JPH0451286A - Ｅｌ発光装置 - Google Patents
Ｅｌ発光装置Info
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- JPH0451286A JPH0451286A JP2159693A JP15969390A JPH0451286A JP H0451286 A JPH0451286 A JP H0451286A JP 2159693 A JP2159693 A JP 2159693A JP 15969390 A JP15969390 A JP 15969390A JP H0451286 A JPH0451286 A JP H0451286A
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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- H05B44/00—Circuit arrangements for operating electroluminescent light sources
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- G—PHYSICS
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- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、マトリックス型ＥＬ表示装置や電子式印写装
置の露光系に用いられるＥＬ発光装置に関し、特にＥＬ
発光素子を駆動する薄膜トランジスタ（Ｔ Ｐ Ｔ）の
半導体層としてアモルファスシリコン（ａ−３ｉ）を使
用することができるＥＬ発光装置に関するものである。
置の露光系に用いられるＥＬ発光装置に関し、特にＥＬ
発光素子を駆動する薄膜トランジスタ（Ｔ Ｐ Ｔ）の
半導体層としてアモルファスシリコン（ａ−３ｉ）を使
用することができるＥＬ発光装置に関するものである。
（従来の技術）
マトリックス型ＥＬ表示装置やＥＬ発光素子アレイの１
ビット分のＥＬ発光装置の等価回路を第６図に示す。こ
のＥＬ発光装置は、第１のスイッチング素子Ｑｌ （
ＴＰＴ）と、該スイッチング素子Ｑ、のソース端子側に
一方の端子を接続する蓄積用コンデンサＣｓと、ゲート
端子が前記第１のスイッチング素子Ｑ、のソース端子に
接続され、且つソース端子が前記蓄積用コンデンサＣｓ
の他方の端子に接続されている第２のスイッチング素子
Ｑ、（Ｔ Ｐ Ｔ）と、一方の端子が第２のスイッチン
グ素子Ｑ、のドレイン端子に接続され、且つ他方の端子
がＥＬ駆動電源Ｖａに接続されているＥＬ発光素子ＣＥ
Ｌとから構成されている。前記第１のスイッチング素子
Ｑ、はゲート端子に印加されるスイッチング信号５ＣＡ
Ｎに応じてオンし、この第１のスイッチング素子Ｑ、の
オン・オフにより発光信号ＤＡＴＡに応じて蓄積用コン
デンサＣｓにデータを書き込むようになっている。すな
わち、第２のスイッチング素子Ｑ、は、前記蓄積用コン
デンサＣｓに発光信号ＤＡＴＡ （Ｈ）が書き込まれた
とき、該電圧がゲート端子に印加されることによりオン
し、ＥＬ駆動電源ＶａによりＥＬ発光素子ＣＥＬを発光
させるようになっている。
ビット分のＥＬ発光装置の等価回路を第６図に示す。こ
のＥＬ発光装置は、第１のスイッチング素子Ｑｌ （
ＴＰＴ）と、該スイッチング素子Ｑ、のソース端子側に
一方の端子を接続する蓄積用コンデンサＣｓと、ゲート
端子が前記第１のスイッチング素子Ｑ、のソース端子に
接続され、且つソース端子が前記蓄積用コンデンサＣｓ
の他方の端子に接続されている第２のスイッチング素子
Ｑ、（Ｔ Ｐ Ｔ）と、一方の端子が第２のスイッチン
グ素子Ｑ、のドレイン端子に接続され、且つ他方の端子
がＥＬ駆動電源Ｖａに接続されているＥＬ発光素子ＣＥ
Ｌとから構成されている。前記第１のスイッチング素子
Ｑ、はゲート端子に印加されるスイッチング信号５ＣＡ
