JPH04501781A - 磁界の反転回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 磁界の反転回路装置 本発明は、磁界の反転回路装置に関する。

この形式の回路装置は例えば、磁気光学記録担体の磁気層における磁化方向を反 転するために、磁気光学記録および再生装置に使用される。

公知の磁気光学記録担体は、透光層の後に、そこにデータが記録可能でありかつ そこからデータが読み取り可能である磁気光学層が存在する磁気光学ディスクで ある。最初に、磁気光学ディスクにデータがどのように書き込まれるかを説明す る。

ディスクに集束されるレーザビームを用いて、磁気光学層は、キューリ一温度の 近傍にある温度に加熱される。しかし大抵は、磁気光学層をほぼ、キューリ一温 度の下方にある補償温度まで加熱しさえすれば十分である。ディスク上の焦点の 後に、レーザビームによって加熱される領域を一方または他方の磁化方向におい て磁化する電磁石が配設されている。レーザビームの遮断後、加熱された箇所は 再び補償温度以下に冷却されるので、電磁石によって決められる磁化方向は維持 される。この磁化方向はいわばフリーズ（凍結）されている。このようにして個 々のビットは異なった磁化方向の磁区に記憶される。その際例えば磁区の一方の 磁化方向は論理１に対応し、一方それとは反対の磁化方向は論理０を表している 。

データを読み取るために、カー効果が利用される。

直線偏波された光ビームの偏波面は、磁化された鏡面での反射の際測定可能な角 度だけ回転される。鏡面のどの方向において磁化されているかに応じて、反射さ れた光ビームの偏波面は右または左に回転される。しかしディスク上の個々の磁 区は磁化された鏡面のように作用するので、走査ビームの偏波面はその時走査さ れた磁区の磁化方向に応じて測定可能な角度だけ左または右に回転される。

ディスクから反射された光ビームの偏波面の回転から、光学走査装置はいずれの ビットが、すなわち論理１または論理Ｏが存在するかを検出する。

磁気光学層を一方の方向または他方の方向に磁化するための公知の解決法によれ ば、電磁石として作用する、磁気光学ディスクの後にコイルを備えた回路装置が 設けられている。コイルは、光学走査装置が走査する領域全体を反転磁化するこ とができるように、設計されたものでなければならない。この領域は記録および 再生装置の形式に応じて例えば、ディスク縁からディスク中心点に延在する半径 方向または円弧形状のストリップである。このストリップを反転磁化することが できるようにするために、ストリップ全体における磁界強度は必要最小値に達し なければならないので、結果としてコイルの横断面積、ひいてはインダクタンス は比較的大きくなる。

別の公知の解決法において、コイルは光学走査装置に固定されている。コイルは 例えば、光学走査装置の対物レンズの回りに巻回することができる。この解決法 では、コイルは光学走査装置と一緒にトラック制御回路を用いて磁気光学ディス ク上のデータトラックに沿って案内されるので、同じ必要最小磁界強度を発生す るためには、比較的値かな横断面積、従って比較的小さなインダクタンスで十分 である。というめは半径方向または円弧形状のストリップではな（て、磁気光学 層における中心点としての、殆ど点状のレーザスポットを有する小さな、例えば 円弧形状の領域のみが反転磁化される。

従って本発明の課題は、コイルを有する回路装置を、磁界の一層確実かつ迅速な 反転が実現されるように構成することである。

本発明はこの課題を、反対方向に極性付けられている第１および第２のダイオー ドから成る直列回路を、コイルおよび容量から成る振動回路に並列に接続し、か つ前記第１のダイオードを第１の制御可能なスイッチによって橋絡可能にしかつ 第２のダイオードを第２の制御可能なスイッチによって橋絡可能にし、かつ前記 振動回路に前記容量（Ｃ）の充放電切換の際にその都度エネルギーを供給するよ うにしたことによって解決する。

