JPH04515Y2 - - Google Patents
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- JPH04515Y2 JPH04515Y2 JP15478786U JP15478786U JPH04515Y2 JP H04515 Y2 JPH04515 Y2 JP H04515Y2 JP 15478786 U JP15478786 U JP 15478786U JP 15478786 U JP15478786 U JP 15478786U JP H04515 Y2 JPH04515 Y2 JP H04515Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- permanent magnet
- magnetic
- bias
- reed switch
- magnet
- Prior art date
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 33
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 claims description 32
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、リードスイツチを利用して作動する
近接スイツチのうちの磁性体検知スイツチに関す
るものであつて、検出領域幅を広くすることので
きるようにしたものである。
近接スイツチのうちの磁性体検知スイツチに関す
るものであつて、検出領域幅を広くすることので
きるようにしたものである。
周知のように、リードスイツチを利用して作動
する近接スイツチのうちの磁性体検知スイツチ
は、リードスイツチと永久磁石とを相対的に移動
させる構成と、リードスイツチに永久磁石を組付
け固定し、この永久磁石によつて形成される磁界
内に磁性材料を使用した検知物を移動侵入させ
て、永久磁石の磁束分布を変化させる構成とがあ
り、リードスイツチに作用する磁界を変化させ
て、そのオン、オフを図るものである(例えば実
公昭53−34636号公報)。
する近接スイツチのうちの磁性体検知スイツチ
は、リードスイツチと永久磁石とを相対的に移動
させる構成と、リードスイツチに永久磁石を組付
け固定し、この永久磁石によつて形成される磁界
内に磁性材料を使用した検知物を移動侵入させ
て、永久磁石の磁束分布を変化させる構成とがあ
り、リードスイツチに作用する磁界を変化させ
て、そのオン、オフを図るものである(例えば実
公昭53−34636号公報)。
そして、リードスイツチと永久磁石とは一体的
であるのが、作動的にも取扱い上も便宜であるた
め、一般には上記した後者の磁性体検知スイツチ
が広く採用されている。
であるのが、作動的にも取扱い上も便宜であるた
め、一般には上記した後者の磁性体検知スイツチ
が広く採用されている。
処が後者のこの種の磁性体検知スイツチにあつ
ては、永久磁石が形成するリードスイツチの動作
磁界領域が、検知物の移動方向に沿つて比較的な
だらかとなる部分が多く、このためリードスイツ
チの応答のヒステリミス特性によつて、検知物の
移動方向の違による応答差が大きくなると云う欠
点があつた。
ては、永久磁石が形成するリードスイツチの動作
磁界領域が、検知物の移動方向に沿つて比較的な
だらかとなる部分が多く、このためリードスイツ
チの応答のヒステリミス特性によつて、検知物の
移動方向の違による応答差が大きくなると云う欠
点があつた。
また、一般的に使用されている上記後者の磁性
体検知スイツチは、磁気シールドタイプのものが
多く、従つてこのシールド板なりシールドケース
なりによつて、リードスイツチに印加される磁束
が減少し、感度が低下すると云つた不都合も存す
る。
体検知スイツチは、磁気シールドタイプのものが
多く、従つてこのシールド板なりシールドケース
なりによつて、リードスイツチに印加される磁束
が減少し、感度が低下すると云つた不都合も存す
る。
このような問題点を解消する磁性体検知スイツ
チとして、例えば特願昭58−198567号の如き発明
が提案されている。
チとして、例えば特願昭58−198567号の如き発明
が提案されている。
上記発明は、第5図、第6図に示す如く、永久
磁石1の一方の磁極面に、一対のバイアス磁石2
を、その磁極面を面接させた姿勢で吸着すると共
に、この一対のバイアス磁石2の間に沿つてリー
ドスイツチ3を配置した構成であつて、従来の製
品に比して左右の応差のばらつきが減少し、中心
