JPH0450744B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0450744B2 JPH0450744B2 JP61057439A JP5743986A JPH0450744B2 JP H0450744 B2 JPH0450744 B2 JP H0450744B2 JP 61057439 A JP61057439 A JP 61057439A JP 5743986 A JP5743986 A JP 5743986A JP H0450744 B2 JPH0450744 B2 JP H0450744B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal substrate
- copper plate
- oxide film
- layer
- aluminum oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は混成集積回路に関し、特に金属基板を
用いる混成集積回路の改良に関する。
用いる混成集積回路の改良に関する。
(ロ) 従来の技術
従来の混成集積回路は第３図に示す如く、セラ
ミツク基板１０上に貴金属の粉末を含むペースト
の印刷、焼成により、厚膜１１を形成し、半導体
チツプと基板回路の接続の際のハンダ流出を防止
するため絶縁材料からなるダム１３を設け、厚膜
の配線上をハンダメツキ１２で覆つた後、あらか
じめ配線端子にハンダバンプを形成した半導体チ
ツプ１４の表面を基板１０の方向に向け基板１０
に接続していた。
ミツク基板１０上に貴金属の粉末を含むペースト
の印刷、焼成により、厚膜１１を形成し、半導体
チツプと基板回路の接続の際のハンダ流出を防止
するため絶縁材料からなるダム１３を設け、厚膜
の配線上をハンダメツキ１２で覆つた後、あらか
じめ配線端子にハンダバンプを形成した半導体チ
ツプ１４の表面を基板１０の方向に向け基板１０
に接続していた。
上述した同様の技術は特開昭59−106140号公報
に記載されている。
に記載されている。
しかし、上述した混成集積回路では基板にセラ
ミツク基板を用いるために機械的な強度が弱く、
高価で且つ放熱作用がわるい欠点があつた。
ミツク基板を用いるために機械的な強度が弱く、
高価で且つ放熱作用がわるい欠点があつた。
そこで、第３図に示す如く、熱伝導性良好なア
ルミニウム基板２０を用い、その基板２０表面に
酸化アルミニウム膜２１を形成して、更にその上
面に絶縁樹脂２２を介して導電路２３を形成した
後、その導電路２３上に半導体素子２４をフエイ
スダウン接続して斯上した欠点を解決していた。
しかしながら、上述したアルミニウム基板２０の
熱膨張率αが24×10-6／℃、これに対し半導体素
子２４の熱膨張率αが2.4×10-6／℃と両者の熱
膨張率αが著しく異なり、温度サイクルによつて
半導体素子２４とアルミニウム基板２０とを接続
するハンダにクラツクが発生する危惧を有してし
た。
ルミニウム基板２０を用い、その基板２０表面に
酸化アルミニウム膜２１を形成して、更にその上
面に絶縁樹脂２２を介して導電路２３を形成した
後、その導電路２３上に半導体素子２４をフエイ
スダウン接続して斯上した欠点を解決していた。
しかしながら、上述したアルミニウム基板２０の
熱膨張率αが24×10-6／℃、これに対し半導体素
子２４の熱膨張率αが2.4×10-6／℃と両者の熱
膨張率αが著しく異なり、温度サイクルによつて
半導体素子２４とアルミニウム基板２０とを接続
するハンダにクラツクが発生する危惧を有してし
た。
斯上した欠点を除去するために第３図に示す如
く、銅板３１、インバー３２、銅板３１の３層構
造の金属基板３０を発明した。この３層構造基板
３０によれば、金属基板３０の熱膨張率αを著し
く低下させることができ半導体素子の熱膨張率α
と緩和することができるので金属基板と半導体素
子とを接続するハンダにクラツクが発生しない利
点を有していた。
く、銅板３１、インバー３２、銅板３１の３層構
造の金属基板３０を発明した。この３層構造基板
３０によれば、金属基板３０の熱膨張率αを著し
く低下させることができ半導体素子の熱膨張率α
と緩和することができるので金属基板と半導体素
子とを接続するハンダにクラツクが発生しない利
点を有していた。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
しかしながら、斯上した銅板、インバー、銅板
の３層構造基板の銅板上に直接樹脂層および銅箔
を貼着すると銅板の表面が圧延工程によつて極め
て緻密で平滑に形成されるため、ハンダリフロー
工程において、金属基板を320℃前後まで加熱す
