JPH0452866B2 - - Google Patents
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- JPH0452866B2 JPH0452866B2 JP59502068A JP50206884A JPH0452866B2 JP H0452866 B2 JPH0452866 B2 JP H0452866B2 JP 59502068 A JP59502068 A JP 59502068A JP 50206884 A JP50206884 A JP 50206884A JP H0452866 B2 JPH0452866 B2 JP H0452866B2
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23Q—IGNITION; EXTINGUISHING-DEVICES
- F23Q7/00—Incandescent ignition; Igniters using electrically-produced heat, e.g. lighters for cigarettes; Electrically-heated glowing plugs
- F23Q7/001—Glowing plugs for internal-combustion engines
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Combustion Methods Of Internal-Combustion Engines (AREA)
Description
請求の範囲
１ 噴射ノズルとその後に設けられる加熱体とを
有し、加熱体が噴射ノズルから出る燃料噴流を包
囲する加熱層をもつているものにおいて、加熱層
が、セラミツク層３６を介して内外に重なり合う
少なくとも２つの加熱層３５，３７からなる多重
加熱層３３として構成されていることを特徴とす
る、燃焼室へ燃料を噴射する装置。
有し、加熱体が噴射ノズルから出る燃料噴流を包
囲する加熱層をもつているものにおいて、加熱層
が、セラミツク層３６を介して内外に重なり合う
少なくとも２つの加熱層３５，３７からなる多重
加熱層３３として構成されていることを特徴とす
る、燃焼室へ燃料を噴射する装置。
２ Al2O3からなるセラミツク層３６を介して内
外に重なり合う２つの加熱層３５，３７がセラミ
ツク保持材料３８により包囲されていることを特
徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の装置。
外に重なり合う２つの加熱層３５，３７がセラミ
ツク保持材料３８により包囲されていることを特
徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の装置。
３ ２つの加熱層３５，３７がそれぞれ抵抗線コ
イルからなることを特徴とする、特許請求の範囲
第１項または第２項に記載の装置。
イルからなることを特徴とする、特許請求の範囲
第１項または第２項に記載の装置。
４ ２つの加熱層３５，３７が電気的に直列接続
され、内側の加熱層３５が小さい負または正の抵
抗温度係数をもつ材料からなり、外側の加熱層３
７が大きい正の抵抗温度係数をもつ材料からなる
ことを特徴とする、特許請求の範囲第１項ないし
第３項の１つに記載の装置。
され、内側の加熱層３５が小さい負または正の抵
抗温度係数をもつ材料からなり、外側の加熱層３
７が大きい正の抵抗温度係数をもつ材料からなる
ことを特徴とする、特許請求の範囲第１項ないし
第３項の１つに記載の装置。
５ ２つの加熱層３５，３７が電気的に並列に接
続され、内側の加熱層３５が大きい正の抵抗係数
をもつ材料からなり、外側の加熱層３７が小さい
負または正の抵抗温度係数をもつ材料からなるこ
とを特徴とする、特許請求の範囲第１項ないし第
３項の１つに記載の装置。
続され、内側の加熱層３５が大きい正の抵抗係数
をもつ材料からなり、外側の加熱層３７が小さい
負または正の抵抗温度係数をもつ材料からなるこ
とを特徴とする、特許請求の範囲第１項ないし第
３項の１つに記載の装置。
６ 加熱体３５′が複数の互いに平行なピン４３
からなるセラミツク支持体４２のまわりに設けら
れていることを特徴とする、特許請求の範囲第１
項ないし第５項の１つに記載の装置。
からなるセラミツク支持体４２のまわりに設けら
れていることを特徴とする、特許請求の範囲第１
項ないし第５項の１つに記載の装置。
７ ピン４３が管状セラミツク支持体４４から特
定の管範囲４５を除去することにより形成されて
いることを特徴とする、特許請求の範囲第６項に
記載の装置。
定の管範囲４５を除去することにより形成されて
いることを特徴とする、特許請求の範囲第６項に