第１図ないし第９図はそれぞれ、本発明の第１の実施例を種々異なった回路状態 において示す回路略図であり、 第１０図は、第１の実施例に対する制御可能なスイッチの切換状態並びに電流お よび電圧経過を時間について示す線図であり、 第１１図は、本発明の第２の実施例の回路略図であり、 第１２図は、第２の実施例に対する制御可能なスイ　９ツチの切換状態並びに電 流および電圧経過を時間について示す線図であり、 第１３図は、制御可能なスイッチを制御するための制御回路の第１の実施例のブ ロック回路図であり、第１４図は、制御可能なスイッチに対する制御信号並びに 電流および電圧経過を時間について示す線図であり、 第１５図は、制御可能なスイッチを制御するための制御回路の第２の実施例のブ ロック回路図であり、第１６図は、制御可能なスイッチに対する制御信号並びに 電流および電圧経過を時間について示す線図であり、 第１７図は、本発明の第３の実施例の回路略図である。

まず第１図ないし第９図に基づいて本発明の第１の実施例について説明する。

第１図において、コイルＬおよび容量Ｃから成る振動回路に並列に、反対方向に 極性付けられた２つのダイオードＤ１およびＤ２が設けられている。ダイオード Ｄ１は制御可能なスイッチＳ１を用いて橋絡可能であり、ダイオードＤ２は制御 可能なスイッチＳ２を用いて橋絡可能である。振動回路の一方の接続点Ａは抵抗 Ｒ１および制御可能なスイッチＳ３から成る直列回路を介して電圧源＋Ｕの一方 の極に接続されており、この電圧源の他方の極は２つのダイオードＤ１およびＤ ２の共通の接続点に接続されている。振動回路の他方の接続点Ｂは抵抗Ｒ３およ び制御可能なスイッチＳ４から成る直列回路を介して同じく電圧源＋Ｕの他方の 極に接続されている。

出力側Ａ１ないしＡ４が制御可能なスイッチＳ１ないしＳ４の制御入力側に接続 されている制御回路Ｓは、制御可能なスイッチＳ１ないしＳ４を、以下第１図な いし第１０図に基づいて説明する循環的な順序で開放および閉成する。わかりや すくするために制御回路Ｓは第２図ないし第９図には図示されていない。

第１図において制御可能なスイッチＳ１およびＳ２は閉成されており、これに対 して制御可能なスイッチＳ３およびＳ４は開放されている。簡単にしかつ本発明 の理解をより容易にするために、コイルしは、既に磁気エネルギーが蓄積されて いる無損失のインダクタンスであるものと仮定する。従ってコイルＬおよび２つ の制御可能なスイッチＳ１およｓ２が形成する電流回路において電流■が矢印の 方向において流れる。電圧源子０１制御可能なスイッチｓ３およびｓ４並びに抵 抗Ｒ１およびＲ２の機能については、後で説明する磁界の方向を反転するために 、制御回路Ｓは制御可能なスイッチＳ１を開放する。コイルしに並列に存在する 、２つの制御可能なスイッチｓ１およびｓ２から成る分路を流れる電流が今や遮 断されるので、そこで電流■は、第２図に示されているように、容量Ｃを介して 流れ、容量はこれにより充電される。しかしこの充電過程においてコイルを流れ る電流■は、容量Ｃにおける電圧ＵＣが最大になり、電流が零になるまで、低下 していく。この状態は第３図に示されている。それから容量Ｃは放電を開始する ので、第４図の電流矢印が示しているように、電流■はコイルＬを介して反対方 向に流れる。しかし容量Ｃにおける電圧ＵＣが零に降下するや否や、ダイオード Ｄ１が導通し始める。

今や電流■は同じ方向において引き続きコイルＬを介して流れるが、もはや容量 Ｃを介してではなく、制御可能なスイッチＳ２およびダイオードＤＩを介して流 れる。この状態は第５図に示されている。

第６図において、制御回路Ｓは制御可能なスイッチＳ２を開放し、−力制御回路 Ｓは同時に制御可能なスイッチＳ１を閉成する。ここで容量は、容量Ｃにおける 電圧ＵＣが最大の負の値をとるまで、反対方向に充電される。それからコイルＬ を流れる電流１は、第７図に示されているように、零になる。

