぜしめるが、かなりの気孔容積を残す。焼結工程 は引張強さを増大させるが、非焼結処理材料は充分に強力で耐圧縮性であるので 、焼結は本発明の製造における必要工程ではない。勿論シートの気孔容積は前述 した方法の何れかによって更に増大させることができる。

前述した如く、シートに絶縁材を形成し、ケーブルの周りに巻くこと以外に５本 発明の絶縁材はケーブル上にベースト押出しすることもできる。この場合、フル オロ重合体（これはＰＴＩが好ましい）及びセラミック充填材は、乾燥粉末とし て混合することができる、或いはＰＴＦＥ水性分散液及び凝固を用いて混合する こともできる。乾燥構成成分は、最終の潤滑されたペーストの約１５〜３０重量 ％の貴で存在する好適な滑剤と混合する。ジプロピレングリコール（ＤＰＧ　） がこのために異常に良く適していることが判った。

工業標準ペースト押出し高沸点パラフィンを用いて高度に充填したＰＴＦＥを潤 滑する計画は僅かに凝着した弱い押出物を作り、過度の押出し圧力を示した。こ れｌこ対してジプロピレングリコールはＰＴＦＥを湿潤し、処理された充填材と の相互作用のその能力により滑剤として独特の好適性を示した。

混合したペーストは次いでケーブルジャケットのため計画した染料と共に標準の 市販のペースト押出装置を通して押出す。ジャケット形成したケーブルは次いで オーブン中で加熱して、滑剤を除去し、ワイヤジャケットとしてワイヤ上にＰＴ ＦＥ　／’ソリカ／気孔複合体を残す。滑剤は満足できる電気的、物理的及び熱 的性質を達成するため除去しなければならない。

ケーブルジャケットは次いでＰＴＦＩＥの融点（３４０℃）を越えさせるためそ の温度を上昇させて焼結してもよい、或いは前述した如く焼結しない状態で置い てもよい。前述した如く焼結は引張強さ及び配合物の密度を僅かに増大する。

ぎせい充填材を押出物ｌζ加えたとき１こは、前記充填材は。

前述したのと同様の方法で押出し後ワイヤジャケットから除去する。

本発明の高度にセラミック充填したフルオロ重合体から作った共軸ケーブル絶縁 材は非常に小さい誘電率の温度係数（ＴＣＤＫ　）　、低クリープ及び銅にマツ チした熱膨張係数を有する。これらの全ての性質は多くの共軸ケーブル用途で非 常に望ましく、現在のところ既知の共軸ケーブル絶縁材料の倒れにも見出されて いない。本発明の絶縁複合体は機械的又は熱的応力の下クリープに対する非常に 低下した傾向を有する。このことは誘電材料の変形による電気的性質の劣化を誘 起する熱サイクルに対する増大した抵抗を有するケーブルをもたらす。

本発明の更に別の利点は、セラミック充填フルオロ重合体の低ＣＴＥがケーブル のろう接性を改良し、ケーブル降伏を改良する。

現在は、ペースト押出しが導電体包装を越えた好ましい製造法であると信ぜられ る。ペースト押出しとして作ったとき、本発明の誘電材料は連続法で中心導電体 上に直接押出しすることができる、従ってそれは導電体包装よりも著しく安価に する。直接ペースト押出しは、同じ組成のシート製品で導電体を包むことによっ て形成されるケーブルよりも誘電材と中央導電体の間に空気間隙を作る傾向を減 じ、すぐれた物理的性質のケーブルを作る。

又ポリエチレン又はＦＩＩＣＰの如きフルオロ重合体フィルムからなる接着剤層 を、導電体１２と絶縁材１４の間に強力な結合を与えるために中心導電体１２に 付与するのが好ましい。この結合フィルムは２０で点線で示す。