Ｎに応じてオンし、この第１のスイッチング素子Ｑ、の
オン・オフにより発光信号ＤＡＴＡに応じて蓄積用コン
デンサＣｓにデータを書き込むようになっている。すな
わち、第２のスイッチング素子Ｑ、は、前記蓄積用コン
デンサＣｓに発光信号ＤＡＴＡ （Ｈ）が書き込まれた
とき、該電圧がゲート端子に印加されることによりオン
し、ＥＬ駆動電源ＶａによりＥＬ発光素子ＣＥＬを発光
させるようになっている。
また、発光信号ＤＡＴＡが（Ｌ）のとき、蓄積用コンデ
ンサＣｓに蓄積された電荷が第１のスイッチング素子Ｑ
、を介して放電される。
ンサＣｓに蓄積された電荷が第１のスイッチング素子Ｑ
、を介して放電される。
（発明が解決しようとする課題）
以上のようなＥＬＬ光装置によると、第２のスイッチン
グ素子Ｑ、がオフのときには、第２のスイッチング素子
Ｑ２のドレイン、ソース間にＥＬ駆動電源Ｖａが印加さ
れるのて、ＥＬ駆動電源Ｖａの約２倍の高耐圧と低電流
特性が要求され、その仕様を満足するスイッチング素子
の半導体層は例えばカドミウムセレン（ＣｄＳｅ）、や
ポリシリコン（ｐｏｌｙｓｉ）等の継られた材料が使用
されていた。
グ素子Ｑ、がオフのときには、第２のスイッチング素子
Ｑ２のドレイン、ソース間にＥＬ駆動電源Ｖａが印加さ
れるのて、ＥＬ駆動電源Ｖａの約２倍の高耐圧と低電流
特性が要求され、その仕様を満足するスイッチング素子
の半導体層は例えばカドミウムセレン（ＣｄＳｅ）、や
ポリシリコン（ｐｏｌｙｓｉ）等の継られた材料が使用
されていた。
しかしながら、カドミウムセレン（ＣｄＳｅ）は経時変
化に対してドレイン電圧−ドレイン電流特性が不安定で
あり、ＥＬ発光素子ＣＥＬの輝度を一定に保つことが困
難であるという問題点があった。また、ポリシリコン（
ｐｏｌｙｓ ｆ ）を着膜する場合、プロセス温度を高
く設定す・る必要があるので、ＥＬ発光素子ＣＥＬとス
イッチング素子Ｑ２ とを同一基板上に一体化して大面
積デバイスとして形成するのに適さないという問題点が
あった。
化に対してドレイン電圧−ドレイン電流特性が不安定で
あり、ＥＬ発光素子ＣＥＬの輝度を一定に保つことが困
難であるという問題点があった。また、ポリシリコン（
ｐｏｌｙｓ ｆ ）を着膜する場合、プロセス温度を高
く設定す・る必要があるので、ＥＬ発光素子ＣＥＬとス
イッチング素子Ｑ２ とを同一基板上に一体化して大面
積デバイスとして形成するのに適さないという問題点が
あった。
そこで、上記のようなカドミウムセレン（ＣｄＳｅ）や
ポリシリコン（ｐｏｌｙｓ ｉ）の欠点を解消するため
、第７図に示すように、半導体層４にアモルファスシリ
コン（ａ−３ｉ）を使用し、第２のスイッチング素子Ｑ
、を高耐圧とするために、第２のスイッチング素子Ｑ、
のゲート電極２′をソース電極６ｂ側にオフセットする
構造のスイッチング素子が提案されている。しかしなが
らこの構造のドレイン電圧、ドレイン電流特性は、第３
図に示すように、オフ時の耐圧及びオフ電流については
十分な特性をもつが、ドレイン電圧が負極性のときにド
レイン電流の電流値が小さいという性質を有している。
ポリシリコン（ｐｏｌｙｓ ｉ）の欠点を解消するため
、第７図に示すように、半導体層４にアモルファスシリ
コン（ａ−３ｉ）を使用し、第２のスイッチング素子Ｑ
、を高耐圧とするために、第２のスイッチング素子Ｑ、
のゲート電極２′をソース電極６ｂ側にオフセットする
構造のスイッチング素子が提案されている。しかしなが
らこの構造のドレイン電圧、ドレイン電流特性は、第３
図に示すように、オフ時の耐圧及びオフ電流については
十分な特性をもつが、ドレイン電圧が負極性のときにド
レイン電流の電流値が小さいという性質を有している。
すなわち、第３図の点線Ａて示すように、ＥＬ発光素子
ＣＥＬを駆動時に必要な交流信号に対し、ドレイン側が
負極性のときのドレイン電流が十分とれない。そのため
、ＥＬ発光素子ＣＥＬの輝度を上げるためには、駆動電
圧を上げなければならず損失電力が大きくなるという欠