そこで容量Ｃは再び放電するので、コイルＬを流れる電流は反転される。このこ とは第８図に示されている。

容量Ｃにおける電圧ＵＣが零になるや否や、ダイオードＤ２は導通し始める。電 流■は、第９図に示されているように、コイルＬ１ダイオードＤ２および制御可 能なスイッチＳ１から成るループを流れる。そこで制御回路Ｓは制御可能なスイ ッチＳ２を閉成し、これにより再び、第１図に示されている初期状態になる。

しかしコイルし、容量Ｃ，２つのダイオードＤ１およびＤ２並びに２つの制御可 能なスイッチｓ１およびＳ２は無損失の素子ではな（、抵抗損失を有する素子で あるので、振動回路にはエネルギーが供給されなけ°ればならない。それ故に制 御回路Ｓは、それが制御可能なスイッチＳ１を開放するとき、制御可能なスイッ チＳ３を閉成する。第２図に示されているように、この手段によって振動回路は 電圧源＋Ｕに接続される。

同様制御回路Ｓは、それが制御可能なスイッチｓ１を閉成しかつ制御可能なスイ ッチＳ２を開放するとき、制御可能なスイッチＳ４を閉成する。そこで振動回路 は同様に電圧源＋Ｕに接続されている。この回路状態は第６図から明らかである 。

第１０図には、コイルＬを流れる電流１１容量Ｃにおける電圧ＵＣおよび制御可 能なスイッチｓ１ないしＳ４の切換状態が時間ｔに関して示されている。時点１ ＝０において制御可能なスイッチｓ３およびｓ４は開放されており、−力制御可 能なスイッチｓ１およびＳ２は閉成されている。しかし制御可能なスイッチＳ２ は、ダイオードＤ２が導通しているという理由から、開放されていることも可能 である。

既に説明したように、磁界の反転のために、制御可能なスイッチＳ１が開放され かつ同時に制御可能なスイッチＳ３が閉成される。コイルＬを流れる電流■は、 同時に容量Ｃにおける電圧ＵＣが上昇する期間、低下していく。コイルＬを流れ る電流■が零になるとき、電圧ＵＣはその最大値になる。この時点１．において 制御可能なスイッチＳ３は再び開放される。制御可能なスイッチｓ２は遅くとも 時点ｔ、に閉成されなければならない。そこで電流Ｉは負になり、一方同時に電 圧ＵＣは値零に低下する。そこで電流Ｉはその最大の負の値を有する。早ければ この時点ｔ２において制御可能なスイッチＳ１を閉成することができる。時点ｔ ３において制御回路Ｓは制御可能なスイッチｓ２を開放し、−力制御回路は同時 に制御可能なスイッチＳ４を閉成する。電流■は零に低下し、同時に容量Ｃにお ける電圧ＵＣは負になる。電流Ｉが零になるとき、容量Ｃには負の最大電圧ＵＣ が生じる。この時点ｔ４において制御可能なスイッチｓ４は再び開放される。制 御可能なスイッチｓ１は遅くとも時点ｔ４において閉成されなければならない。

電流Ｉは引き続き正の最大値まで上昇し、一方同時に電圧ＵＣは値零に低下する 。制御可能なスイッチｓ２を、この時点ｔ、において既に閉成しておくことも可 能である。斜線領域においてスイッチＳ１ないしｓ４の位置は任意である。抵抗 Ｒ１およびＲ２は、振動回路を流れる電流の制限のために用いられる。

次に第１１図および第１２図に基づいて本発明の第２の実施例について説明する 。

第１１図に示されている第２の実施例は、第１の実施例とはエネルギー供給が異 なっている点で相異している。振動回路、ダイオードＤ１およびＤ２および制御 可能なスイッチＳ１およびｓ２がら成る並列回路は、第１の実施例と正確に同じ に構成されている。しかし振動回路の一方の接続点ＡはダイオードＤ３の一方の 電極に接続されており、このダイオードの他方の電極は制御可能なスイッチＳ３ を介して給電電圧−Ｕの一方の極並びにインダクタンスＬ２および抵抗Ｒ１がら 成る直列回路を介して給電電圧−Ｕの他方の極に接続されている。振動回路の他 方の接続点Ｂも同じように、ダイオードＤ４の一方の電極に接続されており、こ のダイオードの他方の電極は制御可能なスイッチＳ４を介して給電電圧−Ｕの一 方の極並びにインダクタンスＬ３および抵抗Ｒ２から成る直列回路を介して給電 電圧−Ｕの他方の極に接続されている。