からの動作特性のずれが少なくなり、一対のバイ
アス磁石2が永久磁石1に吸着するように配置さ
れているため、永久磁石1とバイアス磁石2との
相互組付け調整が容易であり、シールドケース等
を装着することによつて外部磁界の影響を低くす
ることができる等、優れた効果を奏するものであ
つた。
磁石1の一方の磁極面に、一対のバイアス磁石2
を、その磁極面を面接させた姿勢で吸着すると共
に、この一対のバイアス磁石2の間に沿つてリー
ドスイツチ3を配置した構成であつて、従来の製
品に比して左右の応差のばらつきが減少し、中心
からの動作特性のずれが少なくなり、一対のバイ
アス磁石2が永久磁石1に吸着するように配置さ
れているため、永久磁石1とバイアス磁石2との
相互組付け調整が容易であり、シールドケース等
を装着することによつて外部磁界の影響を低くす
ることができる等、優れた効果を奏するものであ
つた。
しかしながら、上記発明は、実測によれば第5
図に示すような形態の動作磁界領域を描き、従つ
て、第6図から明らかなように、被検出体4との
間隔が近接したh2であれば動作領域幅l2は検
出領域のほぼ全域となるために長いものとなつ
て、確実な検出が達成されるのであるが、実際に
は、外装ケース等肉厚や取り付けスペースのため
のクリアランス等のために上記間隔はやや離れた
h1となり、従つてこの場合の動作領域l1は短
いものとなつてしまつて確実な検出に不安を残す
ものであつた。
図に示すような形態の動作磁界領域を描き、従つ
て、第6図から明らかなように、被検出体4との
間隔が近接したh2であれば動作領域幅l2は検
出領域のほぼ全域となるために長いものとなつ
て、確実な検出が達成されるのであるが、実際に
は、外装ケース等肉厚や取り付けスペースのため
のクリアランス等のために上記間隔はやや離れた
h1となり、従つてこの場合の動作領域l1は短
いものとなつてしまつて確実な検出に不安を残す
ものであつた。
即ち、この動作領域l1の状態にあつては、被
検出体4が高速で移動する場合、リードスイツチ
3の検出信号の出力時間幅が短くなるため、この
リードスイツチ3によつてリレー等の一定時間以
上の応答時間を必要とする負荷を駆動しようとす
る場合に、リードスイツチ3からの検出信号の出
力時間がこの負荷の応答時間よりも短くなつて、
リードスイツチ3が検出信号を出力したのにも拘
らず負荷が動作しないと云う不都合を生じること
になつていた。
検出体4が高速で移動する場合、リードスイツチ
3の検出信号の出力時間幅が短くなるため、この
リードスイツチ3によつてリレー等の一定時間以
上の応答時間を必要とする負荷を駆動しようとす
る場合に、リードスイツチ3からの検出信号の出
力時間がこの負荷の応答時間よりも短くなつて、
リードスイツチ3が検出信号を出力したのにも拘
らず負荷が動作しないと云う不都合を生じること
になつていた。
即ち、第6図で被検出体4との間隔がh2であ
れば動作領域幅l2は長くなるので、リードスイ
ツチ3の検出信号の出力時間を長くすることがで
きて支障がないのであるが、上記間隔がh1であ
ると動作領域幅l1は短いため、被検出体4が高
速で移動するとリードスイツチ3の検出信号の出
力時間が短くなり、負荷を駆動させることができ
なくなると云う欠点があるのである。
れば動作領域幅l2は長くなるので、リードスイ
ツチ3の検出信号の出力時間を長くすることがで
きて支障がないのであるが、上記間隔がh1であ
ると動作領域幅l1は短いため、被検出体4が高
速で移動するとリードスイツチ3の検出信号の出
力時間が短くなり、負荷を駆動させることができ
なくなると云う欠点があるのである。
第5図および第6図に示した従来技術の場合、
永久磁石1に対してバイアス磁石2を、リードス
イツチ3に対する磁力を増加させる姿勢で組付け
ているので、リードスイツチ3の動作領域は広く
なり、また永久磁石1に対するバイアス磁石2の
組付け位置を、永久磁石1の中心から一方側(左
側)にずらしているので、拡大したリードスイツ
チ3の動作領域は、永久磁石1の中心に関して左
右対称に拡大するのではなく、一方側に偏つた形
態で拡大し、もつて動作領域幅lの大きな動作領
域を得ることができるのである。
永久磁石1に対してバイアス磁石2を、リードス
イツチ3に対する磁力を増加させる姿勢で組付け
ているので、リードスイツチ3の動作領域は広く
なり、また永久磁石1に対するバイアス磁石2の
組付け位置を、永久磁石1の中心から一方側(左
側)にずらしているので、拡大したリードスイツ
チ3の動作領域は、永久磁石1の中心に関して左