記載の装置。
８ 加熱層３５′が円筒状セラミツク支持体４９
の内部に設けられて、この支持体４９の内面に形
成される複数のひれ５１にのみ接していることを
特徴とする、特許請求の範囲第１項ないし第５項
の１つに記載の装置。
の内部に設けられて、この支持体４９の内面に形
成される複数のひれ５１にのみ接していることを
特徴とする、特許請求の範囲第１項ないし第５項
の１つに記載の装置。
９ 支持体４９が中実円柱からなり、この円柱の
軸線を中心とする同心円上に中心点をもちかつ互
いに一部重なり合う複数の同じ大きさの穴５０を
あけられていることを特徴とする、特許請求の範
囲第８項に記載の装置。
軸線を中心とする同心円上に中心点をもちかつ互
いに一部重なり合う複数の同じ大きさの穴５０を
あけられていることを特徴とする、特許請求の範
囲第８項に記載の装置。
従来技術
本発明は、噴射ノズルとその後に設けられる加
熱体とを有し、加熱体が噴射ノズルから出る燃料
噴流を包囲する加熱層をもつている、燃焼室へ燃
料を噴射する装置に関する。
熱体とを有し、加熱体が噴射ノズルから出る燃料
噴流を包囲する加熱層をもつている、燃焼室へ燃
料を噴射する装置に関する。
従来の技術
この種の公知の装置では、加熱体にただ１つの
加熱層が設けられている。これは、加熱層の温度
がそのそばを通過する燃料噴流の熱的脈動と共に
変化するという欠点をもつている。これを防止す
るため加熱層を過大寸法にせねばならず、それに
よりエネルギー損失が生ずる。
加熱層が設けられている。これは、加熱層の温度
がそのそばを通過する燃料噴流の熱的脈動と共に
変化するという欠点をもつている。これを防止す
るため加熱層を過大寸法にせねばならず、それに
よりエネルギー損失が生ずる。
一方加熱体のセラミツクおよびその取付け部の
大きい熱容量のため、これまで公知の装置は、燃
料噴流の予熱に必要な最終温度を得るために、比
較的長い時間が必要になるという欠点をもつてい
る。
大きい熱容量のため、これまで公知の装置は、燃
料噴流の予熱に必要な最終温度を得るために、比
較的長い時間が必要になるという欠点をもつてい
る。
発明が解決しようとする課題
本発明の課題は、燃料噴流を必要な温度に速や
かに加熱でき、しかも加熱層の温度が燃料噴流の
熱的脈動の変化にほとんど影響されない燃料噴射
装置を提供することである。
かに加熱でき、しかも加熱層の温度が燃料噴流の
熱的脈動の変化にほとんど影響されない燃料噴射
装置を提供することである。
課題を解決するための手段
このため本発明によれば、加熱層が、セラミツ
ク層を介して内外に重なり合う少なくとも２つの
加熱層からなる多重加熱層として構成されてい
る。
ク層を介して内外に重なり合う少なくとも２つの
加熱層からなる多重加熱層として構成されてい
る。
発明の効果
こうして本発明によれば、多重加熱層のうち、
燃料噴流に近い側にある内側の加熱層は、その外
側にある熱絶縁層としてのセラミツク層により、
外方への放熱を防止されるので、燃料の予熱に必
要な温度に短時間内に達する。一方外側の加熱層
はセラミツク層の加熱を引受けて、このセラミツ
ク層の大きい比較的一定な熱容量を保証する。し
たがつて燃料噴流の熱的脈動は内側加熱層の温度
をわずかしか変化させない。また外側加熱層は同
時に内側加熱層の過負荷を防止する。なおセラミ
ツク層は、内側加熱層と外側加熱層とを互いに電
気的に絶縁するのにも役立つ。
燃料噴流に近い側にある内側の加熱層は、その外
側にある熱絶縁層としてのセラミツク層により、
外方への放熱を防止されるので、燃料の予熱に必
要な温度に短時間内に達する。一方外側の加熱層
はセラミツク層の加熱を引受けて、このセラミツ
ク層の大きい比較的一定な熱容量を保証する。し
たがつて燃料噴流の熱的脈動は内側加熱層の温度
をわずかしか変化させない。また外側加熱層は同
時に内側加熱層の過負荷を防止する。なおセラミ
ツク層は、内側加熱層と外側加熱層とを互いに電
気的に絶縁するのにも役立つ。
実施態様
特許請求の範囲の実施態様項にあげた手段によ
つて、本発明の有利な発展と改良が可能である。
つて、本発明の有利な発展と改良が可能である。
製造方法により内側加熱層が機械的に安定化さ
れる。例えば種々の白金合金からなる加熱層で
は、白金の蒸発が防止され、それによつて加熱層
の長時間変化が防止される。それにより装置は長
い寿命をもち、近代的な製造方法による安価な製
造を可能にする。
れる。例えば種々の白金合金からなる加熱層で
は、白金の蒸発が防止され、それによつて加熱層
の長時間変化が防止される。それにより装置は長
い寿命をもち、近代的な製造方法による安価な製
造を可能にする。
図面
本発明の実施例が図面に示されており、以下の説
明において詳細に説明される。第１図は噴射ノズ
ルの実施例の燃焼室側部分を側面図で一部断面に
