JPH0452643B2 - - Google Patents
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- JPH0452643B2 JPH0452643B2 JP57084704A JP8470482A JPH0452643B2 JP H0452643 B2 JPH0452643 B2 JP H0452643B2 JP 57084704 A JP57084704 A JP 57084704A JP 8470482 A JP8470482 A JP 8470482A JP H0452643 B2 JPH0452643 B2 JP H0452643B2
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- Japan
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- output
- cascode amplifier
- transistor
- drive
- bias current
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
- H03F1/226—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with junction-FET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はカスコードアンプに関し、特にその出
力信号パルスの劣化を改良したカスコードアンプ
に関する。
力信号パルスの劣化を改良したカスコードアンプ
に関する。
以下、従来のカスコードアンプをブラウン管
（以下CRTと略す）駆動回路に用いた場合を例に
とつて説明する。
（以下CRTと略す）駆動回路に用いた場合を例に
とつて説明する。
第１図は、その出力段（出力トランジスタ）に
FETを使用した従来のカスコードアンプを用い
た駆動回路の一例を示す回路図、第２図はその出
力段にバイポーラトランジスタを使用した従来の
カスコードアンプを用いたCRT駆動回路の一例
を示す回路図である。
FETを使用した従来のカスコードアンプを用い
た駆動回路の一例を示す回路図、第２図はその出
力段にバイポーラトランジスタを使用した従来の
カスコードアンプを用いたCRT駆動回路の一例
を示す回路図である。
これらの図において、１はカソード端子で駆動
され、そのコントロールグリツドG1が接地され
ているCRT、２はその抵抗値をRLとする負荷抵
抗、３は出力トランジスタ（以下出力Trと略
す）、４はドライブトランジスタ（以下、ドライ
ブTrと略す）、５は前記出力Tr３のベース定電
圧源、６は前記ドライブTr４にベースバイアス
電流iBを供給するバイアス電流源、７は信号源を
示す。
され、そのコントロールグリツドG1が接地され
ているCRT、２はその抵抗値をRLとする負荷抵
抗、３は出力トランジスタ（以下出力Trと略
す）、４はドライブトランジスタ（以下、ドライ
ブTrと略す）、５は前記出力Tr３のベース定電
圧源、６は前記ドライブTr４にベースバイアス
電流iBを供給するバイアス電流源、７は信号源を
示す。
以下、出力Tr３に一般的なトランジスタを用
いた第２図を参照して、従来のカスコードアンプ
の動作を説明する。
いた第２図を参照して、従来のカスコードアンプ
の動作を説明する。
出力トランジスタの耐圧は、高域特性の良好な
物ほど一般的に低い。また、このようなトランジ
スタにあつては、コレクタ損失も小さい。広帯域
なカスコードアンプにおいても例外ではなく、出
力Tr３の出力電圧をCRTの駆動に支障が生じな
い範囲で、低く制定する必要がある。
物ほど一般的に低い。また、このようなトランジ
スタにあつては、コレクタ損失も小さい。広帯域
なカスコードアンプにおいても例外ではなく、出
力Tr３の出力電圧をCRTの駆動に支障が生じな
い範囲で、低く制定する必要がある。
すなわち、信号源７の信号が広帯域化するにつ
れて、電源電圧Vccの利用率をきびしく規制する
必要がある。これを具体的に説明すれば、黒レベ
ル表示時に、負荷抵抗２に流れるバイアス電流値
をi0で示すと、これを極力小さく設定しなければ
ならないということになる。
れて、電源電圧Vccの利用率をきびしく規制する
必要がある。これを具体的に説明すれば、黒レベ
ル表示時に、負荷抵抗２に流れるバイアス電流値
をi0で示すと、これを極力小さく設定しなければ
ならないということになる。
このためには、ドライブTr４のベース・エミ
ツタ電圧VBE−コレクタ電流Ic特性のバイアス点
をカツトオフ点近くに設定しなければならない。
なぜならば、前記出力Tr３は、ベース接地であ
るために、その電流増幅率はほぼ１となるが、そ
の結果、前記バイアス点に対応するコレクタ電流
Icが、ほぼバイアス電流値i0に相当することとな
るからである。
ツタ電圧VBE−コレクタ電流Ic特性のバイアス点
をカツトオフ点近くに設定しなければならない。
なぜならば、前記出力Tr３は、ベース接地であ
るために、その電流増幅率はほぼ１となるが、そ