前述した如く１本発明のケーブル絶縁材は、熱膨張係数（ＣＴＥ　）を純粋のＰ ＴＦＥのｅＴｇ　（それが測定される温度範囲によって約１００Ｆ／℃〜２　ｓ 　ＯＦ、／℃）から金属銅の範囲ノＣＴＥ（約１００Ｆ／℃未満、好ましくは４ ０Ｐ／℃未満）まで下げるため、セラミック（好ましくはシリカ）を含有する。

銅自体は１７．７ＦＦＩ／℃のＣＴＥを有する。本発明の絶縁材料のこの低下し たＣＴＥ　特長は、本発明の重大な点である。鋼のＣＴＥに誘電材料のＣＴＥが ほぼマツチすることは、中実ＰＴＦＥジャケットケーブル又は微孔質ＰＴＦＥジ ャケットケーブルの現在の技術状態を越えた少なくとも二つの明確な利点を有す る発明をもたらす。これらの利点には下記のごとを含む： １、本発明の電気的性質は従来技術のそれよりも大なる温度安定性を有する。本 発明で作ったケーブル集成体は従来技術の相安定性よりも良好な相安定性を有す る。本発明は又低い誘電率の熱係数（ＴＣＤＫ）も有する。

２゜本発明で作った半剛性ケーブル集成体は従来技術よりも熱機械的に安定であ る。これは本発明によれば一６５℃〜＋１２５℃の温度サイクル中でろう接した コネクターが破損しないことを意味し、一方従来技術のものはこれらの状況の下 で破損する。これはヌ本発明で作ったケーブル集成体の〜ｒｓＷ′Ｒ（電圧定常 波比）が従来技術よりも熱サイクルしたとき安定であることも意味する。

実施例　１ 本発明ｌこより作ったケーブル集成体の相安定性１２１６９のデュポン・テフロ ン６Ｃ微粉末％　１９８４９の溶融アモルファスシリカ粉末（１重量％のフェニ ルトリメトキシシランで処理した）及び８００９のシフロヒｌ／ングリコールヲ 、バッダーリン・ケリー・“Ｖｅｅ”ブレンダーで混合した。この材料を０．０ ３７ｔｎ直径中心導電体上に０、０８８　ｉｎ、直径ダイを通し１てペースト押 出しした。このためにジエニングス・インターナショナル・コーポレイションに よって作られた橿キペースト押出ワイヤジャケット形成機を使用した。中心導電 体は、鋼でめっきし５、次いで銀めっきした不銹鋼であった。ジャケット形成し たワイヤを約１時間４５０ででオーブン中に置き、ジプロピレングリコールを除 去した。ケーブルジャケット０）直径１−１０．１２０ｉｎであった。

ジャケット形成中心導電体を半剛性共軸ケーブル集成体に形成した。銅ジャケッ トは０．１４１　ｉｎの外径及び０１１１９泣の内径を有する。ケーブル集成体 の電気的性質をヒユーレット・パンカード８４０９ネツトワーク・アナライザー で試験した。測定された集成体インピーダンスは５０　ｏｈｍであった。測定し たインピーダンス及び集成体直径を基準にし１て絶縁材料の誘電率は２．０８で あった。

ケーブル集成体を熱サイクル室に置き、−６５１：ｌ〜＋１１５℃の温度範囲で 位相角変化ｔこついて試験した。位相角変化（Ｐ／℃で）対温度を第２図にプロ ットし、標準中実ＰＴＦＥジャケット形成Ｍ１１−Ｃ−１７（外径０．１４１世 ）半剛性ケーブル集成体と比較した。第２図から明らかな如く、本発明で形成し た集成体の位相角変化の割合は従来技術のそれよりもはるかに小さい。この相安 定性は、改良された装置性能をもたらし、温度補償回路部品を簡単化又は省略す る。

実施例　２ 本発明により形成しまた共軸ケーブル集成体の熱機械的安定性 ジャケット形成した導電体を実施例１に記載した方法と同じ方法で形成し、同様 の共軸ケーブル集成体に作−〕た。