して示し、第２図は加熱体の実施例の縦断面を概
略図で示し、第３図は第２図による実施例の変形
例を示し、第４図ないし第６図は第２図による実
施例の製造の方法段階を示し、第７図および第９
図はそれぞれ第２図による実施例の加熱コイル用
支持体の構成を示し、第８図および第１０図は第
７図または第９図による支持体の製造方法を概略
的に示している。
明において詳細に説明される。第１図は噴射ノズ
ルの実施例の燃焼室側部分を側面図で一部断面に
して示し、第２図は加熱体の実施例の縦断面を概
略図で示し、第３図は第２図による実施例の変形
例を示し、第４図ないし第６図は第２図による実
施例の製造の方法段階を示し、第７図および第９
図はそれぞれ第２図による実施例の加熱コイル用
支持体の構成を示し、第８図および第１０図は第
７図または第９図による支持体の製造方法を概略
的に示している。
実施例の説明
第１図による噴射ノズル１０は袋ナツト１２に
よりノズル保持体１４に締付けられるノズル本体
１１をもつている。部分１１ないし１４は市販の
ものであり、したがつて詳細には図示および説明
してない。噴射ノズル１０はピントル形ノズルと
して構成され、その弁ニードルはノズル本体１１
から突出する絞りピントル１６をもつている。線
１８は燃料噴流の噴射円錐を示している。ピント
ル形ノズルの代りにオリフイス形ノズルを設ける
こともできる。
よりノズル保持体１４に締付けられるノズル本体
１１をもつている。部分１１ないし１４は市販の
ものであり、したがつて詳細には図示および説明
してない。噴射ノズル１０はピントル形ノズルと
して構成され、その弁ニードルはノズル本体１１
から突出する絞りピントル１６をもつている。線
１８は燃料噴流の噴射円錐を示している。ピント
ル形ノズルの代りにオリフイス形ノズルを設ける
こともできる。
袋ナツト１２には比較的薄肉の管状加熱体２０
が取付けられ、その円筒状周囲部分２２は狭い間
隙を介してノズル本体１１の胴部２４を包囲して
いる。加熱体２０の底２６は球状に湾曲され、噴
射円錐１８を中心穴２８をもつている。底２６と
ノズル本体１１の端壁との間には通路３０が形成
され、この通路３０へ加熱体２０の側方開口３２
が通じている。加熱体２０はその底２６に第１図
に概略的にのみ示す多重（この場合二重）加熱層
３３をもち、この二重加熱層３３が電気接続片３
４を介して図示しない電源へ接続可能である。
が取付けられ、その円筒状周囲部分２２は狭い間
隙を介してノズル本体１１の胴部２４を包囲して
いる。加熱体２０の底２６は球状に湾曲され、噴
射円錐１８を中心穴２８をもつている。底２６と
ノズル本体１１の端壁との間には通路３０が形成
され、この通路３０へ加熱体２０の側方開口３２
が通じている。加熱体２０はその底２６に第１図
に概略的にのみ示す多重（この場合二重）加熱層
３３をもち、この二重加熱層３３が電気接続片３
４を介して図示しない電源へ接続可能である。
第２図は、加熱体２０の管状範囲において通路
３０に設けられる二重加熱層３３を拡大して示し
ている。なるべく加熱コイルとして構成された内
側加熱層３５上には、薄い誘電絶縁層３６が設け
られている。この絶縁層３６は例えばAl2O3から
なるセラミツク層とすることができる。この絶縁
層３６には加熱層３５が一部埋込まれている。第
２の加熱層３７は絶縁層３６の外側に設けられて
いる。両加熱層３５，３７は加熱コイルとして構
成するか、例えばタンポンを使用して層技法で設
けることができる（タンポン印刷法）。しかし細
管状加熱アタツチメントでは、内側加熱層３５を
線コイルとして構成するのが有利である。外側加
熱層としての第２の加熱層３７は塊状のセラミツ
ク保持体３８により完全に包囲されている。この
保持体３８は二重加熱層３３の機械的安定化と熱
容量の増大とに役だつ。第３図に示すように、保
持体３８上にさらに加熱層３９設けることができ
る。それにより保持体３８の熱容量がさらに増大
されかつ安定化される。両加熱層３５，３７は直
列にも並列にも接続することができる。両加熱層
に対して共通またはそれぞれ固有の電気接続片も
可能である。
３０に設けられる二重加熱層３３を拡大して示し
ている。なるべく加熱コイルとして構成された内
側加熱層３５上には、薄い誘電絶縁層３６が設け
られている。この絶縁層３６は例えばAl2O3から
なるセラミツク層とすることができる。この絶縁
層３６には加熱層３５が一部埋込まれている。第
２の加熱層３７は絶縁層３６の外側に設けられて
いる。両加熱層３５，３７は加熱コイルとして構
成するか、例えばタンポンを使用して層技法で設
けることができる（タンポン印刷法）。しかし細
管状加熱アタツチメントでは、内側加熱層３５を
線コイルとして構成するのが有利である。外側加
熱層としての第２の加熱層３７は塊状のセラミツ