の結果、前記バイアス点に対応するコレクタ電流
Icが、ほぼバイアス電流値i0に相当することとな
るからである。
しかし、バイアス電流値i0を、可能な限り小さ
く設定しようとして、前述のように、バイアス点
を定めるとその動作点は、よく知られているよう
にドライブTr４のVBE−Ic特性の非線形部分に設
定されることとなる。そこで、信号源７からの入
力信号（以下説明を容易にするために単純なパル
ス信号で考える。）は、前記VBE−Ic特性の非直線
歪の影響を直接受けることになる。
く設定しようとして、前述のように、バイアス点
を定めるとその動作点は、よく知られているよう
にドライブTr４のVBE−Ic特性の非線形部分に設
定されることとなる。そこで、信号源７からの入
力信号（以下説明を容易にするために単純なパル
ス信号で考える。）は、前記VBE−Ic特性の非直線
歪の影響を直接受けることになる。
以下、このことを具体的に図面に用いて説明す
る。
る。
第３図は、第２図のカスコードアンプの動作特
性の一例を示す特性図である。動図において、Ａ
はバイアス点、ＢはドライブTr４のVBE−Ic特性
曲線、Ｃはカスコードアンプの入力信号パルス、
Ｄはカスコードアンプの出力信号パルス、Ｐは動
作点を示す。また、同図において横軸は前記VBE
−Ic特性曲線ＢのVBE軸、縦軸は前記特性曲線Ｂ
および出力Tr３の共有のIc軸を示す。
性の一例を示す特性図である。動図において、Ａ
はバイアス点、ＢはドライブTr４のVBE−Ic特性
曲線、Ｃはカスコードアンプの入力信号パルス、
Ｄはカスコードアンプの出力信号パルス、Ｐは動
作点を示す。また、同図において横軸は前記VBE
−Ic特性曲線ＢのVBE軸、縦軸は前記特性曲線Ｂ
および出力Tr３の共有のIc軸を示す。
なお、第３図においては、説明を簡単にするた
めに、前記入力信号パルスＣを高域成分の多い幅
の狭いパルス（以下、パルスC1という）と、低
域成分の多い幅の広いパルス（以下、パルスC2
という）とで示すこととした。
めに、前記入力信号パルスＣを高域成分の多い幅
の狭いパルス（以下、パルスC1という）と、低
域成分の多い幅の広いパルス（以下、パルスC2
という）とで示すこととした。
カスコードアンプに入力される入力信号パルス
ＣのＰ−Ｐ値が、前記パルスC1とC2とで同程度
であれば、動作点Ｐを、VBE−Ic特性曲線Ｂの非
線形部分に設定しても第３図から解るように、特
に問題は生じない。
ＣのＰ−Ｐ値が、前記パルスC1とC2とで同程度
であれば、動作点Ｐを、VBE−Ic特性曲線Ｂの非
線形部分に設定しても第３図から解るように、特
に問題は生じない。
しかし、ビデオ回路においては、通常ドライブ
Tr４に入力されるまでに、トランジスタ等の高
域特性、回路の浮遊容量等により高周波成分が減
衰する。そこで、通常の場合は第３図に示すよう
に、パルスC1とC2とで、そのＰ−Ｐ値に差が存
在することとなる。
Tr４に入力されるまでに、トランジスタ等の高
域特性、回路の浮遊容量等により高周波成分が減
衰する。そこで、通常の場合は第３図に示すよう
に、パルスC1とC2とで、そのＰ−Ｐ値に差が存
在することとなる。
このような入力信号パルスＣにおいて、かつ前
述したように、バイアス電流値i0を極力小さく設
定するために、バイアス点Ａを第３図のように設
定した場合においては、VBE−Ic特性曲線の非線
型性により、出力信号パルスＤ−すなわち、出力
Tr３の出力電流Icの変化は、前記入力信号パル
スＣの電圧変化に、線型に追随しなくなる。すな
わち、出力側では高域信号と低域信号との差が、
前述したビデオ回路における周波数特性の劣化よ
りも、より拡大（劣化）するという欠点があつ
た。
述したように、バイアス電流値i0を極力小さく設
定するために、バイアス点Ａを第３図のように設
定した場合においては、VBE−Ic特性曲線の非線
型性により、出力信号パルスＤ−すなわち、出力
Tr３の出力電流Icの変化は、前記入力信号パル
スＣの電圧変化に、線型に追随しなくなる。すな
わち、出力側では高域信号と低域信号との差が、
前述したビデオ回路における周波数特性の劣化よ
りも、より拡大（劣化）するという欠点があつ
た。
そこで、このような欠点を除くために従来から
考えられたものは、上述したことからも明らかな
ように、バイアス点Ａをさらに深く（VBEの大き
い方向に）設定する方法であつた。しかし、この
ようにすることは上記したように、バイアス電流
値i0の増加を招き、したがつて電源電圧Vccの利
用率を悪くすることとなるので避けなければなら
なかつた。
考えられたものは、上述したことからも明らかな
ように、バイアス点Ａをさらに深く（VBEの大き
い方向に）設定する方法であつた。しかし、この
ようにすることは上記したように、バイアス電流
値i0の増加を招き、したがつて電源電圧Vccの利
用率を悪くすることとなるので避けなければなら
なかつた。
また、ドライブTr４は、エミツタ接地で動作
しているためしや断周波数Tを可能な限り高くと
るために、第４図から明らかなように、前記ドラ
イブTr４は、その出力電流Icの、大きい領域
