JPH0451494A - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
有機電界発光素子及びその製造方法Info
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- JPH0451494A JPH0451494A JP2159083A JP15908390A JPH0451494A JP H0451494 A JPH0451494 A JP H0451494A JP 2159083 A JP2159083 A JP 2159083A JP 15908390 A JP15908390 A JP 15908390A JP H0451494 A JPH0451494 A JP H0451494A
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- Japan
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- layer
- electrode
- electrodes
- insulating layer
- organic electroluminescent
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、′１′ヒ界の印加によって発光する有機エレ
クトロルミネッセンス層を備えた電界発光素子及びその
製造方法に関する。
クトロルミネッセンス層を備えた電界発光素子及びその
製造方法に関する。
背景技術
電気信号に応答して多色表示するカラー表示装置として
はブラウン管が広く利用されている。装置の薄型化のた
めに液晶型素子も開発されている。
はブラウン管が広く利用されている。装置の薄型化のた
めに液晶型素子も開発されている。
更に、完全固体型として高輝度の発光が得られるエレク
トロルミネッセンス（以下ＥＬという）を用いたＥＬ水
素子なわち電界発光素子も開発されている。
トロルミネッセンス（以下ＥＬという）を用いたＥＬ水
素子なわち電界発光素子も開発されている。
かかるＥＬ水素子構造で分類すると、電極とＥＬ層との
間に絶縁層又は誘電層をもたない直流形と、電極とＥＬ
層との間に絶縁層をもつ交流形とに分類され、該交流形
のものはドツト７トリクスＥＬ素子として適している。
間に絶縁層又は誘電層をもたない直流形と、電極とＥＬ
層との間に絶縁層をもつ交流形とに分類され、該交流形
のものはドツト７トリクスＥＬ素子として適している。
また、ＥＬ水素子発光するＥＬ層材質で分類すると、無
機物からなる無機ＥＬ層を有するものと有機物からなる
有機ＥＬ層を有するものとに分けられる。
機物からなる無機ＥＬ層を有するものと有機物からなる
有機ＥＬ層を有するものとに分けられる。
近年、低電力高輝度発光をなす有機ＥＬ素子が注目され
ている。
ている。
第４図及び第５図においては、有機ＥＬ索子であるＸ，
Ｙマトリクス型のものの一例を示す。該ＥＬ水素子、ガ
ラス透明基板１上に、ＩＴＯ等の複数の透明電極２、正
孔輸送層１０，有機ＥＬ層］４、透明電極２に交差する
複数の背面電極６を順に積層、形成したものである。有
機ＥＬ素子は、図に示す正孔輸送層１０及び有機ＥＬ層
１４からなる２層構造のものや、図示しないが有機ＥＬ
層］４及び背面電極６間に有機電子輸送層がさらに配さ
れた３層構造のものが知られている。有機ＥＬ層］４は
、例えばクマリン化合物を含む層である。また、第５図
に示すように背面電極６の上には、通常これを保護し短
絡を防ぐ保護層１５が被覆されている。なお、第４図は
第５図の■−■方向から見た断面図を示す。
Ｙマトリクス型のものの一例を示す。該ＥＬ水素子、ガ
ラス透明基板１上に、ＩＴＯ等の複数の透明電極２、正
孔輸送層１０，有機ＥＬ層］４、透明電極２に交差する
複数の背面電極６を順に積層、形成したものである。有
機ＥＬ素子は、図に示す正孔輸送層１０及び有機ＥＬ層
１４からなる２層構造のものや、図示しないが有機ＥＬ