第１２図には、コイルＬを流れる電流■、容量Ｃにおける電圧Ｕｃおよび制御可 能なスイッチＳ１ないしＳ４の位置が、時間に関して示されている。

電流経過および電圧経過並びに制御可能なスイッチＳ１およびＳ２の位置は、第 １０図に示されているものと一致している。エネルギー供給は、給電電圧源の電 圧を直接印加することによって行われるのではなくて、誘導電圧の印加によって 行われる。それ故に制御可能なスイッチＳ３およびＳ４は、容量Ｃが一層または 負に一充電されるとき、その都度短時間開放される。ダイオードＤ３およびＤ４ は、制御可能なスイッチＳ３およびＳ４の閉成時、電流はインダクタンスＬ２お よびＬ　３を流れるが、振動回路には流れないように、極性付けられている。

さて第１２図において、制御可能なスイッチＳ３は、容量Ｃが正に充電されると き、時点ｔ１において開放される。制御！ｌ　可能なスイッチＳ３の開放によっ て、インダクタンスＬ２に誘導電圧が生じ、この電圧は容量Ｃに印加される。早 ければ、ＵＣが最大になりかつ１が零になる時点ｔ２で、制御可能なスイッチＳ ２を再び閉成することも可能である。制御可能なスイッチＳ４は、容量Ｃが負に 充電されるとき、時点ｔ、において開放される。そこでインダクタンスＬ３に生 じる誘導電圧が、振動回路におけるエネルギー損失を補償する。電圧Ｕ。が負の 最大値をとる時点ｔ４において、制御可能なスイッチＳ４は再び閉成することが できる。斜線領域において制御可能なスイッチＳ１ないしＳ４の位置は任意であ る。抵抗Ｒ１およびＲ２は、第１の実施例の場合のように、電流制限器として作 用する。第１の実施例とは異なって、第２の実施例は、振動回路におけるエネル ギー損失を補償するための高電圧は電源部を介してではなくて、簡単にインダク タンスにおいて発生されるという利点を有している。それ故に第２の実施例にお ける電圧−Ｕは、第１の実施例における電圧＋Ｕと比べて１／１０に選択するこ とができる。

第１７図に示されている、本発明の第３の実施例は、第１１図の第２の実施例と は、２つの別のダイオードＤ５およびＤ６が設けられている点で相異している。

一方の付加的なダイオード、すなわちダイオードＤ３とは反対方向に極性付けら れているダイオードＤ５は、制御可能なスイッチＳ３と、ダイオードＤ３および インダクタンスＬ２との共通の接続点との間に設けられている。制御可能なスイ ッチＳ４と、ダイオードＤ４とインダクタンスＬ３との共通の接続点との間に、 他方の付加的なダイオード、すなわちダイオードＤ４とは反対方向に極性付けら れているダイオードＤ６が挿入接続されている。

制御可能なスイッチＳ３およびＳ４としてトランジスタが設けられているとき、 ダイオードＤ５およびＤ６は、以下にダイオードＤ５およびインダクタンスＬ２ の例に基づいて説明するように、インダクタンスＬ２およびＬ　３における寄生 容量の一層迅速な放電作用をする。