ク保持体３８により完全に包囲されている。この
保持体３８は二重加熱層３３の機械的安定化と熱
容量の増大とに役だつ。第３図に示すように、保
持体３８上にさらに加熱層３９設けることができ
る。それにより保持体３８の熱容量がさらに増大
されかつ安定化される。両加熱層３５，３７は直
列にも並列にも接続することができる。両加熱層
に対して共通またはそれぞれ固有の電気接続片も
可能である。
加熱層３５，３７が電気的に直列接続されてい
ると、内側加熱層３５は本発明により小さい負ま
たは正の抵抗温度係数をもつ材料から製造され
る。このために約５ないし10重量％のタングステ
ンまたは30重量％のイリジウムを含む白金合金が
有利なことがわかつた。加熱層３７は大きい正の
抵抗温度係数をもつ材料から製造される。これに
は例えば白金が適している。加熱電圧の印加後電
圧の大部分が比較的高い抵抗値の内側加熱層３５
にかかる。それによりこの加熱層３５が強く温度
上昇する。外側加熱層３７は通電の際発生するジ
ユール熱と内側加熱層３５の熱により同様に急速
に温度上昇する。加熱層３７の周囲の温度上昇に
より、大きい正の抵抗温度係数（PTC抵抗）の
ため、加熱層３７の抵抗が増大する。それにより
加熱層３５の発生出力が制限されるので、加熱層
３５の熱的過負荷が生ずることはない。加熱層３
７は加熱コイルとして構成するか、層技法例えば
市販のデユポン4058型のような厚層ペーストによ
るタンポン印刷法で設けることができる。しかし
このようなセラミツクPTC抵抗では、切換え点
が100゜ないし200℃の温度範囲にあるが、加熱体
はもつと高温になることを注意せねばならない。
そのとき加熱層３７はノズル本体の範囲に有利に
配置される。
ると、内側加熱層３５は本発明により小さい負ま
たは正の抵抗温度係数をもつ材料から製造され
る。このために約５ないし10重量％のタングステ
ンまたは30重量％のイリジウムを含む白金合金が
有利なことがわかつた。加熱層３７は大きい正の
抵抗温度係数をもつ材料から製造される。これに
は例えば白金が適している。加熱電圧の印加後電
圧の大部分が比較的高い抵抗値の内側加熱層３５
にかかる。それによりこの加熱層３５が強く温度
上昇する。外側加熱層３７は通電の際発生するジ
ユール熱と内側加熱層３５の熱により同様に急速
に温度上昇する。加熱層３７の周囲の温度上昇に
より、大きい正の抵抗温度係数（PTC抵抗）の
ため、加熱層３７の抵抗が増大する。それにより
加熱層３５の発生出力が制限されるので、加熱層
３５の熱的過負荷が生ずることはない。加熱層３
７は加熱コイルとして構成するか、層技法例えば
市販のデユポン4058型のような厚層ペーストによ
るタンポン印刷法で設けることができる。しかし
このようなセラミツクPTC抵抗では、切換え点
が100゜ないし200℃の温度範囲にあるが、加熱体
はもつと高温になることを注意せねばならない。
そのとき加熱層３７はノズル本体の範囲に有利に
配置される。
両加熱層３５，３７を並列接続する場合、加熱
層３５に対して大きい正の抵抗温度係数をもつ材
料が、また加熱層３７に対して小さい負または正
の抵抗温度係数をもつ材料（NTCまたはPTC抵
抗）が使用される。この場合も小さい冷間抵抗に
より内側加熱層３５は再び急速に温度上昇する。
層３５に対して大きい正の抵抗温度係数をもつ材
料が、また加熱層３７に対して小さい負または正
の抵抗温度係数をもつ材料（NTCまたはPTC抵
抗）が使用される。この場合も小さい冷間抵抗に
より内側加熱層３５は再び急速に温度上昇する。
本発明によれば、両両加熱層３５，３７を並列
接続する場合も、温度上昇は２段に行なわれる。
すなわち加熱層３５は急速に温度上昇して、有利
には0.5秒より小さい比較的短時間内に始動過程
のための最終温度に達する。第２の加熱層３７は
セラツク層を加熱し、それにより、加熱体全体の
熱容量を大きくしかつ安定化する。この回路装置
でも、加熱層３７による加熱層３５の過熱は防止
される。
接続する場合も、温度上昇は２段に行なわれる。
すなわち加熱層３５は急速に温度上昇して、有利
には0.5秒より小さい比較的短時間内に始動過程
のための最終温度に達する。第２の加熱層３７は
セラツク層を加熱し、それにより、加熱体全体の
熱容量を大きくしかつ安定化する。この回路装置
でも、加熱層３７による加熱層３５の過熱は防止
される。
二重加熱層３３の製造は、本発明により第４図
ないし第６図に示す次の段階で行なわれる。まず
心棒４１上に加熱層３５が加熱コイル３５′の形
で巻付けられる。続いてこの加熱層３５′上にな
るべくAl2O3からなる電気絶縁層３６の薄い層
が、例えばタンポン印刷法により印刷されるかま
たは塗布される。さてその上に第２の加熱層３７
が設けられる。この装置全体の上へ保持体３８と
してこね粉状の可塑化セラミツク材料を被覆する