（だだし、Ic−T特性曲線のピーク値よりも小さ
い領域であることが必要）で使用することが望ま
しい。
しているためしや断周波数Tを可能な限り高くと
るために、第４図から明らかなように、前記ドラ
イブTr４は、その出力電流Icの、大きい領域
（だだし、Ic−T特性曲線のピーク値よりも小さ
い領域であることが必要）で使用することが望ま
しい。
しかしながら、従来は上述したことから明らか
なように、前記Icを小さい領域で使用していたた
め、しや断周波数Tも高くとれないという欠点も
あつた。
なように、前記Icを小さい領域で使用していたた
め、しや断周波数Tも高くとれないという欠点も
あつた。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、電源電圧の利用率を低下させる事なくカス
コードアンプの出力信号パルスの劣化を防止し、
かつドライブTrのしや断周波数Tカスコードア
ンプを提供するにある。
くし、電源電圧の利用率を低下させる事なくカス
コードアンプの出力信号パルスの劣化を防止し、
かつドライブTrのしや断周波数Tカスコードア
ンプを提供するにある。
本発明の特徴は、ドライブTrのコレクタと出
力Trのエミツタとの接続点に定電流回路を付加
し、前記ドライブTrのコレクタに供給されるバ
イアス電流の一部が、前記定電流回路から供給さ
れるようにした点にある。
力Trのエミツタとの接続点に定電流回路を付加
し、前記ドライブTrのコレクタに供給されるバ
イアス電流の一部が、前記定電流回路から供給さ
れるようにした点にある。
以下、本発明を図面を用いて説明する。
第５図は、本発明のカスコードアンプの一実施
例を用いたCRT駆動回路の一例を示す回路図で
ある。同時において、第２図と同一個所および同
等部分は同一符号で示す。また、８は定電流トラ
ンジスタ、９は出力Tr３のベースバイアス用の
定電圧ダイオード、１０は定電圧源、１１は定電
流回路を示す。
例を用いたCRT駆動回路の一例を示す回路図で
ある。同時において、第２図と同一個所および同
等部分は同一符号で示す。また、８は定電流トラ
ンジスタ、９は出力Tr３のベースバイアス用の
定電圧ダイオード、１０は定電圧源、１１は定電
流回路を示す。
カスコードアンプの出力信号パルスが、ドライ
ブTr４のVBE−Ic特性曲線Ｂの非直線歪による影
響を受けないようにするためには、前述したよう
に第３図におけるバイアス点Ａを、VBEの大きな
方へ、−すなわち動作点ＰをVBE−Ic特性曲線Ｂの
ほぼ線型部分まで移動させればよい。
ブTr４のVBE−Ic特性曲線Ｂの非直線歪による影
響を受けないようにするためには、前述したよう
に第３図におけるバイアス点Ａを、VBEの大きな
方へ、−すなわち動作点ＰをVBE−Ic特性曲線Ｂの
ほぼ線型部分まで移動させればよい。
このようにするためには、まず、ドライブTr
４のベースバイアス電流を前記動作点Ｐが前述し
た位置まで移動できるように、従来のそれより増
加させなければならない。本実施例のカスコード
アンプにおいては、バイアス電流源６から、従来
のベースバイアス電流iBに加えて、前記動作点Ｐ
を予定位置まで移動するのに要するベースバイア
ス電流△ｉを供給している。
４のベースバイアス電流を前記動作点Ｐが前述し
た位置まで移動できるように、従来のそれより増
加させなければならない。本実施例のカスコード
アンプにおいては、バイアス電流源６から、従来
のベースバイアス電流iBに加えて、前記動作点Ｐ
を予定位置まで移動するのに要するベースバイア
ス電流△ｉを供給している。
そこで、ドライブTr４のコレクタ電流Icも、
前記バイアス電流△ｉに対応した分だけ増加する
こととなるが、本実施例のカスコードアンプにお
いてはこの増加分を定電流回路１１、とりわけ定
電流トランジスタ８から供給することとしてい
る。
前記バイアス電流△ｉに対応した分だけ増加する
こととなるが、本実施例のカスコードアンプにお
いてはこの増加分を定電流回路１１、とりわけ定
電流トランジスタ８から供給することとしてい
る。
このようにすると、信号源７の信号電流に応じ
て、出力Tr３のエミツタから供給されるべき電
流が、前記定電流回路１１により影響を受けるこ
とが考えられる。しかしながら、本実施例のカス
コードアンプにおいては、出力Tr３がベース接
地であるために、その入力インピーダンスは、著
しく小さく、したがつて前記影響はほとんど無視
することができる。
て、出力Tr３のエミツタから供給されるべき電
流が、前記定電流回路１１により影響を受けるこ
とが考えられる。しかしながら、本実施例のカス
コードアンプにおいては、出力Tr３がベース接
地であるために、その入力インピーダンスは、著
しく小さく、したがつて前記影響はほとんど無視
することができる。
また、本実施例の定電圧ダイオード９は、前記
定電流トランジスタ８の動作を安定にするための
ものであつて、かつ前記定電流トランジスタ８の
コレクタ、エミツタ間電圧を、必要最小限確保す
るために挿入されたものである。
定電流トランジスタ８の動作を安定にするための
ものであつて、かつ前記定電流トランジスタ８の
コレクタ、エミツタ間電圧を、必要最小限確保す