制御可能なスイッチＳ３が閉成されているとき−従ってこのために設けられてい るトランジスタが導通しているとき−、インダクタンスＬ２には電圧−Ｕが生じ 、一方インダクタンスＬ２を流れる電流は直線的に上昇する。制御可能なスイッ チＳ３が開放される、すなわちトランジスタが遮断するや否や、誘導電圧のため に、ダイオードＤ３およびＤ５に接続されているインダクタンスＬ２の一方の接 続端子において電位が、最大値まで急峻に上昇し、一方インダクタンスＬ２を流 れる電流は値零に低下する。しかし引き続いてインダクタンスＬ２の一方の接続 端子における電位は再び低下する。それが値零に降下したとき、電流は最小値に 達する。それからこの電位は引き続き低下し、一方間時にインダクタンスＬ２を 流れる電流は最小値から値零に再び上昇する。しかしもしダイオードＤ５がなけ ればそれは、給電電圧源−Ｕの負の極に比べて負になることはできない。その理 由は、その場合制御可能なスイッチとして用いられるトランジスタのダイオード は導通しているからである。それ故にダイオードＤ５なしだと、インダクタンス Ｌ２の寄生容量は緩慢にしか放電することができない。従って制御可能なスイッ チＳ３が再び閉成されるとき、寄生容量はまだ完全には放電されておらすかつそ れ故にインダクタンスＬ２はまだ無電流状態である。この欠点を取り除くために ダイオードＤ５が設けられている。その理由はこのダイオードが、インダクタン スＬ２の一方の接続端子を給電電圧源−Ｕの負の極に対して遮断しているので、 このノードにおける電位は給電電圧源−Ｕの負の極に対して負になる可能性があ るからである。これによりインダクタンスＬ２の寄生容量は一層迅速に放電しか つその結果としてインダクタンスＬ２は一層迅速に無電流状態になる。

その上、インダクタンスＬ２の選定および制御可能なスイッチＳ３の投入接続時 点の有利な選択によって、制御可能なスイッチＳ３の投入接続の際なお、インダ クタンスＬ２において残留電流が、その時給電電圧源−Ｕによって惹き起こされ る電流と同じ方向に流れる。従ってこの残留電流のために、インダクタンスＬ２ における電流は、制御可能なスイッチＳ３の投入接続時点までインダクタンスＬ ２に電流が流れていない場合に比べて一層迅速に最大値まで上昇する。

既述のように本発明は、磁気光学記録担体の磁気層の反転磁化に適している。

磁気光学ＣＤディスクにおいてデータは、短縮形でＥＦＭコードと表される、エ イト−ツウー−フォーティーン変調コードに従って記憶されている。

第１３図には、例えば記録すべきデータが供給される、制御可能なスイッチＳ１ ないしＳ４の制御のための制御回路の第１の実施例が示されている。

クロック発生器ＧのクロックＴおよび、例えばＣＤプレーヤにおいてＥＦＭ信号 であることがあるデジタル信号ＤＳがシフトレジスタＳＲに供給される。ＮＡＮ Ｄゲー）ＮｌおよびＮ２の非反転入力側並びにＮＡＮＤゲートＮ３およびＮ４の 反転入力側に接続されている、シフトレジスタＳＲの第１の出力側Ｔ１に、デジ タル信号ＤＳが現れる。ＮＡＮＤゲー）ＮｌおよびＮ４の反転入力側に接続され ている、シフトレジスタＳＲの第２の出力側Ｔ２には、Ｊクロックだけ遅延され たデジタル信号ＤＳＬが取り出される。２クロツクだけ遅延されたデジタル信号 ＤＳ２が送出される、シフトレジスタＳＲの第３の出力側Ｔ３は、ＮＡＮＤゲ− トＮ２およびＮ３の反転入力側に接続されている。

ＮＡＮＤゲートＮ１の出力側では制御可能なスイッチＳ３に対する制御信号が取 り出し可能であり、ＮＡＮＤゲートＮ２の出力側では制御可能なスイッチＳ２に 対する制御信号が取り出し可能であり、ＮＡＮＤゲートＮ３の出力側では制御可 能なスイッチＳ３に対する制御信号が取り出し可能であり、ＮＡＮＤゲートＮ４ の出力側では、制御可能なスイッチＳ４に対する制御信号が取り出し可能である 。

第１４図には、デジタル信号ＤＳ、１クロックだけ遅延されたデジタル信号ＤＳ Ｌ、２クロツクだけ遅延されたデジタル信号ＤＳ２、コイルＬを流れる電流■、 容量Ｃにおける電圧Ｕ。並びに制御可能なスイッチＳ１ないしＳ４に対する制御 信号が時間ｔについて示されている。デジタル信号が例えば、ＥＦＭコードに従 って構成されたデータ信号とすることができる。