この集成体を一６５℃〜＋１１５℃の温度範囲ｆこわたるトーユーレット・パラ カード８４０９を用い熱サイクル室中で試験して温度と共に測定した電圧定常波 比（ｖＳＷＲ）における変化を測定した。Ｖ１３ＷＲ変化％対温度を、中実ＰＴ ＦＥジャケット中心導電体及び微孔質ＰＴＦＥジャケット中心導電体に対する代 表的な値と共に本発明に対して第３図にプロットした。本発明ｌこよって形成し たケーブルの温度でのＶＳＷＲにおける変化は、本発明の誘電材料の減少した熱 膨張係数により、従来技術のそれより著しく小さい。これは２０％より大なるＶ ＳＷＲにおける改良をもたらす。

実施例　３ 本発明の誘電率の低温度係数 本発明の誘電率の如き温度安定性電気的性質は従来技術のもよりすぐれた著しい 利点を与えることは認められるであろう。実施例３は本発明で使用する組成物の 誘電率の低温度係数を証する。

１９００９のアイシーアイ・ＡＤ　７０４品質ＰＴＦＥ分散液を、９２０００９ の水中で３０５０９の溶融アモルファスシリカ（１重量％のダウ・コーニング６ １００シランで処理した）及び５０９のマンビル・コーポレイションの１０４Ｅ 微小ガラス繊維と混合した。スラリーを約５０９のポリ（エチレンイミン）で凝 固させた。凝固塊を手動シートモールドで脱水し、オーブン中で乾燥した。乾燥 した塊を１０９７９のジプロピレングリコールで２軸シエル・ビー・ブレングー 中で潤滑させた。試験を容易ｌこするため、この材料を厚さ０．０６０　ｉｎの パネルに形成した。

パネルは一８０℃〜＋２４０℃の範囲にわたって誘電率について試験した。第４ 図にプロットした結果は本発明組成物の温度に対する誘電率の安定性を証明して いる。

実施例　４ 本発明を用いて形成し５たケーブル集成体の熱サイクル安定性 オムニ・スペクトラ２００１−５００３　ＳＭＡプラグ及び２００２−５０１３ ８ＭＡジヤツキを用い実施例１に記載した如くして４個の長さ１２ｉｎのケーブ ル集成体を形成した。

比較のため、標準ミル−Ｃ−１７中実ＰＴＦＥケーブルを用いて４個の同様のケ ーブル集成体も形成した。

二つの別々の一定温度の室を、＋１２５℃の温度（室１）及び−６５℃の温度（ 室２）に設定した。全ケーブル集成体を下記のスケジュールにより２０サイクル 熱サイクル処理した。

（１）集成体を室１中に入れ、３０分間装いた。

（２）集成体を取り出し、直ちに（５分以内に）試料を室２中に入れ、３０分間 装いた。

（３）集成体を取り出し、直ちに（５分以内に）試料を室１中ｌこ入れた。

工程（１）〜（３）が１サイクルを構成する。本発明を用いて形成した全ケーブ ル集成体は２０回の熱サイクル後に、本発明の誘電材料の低熱膨張係数のため無 傷のままであった。ミル−Ｃ−１７中実ＰＴＦ’Ｅジヤケツトケーブルで形成し た４個のケーブル集成体の全てがコネクターでの破壊されたろう接接合部により 破損した。

実施例　５ 本発明の形成における有用性の組成範囲前記各実施例の組成範囲に類似した組成 範囲が、種々な程度の電気的性質の熱膨張係数及び温度安定性の所Δの性質を示 すことは昭められるであろう。

本発明の溶融アモルファスシリカ含有率の好ましい範囲は金属鋼の熱膨張係数に ほぼマツチするよう選択する。鋼のＣＴＥに誘電材料のＣＴＥをマツチさせるこ とは、本発明により形成し、たケーブル集成体の最大の熱機械的安定性を生ゼし めるであろう、一方動作温度の範囲ｔこわたって比較的安定な電気的性質も与え る。奸才しい範囲内ｔこ入る組成は５５〜７０重量％の溶融アモルファスシリカ 及び４５〜３０重量％のポリ（テトラフルオロエチレン）重合体を含有する。