ことができる。しかし市販のセラミツク管を加熱
層３７上へはめて、市販のセラミツク接着剤によ
り結合することもできる。続いて心棒４１が加熱
体から引抜かれる。今や加熱層３５には内側から
も電気絶縁ペーストを塗布できるので、白金の蒸
発したがつて加熱層３５の抵抗の長時間変化が防
止される。最後に加熱体全体が焼結される。
ないし第６図に示す次の段階で行なわれる。まず
心棒４１上に加熱層３５が加熱コイル３５′の形
で巻付けられる。続いてこの加熱層３５′上にな
るべくAl2O3からなる電気絶縁層３６の薄い層
が、例えばタンポン印刷法により印刷されるかま
たは塗布される。さてその上に第２の加熱層３７
が設けられる。この装置全体の上へ保持体３８と
してこね粉状の可塑化セラミツク材料を被覆する
ことができる。しかし市販のセラミツク管を加熱
層３７上へはめて、市販のセラミツク接着剤によ
り結合することもできる。続いて心棒４１が加熱
体から引抜かれる。今や加熱層３５には内側から
も電気絶縁ペーストを塗布できるので、白金の蒸
発したがつて加熱層３５の抵抗の長時間変化が防
止される。最後に加熱体全体が焼結される。
第７図による実施例では、加熱層３５が加熱コ
イル３５′としてセラミツク支持体４２上に巻付
けられている。この支持体４２はほぼ三角形状の
断面を有する複数のセラミツクピン４３をもつて
いる。これらのセラミツク層ピン４３上へ加熱コ
イル３５′が外側から巻付けられる。この加熱コ
イル３５′は本発明によれば細い断面をもち、し
たがつてこれまでのものより高抵抗である。加熱
コイル３５′とセラミツクピン４３とのわずかな
接触点により、熱伝達は大幅に減少する。その際
加熱コイル３５′の機械的安定性は引続き維持さ
れかつ保証される。続く焼結によつて、セラミツ
クの寸法減少のため加熱コイル３５′は接触点で
ピン４３へ締付けられ、同時に半径方向へも応力
をかけられる。場合によつては加熱コイル３５′
を焼結前にセラミツク接着剤により固定すること
もできる。
イル３５′としてセラミツク支持体４２上に巻付
けられている。この支持体４２はほぼ三角形状の
断面を有する複数のセラミツクピン４３をもつて
いる。これらのセラミツク層ピン４３上へ加熱コ
イル３５′が外側から巻付けられる。この加熱コ
イル３５′は本発明によれば細い断面をもち、し
たがつてこれまでのものより高抵抗である。加熱
コイル３５′とセラミツクピン４３とのわずかな
接触点により、熱伝達は大幅に減少する。その際
加熱コイル３５′の機械的安定性は引続き維持さ
れかつ保証される。続く焼結によつて、セラミツ
クの寸法減少のため加熱コイル３５′は接触点で
ピン４３へ締付けられ、同時に半径方向へも応力
をかけられる。場合によつては加熱コイル３５′
を焼結前にセラミツク接着剤により固定すること
もできる。
セラミツクピン４３の製造が第８図に詳細に示
されている。有利には焼結の前段処理されたセラ
ミツクからなり、すなわち圧縮されるがまだ焼結
されていないセラミツク管４４から、管範囲４５
が等辺三角形を形成する切断面４６の所まで分離
されるか削り取られる。三角形の中心点はセラミ
ツク管４４の軸線にある。したがつて３つのセラ
ミツクピン４３が残る。本発明の基本思想から逸
脱することなく、複数の切断面によつてもつと多
いピンを製造することもできる。
されている。有利には焼結の前段処理されたセラ
ミツクからなり、すなわち圧縮されるがまだ焼結
されていないセラミツク管４４から、管範囲４５
が等辺三角形を形成する切断面４６の所まで分離
されるか削り取られる。三角形の中心点はセラミ
ツク管４４の軸線にある。したがつて３つのセラ
ミツクピン４３が残る。本発明の基本思想から逸
脱することなく、複数の切断面によつてもつと多
いピンを製造することもできる。
第９図による実施例では、焼結の前段処理され
たセラミツク円筒４９から互いに交差する４つの
同じ大きさの縦穴５０があけられる。縦穴５０の
中心点は、セラミツク円筒４９の軸線上に中心点
をもつ円上にある。それにより４つのひれ５１が
生じ、第１０図に詳細に示すように加熱コイル３
５′がこれのひれに接して設けられている。した
がつてひれ５１は加熱コイル３５′を保持してい
るが、必要な場合にはこの加熱コイルを市販のセ
ラミツク接着剤により固定することができる。続
いて装置全体が焼結される。
たセラミツク円筒４９から互いに交差する４つの
同じ大きさの縦穴５０があけられる。縦穴５０の
中心点は、セラミツク円筒４９の軸線上に中心点
をもつ円上にある。それにより４つのひれ５１が
生じ、第１０図に詳細に示すように加熱コイル３
５′がこれのひれに接して設けられている。した
がつてひれ５１は加熱コイル３５′を保持してい
るが、必要な場合にはこの加熱コイルを市販のセ
ラミツク接着剤により固定することができる。続