ると絶縁樹脂層からガスが発生した際、そのガス
によつて銅板、即ち、金属基板と樹脂層とが剥離
して銅箔を押し上げる欠点を有していた。
の３層構造基板の銅板上に直接樹脂層および銅箔
を貼着すると銅板の表面が圧延工程によつて極め
て緻密で平滑に形成されるため、ハンダリフロー
工程において、金属基板を320℃前後まで加熱す
ると絶縁樹脂層からガスが発生した際、そのガス
によつて銅板、即ち、金属基板と樹脂層とが剥離
して銅箔を押し上げる欠点を有していた。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本発明は上述した点に鑑みてなされたものであ
り、第１図に示す如く、銅板２、インバー３、銅
板２の３層構造からなる金属基板１上にアルミメ
ツキ層４を設け、そのアルミメツキ層４上に陽極
酸化により酸化アルミニウム膜５を設けて解決す
るものである。
り、第１図に示す如く、銅板２、インバー３、銅
板２の３層構造からなる金属基板１上にアルミメ
ツキ層４を設け、そのアルミメツキ層４上に陽極
酸化により酸化アルミニウム膜５を設けて解決す
るものである。
(ホ) 作用
この様に銅板２、インバー３、銅板２の３層構
造の金属基板１上にアルミメツキ層４および酸化
アルミニウム膜５を設けることにより、その酸化
アルミニウム膜５の表面が多孔質で形成されるた
め樹脂層６との密着力がよくなり、樹脂層６の剥
離を防止することができる。
造の金属基板１上にアルミメツキ層４および酸化
アルミニウム膜５を設けることにより、その酸化
アルミニウム膜５の表面が多孔質で形成されるた
め樹脂層６との密着力がよくなり、樹脂層６の剥
離を防止することができる。
(ヘ) 実施例
以下に本発明を第１図に示した実施例に基づい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
金属基板１は銅板２、インバー３、銅板２の
夫々の積層比を１：３：１の割合で10〜30ton／
cm2の圧力のローラでクラツド処理を行い、圧延工
程で所定の厚さになるまで伸した後、プレス加工
で所定の大きさに打抜き形成される。その基板１
表面に電解メツキ法等によつてアルミニウムをメ
ツキしアルミメツキ層４が形成され、更にその表
面に陽極酸化処理を行い酸化アルミニウム膜５が
形成される。インバー３はニツケル36％、鉄64％
の合金であり、その熱膨張率αは1.5×10-6／℃
である。
夫々の積層比を１：３：１の割合で10〜30ton／
cm2の圧力のローラでクラツド処理を行い、圧延工
程で所定の厚さになるまで伸した後、プレス加工
で所定の大きさに打抜き形成される。その基板１
表面に電解メツキ法等によつてアルミニウムをメ
ツキしアルミメツキ層４が形成され、更にその表
面に陽極酸化処理を行い酸化アルミニウム膜５が
形成される。インバー３はニツケル36％、鉄64％
の合金であり、その熱膨張率αは1.5×10-6／℃
である。
金属基板１上にアルミメツキ層４および酸化ア
ルミニウム膜５を形成した後、その面上に絶縁樹
脂層６および導電路７となる銅箔が貼着される。
絶縁樹脂層４はエポキシ樹脂等が用いられる。次
に、銅箔を所定のパターンにエツチングして導電
路７を形成し、その導電路７上に半導体素子８の
バンブ電極と対応する位置にAuを蒸着してハン
ダをデイツプしハンダリフロー工程で金属基板１
を320℃°前後に加熱し金属基板１上に半導体素
子８をフエイスダウン接続する。
ルミニウム膜５を形成した後、その面上に絶縁樹
脂層６および導電路７となる銅箔が貼着される。
絶縁樹脂層４はエポキシ樹脂等が用いられる。次
に、銅箔を所定のパターンにエツチングして導電
路７を形成し、その導電路７上に半導体素子８の
バンブ電極と対応する位置にAuを蒸着してハン
ダをデイツプしハンダリフロー工程で金属基板１
を320℃°前後に加熱し金属基板１上に半導体素
子８をフエイスダウン接続する。
斯る本発明に依れば、銅板２、インバー３、銅
板２の３層構造の金属基板１上にアルミメツキ層
を介して酸化アルミニウム膜５を設けることによ
り、その酸化アルミニウム膜５の表面が多孔質で
形成されるため絶縁樹脂層６が孔の中へ浸透し密
着性がよくなり、基板１を320℃前後に加熱して
も従来の様な樹脂層６の剥離が発生しない利点を
有する。
板２の３層構造の金属基板１上にアルミメツキ層
を介して酸化アルミニウム膜５を設けることによ
り、その酸化アルミニウム膜５の表面が多孔質で
形成されるため絶縁樹脂層６が孔の中へ浸透し密
着性がよくなり、基板１を320℃前後に加熱して
も従来の様な樹脂層６の剥離が発生しない利点を
有する。
(ト) 発明の効果
上述の如く、本発明に依れば、銅板、インバ