右対称に拡大するのではなく、一方側に偏つた形
態で拡大し、もつて動作領域幅lの大きな動作領
域を得ることができるのである。
しかしながら、上記従来技術における動作領域
の拡大は、永久磁石1にバイアス磁石2の磁力を
加えることにより得られるものであり、かつバイ
アス磁石2の磁力は、永久磁石1の一方側に偏つ
て加えられることになり、さらにバイアス磁石2
は永久磁石1の他方側の磁力を一方側に吸引する
働きもするので、拡大形成される動作領域は、永
久磁石1の一方側が他方側に比べて極端に大きく
なる形態となつてしまうのである。
の拡大は、永久磁石1にバイアス磁石2の磁力を
加えることにより得られるものであり、かつバイ
アス磁石2の磁力は、永久磁石1の一方側に偏つ
て加えられることになり、さらにバイアス磁石2
は永久磁石1の他方側の磁力を一方側に吸引する
働きもするので、拡大形成される動作領域は、永
久磁石1の一方側が他方側に比べて極端に大きく
なる形態となつてしまうのである。
本考案は、上記した従来例における問題点、欠
点そして不都合を解消すべく考案されたもので、
検出領域を長くし、検出領域をほぼフラツトに近
い状態にすることを目的としたものである。
点そして不都合を解消すべく考案されたもので、
検出領域を長くし、検出領域をほぼフラツトに近
い状態にすることを目的としたものである。
以下、本考案による磁性体検知スイツチを、本
考案の一実施例を示す図面を参照しながら説明す
る。
考案の一実施例を示す図面を参照しながら説明す
る。
本考案による磁性体検知スイツチは、永久磁石
1における一方の磁極面の両端部に、夫々の磁極
面を前記した一方の磁極面に対向させた姿勢とし
た一対のバイアス磁石2を、一定の間隔をあけて
配置し、この各バイアス磁石2における一方端部
の前記した永久磁石1に対付則る側をS極、反対
側をN極とすると共に、各バイアス磁石2におけ
る他方端部の永久磁石1に対向する側をN極、反
対側をS極として、バイアス磁石2の極性を、一
方端部と他方端部とで異なる性質にして構成して
いる。
1における一方の磁極面の両端部に、夫々の磁極
面を前記した一方の磁極面に対向させた姿勢とし
た一対のバイアス磁石2を、一定の間隔をあけて
配置し、この各バイアス磁石2における一方端部
の前記した永久磁石1に対付則る側をS極、反対
側をN極とすると共に、各バイアス磁石2におけ
る他方端部の永久磁石1に対向する側をN極、反
対側をS極として、バイアス磁石2の極性を、一
方端部と他方端部とで異なる性質にして構成して
いる。
また、前記した一対のバイアス磁石2間にはリ
ードスイツチ3が配置されるが、その形態は、前
記した単一のバイアス磁石2の一方端部から他方
端部に沿つてかつ永久磁石1の磁極方向に直交す
る姿勢である。
ードスイツチ3が配置されるが、その形態は、前
記した単一のバイアス磁石2の一方端部から他方
端部に沿つてかつ永久磁石1の磁極方向に直交す
る姿勢である。
その結果、実測によれば、ここでの検出領域は
第2図に示すような形態となつてほぼフラツトに
近い状態にすることができ、動作領域幅は、第3
図に示すように被検出体4との間隔がh1とh2
とで殆ど差異のないl1とl2とになることにな
る。
第2図に示すような形態となつてほぼフラツトに
近い状態にすることができ、動作領域幅は、第3
図に示すように被検出体4との間隔がh1とh2
とで殆ど差異のないl1とl2とになることにな
る。
すなわち、被検出体4が接近していない状態に
おいて、リードスイツチ3に作用する磁力は、永
久磁石1とバイアス磁石2との間に働く磁力と、
バイアス磁石2の両磁極間に働く磁力であるが、
この両磁力は反対方向に働くので、相互に打ち消
し合い、このためリードスイツチ3はオフ状態と
なる。この状態から、被検出体4が動作領域内に
侵入すると、主として永久磁石1とバイアス磁石
2との間に働く磁力がこの被検出体4に引き寄せ
られるため、リードスイツチ3にはバイアス磁石
2の両磁極間に働く磁力だけが強く働くことにな
り、これによりリードスイツチ3はオン状態とな
る。
おいて、リードスイツチ3に作用する磁力は、永
久磁石1とバイアス磁石2との間に働く磁力と、
バイアス磁石2の両磁極間に働く磁力であるが、
この両磁力は反対方向に働くので、相互に打ち消
し合い、このためリードスイツチ3はオフ状態と
なる。この状態から、被検出体4が動作領域内に
侵入すると、主として永久磁石1とバイアス磁石
2との間に働く磁力がこの被検出体4に引き寄せ
られるため、リードスイツチ3にはバイアス磁石
2の両磁極間に働く磁力だけが強く働くことにな