いて装置全体が焼結される。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3318459.3 | 1983-05-20 | ||
| DE19833318459 DE3318459A1 (de) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | Einrichtung zum einspritzen von kraftstoff in brennraeume |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60501369A JPS60501369A (ja) | 1985-08-22 |
| JPH0452866B2 true JPH0452866B2 (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=6199530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59502068A Granted JPS60501369A (ja) | 1983-05-20 | 1984-04-27 | 燃焼室へ燃料を噴射する装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4603667A (ja) |
| EP (1) | EP0151122B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60501369A (ja) |
| DE (2) | DE3318459A1 (ja) |
| IT (1) | IT1175499B (ja) |
| WO (1) | WO1984004800A1 (ja) |
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| DE3615636A1 (de) * | 1986-05-09 | 1987-11-12 | Bosch Gmbh Robert | Einrichtung zum einspritzen von kraftstoff in einen brennraum einer brennkraftmaschine |
| DE3631473A1 (de) * | 1986-09-16 | 1988-03-24 | Pischinger Franz Prof Dipl Ing | Zuendvorrichtung fuer eine luftverdichtende brennkraftmaschine |
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1983
- 1983-05-20 DE DE19833318459 patent/DE3318459A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-04-27 EP EP84901745A patent/EP0151122B1/de not_active Expired
- 1984-04-27 DE DE8484901745T patent/DE3464957D1/de not_active Expired
- 1984-04-27 WO PCT/DE1984/000098 patent/WO1984004800A1/de not_active Ceased
- 1984-04-27 JP JP59502068A patent/JPS60501369A/ja active Granted
- 1984-04-27 US US06/672,706 patent/US4603667A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-05-15 IT IT20933/84A patent/IT1175499B/it active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1984004800A1 (fr) | 1984-12-06 |
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| IT8420933A0 (it) | 1984-05-15 |
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| JPS60501369A (ja) | 1985-08-22 |
| EP0151122A1 (de) | 1985-08-14 |
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