るために挿入されたものである。
以上の説明および第５図から明らかなように、
本実施例のカスコードアンプにおいては、その出
力Tr３と、ドライブTr４とのバイアス電流をそ
れぞれ各別に制御できるようにしたため、電源電
圧の利用率の低下−すなわち、前記出力Tr３の
バイアス電流i0の増加をもたらすことなく、動作
点ＰをVBE−Ic特性曲線Ｂのほぼ線型部分まで移
動することができる。
本実施例のカスコードアンプにおいては、その出
力Tr３と、ドライブTr４とのバイアス電流をそ
れぞれ各別に制御できるようにしたため、電源電
圧の利用率の低下−すなわち、前記出力Tr３の
バイアス電流i0の増加をもたらすことなく、動作
点ＰをVBE−Ic特性曲線Ｂのほぼ線型部分まで移
動することができる。
そのために、本発明のカスコードアンプでは電
源電圧の利用率を低下させる事なく、その出力信
号パルスの劣化を防止できる効果がある。
源電圧の利用率を低下させる事なく、その出力信
号パルスの劣化を防止できる効果がある。
また、本発明のカスコードアンプでは、ドライ
ブTrのコレクタ電流Icが、上述したことから明
らかなように、定電流回路から供給される分だけ
増加する。したがつて第４図から明らかなよう
に、しや断周波数Tの高い領域で動作させること
も可能となる。
ブTrのコレクタ電流Icが、上述したことから明
らかなように、定電流回路から供給される分だけ
増加する。したがつて第４図から明らかなよう
に、しや断周波数Tの高い領域で動作させること
も可能となる。
なお、以上の説明では出力Trをバイポーラト
ランジスタとした場合であつたが、FETにおき
かえても、その効果は何ら異なるところがない。
ランジスタとした場合であつたが、FETにおき
かえても、その効果は何ら異なるところがない。
第１図および第２図は従来のカスコードアンプ
を用いたCRT駆動回路の一例を示す回路図、第
３図は第２図のカスコードアンプの動作特性の一
例を示す特性図、第４図はVCE（VCE1、VCE2、VCE
３）をパラメータとするIc−T特性図、第５図は
本発明のカスコードアンプの一実施例を用いた
CRT駆動回路の一例を示す回路図である。 ３……出力トランジスタ、４……ドライブトラ
ンジスタ、６……バイアス電流源、８……定電流
トランジスタ、９……定電圧ダイオード、１０…
…定電圧源、１１……定電流回路。
を用いたCRT駆動回路の一例を示す回路図、第
３図は第２図のカスコードアンプの動作特性の一
例を示す特性図、第４図はVCE（VCE1、VCE2、VCE
３）をパラメータとするIc−T特性図、第５図は
本発明のカスコードアンプの一実施例を用いた
CRT駆動回路の一例を示す回路図である。 ３……出力トランジスタ、４……ドライブトラ
ンジスタ、６……バイアス電流源、８……定電流
トランジスタ、９……定電圧ダイオード、１０…
…定電圧源、１１……定電流回路。
Claims (1)
- １ バイアス電流源に応じたバイアス電流がコレ
クタに供給され、入力信号に応じて動作するエミ
ツタ接地のドライブトランジスタと、ベース定電
圧源に応じたバイアス電流がコレクタに供給され
るベース接地の出力トランジスタとを有し、前記
ドライブトランジスタのコレクタと前記出力トラ
ンジスタのエミツタとが接続されたカスコードア
ンプにおいて、前記接続点に定電流回路が、付加
され前記ドライブトランジスタのコレクタに供給
されるバイアス電流の一部を、前記定電流回路か
ら供給されるようにしたことを特徴とするカスコ
ードアンプ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57084704A JPS58202605A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | カスコ−ドアンプ |
| US06/496,257 US4587495A (en) | 1982-05-21 | 1983-05-19 | Cascode amplifier with an improved biasing arrangement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57084704A JPS58202605A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | カスコ−ドアンプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58202605A JPS58202605A (ja) | 1983-11-25 |
| JPH0452643B2 true JPH0452643B2 (ja) | 1992-08-24 |
Family
ID=13838046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57084704A Granted JPS58202605A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | カスコ−ドアンプ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4587495A (ja) |