り、これによりリードスイツチ3はオン状態とな
る。
このように、リードスイツチ3のオン・オフ動
作は、永久磁石1の磁力とバイアス磁石2の磁力
とを反発させ、この反発のバランスを被検出体4
により崩すことにより行わせるものであり、リー
ドスイツチ3のオン動作はバイアス磁石2の磁力
により達成されるものであるので、形成される動
作領域は、第2図に示すように、永久磁石1に比
べて磁力の弱いバイアス磁石2の磁力が作用する
間隔h距離範囲で、永久磁石1に対してバイアス
磁石2が偏つて組付けられた側、すなわちバイア
ス磁石2の偏り分だけこのバイアス磁石2からの
反発磁力を強く受けることにより、永久磁石1の
磁力の作用力が弱くなつた側に大きく偏つて延び
た形態となるのである。
作は、永久磁石1の磁力とバイアス磁石2の磁力
とを反発させ、この反発のバランスを被検出体4
により崩すことにより行わせるものであり、リー
ドスイツチ3のオン動作はバイアス磁石2の磁力
により達成されるものであるので、形成される動
作領域は、第2図に示すように、永久磁石1に比
べて磁力の弱いバイアス磁石2の磁力が作用する
間隔h距離範囲で、永久磁石1に対してバイアス
磁石2が偏つて組付けられた側、すなわちバイア
ス磁石2の偏り分だけこのバイアス磁石2からの
反発磁力を強く受けることにより、永久磁石1の
磁力の作用力が弱くなつた側に大きく偏つて延び
た形態となるのである。
このように、動作領域幅lを長く確保すること
ができれば、被検出体4が仮にh1部分を高速で
移動するとしても、リードスイツチ3の検出信号
の出力時間を長くすることができるので、例え長
い応答時間を必要とする負荷であつても、この負
荷を駆動させるだけの時間を充分に確保すること
ができ、従つて、リレー等の或る程度の応答時間
を必要とする負荷であつても、本考案による磁気
近接スイツチにより確実に駆動させることができ
ることになる。
ができれば、被検出体4が仮にh1部分を高速で
移動するとしても、リードスイツチ3の検出信号
の出力時間を長くすることができるので、例え長
い応答時間を必要とする負荷であつても、この負
荷を駆動させるだけの時間を充分に確保すること
ができ、従つて、リレー等の或る程度の応答時間
を必要とする負荷であつても、本考案による磁気
近接スイツチにより確実に駆動させることができ
ることになる。
また、永久磁石1及び一対のバイアス磁石2に
より形成される動作磁界領域は、被検出体4の移
動方向に沿つた幅、即ち動作磁界領域幅が、リー
ドスイツチ3からの間隔に多少の大小差があつて
も殆ど変化がなくほぼ一定となるので、本考案の
磁気近接スイツチの取付けは、被検出体4との間
隔が一定範囲内であれば、一定した動作磁界領域
幅lを提供することになり、これによつて多少の
取付け寸法誤差によつて検知動作が大幅に変化す
ると云う動作の不安定さをなくすことができる。
より形成される動作磁界領域は、被検出体4の移
動方向に沿つた幅、即ち動作磁界領域幅が、リー
ドスイツチ3からの間隔に多少の大小差があつて
も殆ど変化がなくほぼ一定となるので、本考案の
磁気近接スイツチの取付けは、被検出体4との間
隔が一定範囲内であれば、一定した動作磁界領域
幅lを提供することになり、これによつて多少の
取付け寸法誤差によつて検知動作が大幅に変化す
ると云う動作の不安定さをなくすことができる。
第4図は、本考案の磁性体検知スイツチの一実
施例の構成を示すものにして、組付けケース5内
に永久磁石1とバイアス磁石2との組合せ物を不
動に組付け固定し、この永久磁石1とバイアス磁
石2との組合せ物に対してリードスイツチ3を樹
脂モールド材6により一体的に埋設モールド固定
し、更にこの組付けケース5の外表面に、外部磁
気に対する磁気シールドを達成するシールドケー
ス7を被覆固定して構成されている。
施例の構成を示すものにして、組付けケース5内
に永久磁石1とバイアス磁石2との組合せ物を不
動に組付け固定し、この永久磁石1とバイアス磁
石2との組合せ物に対してリードスイツチ3を樹
脂モールド材6により一体的に埋設モールド固定
し、更にこの組付けケース5の外表面に、外部磁
気に対する磁気シールドを達成するシールドケー
ス7を被覆固定して構成されている。
以上の説明から明らかな如く、本考案は、被検
出体の移動方向に沿つた検出領域幅を大きくする
ことができると共に、この形成される検出領域
は、その幅をほぼ一定にして立ち上がつた形態と
なつており、更にスイツチの検知面全域にわたつ
て検出領域が形成されることになつているので、
被検出体との相対移動速度が大きくても、リード