層］４及び背面電極６間に有機電子輸送層がさらに配さ
れた３層構造のものが知られている。有機ＥＬ層］４は
、例えばクマリン化合物を含む層である。また、第５図
に示すように背面電極６の上には、通常これを保護し短
絡を防ぐ保護層１５が被覆されている。なお、第４図は
第５図の■−■方向から見た断面図を示す。
有機ＥＬ素子において、有機正孔輸送層１０は電極から
正孔を注入させ易くする機能と電子をブロックする機能
とを有し、有機電子輸送層は電極から電子を注入させ易
くする機能を有している。
正孔を注入させ易くする機能と電子をブロックする機能
とを有し、有機電子輸送層は電極から電子を注入させ易
くする機能を有している。
有機ＥＬ素子において、一対の電極から注入された電子
と正孔との再結合によって励起子が生じ、この励起子か
放射失活する過程で光を放ち、この光が透明電極及びガ
ラス基板を介して外部に放出されることになる。
と正孔との再結合によって励起子が生じ、この励起子か
放射失活する過程で光を放ち、この光が透明電極及びガ
ラス基板を介して外部に放出されることになる。
有機ＥＬ素子は、透明電極２側から見た第６図の平面図
（電極以外の部材は省略されている）に示すように、Ｘ
ｎ，Ｙｎマトリクスの構造なので、交差した電極２，６
間の挟まれかつ重なる領域のＥＬ層に画素すなわち発光
領域Ａが形成される。
（電極以外の部材は省略されている）に示すように、Ｘ
ｎ，Ｙｎマトリクスの構造なので、交差した電極２，６
間の挟まれかつ重なる領域のＥＬ層に画素すなわち発光
領域Ａが形成される。
しかしながら、各電極２、６のＸ，Ｙ，間に通電すると
ｘ，ｙ，の交差点以外のＸ，Ｙ２及びＸ２ Ｙ，も発光
（発光領域Ｂ）してしまうことがある。いわゆるクロス
トークが発生する。また、発光領域Ａ周囲の部分Ｃも発
光してしまうことがある。
ｘ，ｙ，の交差点以外のＸ，Ｙ２及びＸ２ Ｙ，も発光
（発光領域Ｂ）してしまうことがある。いわゆるクロス
トークが発生する。また、発光領域Ａ周囲の部分Ｃも発
光してしまうことがある。
すなわち、１層のＥＬ層の故に、近隣の画素や画素の周
囲にクロストークが発生してしまう。このために、ＥＬ
水素子表示装置に用いた場合、素子全体としても、解像
度が低下して精細な画像が得られない。
囲にクロストークが発生してしまう。このために、ＥＬ
水素子表示装置に用いた場合、素子全体としても、解像
度が低下して精細な画像が得られない。
発明の概要
［発明の目的］
本発明の目的は、精細な画像が得られるＥＬ水素子びそ
の製造方法を提供することにある。
の製造方法を提供することにある。
［発明の構成］
本発明のＥＬ水素子、複数の互いに対向する一対の電極
と前記電極間に配置された有機エレクトロルミネッセン
ス層とからなる電界発光素子であって、前記有機エレク
トロルミネッセンス層及び少なくとも一方の前記電極間
に挾まれかつ前記電極の縁部に沿って延在した絶縁層を
備えたことを特徴とする。
と前記電極間に配置された有機エレクトロルミネッセン
ス層とからなる電界発光素子であって、前記有機エレク
トロルミネッセンス層及び少なくとも一方の前記電極間
に挾まれかつ前記電極の縁部に沿って延在した絶縁層を
備えたことを特徴とする。
本発明のＥＬ素子の製造方法は、互いに対向する電極対
の複数と前記電極対間に配置された有機エレクトロルミ
ネッセンス層とを有し、前記有機エレクトロルミネッセ
ンス層の前記電極対によって挾まれる複数の部分を発光
領域とするＥＬ素子の製造方法であって、 基板上に複数の帯状第１電極を成膜する第１電極形成工
程と、 前記第１電極上にかつこれの縁部に沿って又は後に形成
される第２電極の縁部に沿って絶縁層を成膜する絶縁層
形成工程と、 前記絶縁層上に有機エレクトロルミネッセンス層を成膜
するエレクトロルミネッセンス層形成工程と、 前記有機エレクトロルミネッセンス層上において前記第
１電極と交差するように複数の帯状第２電極を成膜する
第２電極層形成工程とを含むことを特徴とする。
の複数と前記電極対間に配置された有機エレクトロルミ