点があった。また、スイッチング素子Ｑ、にもさらに高
い耐圧性が要求される。
ＣＥＬを駆動時に必要な交流信号に対し、ドレイン側が
負極性のときのドレイン電流が十分とれない。そのため
、ＥＬ発光素子ＣＥＬの輝度を上げるためには、駆動電
圧を上げなければならず損失電力が大きくなるという欠
点があった。また、スイッチング素子Ｑ、にもさらに高
い耐圧性が要求される。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、ＥＬ発売先
素子駆動する薄膜トランジスタの半導体層をアモルファ
スシリコン（ａ−Ｓｉ）で形成可能とするとともに、十
分な高耐圧特性及びドレイン電流特性を有するＥＬＬ光
装置を提供することを目的とする。
素子駆動する薄膜トランジスタの半導体層をアモルファ
スシリコン（ａ−Ｓｉ）で形成可能とするとともに、十
分な高耐圧特性及びドレイン電流特性を有するＥＬＬ光
装置を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記従来例の問題点を解消するため本発明のＥＬ発売先
装置、ＥＬＬ光素子と該ＥＬＬ光素子に接続されたスイ
ッチング素子とを有し、該スイッチング素子はオフセッ
ト部と該オフセット部に電圧を印加する手段とを有する
ことを特徴としている。
装置、ＥＬＬ光素子と該ＥＬＬ光素子に接続されたスイ
ッチング素子とを有し、該スイッチング素子はオフセッ
ト部と該オフセット部に電圧を印加する手段とを有する
ことを特徴としている。
（作用）
本発明によれば、スイッチング素子がオフセット部を有
することにより、高耐圧のスイッチング素子を得ること
ができる。また、オフセット部に電圧を印加する手段を
有することにより、負極性ドレイン電圧領域においてオ
フセット部に電圧を印加すればオン状態を維持でき、十
分なドレイン電流を確保することができる。
することにより、高耐圧のスイッチング素子を得ること
ができる。また、オフセット部に電圧を印加する手段を
有することにより、負極性ドレイン電圧領域においてオ
フセット部に電圧を印加すればオン状態を維持でき、十
分なドレイン電流を確保することができる。
（実施例）
本発明の一実施例について第１図を参照しながら説明す
る。
る。
第１図は本発明の実施例に係るＥＬＬ光装置の等価回路
図であり、マトリックス型ＥＬ表示装置やＥＬＬ光素子
アレイの１ビット分の回路を示すものである。
図であり、マトリックス型ＥＬ表示装置やＥＬＬ光素子
アレイの１ビット分の回路を示すものである。
第１のスイッチング素子Ｑ、 （ＴＰＴ）は、ドレイ
ン側の情報信号線Ｘに発光信号ＤＡＴＡが供給されるよ
うに構成され、ソース側には一端が接地された蓄積用コ
ンデンサＣｓが接続されている。
ン側の情報信号線Ｘに発光信号ＤＡＴＡが供給されるよ
うに構成され、ソース側には一端が接地された蓄積用コ
ンデンサＣｓが接続されている。
第１のスイッチング素子Ｑ、のゲートに接続されたスイ
ッチング信号線Ｙには、スイッチング信号５ＣＡＮが印
加されるようになっている。また、第１のスイッチング
素子Ｑ、のソース側は第２のスイッチング素子Ｑ、
（ＴＰＴ）の第１ゲートＧに接続されている。第２のス
イッチング素子Ｑ、のドレイン側にはＥＬ発光素子ＣＥ
Ｌを介してＥＬ駆動電源Ｖａ （Ｖａ−Ｖｐｋｓ ｉ
ｎ （ωｔ） ）が接続されている。また、第２のスイ
ッチング素子Ｑ、のソース側は接地されている。
ッチング信号線Ｙには、スイッチング信号５ＣＡＮが印
加されるようになっている。また、第１のスイッチング
素子Ｑ、のソース側は第２のスイッチング素子Ｑ、
（ＴＰＴ）の第１ゲートＧに接続されている。第２のス
イッチング素子Ｑ、のドレイン側にはＥＬ発光素子ＣＥ
Ｌを介してＥＬ駆動電源Ｖａ （Ｖａ−Ｖｐｋｓ ｉ
ｎ （ωｔ） ）が接続されている。また、第２のスイ
ッチング素子Ｑ、のソース側は接地されている。
第２のスイッチング素子Ｑ２ には、通常の第１ゲート
Ｇ、の他に第２ゲートＧ２が形成されている。そして、
