JPH0451151A - 位相シフトレチクルの製作方法 - Google Patents
位相シフトレチクルの製作方法Info
- Publication number
- JPH0451151A JPH0451151A JP2160306A JP16030690A JPH0451151A JP H0451151 A JPH0451151 A JP H0451151A JP 2160306 A JP2160306 A JP 2160306A JP 16030690 A JP16030690 A JP 16030690A JP H0451151 A JPH0451151 A JP H0451151A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist film
- exposing
- exposed
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は１位相シフト露光に用いるレチクルの製作方法
に関する。
に関する。
層の形成方法に関し。
位相シフトレチクル製作の際の電子ビーム重ね合わせ露
光時のパターンの位置ずれを防止することを目的とし。
光時のパターンの位置ずれを防止することを目的とし。
レチクル基板に光遮蔽膜、レジスト膜を順次被覆する工
程と、該レジスト膜の露光部を電子ビームにより残膜率
を零にしないで露光し、引続き、該露光部の周縁のシフ
ター部のみを再度露光する工程と、露光した該レジスト
膜を現像する工程と該レジスト膜をマスクとして、該シ
フター部のレチクル基板を所定の深さにエツチングする
工程と。
程と、該レジスト膜の露光部を電子ビームにより残膜率
を零にしないで露光し、引続き、該露光部の周縁のシフ
ター部のみを再度露光する工程と、露光した該レジスト
膜を現像する工程と該レジスト膜をマスクとして、該シ
フター部のレチクル基板を所定の深さにエツチングする
工程と。
該レジスト膜を、該露光部上の該光遮蔽膜が露出するま
で、アッシング除去する工程と、該露光部上の光遮蔽膜
をエツチング除去する工程と、該レチクル基板上のレジ
スト膜を除去する工程とを含むことにより構成する。
で、アッシング除去する工程と、該露光部上の光遮蔽膜
をエツチング除去する工程と、該レチクル基板上のレジ
スト膜を除去する工程とを含むことにより構成する。
（産業上の利用分野〕
本発明は１位相シフト露光に用いるレチクルの製作方法
に関する。
に関する。
近年、半導体装置の高集積化、高微細化にともない、素
子を製作してい（マスクパターンの高集積化が進み、パ
ターンの微細加工技術を要求されている。
子を製作してい（マスクパターンの高集積化が進み、パ
ターンの微細加工技術を要求されている。
そのため、パターンの解像度を向上させる必要がある。
第２図は位相シフト法概念図、第３図は従来例の説明図
である。
である。
菌において、８はガラス、９はマスクパターン１０は露
光部、１１は光、１２は遮光部、１３はシフター１４は
ガラス板、１５はクロム膜、１６はレジスト膜。
光部、１１は光、１２は遮光部、１３はシフター１４は
ガラス板、１５はクロム膜、１６はレジスト膜。
１７は電子ビーム、１８は露光部分、１９はシフター２
０はレジスト膜である。
０はレジスト膜である。
マスクパターンの解像度を向上させる技術としては、レ
ジストに照射するマスクパターンのコントラストを増強
する方法、現像速度の制御によるコントラストの改良法
、レジストの表面付近の反応を利用したコントラストの
改良法、レジスト多層膜を用いたコントラスト向上法等
があり、マスクパターンのコントラストを良くする方法
としては 光学系の開口数を大きくするか、転写波長を
短くすることが考えられる。
ジストに照射するマスクパターンのコントラストを増強
する方法、現像速度の制御によるコントラストの改良法
、レジストの表面付近の反応を利用したコントラストの
改良法、レジスト多層膜を用いたコントラスト向上法等
があり、マスクパターンのコントラストを良くする方法
としては 光学系の開口数を大きくするか、転写波長を
短くすることが考えられる。
しかし、この方法では、装置上様々な問題点があり、そ
の解決が困難である。
の解決が困難である。
このため、マスクパターンのコントラストを向上させる
方式として１位相シフト法が考案されている。これは、
第２図（ａ）に示すように、ガラス８上に形成されたラ
インアンドスペースの様な繰り返しのマスクパターン９
では、隣接する露光部１０から照射される光１１の位相
により遮光部１２にも光が滲んで、光の強度差が減衰し
て、マスクパターン９のコントラストが低下するが、第
２図（ｂ）に示すように、露光部１０にシフター１３を