| JP (1) | JPS58202605A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024167015A1 (ja) * | 2023-02-10 | 2024-08-15 | 株式会社フジクラ | 電力増幅器 |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4678936A (en) * | 1984-02-17 | 1987-07-07 | Analog Devices, Incorporated | MOS-cascoded bipolar current sources in non-epitaxial structure |
| FR2552949B1 (fr) * | 1984-10-02 | 1988-06-10 | Burr Brown Corp | Circuit cascode silencieux avec zone morte |
| US4703285A (en) * | 1986-04-23 | 1987-10-27 | Tektronix, Inc. | Wideband amplifier with active high-frequency compensation |
| JPS63115406A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-20 | Advantest Corp | 高利得増幅器 |
| US4754233A (en) * | 1987-06-22 | 1988-06-28 | Motorola, Inc. | Low noise ultra high frequency amplifier having automatic gain control |
| JPH02500238A (ja) * | 1987-07-29 | 1990-01-25 | 富士通株式会社 | カスコード構成の高速電子回路 |
| JPH02214315A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-27 | Fujitsu Ltd | バイアス回路 |
| US5032799A (en) * | 1989-10-04 | 1991-07-16 | Westinghouse Electric Corp. | Multistage cascode radio frequency amplifier |
| US5736902A (en) * | 1996-07-19 | 1998-04-07 | Maxim Integrated Products, Inc. | High-gain common-emitter output stage |
| US5907262A (en) * | 1996-11-18 | 1999-05-25 | Maxim Integrated Products, Inc. | Folded-cascode amplifier stage |
| US5872477A (en) * | 1997-06-13 | 1999-02-16 | Vtc Inc. | Multiplexer with CMOS break-before-make circuit |
| JP2001526873A (ja) * | 1998-02-26 | 2001-12-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 交流振幅依存形標識の発生装置 |
| US20030112370A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-06-19 | Chris Long | Adaptive expanded information capacity for communications systems |
| US6433835B1 (en) | 1998-04-17 | 2002-08-13 | Encamera Sciences Corporation | Expanded information capacity for existing communication transmission systems |
| US20030140351A1 (en) * | 1998-04-17 | 2003-07-24 | Hoarty W. Leo | Cable television system compatible bandwidth upgrade using embedded digital channels |
| JP4048648B2 (ja) | 1999-05-12 | 2008-02-20 | ソニー株式会社 | 高周波増幅回路および受信機 |