これらの配合物の溶融アモルファスシリカ含有率を増大さぜると、？４Ｊられる 複合材料の熱膨張係数を減少する。減少したＣＴＥは潟度匙化に対する電気的性 質の安定性を増大する。しかしながら約７５重量％より多くの溶融アモルファス シリブ１を含有する組成物は可撓性、引張強さ、及び引張伸ひ本のｆＩｏき物理 的性質を悪くする。これが本発明の・〉リカ含有率の上限をほぼ確定する。

これらの配合物の溶融アモルファスシリカ含有率を減少させる１と形成される複 合材料の熱膨張係数を増大する。溶融アモルファスシリカの少ない量を含有させ で作った複合材料１ｚ　Ｔ＋（’ｌは、従来技術のものよりもｔ′お大なる機械 的安定性及び熱的ｔこ安定な電気的性質を示す。しかしながら、約４０重量％未 満の溶融アモルファスシリカでは、ＣＴＥは一５０℃〜＋１２５℃の温度範囲で １００Ｐ／℃より大にまで増大する。本発明の１才しい特性は、大きくても１０ ０ＦＦＩ／℃のＣＴＥを有する誘電体絶縁に減少させる。従って、本発明のシリ カ含有率の下限は約４０重量％である。前述した如く１本発明ζζよる好ましい 組成物は、ごＴＥを４０Ｐ／℃未満にまで小さくするのに有効なセラミック充填 含有率を含む。

ＰＴＦＥ−シリカ複合体中に多孔性を含むことは複合材料の誘電率を２．３０未 満に低下させるための本発明の重大な特長である。多孔性は％高充填材含有率に よる空気の自然連行で続いて乾燥して追い出される滑剤の存在によって達成でき る。或いはケーブルを押出し、乾燥した後浸出できる可溶性塩又は高温に曝すこ とによって除去できるポリ（メチルメタク＋）　＞　−）　）粉末の如き除去性 充填材の使用によって（前述した如く）増大させることができる。テープ包装ケ ーブルの場合ｆこおいては多孔性は機械的穿孔Ｉこよって増大させることができ る。

多孔性は複合材料の測定した比重ｌこよって測定できる。

溶融アモルファスシリカ及びポリ（子ドラフルオロエチレン）重合体の比重は共 に約２．】７である。従ってあらゆる割合でのＰＴＦＥ及び溶融アモルファスシ リカから形成した複合材料にとって、２．１７未満の比重は多孔度に原因がある 。

複合材料中の多孔度の容積分率は次の如く計算できる：容積分率多孔度＝１−比 重／２１７ 下記実施例はすぐれたケーブル特性を有する複合材料を作る多孔度及びシリカ含 有率の範囲の一部を示す。実施例材料の配合を下表１１こ示す。

ＰＴＦＥ　−＞　ＩＪ力誘電体絶縁材料の配合各成分の乾燥基準画分 ＩＤ　ＰＴＦＥ　シリカ　Ｐ恕粉末 Ｒ６９−３０，３８０，６２０，０ Ｒ６９−２０，２８５０，４６６０，２４２Ｒ６９−１０，３３９０，５５４０ ，１０７Ｒ８６−１０，５５００，４５００，０Ｒ８６−２０，４６２０，３７ ８０，１６０Ｒ８６−４０，３９８０，４３２０，１７０Ｒ８６−６０，３００ ０，７０００，０Ｒ８６−８０，２５００，７５００，０Ｒ８６−９０，２０８ ０，６２２０，１７０組成物Ｒ６９−１、Ｒ６９−２及びＲ６９−３は、実施例 １１こ記載した如＜　０．０３６５　ｉａの銀めっき、銅被着不銹鋼中心導電体 上に押出した。これら３個の試料は全て２時間４５０下に設定しまたオーブン中 で乾燥した滑剤を除去した。試料Ｒ６９−２及びＲ６９−１は６００丁で更に１ ０時間焼成してＰＭＭＡ粉末を分解させて除去した。ケーブル集成体は実施例１ に記載した如く形成し、電気的性質を測定するためヒユーＬ／ット・パラカード ８４０９ネツトワーク・アナライザーで試験した。誘電率はケーブルの物理的寸 法及び測定したインピーダンスから計算した。比重は水置換で測定した。測定し た比重、長さ及びケーブルインピーダンスを下表２に、計算した誘電率と共に示 す。