スイツチからの検出信号の出力時間を充分に長く
することができ、もつてこの検出信号に従つて負
荷を確実に駆動させることができ、また被検出体
の移動方向に沿つた応差が少ないので正確な検知
動作を得ることができ、更に磁石とリードスイツ
チとの組合せ物全体の寸法を小さくできるので小
型に構成することができ、そしてスイツチの取付
け寸法に多少の誤差が生じても正確な動作を得る
ことができるので、その取扱いが容易である等、
多くの優れた効果を発揮するものである。
出体の移動方向に沿つた検出領域幅を大きくする
ことができると共に、この形成される検出領域
は、その幅をほぼ一定にして立ち上がつた形態と
なつており、更にスイツチの検知面全域にわたつ
て検出領域が形成されることになつているので、
被検出体との相対移動速度が大きくても、リード
スイツチからの検出信号の出力時間を充分に長く
することができ、もつてこの検出信号に従つて負
荷を確実に駆動させることができ、また被検出体
の移動方向に沿つた応差が少ないので正確な検知
動作を得ることができ、更に磁石とリードスイツ
チとの組合せ物全体の寸法を小さくできるので小
型に構成することができ、そしてスイツチの取付
け寸法に多少の誤差が生じても正確な動作を得る
ことができるので、その取扱いが容易である等、
多くの優れた効果を発揮するものである。
第1図は、本考案による磁性体検知スイツチを
示すものにして、aは正面図、bは側面図、cは
背面図である。第2図、第3図は、本考案により
磁性体検知スイツチの動作磁界領域実測図であ
る。第4図は、本考案による磁性体検知スイツチ
の実施例を示す断面図である。第5図、第6図
は、従来の磁性体検知スイツチの動作磁界領域実
測図である。 符号の説明、1……永久磁石、2……バイアス
磁石、3……リードスイツチ、4……被検出体、
5……組付ケース、6……樹脂モールド、7……
シールドケース。
示すものにして、aは正面図、bは側面図、cは
背面図である。第2図、第3図は、本考案により
磁性体検知スイツチの動作磁界領域実測図であ
る。第4図は、本考案による磁性体検知スイツチ
の実施例を示す断面図である。第5図、第6図
は、従来の磁性体検知スイツチの動作磁界領域実
測図である。 符号の説明、1……永久磁石、2……バイアス
磁石、3……リードスイツチ、4……被検出体、
5……組付ケース、6……樹脂モールド、7……
シールドケース。
Claims (1)
- 永久磁石1における一方の磁極面の両端部に、
夫々の磁極面を前記一方の磁極面に対向させた姿
勢とした一対のバイアス磁石2を、一定の間隔を
あけて配置し、該各バイアス磁石2における一方
端部の前記永久磁石1に対向する側をS極、反対
側をN極とすると共に、各バイアス磁石2におけ
る他方端部の永久磁石1に対向する側をN極、反
対側をS極とし、さらに前記一対のバイアス磁石
2間にリードスイツチ3を、前記単一のバイアス
磁石2の一方端部から他方端部に沿つてかつ前記
永久磁石1の磁極方向に直交する姿勢で配置して
成る磁性体検知スイツチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15478786U JPH04515Y2 (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15478786U JPH04515Y2 (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6360245U JPS6360245U (ja) | 1988-04-21 |
| JPH04515Y2 true JPH04515Y2 (ja) | 1992-01-09 |
Family
ID=31074902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15478786U Expired JPH04515Y2 (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04515Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-10-08 JP JP15478786U patent/JPH04515Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6360245U (ja) | 1988-04-21 |
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