ネッセンス層とを有し、前記有機エレクトロルミネッセ
ンス層の前記電極対によって挾まれる複数の部分を発光
領域とするＥＬ素子の製造方法であって、 基板上に複数の帯状第１電極を成膜する第１電極形成工
程と、 前記第１電極上にかつこれの縁部に沿って又は後に形成
される第２電極の縁部に沿って絶縁層を成膜する絶縁層
形成工程と、 前記絶縁層上に有機エレクトロルミネッセンス層を成膜
するエレクトロルミネッセンス層形成工程と、 前記有機エレクトロルミネッセンス層上において前記第
１電極と交差するように複数の帯状第２電極を成膜する
第２電極層形成工程とを含むことを特徴とする。
［発明の作用］
本発明によれば、ＥＬ素子のＥＬ層を挾む一対の電極間
、特に、その縁部と電極間の漏洩電流を遮断するので、
該ＥＬ素子へ電力を印加し発光させる時においてもクロ
スト−りが発生しない。
、特に、その縁部と電極間の漏洩電流を遮断するので、
該ＥＬ素子へ電力を印加し発光させる時においてもクロ
スト−りが発生しない。
実施例
以下、本発明による実施例を図面を参照しつつ説明する
。
。
第１図に実施例の有機ＥＬ素子を示す。該ＥＬ素子は、
ガラス透明基板１」二に、ＩＴＯ等の複数の透明電極２
、透明電極２及び後に形成される第２の電極縁部にかか
るように第１電極２上にこれを露出する開口Ｗを有する
絶縁層９、−様な正孔輸送層１０．−様な有機ＥＬ層１
４、透明電極２に交差する複数の背面電極６を順に積層
、形成したものである。この実施例では、発光に供する
ＥＬ層が電極２．６の交点間にて絶縁層が存在しない部
分Ｗの周囲にまでマトリクス状に画定されており、個々
の発光領域を囲繞するように絶縁層９が存在している。
ガラス透明基板１」二に、ＩＴＯ等の複数の透明電極２
、透明電極２及び後に形成される第２の電極縁部にかか
るように第１電極２上にこれを露出する開口Ｗを有する
絶縁層９、−様な正孔輸送層１０．−様な有機ＥＬ層１
４、透明電極２に交差する複数の背面電極６を順に積層
、形成したものである。この実施例では、発光に供する
ＥＬ層が電極２．６の交点間にて絶縁層が存在しない部
分Ｗの周囲にまでマトリクス状に画定されており、個々
の発光領域を囲繞するように絶縁層９が存在している。
かかる発明は、両電極の縁部における電荷の表面密度の
高さに起因する漏電を防止している。すなわち、電荷が
導体の表面に分布するとき、ある点の単位面積当りにあ
る電荷は、その点の電荷の表面密度といわれている。導
体表面上の面積部分ｄＳにある電荷をｄＱとすれば、表
面密度はσ＝ｄＱ／ｄＳである。
高さに起因する漏電を防止している。すなわち、電荷が
導体の表面に分布するとき、ある点の単位面積当りにあ
る電荷は、その点の電荷の表面密度といわれている。導
体表面上の面積部分ｄＳにある電荷をｄＱとすれば、表
面密度はσ＝ｄＱ／ｄＳである。
例えば球等体に電荷を与えると、それは、形の対称によ
って、球面上−様に分布するから、電荷をＱとし、球の
半径をＲとすれば、表面密度σは次の様になる。
って、球面上−様に分布するから、電荷をＱとし、球の
半径をＲとすれば、表面密度σは次の様になる。
したがって、一般の種々の形をもっている導体では、曲
率半径の小さい突出部で表面密度が大きい。したがって
、ＥＬ素子の両電極の各々の断面形状が矩形をなしてい
る故に、その縁部に電荷が集中して漏電が生じる。
率半径の小さい突出部で表面密度が大きい。したがって
、ＥＬ素子の両電極の各々の断面形状が矩形をなしてい
る故に、その縁部に電荷が集中して漏電が生じる。
よって、実施例によれば、一対の電極２．６間の漏電の
要因である電極の周囲縁部の電荷の集中が生じていても
絶縁層９によって電流が遮断される。
要因である電極の周囲縁部の電荷の集中が生じていても
絶縁層９によって電流が遮断される。
第２図は絶縁層９の形状を示す平面図（第１図上方から
見た）であって、透明電極２、背面電極６及び絶縁層９
以外の部材は省略しである。第２図（ａ）は第１図の場
合を示し、画電極縁部が絶縁層９を介して互いに相対す
るようのになっている。