第１５図には、制御可能なスイッチＳ１ないしＳ４を制御するための制御回路の 第２の実施例が示されている。

データ信号ＤＳは同様、クロック発生器ＧからクロックＴによってタイミング制 御されるシフトレジスタＳＲに供給される。■クロックだけ遅延されたデータ信 号ＤＳＬが送出される、シフトレジスタＳＲの出力側Ｔ１は、ＮＡＮＤゲートＮ １の反転入力側およびＮＡＮＤゲートＮ４の非反転入力側に接続されている。

２クロツクだけ遅延されたデータ信号ＤＳ２を送出する、シフトレジスタＳＲの 出力側Ｔ２は、ＮＡＮＤゲートＮ１の非反転入力側およびＮＡＮＤゲートＮ４の 反転入力側に接続されている。４クロツクだけ遅延されたデータ信号ＤＳ４が取 り出し可能である出力側Ｔ４は、ＮＡＮＤゲー１−Ｎ２の反転入力側およびＮＡ ＮＤゲー１−Ｎ３の反転入力側に接続されている。５クロツクだけ遅延されたデ ータ信号ＤＳ５を送出する出力側Ｔ５は、ＮＡＮＤゲー）Ｎ２の非反転入力側お よびＮＡＮＤゲートＮ５の反転入力側に接続されている。

６クロツクだけ遅延されたデータ信号１）　Ｓ　６を送出する出力側Ｔ６は、Ｎ ＡＮＤゲートＮ３の非反転入力側およびＮＡＮＤゲートＮ６の反転入力側に接続 されている。セット入力側がＮＡＮＤゲートＮ１の出力側に接続されておりかつ リセット入力側がＮＡＮＤゲートＮ２の出力側に接続されているＲＳフリップフ ロップＦＦＩのＱ出力側では、制御可能なスイッチＳ３に対する制御信号が取り 出し可能である。セット入力端がＮＡＮＤゲートＮ４の出力側に接続されており かつリセット入力側がＮＡＮＤゲートＮ５の出力側に接続されているＲＳフリッ プフロップＦＦ２のＱ出力側では、制御可能なスイッチＳ４に対する制御信号が 取り出し可能である。制御可能なスイッチＳ１に対する制御信号はＮＡＮＤゲー トＮ３の出力側に現れ、一方ＮＡＮＤゲートＮ６の出力側は制御可能なスイッチ Ｓ２に対する制御信号を送出する。フリップフロップが上昇側縁に応動するとき 、ＮＡＮＤゲートに代わって、例えばＵＮＤゲートを使用することができる。

第１６図には、クロックＴ１データ信号ＤＳ１シフトレジスタＳＲの出力側Ｔｌ 、Ｔ２．Ｔ４．Ｔ５およびＴ６における信号ＤＳ１ないしＤＳ５、ＮＡＮＤゲー トＮ１の出力側における信号ＳＮｉ、ＮＡＮＤゲートＮ２の出力側における信号 ＳＮ２、ＮＡＮＤゲートＮ４の出力側における信号ＳＮ４、ＮＡＮＤゲートＮ５ の出力側における信号ＳＮ５、制御可能なスイッチＳ１ないしＳ４を制御するた めの信号Ｓ１ないしＳ４、インダクタンスＬ２を流れる電流■２、インダクタン スＬ３を流れる電流Ｉ３、コイルＬを流れる電流■および電圧Ｕｃが、時間ｔに ついて示されている。ＮＡＮＤゲートおよびフリップフロップの機能は当業者に は周知であるので、第１６図に示されている波形図でのこれ以上の説明は省略す る。

本発明は、磁気光学記録および再生装置において、磁気光学ディスクに既に記録 されているデータを直接オーバライドすることができるという利点を提供する０ これに対して公知の磁気光学記録および再生装置においては、新しいデータを記 録する以前に、まず古いデータが消去される。