表　２ 本発明の比重及び誘電率 Ｒ６９−３Ａ　１４３　１８．７　４９．５　２．０８Ｒ６９−３Ｂ　’　１４ ３　１０．１　４９．５　２．０８Ｒ６９３Ｃ１，４３６５，１４９，５２，０ ８Ｒ６９−３Ｄ　１．４２　１５．４　５０．０　２．０４Ｒ６９−２Ａ　１． ３１　３０．５　４９．５　１．７４Ｒ６９−２Ｂ　１．２８　８２．３　４８ ．５　１．７０Ｒ６９−ＩＡ　１．０３　４．２，２　５０．０　１．６２Ｒ６ ９−ＩＢ　Ｏ，９９５１，５５０，５１，６０Ｒ８６系列の組成物は二軸シェル ・ビー・ブレンダーでジプロピレングリコールで潤滑し、直径０．１４０　＝の 中実棒Ｉζ押出した。全組成物を２時間４５０″Ｆでオーブン中で乾燥して滑剤 を除去した。ＰＭＭＡ粉末を含有する試料は更に１０時間６００下で乾燥して分 解させてＰＭＭＡを除去した。

全組成物の比重を水置換で測定した。誘電率は、１９８９年４月６日〜１０日の ＩＰ口第２９回年会のＩＰＣ−ＴＰ−５８７にティ・ディ・ニュートンの論文、 プレデイクテイング・ディエレクトリック・プロパティーズ中に記載された「方 法ｌ」の確定相関関係を用い、複合材料の比重及び既知組成から計算した。この 相関関係は実際の値の１５％以内で正確であり、ＰＴＦＥ−溶融アモルファスシ リカ複合体にとって、Ｒ６９−３及びＲ６９−２（表２における直接測定と比較 される）に対して含まれたデーターとよって証される如く、実際に測定されたも のより僅かに高い価を示す。これらの組成物の比重、計算誘電率及び熱膨張係数 を下表３に各組成物の測定比重及び計算誘電率 Ｒ８６−１１，５３２，１５８５ Ｒ８６−２１，２５１，９１８５ Ｒ８６−４１，５４２，２３６０ Ｒ８６−６ｉ、３７　２．２５　１１ Ｒ８６−８１，３６２，２９−− Ｒ８６−９１，０６１，９７−− Ｒ８９−３１４３２，２１２２ Ｆ１６９−２　０．９９　１．７９　２２好ましい実施態様を示したが、種々の 改変及び置換が本発明の範囲を逸脱することなくなし得る。従って本発明を限定 するのでなく例示ｔこよって示したことは理解すべきである。

ＥＲ（３０）ｉＸらｎＥＩ−ｉ；１′ｌｔ！ｔ４Ｌ　ＰＰｍ国際調査報告

Claims (28)