見た）であって、透明電極２、背面電極６及び絶縁層９
以外の部材は省略しである。第２図（ａ）は第１図の場
合を示し、画電極縁部が絶縁層９を介して互いに相対す
るようのになっている。
第２図曲は背面電極６の縁部のみに絶縁層９か被うよう
に絶縁層９が電極６の縁部に沿って形成されている。
に絶縁層９が電極６の縁部に沿って形成されている。
第２図曲に示す絶縁層を有するＥＬ素子を製造するには
、まず、第３図（ａ）に示すように、ガラス基板１の主
面上に複数の帯状の透明電極２を各々が平行となるよう
にスパッタリング法及びリソグラフィ法などによって積
層する。第３図の各々は第１図のＩ−Ｉ方向から見た断
面に対応する断面図であって第２図山）の絶縁層９を有
するものを示す。
、まず、第３図（ａ）に示すように、ガラス基板１の主
面上に複数の帯状の透明電極２を各々が平行となるよう
にスパッタリング法及びリソグラフィ法などによって積
層する。第３図の各々は第１図のＩ−Ｉ方向から見た断
面に対応する断面図であって第２図山）の絶縁層９を有
するものを示す。
次に、第３図（ｂ）に示すように、絶縁層９を、後に形
成される背面電極の縁部にかかり（第３図（ｂ））透明
電極２に交叉するように、形成する。次に第３図（Ｃ）
に示すように複数の透明電極２上に正孔輸送層］０を蒸
着法などによって均一に一様に積層する。
成される背面電極の縁部にかかり（第３図（ｂ））透明
電極２に交叉するように、形成する。次に第３図（Ｃ）
に示すように複数の透明電極２上に正孔輸送層］０を蒸
着法などによって均一に一様に積層する。
次に、第３図（ｄ）に示すように、正孔輸送層］０上に
おいて蒸着法などによってＥＬ層１４を透明電極２に沿
って形成する。
おいて蒸着法などによってＥＬ層１４を透明電極２に沿
って形成する。
次に、ＥＬ層１４を形成した正孔輸送層１０上に、第３
図（ｅ）に示すように、透明電極２の上においてこれと
交差しかつ帯状の一対の絶縁層９にその縁部が位置する
ように対応させ第２電極層６（背面電極）を重ねて蒸着
形成する。
図（ｅ）に示すように、透明電極２の上においてこれと
交差しかつ帯状の一対の絶縁層９にその縁部が位置する
ように対応させ第２電極層６（背面電極）を重ねて蒸着
形成する。
次に、第２電極層６を形成した上に、従来と同様に、保
護層を一様に成膜する。
護層を一様に成膜する。
このようにして、本発明のＥＬ素子が得られる。
この方法において、絶縁層９を、画電極が公差する面積
より小なる開口Ｗを有する第２図中）のものとして形成
してもよい。
より小なる開口Ｗを有する第２図中）のものとして形成
してもよい。
発明の効果
以上の如く、本発明のＥＬ素子によれば、該素子へ電力
を印加し発光させる時においても発光領域のみが発光し
、発光領域の周囲のタロストークや発光の「にじみ」が
減少し、精細な画像が得られる。
を印加し発光させる時においても発光領域のみが発光し
、発光領域の周囲のタロストークや発光の「にじみ」が
減少し、精細な画像が得られる。
第１図は本発明による実施例のＥＬ素子の部分拡大斜視
図、第２図は絶縁層を示す透視平面図、第３図は本発明
によるＥＬ素子の製造中における素子部材の部分断面図
、第４図は従来のＥＬ素子の部分断面図、第５図は従来
のＥＬ素子の部分切欠斜視図、第６図は従来のＥＬ素子
の部分透視平面図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・基板 ２・・・・・・透明電極 ４．１４・・・・・・ＥＬ層 ６・・・・・・電極 １５・・・・・・保護層 同 スト 転
図、第２図は絶縁層を示す透視平面図、第３図は本発明
によるＥＬ素子の製造中における素子部材の部分断面図
、第４図は従来のＥＬ素子の部分断面図、第５図は従来
のＥＬ素子の部分切欠斜視図、第６図は従来のＥＬ素子
の部分透視平面図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・基板 ２・・・・・・透明電極 ４．１４・・・・・・ＥＬ層 ６・・・・・・電極 １５・・・・・・保護層 同 スト 転