この目的のために、磁気光学層の、新しいデータを記憶しようとする箇所が、レ ーザによって補償温度に加熱される。これによりこの箇所は一方の方向において 磁化される。ディスクは、この過程に対する専門用語でいうように、初期化され る。引き続いて、コイルにおいて発生される磁界の方向が再び反転される。

新しいデータを記録するためにレーザ出力は、記憶すべきビットに依存して小さ な値と大きな値との間で切り換えられる。その前に消去された箇所に例えば論理 ０を記憶する場合、補償温度に達しないように、レーザは小さな出力で作動され る。これに対して論理１の記録のためにレーザは、この箇所をコイルによって反 転磁化することができるように、新たに書き込むべき箇所を補償温度に加熱する 。このようにして、引き続き新しいデータは記録される前に、まず磁気光学ディ スク上のデータが消去される。

本発明は磁気光学装置のみならず、別の磁気的な記録装置に対しても適している 。

Ｆｉｇ、Ｉ Ｆｉｇ、２ Ｆｉｇ、３ Ｆｉｇ、ｌ。

Ｆｉｇ、５ Ｆｉｇ、６ Ｆｉｇ、７ Ｆｉｇ、θ Ｆｉｇ、９ Ｆｉｇ、　１０ ＳＲσ Ｔ Ｆｉｇ、１７ 国際調査報告 国際調査報告 ＥＰ　８９ノ０１３９１ Ｓ＾　３２８１６