この第２ゲートＧ２は、コンデンサＣＩ とコンデンサ
Ｃ７との接続部に接続されている。コンデンサＣ３の端
子は接地され、コンデンサＣ７の端子は第２のスイッチ
ング素子Ｑ、のドレイン側に接続されることにより、前
記第２ゲートＧ、にはＥＬ、駆動電源ＶａをＥＬ発光素
子Ｃｌ−１゜コンデンサＣ１及びコンデンサＣ７て分割
した電圧値が常時印加するようになっている。すなわち
、第２ゲートＧ、に印加する電圧の制御は、ＥＬ駆動電
源Ｖａを利用するように構成されている。
Ｇ、の他に第２ゲートＧ２が形成されている。そして、
この第２ゲートＧ２は、コンデンサＣＩ とコンデンサ
Ｃ７との接続部に接続されている。コンデンサＣ３の端
子は接地され、コンデンサＣ７の端子は第２のスイッチ
ング素子Ｑ、のドレイン側に接続されることにより、前
記第２ゲートＧ、にはＥＬ、駆動電源ＶａをＥＬ発光素
子Ｃｌ−１゜コンデンサＣ１及びコンデンサＣ７て分割
した電圧値が常時印加するようになっている。すなわち
、第２ゲートＧ、に印加する電圧の制御は、ＥＬ駆動電
源Ｖａを利用するように構成されている。
次に第２のスイッチング素子Ｑ、の構造について説明す
る。
る。
第２のスイッチング素子Ｑ、は、第２図に示すように、
基板１上にクロム（Ｃｒ）等の金属からなる第１ゲート
電極２（第１図における第１ゲートＧ、）、Ｓ ｉＮｘ
からなる絶縁層３．アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
からなる半導体層４゜上部絶縁層５．ドレイン電極６ａ
およびソース電極６ｂを順次積層して構成されている。
基板１上にクロム（Ｃｒ）等の金属からなる第１ゲート
電極２（第１図における第１ゲートＧ、）、Ｓ ｉＮｘ
からなる絶縁層３．アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
からなる半導体層４゜上部絶縁層５．ドレイン電極６ａ
およびソース電極６ｂを順次積層して構成されている。
このスイッチング素子Ｑ、は、ドレイン電極６ａと第１
ゲート電極２とが重なり合わないように構成し、ドレイ
ン電極側をオフセット構造とすることにより、高耐圧と
することができる。
ゲート電極２とが重なり合わないように構成し、ドレイ
ン電極側をオフセット構造とすることにより、高耐圧と
することができる。
そして、上部絶縁層５．ドレイン電極６ａ及びソース電
極６ｂ上にポリイミドを塗布して絶縁層７を形成し、こ
の絶縁層７上の前記オフセット部に対応する位置に第２
ゲート電極８（第１図における第２ゲートＧ、）が形成
されている。
極６ｂ上にポリイミドを塗布して絶縁層７を形成し、こ
の絶縁層７上の前記オフセット部に対応する位置に第２
ゲート電極８（第１図における第２ゲートＧ、）が形成
されている。
次に上述の第２のスイッチング素子Ｑ、の動作について
第１図を参照して説明する。基本的な動作は第６図の従
来例で説明したスイッチング素子Ｑ、と同様である。
第１図を参照して説明する。基本的な動作は第６図の従
来例で説明したスイッチング素子Ｑ、と同様である。
すなわち、第１ゲートＧ、にデータ電圧が印加されて第
２のスイッチング素子Ｑ、がオン状態になっている場合
において、第２のスイッチング素子Ｑ２ のドレイン側
にかかるＥＬ駆動電源Ｖａ（Ｖａ−Ｖｐｋｓ ｉ ｎ
（ωｔ） ）が正極性であれば、第３図に示すようにＥ
Ｌ発光素子を駆動するに充分な電流が流れる。
２のスイッチング素子Ｑ、がオン状態になっている場合
において、第２のスイッチング素子Ｑ２ のドレイン側
にかかるＥＬ駆動電源Ｖａ（Ｖａ−Ｖｐｋｓ ｉ ｎ
（ωｔ） ）が正極性であれば、第３図に示すようにＥ
Ｌ発光素子を駆動するに充分な電流が流れる。
また、第２のスイッチング素子Ｑ、がオン状態になって
いる場合において、第２のスイッチング素子Ｑ、のドレ
イン側にかかるＥＬ駆動電源Ｖａ（ＶａｍＶｐｋｓ ｉ
ｎ （ωｔ））が負極性であれば、第１ゲートＧＩ−ド
レイン間電圧Ｖｇｄ、は常に正極性となる。従来のスイ