【特許請求の範囲】
1. １．中心導電体、中心導電体をとりまく絶縁材、及び絶縁材をとりまく接地用導 体ジャケットを含有する共軸ケーブルにおいて、複合体を規定する絶縁材が、全 複合体の約６０〜２５重量％を有するフルオロ重合体マトリックス：前記フルオ ロ重合体マトリックス中の全複合体の約４０〜７５重量の少なくとも１種のセラ ミツク充填材：複合体の誘電率を約２．３０未満に低下させるのに有効な複合体 中の気孔含有率を含有することを特徴とする共軸ケーブル。
2. ２．前記フルオロ重合体マトリックスがポリテトラフルオロエチレンを含む請求 の範囲第１項記載の共軸ケーブル。
3. ３．前記セラミック充填材がシリカを含む請求の範囲第１項記載の共軸ケーブル 。
4. ４．前記セラミック充填材が溶融アモルファスシリカを含有する請求の範囲第１ 項記載の共軸ケーブル。
5. ５．前記セラミック充填材が溶融アモルファスシリカを含有する請求の範囲第２ 項記載の共軸ケーブル。
6. ６．前記セラミック充填材上にシラン被覆を含む請求の範囲第１項記載の共軸ケ ーブル。
7. ７．全複合体の約１〜４重量％の微小ガラス繊維を含む請求の範囲第１項記載の 共軸ケーブル。
8. ８．複合体が焼結されている請求の範囲第１項記載の共軸ケーブル。
9. ９．複合体が焼結されていない請求の範囲第１項記載の共軸ケーブル。
10. １０．前記セラミック充填材が複合体の熱膨張係数を約１００■／℃未満に低下 させるのに有効な量で存在する請求の範囲第１項記載の共軸ケーブル。
11. １１．前記セラミック充填材が複合体の熱膨張係数を約４０■／℃未満に低下さ せるのに有効な量で存在する請求の範囲第１０項記載の共軸ケーブル。
12. １２．複合体中に少なくとも１種の滑剤を含有する請求の範囲第１項記載の共軸 ケーブル。
13. １３．前記滑剤かジプロピレングリコールを含む請求の範囲第１２項記載の共軸 ケーブル。
14. １４．複合体が少なくとも一つのシートを含み、前記シートが中心導電体の周囲 に巻かれている請求の範囲第１項記載の共軸ケーブル。
15. １５．更に前記気孔含有率を増大させるため前記シートに穿孔を含む請求の範囲 第１項記載の共軸ケーブル。
16. １６．複合体が中心導電体上にペースト押出しされている請求の範囲第１項記載 の共軸ケーブル。
17. １７．更に前記気孔含有率を増大させるため複合体に加えた除去性材料を含む請 求の範囲第１６項記載の共軸ケーブル。
18. １８．前記フルオロ重合体マトリックスがフイブリル化しうるフルオロ重合体を 含む請求の範囲第１項記載の共軸ケーブル。
19. １９．中心導電体、中心導電体をとりまく行１材．及び絶縁材をとりまく接地用 導体ジャケットを含む共軸ケーブルにおいて、複合体を規定する絶縁材が、全複 合体の約６０〜２５重量％を有するフルオロ重合体マトリックス：前記フルオロ 重合体マトリックス中のセラミック充填材を含有し、前記セラミック充填材が複 合体の熱膨張係数を約１００■／℃未満に低下させるのに有効な量で存在するこ とを特徴とする共軸ケーブル。
20. ２０．複合体の誘電率を約２．３０未満に低下させるのに有効な気孔含有率を複 合体中に含有する請求の範囲第１９項記載の共軸ケーブル。
21. ２１．前記フルオロ重合体マトリックスがポリテトラフルオロエチレンを含む請 求の範囲第１９項記載の共軸ケーブル。
22. ２２．前記セラミック充填材がシリカを含む請求の範囲第１９項記載の共軸ケー ブル。
23. ２３．前記セラミック充填材が溶融アモルファスシリカを含む請求の範囲第１９ 項記載の共軸ケーブル。
24. ２４．前記セラミック充填材が溶融アモルファスシリカを含む請求の範囲第１９ 項記載の共軸ケーブル。
25. ２５．前記セラミック充填材上にシラン被覆を含む請求の範囲第１９項記載の共 軸ケーブル。
26. ２６．全複合体の約１〜４重量％を有する微小ガラス繊維を含む請求の範囲第１ ９項記載の共軸ケーブル。
27. ２７．前記セラミック充填材が全複合体の約４０〜７５重量％である請求の範囲 第１９項記載の共軸ケーブル。
28. ２８．前記セラミック充填材が複合体の熱膨張係数を約４０■／℃未満に低下さ せるのに有効な量で存在する請求の範囲第１７項記載の共軸ケーブル。