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. １．反対方向に極性付けられている第１および第２のダイオード（Ｄ１，Ｄ２） から成る直列回路が、コイル（Ｌ）および容量（Ｃ）から成る振動回路に並列に 接続されており、かつ前記第１のダイオード（Ｄ１）は第１の制御可能なスイッ チ（Ｓ１）によって橋絡可能でありかつ前記第２のダイオード（Ｄ２）は第２の 制御可能なスイッチ（Ｓ２）によって橋絡可能であり、かつ前記振動回路には前 記容量（Ｃ）の充放電切換の際エネルギーが供給されるようにしたことを特徴と する磁界の反転回路装置。
2. ２．エネルギーは振動回路に導電路において供給される請求項１記載の回路装置 。
3. ３．磁界の反転のために、第１の制御可能なスイッチ（Ｓ１）が開放され、かつ 第２の制御可能なスイッチ（Ｓ２）は遅くとも、容量（Ｃ）における電圧（ＵＣ ）が一方の極値まで上昇したとき閉成され、かつ前記第１の制御可能なスイッチ （Ｓ１）は早ければ、前記容量における電圧（ＵＣ）が極値から再び零に低下し たとき閉成され、かつ磁界の新たな反転のために、前記第２の制御可能なスイッ チ（Ｓ２）が開放されるが、前記容量（Ｃ）における電圧（ＵＣ）が極値から零 に低下する前には開放されず、かつ前記第１の制御可能なスイッチ（Ｓ１）は遅 くとも、前記容量（Ｃ）における電圧（ＵＣ）が別の極値に上昇するとき閉成さ れ、かつ前記第２の制御可能なスイッチ（Ｓ２）は早ければ、前記容量（Ｃ）に おける電圧（ＵＣ）が前記別の極値から再び零に低下するとき閉成される請求項 ２記載の回路装置。
4. ４．制御回路（Ｓ）は、第１および第２の制御可能なスイッチ（Ｓ１，Ｓ２）に おける切換過程を循環的に繰り返す請求項３記載の回路装置。
5. ５．振動回路の一方の接続点（Ａ）は、第１の抵抗（Ｒ１）および第３の制御可 能なスイッチ（Ｓ３）から成る直列回路を介して電圧源（＋Ｕ）の一方の極に接 続されておりかつ前記振動回路の他方の接続点（Ｂ）は、第２の抵抗（Ｒ２）お よび第４の制御可能なスイッチ（Ｓ４）から成る直列回路を介して前記電圧源の 前記一方の極に接続されており、前記電圧源の他方の極は２つのダイオード（Ｄ １，Ｄ２）の共通の接続点に接続されており、かつ前記制御回路（Ｓ）は前記第 ３の制御可能なスイッチ（Ｓ３）を、前記第１の制御可能なスイッチ（Ｓ１）が 開放され、これに対して前記第２の制御可能なスイッチ（Ｓ２）が閉成されてい るとき閉成し、かつ前記制御回路（Ｓ）は前記第３の制御可能なスイッチ（Ｓ３ ）を、容量が充電されたとき再び開放し、かつ前記制御回路（Ｓ）は前記第４の 制御可能なスイッチ（Ｓ４）を、前記第２の制御可能なスイッチ（Ｓ２）が開放 され、これに対して前記第１の制御可能なスイッチ（Ｓ１）が閉成されていると き閉成し、かつ前記制御回路（Ｓ）は前記制御可能なスイッチ（Ｓ４）を、前記 容量（Ｃ）が充電されたとき再び開放する請求項３記載の回路装置。
6. ６．振動回路の一方の接続点（Ａ）は第３のダイオード（Ｄ３）の一方の電極に 接続されており、該ダイオードの他方の電極は第３の制御可能なスイッチ（Ｓ３ ）を介して電圧源（−Ｕ）の一方の極と、第２のインダクタンス（Ｌ２）を介し て前記電圧源（−Ｕ）の他方の極とに接続されており、かつ前記振動回路の他方 の接続点（Ｂ）は第４のダイオード（Ｄ４）の一方の電極に接続されており、該 ダイオードの他方の電極は第４の制御可能なスイッチ（Ｓ４）を介して前記電圧 源（−Ｕ）の一方の極と、第３のインダクタンス（Ｌ３）を介して前記電圧源（ −Ｕ）の他方の極とに接続されており、かつ制御回路（Ｓ）は前記第３の制御可 能なスイッチ（Ｓ３）を、前記第１の制御可能なスイッチ（Ｓ１）の開放の前の 前以て決めることができる時間間隔の間閉成しかつ前記第１の制御可能なスイッ チ（Ｓ１）と同時に開放しかつ前記制御回路（Ｓ）は前記第４の制御可能なスイ ッチ（Ｓ４）を、前記第２の制御可能なスイッチ（Ｓ２）の開放の前の前以て決 めることができる時間間隔の間閉成しかつ前記第２の制御可能なスイッチ（Ｓ２ ）と同時に開放する請求項４記載の回路装置。
7. ７．第３の制御可能なスイッチ（Ｓ３）と、容量（Ｃ）と第２のインダクタンス （Ｌ２）との共通の接続点との間に、第３のダイオード（Ｄ３）とは反対方向に 極性付けられている第５のダイオード（Ｄ５）が設けられており、かつ第４の制 御可能なスイッチ（Ｓ４）と、容量（Ｃ）と第３のインダクタンス（Ｌ３）との 共通の接続点との間に、第４のダイオード（Ｄ４）とは反対方向に極性付けられ ている第６のダイオード（Ｄ６）が設げられている請求項６記載の回路装置。
8. ８．クロック発生器（Ｇ）によってクロック制御されるシフトレジスタ（ＳＲ） の入力側にデジタル信号が加わり、かつ前記シフトレジスタ（ＳＲ）の出力側（ Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ５，Ｔ６）における信号（ＤＳ１，ＤＳ２，ＤＳ３ ，ＤＳ４，ＤＳ５）は論理回路（Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４，Ｎ５，Ｎ６）におい て相互に結合され、かつ前記論理回路（Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４，Ｎ５，Ｎ６） の出力側で、制御可能なスイッチ（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）に対する制御信号 が取り出し可能である請求項５から７までのいずれか１項記載の回路装置。
9. ９．論理回路（Ｎ１，Ｎ２，Ｎ４，Ｎ５）の４つの出力側は２つのＲＳフリップ フロップ（ＦＦ１，ＦＦ２）の入力側に接続されており、前記ＲＳフリップフロ ップの出力側から、２つの制御可能なスイッチ（Ｓ３，Ｓ４）に対する制御信号 が取り出し可能である請求項８記載の回路装置。