設けて、隣接する露光部上０から照射される光の位相を
１８０度反転させると、シフター１３を設けた露光部と
従来の露光部ｌＯに挟まれた遮光部１２の光強度が零と
なり、隣接した露光部１０が分離されるという原理に基
ずく。
方式として１位相シフト法が考案されている。これは、
第２図（ａ）に示すように、ガラス８上に形成されたラ
インアンドスペースの様な繰り返しのマスクパターン９
では、隣接する露光部１０から照射される光１１の位相
により遮光部１２にも光が滲んで、光の強度差が減衰し
て、マスクパターン９のコントラストが低下するが、第
２図（ｂ）に示すように、露光部１０にシフター１３を
設けて、隣接する露光部上０から照射される光の位相を
１８０度反転させると、シフター１３を設けた露光部と
従来の露光部ｌＯに挟まれた遮光部１２の光強度が零と
なり、隣接した露光部１０が分離されるという原理に基
ずく。
この方法により、従来のｉ線露光装置では解像が困難で
あった０、３μｍレベルの微細パターンが十分に解像さ
れ、また焦点深度の向上にも有効な手段となっている。
あった０、３μｍレベルの微細パターンが十分に解像さ
れ、また焦点深度の向上にも有効な手段となっている。
従来の位相シフト露光に用いるレチクルの製作方法を第
３図に示す。
３図に示す。
先ず、第３図（ａ）に示すように、レチクル基板用のガ
ラス板１４にクロム膜１５をスパッタ法により数百穴の
厚さに蒸着し、レジスト膜１６をスピナーにより塗布す
る。次いで、電子ビーム１７を用いて、レジスト膜１６
を露光する。
ラス板１４にクロム膜１５をスパッタ法により数百穴の
厚さに蒸着し、レジスト膜１６をスピナーにより塗布す
る。次いで、電子ビーム１７を用いて、レジスト膜１６
を露光する。
次に、第３図（ｂ）に示すように、レジスト膜１６を現
像して、露光部分１８のレジスト膜１６を除去し、続い
てレジスト膜１６をマスクとして、シフター１９の部分
のクロム膜１５をエツチングし、更にガラス板１４を数
百穴の深さにエツチングしてシフター１９を形成する。
像して、露光部分１８のレジスト膜１６を除去し、続い
てレジスト膜１６をマスクとして、シフター１９の部分
のクロム膜１５をエツチングし、更にガラス板１４を数
百穴の深さにエツチングしてシフター１９を形成する。
その後、現像後のレジスト膜１６を剥離する。
第３図（ｃ）に示すように、再びガラス８の全面にレジ
スト膜２０を塗布する。
スト膜２０を塗布する。
さらに、第３図（ｄ）に示すように、電子ビームにより
、シフター１３にレジストパターンの露光エツジ部がく
るように重合ね甘露光を行う。
、シフター１３にレジストパターンの露光エツジ部がく
るように重合ね甘露光を行う。
最後に、第３図（ｅ）に示すように、レジスト膜２０の
ない部分のクロム膜１５をエツチングで除去し、レジス
ト膜２０を剥離除去して位相シフトレチクル基板が完成
する。
ない部分のクロム膜１５をエツチングで除去し、レジス
ト膜２０を剥離除去して位相シフトレチクル基板が完成
する。
ところが シフタ１３０幅が非常に狭く、サブミクロン
オーダーであり、電子ビーム露光によるヂャージアップ
に起因する位置ずれや、装置のステージに依存する位置
ずれが問題となる。
オーダーであり、電子ビーム露光によるヂャージアップ
に起因する位置ずれや、装置のステージに依存する位置
ずれが問題となる。
従って、マスクパターンの位置ずれが生じてシフター部
がずれたりして１位相シフト露光ができなくなる障害が
発生する。
がずれたりして１位相シフト露光ができなくなる障害が
発生する。
本発明は２位相シフトレチクル製作の際の電子ビーム重
ね合わせ露光時のパターンの位置ずれを防止することを
目的として提供されるものである。
ね合わせ露光時のパターンの位置ずれを防止することを
目的として提供されるものである。
［課題を解決するための手段］
第１図は本発明の原理説明図兼一実施例の工程順模式断
面図である。
面図である。
図において、１はレチクル基板、２は光遮蔽膜。
３はレジスト膜、４は露光部、５は電子ビーム６は遮光
部、７はシフター部である。
部、７はシフター部である。
上記の問題点は、ガラスパターンとシフター部の露光量
を変えて、レジストに段差を付けて行えは良い。
を変えて、レジストに段差を付けて行えは良い。
即ち１本発明の目的は、第１図（ａ）に示すように、レ
チクル基板１に光遮蔽膜２．レジスト膜３を順次被覆す
る工程と 第１図（ｂ）に示すように、該レジスト膜３の露光部４
を電子ビーム５により残膜率を零にしないで露光し、引
続き該露光部４の周縁のシフター部７のみを再度露光す
る工程と 第１図（Ｃ）に示すように、露光した該レジスト膜３を