ッチング素子Ｑ２の構造（第７図）でソース、ドレイン
間電流が十分流れないのは、第１ゲートＧ、 −ドレ
イン間でオフセット構造をとり、その領域の抵抗により
電流が制限されているためである。そこで、この領域に
第２ゲートＧ２を設け、この第２ゲートＧ、にＥＬ発光
素子ＣＥＬ 、コンデンサＣ７及びコンデンサＣ７てＥ
Ｌ駆動電源Ｖａを分割した電圧値が印加されるようにす
ると、ドレイン電極が負極性のときには、第２ゲートＧ
、−ドレイン間電圧Ｖｇｄ、は常に正極性となり、スイ
ッチング素子Ｑ２のオン状態を維持する。その結果、ド
レイン電極が負極性のときのソース、ドレイン間電流を
、第３図に示すように、従来のオフセット構造による点
線Ａから実線Ｂに増大させることができる。
いる場合において、第２のスイッチング素子Ｑ、のドレ
イン側にかかるＥＬ駆動電源Ｖａ（ＶａｍＶｐｋｓ ｉ
ｎ （ωｔ））が負極性であれば、第１ゲートＧＩ−ド
レイン間電圧Ｖｇｄ、は常に正極性となる。従来のスイ
ッチング素子Ｑ２の構造（第７図）でソース、ドレイン
間電流が十分流れないのは、第１ゲートＧ、 −ドレ
イン間でオフセット構造をとり、その領域の抵抗により
電流が制限されているためである。そこで、この領域に
第２ゲートＧ２を設け、この第２ゲートＧ、にＥＬ発光
素子ＣＥＬ 、コンデンサＣ７及びコンデンサＣ７てＥ
Ｌ駆動電源Ｖａを分割した電圧値が印加されるようにす
ると、ドレイン電極が負極性のときには、第２ゲートＧ
、−ドレイン間電圧Ｖｇｄ、は常に正極性となり、スイ
ッチング素子Ｑ２のオン状態を維持する。その結果、ド
レイン電極が負極性のときのソース、ドレイン間電流を
、第３図に示すように、従来のオフセット構造による点
線Ａから実線Ｂに増大させることができる。
その結果、ＥＬ発光素子を駆動するのに十分な電流値を
得るための負極性側ドレイン電圧は、従来のオフセット
構造を有するスイッチング素子を使用した場合に比較し
て低く設定することができ、ＥＬ駆動電源Ｖａを低減す
ることができる。この場合におけるＥＬ駆動電源Ｖａと
発光輝度りとの関係は、第４図の点線の特性から実線の
特性ヘシフトさせることができる。
得るための負極性側ドレイン電圧は、従来のオフセット
構造を有するスイッチング素子を使用した場合に比較し
て低く設定することができ、ＥＬ駆動電源Ｖａを低減す
ることができる。この場合におけるＥＬ駆動電源Ｖａと
発光輝度りとの関係は、第４図の点線の特性から実線の
特性ヘシフトさせることができる。
第５図は本発明をｍＸｎ個のビット数を有するマトリッ
クス型ＥＬ表示装置に応用′したときの駆動回路を示し
ている。すなわち、第１図に示した一画素の駆動回路を
上下、左右に複数個並べ、左右方向に並んだ各駆動回路
のゲートをスイッチング信号線Ｙに接続し、上下方向に
並んだ各駆動回路の情報信号線Ｘを共通にしたものであ
る。第１図と同一部分については、同一符号を付して詳
細な説明を省略する。
クス型ＥＬ表示装置に応用′したときの駆動回路を示し
ている。すなわち、第１図に示した一画素の駆動回路を
上下、左右に複数個並べ、左右方向に並んだ各駆動回路
のゲートをスイッチング信号線Ｙに接続し、上下方向に
並んだ各駆動回路の情報信号線Ｘを共通にしたものであ
る。第１図と同一部分については、同一符号を付して詳
細な説明を省略する。
上記実施例の第２のスイッチング素子Ｑ２の第２ゲート
Ｇ、への印加電圧は、コンデンサＣ９及びコンデンサＣ
７をドレイン、ソース間に直列に入れて制御したが、ス
イッチング素子Ｑ、のドレイン側が負極性の際に第２ゲ
ートＧ、へ電圧が印加するような回路構成であればよい
。
Ｇ、への印加電圧は、コンデンサＣ９及びコンデンサＣ
７をドレイン、ソース間に直列に入れて制御したが、ス
イッチング素子Ｑ、のドレイン側が負極性の際に第２ゲ
ートＧ、へ電圧が印加するような回路構成であればよい
。
以上述べたＥＬ発光装置によると、次のような効果を奏
することができる。
することができる。
第２のスイッチング素子Ｑ、の半導体層としてアモルフ