ー、銅板の３層構造の金属基板上にアルミメツキ
層を介して酸化アルミニウム膜を設けることによ
り、酸化アルミニウム膜の表面に形成された孔に
樹脂が浸透するので、酸化アルミニウム膜と樹脂
層との密着が強固になり、ハンダリフロー工程に
おいて基板を加熱した際、樹脂層からガスが発生
しても従来発生していた樹脂層の剥離を防止する
ことができる。
ー、銅板の３層構造の金属基板上にアルミメツキ
層を介して酸化アルミニウム膜を設けることによ
り、酸化アルミニウム膜の表面に形成された孔に
樹脂が浸透するので、酸化アルミニウム膜と樹脂
層との密着が強固になり、ハンダリフロー工程に
おいて基板を加熱した際、樹脂層からガスが発生
しても従来発生していた樹脂層の剥離を防止する
ことができる。
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図
乃至第４図は従来例を示す断面図である。 １……金属基板、２……銅板、３……インバー
乃至第４図は従来例を示す断面図である。 １……金属基板、２……銅板、３……インバー
Claims (1)
- １ 両面が銅板で構成され、その間にインバーが
設けられた３層構造の金属基板と、該金属基板上
に設けられたアルミメツキ層と、該アルミメツキ
層上に設けられた酸化アルミニウム膜と、該酸化
アルミニウム膜上に絶縁樹脂を介して設けられた
所望形状の導電路と、該導電路上に複数の半導体
素子が設けられたことを特徴とする混成集積回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61057439A JPS62214632A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61057439A JPS62214632A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 混成集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62214632A JPS62214632A (ja) | 1987-09-21 |
| JPH0450744B2 true JPH0450744B2 (ja) | 1992-08-17 |
Family
ID=13055686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61057439A Granted JPS62214632A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62214632A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5130274A (en) * | 1991-04-05 | 1992-07-14 | International Business Machines Corporation | Copper alloy metallurgies for VLSI interconnection structures |
| DE4334127C1 (de) * | 1993-10-07 | 1995-03-23 | Mtu Muenchen Gmbh | Metallkernleiterplatte zum Einschieben in das Gehäuse eines Elektronikgerätes |
| KR101204191B1 (ko) * | 2010-11-02 | 2012-11-23 | 삼성전기주식회사 | 방열기판 |
| DE102015111667B4 (de) * | 2015-07-17 | 2025-11-06 | Rogers Germany Gmbh | Substrat für elektrische Schaltkreise und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Substrates |
| CN210157469U (zh) * | 2018-12-29 | 2020-03-17 | 广东生益科技股份有限公司 | 金属基覆铜箔层压板 |
-
1986
- 1986-03-14 JP JP61057439A patent/JPS62214632A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62214632A (ja) | 1987-09-21 |
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