Claims (6)
- （１）複数の互いに対向する一対の電極と前記電極間に
配置された有機エレクトロルミネッセンス層とからなる
電界発光素子であって、前記有機エレクトロルミネッセ
ンス層及び少なくとも一方の前記電極間に挾まれかつ前
記電極の縁部に沿って延在した絶縁層を備えたことを特
徴とする電界発光素子。 - （２）前記有機エレクトロルミネッセンス層及び前記電
極の一方の間に有機化合物からなる正孔輸送層が配置さ
れていることを特徴とする請求項１記載の電界発光素子
。 - （３）前記有機エレクトロルミネッセンス層及び前記電
極の他方の間に有機化合物からなる電子輸送層が配置さ
れていることを特徴とする請求項２記載の電界発光素子
。 - （４）互いに対向する電極対の複数と前記電極対間に配
置された有機エレクトロルミネッセンス層とを有し、前
記有機エレクトロルミネッセンス層の前記電極対によっ
て挾まれる複数の部分を発光領域とする電界発光素子の
製造方法であって、基板上に複数の帯状第１電極を成膜
する第１電極形成工程と、 前記第１電極上にかつこれの縁部に沿って又は後に形成
される第２電極の縁部に沿って絶縁層を成膜する絶縁層
形成工程と、 前記絶縁層上に有機エレクトロルミネッセンス層を成膜
する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、 前記有機エレクトロルミネッセンス層上において前記第
１電極と交差するように複数の帯状第２電極を成膜する
第２電極層形成工程とを含むことを特徴とする電界発光
素子の製造方法。 - （５）前記第１電極形成工程と前記絶縁層形成工程との
間に正孔輸送層を成膜する正孔輸送層形成工程を有する
ことを特徴とする請求項４記載の電界発光素子の製造方
法。 - （６）前記有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と
前記第２電極層形成工程との間に電子輸送層を成膜する
電子輸送届形成工程を有することを特徴とする請求項４
記載の電界発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2159083A JP2911552B2 (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2159083A JP2911552B2 (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451494A true JPH0451494A (ja) | 1992-02-19 |
| JP2911552B2 JP2911552B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=15685859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2159083A Expired - Fee Related JP2911552B2 (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2911552B2 (ja) |
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| EP0734082A3 (en) * | 1995-03-22 | 1998-05-13 | Motorola, Inc. | Two dimensional organic light emitting diode array |
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1990
- 1990-06-18 JP JP2159083A patent/JP2911552B2/ja not_active Expired - Fee Related
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