| US20030219085A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-11-27 | Endres Thomas J. | Self-initializing decision feedback equalizer with automatic gain control |
| US7180942B2 (en) * | 2001-12-18 | 2007-02-20 | Dotcast, Inc. | Joint adaptive optimization of soft decision device and feedback equalizer |
| US6744322B1 (en) * | 2002-01-23 | 2004-06-01 | Skyworks Solutions, Inc. | High performance BiFET low noise amplifier |
| US6917336B2 (en) * | 2002-01-23 | 2005-07-12 | Dotcast, Inc. | Miniature ultra-wideband active receiving antenna |
| US7580482B2 (en) * | 2003-02-19 | 2009-08-25 | Endres Thomas J | Joint, adaptive control of equalization, synchronization, and gain in a digital communications receiver |
| US7151412B2 (en) * | 2004-08-30 | 2006-12-19 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Sliding cascode circuit |
| JP2008005160A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Sharp Corp | カスコード接続増幅回路、および、それを用いた半導体集積回路並びに受信装置 |
| US9240756B1 (en) | 2013-03-12 | 2016-01-19 | Lockheed Martin Corporation | High linearity, high efficiency, low noise, gain block using cascode network |
| JP6798242B2 (ja) * | 2016-10-19 | 2020-12-09 | 富士通株式会社 | 移相器，半導体集積回路およびフェーズドアレイシステム |
| US20220255508A1 (en) * | 2021-02-10 | 2022-08-11 | Skyworks Solutions, Inc. | Load modulated doherty power amplifiers |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1143619A (ja) * | 1966-07-18 | |||
| US3462701A (en) * | 1967-01-26 | 1969-08-19 | Honeywell Inc | Biasing circuit for use with field-effect transistors |
| US3546614A (en) * | 1967-02-28 | 1970-12-08 | Horst Lochstampfer | Transistor amplifier circuits with constant current source superimposed thereon |
| US4203131A (en) * | 1979-01-31 | 1980-05-13 | Rca Corporation | Predictable automatic brightness control circuit in a video signal image reproducing system |
| JPS6016126B2 (ja) * | 1979-11-05 | 1985-04-24 | 日本ビクター株式会社 | カスコ−ド回路 |
-
1982
- 1982-05-21 JP JP57084704A patent/JPS58202605A/ja active Granted
-
1983
- 1983-05-19 US US06/496,257 patent/US4587495A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024167015A1 (ja) * | 2023-02-10 | 2024-08-15 | 株式会社フジクラ | 電力増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4587495A (en) | 1986-05-06 |
| JPS58202605A (ja) | 1983-11-25 |
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