現像する工程と。
チクル基板１に光遮蔽膜２．レジスト膜３を順次被覆す
る工程と 第１図（ｂ）に示すように、該レジスト膜３の露光部４
を電子ビーム５により残膜率を零にしないで露光し、引
続き該露光部４の周縁のシフター部７のみを再度露光す
る工程と 第１図（Ｃ）に示すように、露光した該レジスト膜３を
現像する工程と。
第１図（ｄ）に示すように、該レジスト膜３をマスクと
して、該シフター部７のレチクル基板１を所定の深さに
エンチングする工程と 第１図（ｅ）に示すように、該レジスト膜３を該露光部
４上の該光遮蔽膜が露出するまで、アッシング除去する
工程と。
して、該シフター部７のレチクル基板１を所定の深さに
エンチングする工程と 第１図（ｅ）に示すように、該レジスト膜３を該露光部
４上の該光遮蔽膜が露出するまで、アッシング除去する
工程と。
第１図（ｆ）に示すように、該露光部４上の光遮蔽膜２
をエツチング除去する工程と。
をエツチング除去する工程と。
第１図（ｇ）に示すように、該レチクル基板１上のレジ
スト膜３を除去する工程とを含むことにより達成される
。
スト膜３を除去する工程とを含むことにより達成される
。
（作用］
本発明では、上記のように１回の露光で電子ビーム露光
を行い、バターニングするため、電子ビーム重ね合わせ
露光の工程がなくなり、チャージアンプや装置に起因す
るシフター部のずれがなくなる。
を行い、バターニングするため、電子ビーム重ね合わせ
露光の工程がなくなり、チャージアンプや装置に起因す
るシフター部のずれがなくなる。
〔実施例］
第１図は１本発明の一実施例の工程順模式断面図である
。
。
第１図（ａ）に示すように、フインチ径のガラス板から
なるレチクル基板ｌに光遮蔽膜２としてクロム（Ｃｒ）
膜をスパッタ法により６００人の厚さに被覆し１次いで
、電子ビーム用のレジスト膜３として、 ＥＢＲ−９を
ｓ、ｏｏｏ人の厚さにスピナーにより塗布する。
なるレチクル基板ｌに光遮蔽膜２としてクロム（Ｃｒ）
膜をスパッタ法により６００人の厚さに被覆し１次いで
、電子ビーム用のレジスト膜３として、 ＥＢＲ−９を
ｓ、ｏｏｏ人の厚さにスピナーにより塗布する。
第１図（ｂ）に示すように、レジスト膜３の露光部４を
電子ビーム５により、露光現像後のレジスト膜の残膜率
が５０％になるように、ドーズ量を決定して露光する。
電子ビーム５により、露光現像後のレジスト膜の残膜率
が５０％になるように、ドーズ量を決定して露光する。
本実施例のようにＥＢＲ−９を用いた場合のドーズ量は
８μＣ／ｃｍ２である。
８μＣ／ｃｍ２である。
引続き、該露光部４の周縁のシフター部７のみを再度、
同じドーズ量で露光する。
同じドーズ量で露光する。
第１図（Ｃ）に示すように、露光した該レジスト膜３を
現像すると、遮光部はそのまま、 ８，０００人のレジ
スト膜が残り、露光部４の内、シフター部７はレジスト
が完全に除去され、その他の露光部は４，０００人の厚
さにレジスト膜が残る。
現像すると、遮光部はそのまま、 ８，０００人のレジ
スト膜が残り、露光部４の内、シフター部７はレジスト
が完全に除去され、その他の露光部は４，０００人の厚
さにレジスト膜が残る。
第１図（ｄ）に示すように、レジスト膜３をマスクとし
て、シフター部７のＣｒ膜２をエツチング除去し、続い
てシフター部のガラス基板１を５００人の深さにエツチ
ングする。
て、シフター部７のＣｒ膜２をエツチング除去し、続い
てシフター部のガラス基板１を５００人の深さにエツチ
ングする。
第１図（ｅ）に示すように、レジスト膜３を。
露光部４上のＣｒ膜２が露出するまで、灰化装置により
４，０００人の厚さ分だけアッシングして、除去する。
４，０００人の厚さ分だけアッシングして、除去する。
第１図（ｆ）に示すように、露光部４上のＣｒ膜２をエ
ツチング除去する。
ツチング除去する。
第１図（ｇ）に示すように、ガラス基板１上のレジスト
膜３を除去して１位相シフトレチクル基板が完成する。
膜３を除去して１位相シフトレチクル基板が完成する。
〔発明の効果］
以上説明したように１本発明によれば、マスクパターン
レイアウトが向上され１位相シフトレチクルの高精度化
ができる。
レイアウトが向上され１位相シフトレチクルの高精度化
ができる。
このため２位相シフト露光技術の確立に寄与するところ
が大きい。
が大きい。
第１図は本発明の一実施例の工程順模式断面図。
第２図は位相シフト法概念図
第３図は従来例の説明図
である。
図において
ｌはレチクル基板、 ２は光遮蔽膜。
３はレジスト膜、 ４は露光部
５は電子ビーム、 ６は遮光部。
７はシフター部
本発明の〜芙鞭例の工程順横穴断面図
第１図ζ力η）
本発明の一℃娘例の工不ｈｐＪ酬又へ断面図第１図（す