ァスシリコン（ａ−３ｉ）を使用することができる。ア
モルファスシリコン（ａ−３ｉ）は低温プロセスで形成
可能なので、ＥＬ発光素子とスイッチング素子とを一体
形成するマトリックス型ＥＬ表示装置やＥＬ発光素子ア
レイの大面積化に適している。
ァスシリコン（ａ−３ｉ）を使用することができる。ア
モルファスシリコン（ａ−３ｉ）は低温プロセスで形成
可能なので、ＥＬ発光素子とスイッチング素子とを一体
形成するマトリックス型ＥＬ表示装置やＥＬ発光素子ア
レイの大面積化に適している。
オフセット構造をとることにより、第２のスイッチング
素子Ｑ、の耐圧を高めることができる。
素子Ｑ、の耐圧を高めることができる。
第２のスイッチング素子Ｑ、のオフセット部にゲート電
極を形成したので、負極性ドレイン電圧側においてＥＬ
発光素子を駆動するに充分な電流特性を確保することが
できる。
極を形成したので、負極性ドレイン電圧側においてＥＬ
発光素子を駆動するに充分な電流特性を確保することが
できる。
（発明の効果）
本発明によれば、スイッチング素子がオフセット部を有
することにより、高耐圧のスイッチング素子を得ること
ができる。また、オフセット部に電圧を印加する手段を
有することにより、負極性ドレイン電圧領域においてオ
フセット部に電圧を印加すればオン状態を維持でき、十
分なドレイン電流を確保することができる。
することにより、高耐圧のスイッチング素子を得ること
ができる。また、オフセット部に電圧を印加する手段を
有することにより、負極性ドレイン電圧領域においてオ
フセット部に電圧を印加すればオン状態を維持でき、十
分なドレイン電流を確保することができる。
従って、スイッチング素子の半導体層として各種の材料
、例えばアモルファスシリコン（ａ−５ｉ）を使用する
ことにより、特性がよく且つ製造が容易な大面積デバイ
スを得ることができ、マトリックス型ＥＬ表示装置やＥ
Ｌ発光素子アレイの製造に適しているという効果がある
。
、例えばアモルファスシリコン（ａ−５ｉ）を使用する
ことにより、特性がよく且つ製造が容易な大面積デバイ
スを得ることができ、マトリックス型ＥＬ表示装置やＥ
Ｌ発光素子アレイの製造に適しているという効果がある
。
第１図は本発明の一実施例に係るＥＬ発光装置の等価回
路図、第２図は本実施例におけるオフセット構造のスイ
ッチング素子Ｑ、の断面説明図、第３図はオフセット構
造のスイッチング素子Ｑ。 のドレイン電圧−ドレイン電流特性図、第４図は駆動電
圧（Ｖａ）とＥＬ発光装置の輝度（Ｌ）との関係を示す
グラフ、第５図は本実施例をマトリックス型ＥＬ表示装
置に応用した場合の等価回路図、第６図は従来のＥＬ発
光装置の等価回路図。 第７図は従来のオフセット構造のスイッチング素子Ｑ、
の断面説明図である。 Ｑｌ・・・・・・第１のスイッチング素子Ｑ、・・・・
・・第２のスイッチング素子Ｇ、・・・・・・第１ゲー
ト Ｇ２・・・・・・第２ゲート ＣＥＬ・・・・・・ＥＬ発光素子 Ｃｓ・・・・・・蓄積コンデンサ ＣＩ・・・・・・コンデンサ Ｃ２・・・・・・コンデンサ Ｖａ・・・・・・ＥＬ駆動電源 ２・・・・・・・・・第１ゲート電極 ４・・・・・・・・・半導体層（アモルファスシリコン
）６ａ・・・・・・ドレイン電極 ６ｂ・・・・・・ソース電極 ７・・・・・・・・・絶縁層 ８・・・・・・・・・第２ゲート電極 し」 第１図 第２図 第３図 第４図 ａ 第５図
路図、第２図は本実施例におけるオフセット構造のスイ
ッチング素子Ｑ、の断面説明図、第３図はオフセット構
造のスイッチング素子Ｑ。 のドレイン電圧−ドレイン電流特性図、第４図は駆動電
圧（Ｖａ）とＥＬ発光装置の輝度（Ｌ）との関係を示す
グラフ、第５図は本実施例をマトリックス型ＥＬ表示装
置に応用した場合の等価回路図、第６図は従来のＥＬ発
光装置の等価回路図。 第７図は従来のオフセット構造のスイッチング素子Ｑ、
の断面説明図である。 Ｑｌ・・・・・・第１のスイッチング素子Ｑ、・・・・
・・第２のスイッチング素子Ｇ、・・・・・・第１ゲー