の１） 范３図
の１） 范３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レチクル基板（１）に光遮蔽膜（２）、レジスト膜（
３）を順次被覆する工程と、 該レジスト膜（３）の露光部（４）を電子ビーム（５）
により残膜率を零にしないで露光し、引続き、該露光部
（４）の周縁のシフター部（７）のみを再度露光する工
程と、 露光した該レジスト膜（３）を現像する工程と、該レジ
スト膜（３）をマスクとして、該シフター部（７）のレ
チクル基板（１）を所定の深さにエッチングする工程と
、 該レジスト膜（３）を、該露光部（４）上の該光遮蔽膜
（２）が露出するまで、アッシング除去する工程と、該
露光部（４）上の光遮蔽膜（２）をエッチング除去する
工程と、 該レチクル基板（１）上のレジスト膜（３）を除去する
工程とを含むことを特徴とする位相シフトレチクルの製
作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2160306A JPH0451151A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 位相シフトレチクルの製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2160306A JPH0451151A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 位相シフトレチクルの製作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451151A true JPH0451151A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15712107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2160306A Pending JPH0451151A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 位相シフトレチクルの製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0451151A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04274238A (ja) * | 1990-12-05 | 1992-09-30 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 位相シフトマスクの作製方法 |
| JPH04344645A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-12-01 | American Teleph & Telegr Co <Att> | リソグラフィー方法および位相シフトマスクの作製方法 |
| JPH09152708A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-10 | Nec Corp | フォトマスク |
| JP2009099871A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-06-19 JP JP2160306A patent/JPH0451151A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04274238A (ja) * | 1990-12-05 | 1992-09-30 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 位相シフトマスクの作製方法 |
| JPH04344645A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-12-01 | American Teleph & Telegr Co <Att> | リソグラフィー方法および位相シフトマスクの作製方法 |
| JPH09152708A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-10 | Nec Corp | フォトマスク |
| JP2009099871A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
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