ト Ｇ２・・・・・・第２ゲート ＣＥＬ・・・・・・ＥＬ発光素子 Ｃｓ・・・・・・蓄積コンデンサ ＣＩ・・・・・・コンデンサ Ｃ２・・・・・・コンデンサ Ｖａ・・・・・・ＥＬ駆動電源 ２・・・・・・・・・第１ゲート電極 ４・・・・・・・・・半導体層（アモルファスシリコン
）６ａ・・・・・・ドレイン電極 ６ｂ・・・・・・ソース電極 ７・・・・・・・・・絶縁層 ８・・・・・・・・・第２ゲート電極 し」 第１図 第２図 第３図 第４図 ａ 第５図
Claims (1)
- ＥＬ発光素子と該ＥＬ発光素子に接続されたスイッチン
グ素子とを有し、該スイッチング素子はオフセット部と
該オフセット部に電圧を印加する手段とを有することを
特徴とするＥＬ発光装置。
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|---|---|---|---|
| JP2159693A JP2616153B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | Ｅｌ発光装置 |
| US08/040,569 US5386179A (en) | 1990-06-20 | 1993-03-31 | AC power driven electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2159693A JP2616153B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | Ｅｌ発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451286A true JPH0451286A (ja) | 1992-02-19 |
| JP2616153B2 JP2616153B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=15699255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2159693A Expired - Fee Related JP2616153B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | Ｅｌ発光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| US (1) | US5386179A (ja) |
| JP (1) | JP2616153B2 (ja) |
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| US6104041A (en) * | 1994-08-24 | 2000-08-15 | Sarnoff Corporation | Switching circuitry layout for an active matrix electroluminescent display pixel with each pixel provided with the transistors |
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1990
- 1990-06-20 JP JP2159693A patent/JP2616153B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-03-31 US US08/040,569 patent/US5386179A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JP2616153B2 (ja) | 1997-06-04 |
| US5386179A (en) | 1995-01-31 |
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