JPH0453008B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0453008B2 JPH0453008B2 JP60220061A JP22006185A JPH0453008B2 JP H0453008 B2 JPH0453008 B2 JP H0453008B2 JP 60220061 A JP60220061 A JP 60220061A JP 22006185 A JP22006185 A JP 22006185A JP H0453008 B2 JPH0453008 B2 JP H0453008B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- prism
- light beam
- coupling lens
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光情報処理装置、特に半導体レーザ素
子を光源に用いた光情報処理装置に関する。
子を光源に用いた光情報処理装置に関する。
近年、ガスレーザに代わつて、半導体レーザ素
子を光源に用いた光情報処理装置の開発が盛んに
なつてきた。光デイスクはその一例である。光デ
イスクとは、半導体レーザ素子を用いて円盤（デ
イスク）に記憶されている情報信号を再生した
り、又はデイクスに情報を高密度に記憶するもの
である。すなわち、半導体レーザを用いてデイス
ク上に情報信号を記録したり再生するためには、
半導体レーザ素子から出たビームを光学系を構成
する結合レンズ及び対物レンズを用いてデイスク
上に直径1μｍ程度の円形状の光スポツトとして
形成しなければならない。
子を光源に用いた光情報処理装置の開発が盛んに
なつてきた。光デイスクはその一例である。光デ
イスクとは、半導体レーザ素子を用いて円盤（デ
イスク）に記憶されている情報信号を再生した
り、又はデイクスに情報を高密度に記憶するもの
である。すなわち、半導体レーザを用いてデイス
ク上に情報信号を記録したり再生するためには、
半導体レーザ素子から出たビームを光学系を構成
する結合レンズ及び対物レンズを用いてデイスク
上に直径1μｍ程度の円形状の光スポツトとして
形成しなければならない。
一般に、半導体レーザ素子は、その発光領域の
縦、横比が異なるため、ビームの拡がり角が非常
方的である。この半導体レーザビームの拡がり角
は、半導体レーザ素子の構造によつて異なつてい
る。即ち、第１図に示す如く半導体レーザ素子か
らのビームの遠視野像における出射光分布の水平
方向及び垂直方向のe-2での角度をそれぞれθθ
⊥とすると、例えばSCP型半導体レーザでは θ＝8°、θ⊥＝24°及びθ⊥／θ＝３ ……(1) となる。また、BH型半導体レーザでは θ＝16°、θ⊥＝32°及びθ⊥／θ＝２ ……(2) であり、BH型レーザではビームが拡がり角の比
θ⊥／θは２、CSP型レーザでは３となつてい
る。なお、第１図の横軸は広がり角、その縦軸は
光強度である。第２図は上述した半導体レーザ素
子のビーム拡がり角が等方的でない場合に、デイ
スク上に直径1μｍφ程度の等方的スポツトを形
成するための従来の光情報処理装置の一例を示し
ている。
縦、横比が異なるため、ビームの拡がり角が非常
方的である。この半導体レーザビームの拡がり角
は、半導体レーザ素子の構造によつて異なつてい
る。即ち、第１図に示す如く半導体レーザ素子か
らのビームの遠視野像における出射光分布の水平
方向及び垂直方向のe-2での角度をそれぞれθθ
⊥とすると、例えばSCP型半導体レーザでは θ＝8°、θ⊥＝24°及びθ⊥／θ＝３ ……(1) となる。また、BH型半導体レーザでは θ＝16°、θ⊥＝32°及びθ⊥／θ＝２ ……(2) であり、BH型レーザではビームが拡がり角の比
θ⊥／θは２、CSP型レーザでは３となつてい
る。なお、第１図の横軸は広がり角、その縦軸は
光強度である。第２図は上述した半導体レーザ素
子のビーム拡がり角が等方的でない場合に、デイ
スク上に直径1μｍφ程度の等方的スポツトを形
成するための従来の光情報処理装置の一例を示し
ている。
第２図において、半導体レーザ素子１の一方の
端面から出た等方でない拡がり角をもつたビーム
は結合レンズ２、対物レンズ３によつてデイスク
４上に光スポツト５が形成される。光検出器６は
半導体レーザ素子１の光出力を検出する手段であ
る。なお、Ａは光軸である。第２図において、結
合レンズ２の開口数NAは、半導体レーザ１とレ
ンズ２とのなす半画角をθとすると、 NA＝sinθ ……(3) の関係がある。また半導体レーザ素子１のビーム
拡がり角について、上述したように水平方向及び
垂直方向のe-2での大きさをθ及びθ⊥とする
と、このような半導体レーザ素子を用いてデイス
ク４上に等方的なスポツト５を形成するために
は、 θθ＜θ⊥＝ ……(4) となるように結合レンズ２の開口数NAを選ばな
ければならない。すなわち、結合レンズ２の開口
数を小さくし、軸外の光線を遮断して、光軸Ａ
（θ＝０）付近のみのビームを用いて、結合レン
ズ２から出た光の強度分布を等方的にさせる必要
がある。第１図に示すビームの広がり角と第(1)、
(3)及び(4)式より、CSP型レーザでは NA＝0.1 θ＝5.7°（θ＜θ⊥） ……(5) とすると、結器レンズ２を通つた後のビームはほ
ぼ等方的になり、したがつて、デイスク４上に等
方的なスポツト５が形成される。
端面から出た等方でない拡がり角をもつたビーム
は結合レンズ２、対物レンズ３によつてデイスク
４上に光スポツト５が形成される。光検出器６は
半導体レーザ素子１の光出力を検出する手段であ
る。なお、Ａは光軸である。第２図において、結
合レンズ２の開口数NAは、半導体レーザ１とレ
ンズ２とのなす半画角をθとすると、 NA＝sinθ ……(3) の関係がある。また半導体レーザ素子１のビーム
拡がり角について、上述したように水平方向及び
垂直方向のe-2での大きさをθ及びθ⊥とする
と、このような半導体レーザ素子を用いてデイス
ク４上に等方的なスポツト５を形成するために
は、 θθ＜θ⊥＝ ……(4) となるように結合レンズ２の開口数NAを選ばな
ければならない。すなわち、結合レンズ２の開口
数を小さくし、軸外の光線を遮断して、光軸Ａ
（θ＝０）付近のみのビームを用いて、結合レン
ズ２から出た光の強度分布を等方的にさせる必要
がある。第１図に示すビームの広がり角と第(1)、
(3)及び(4)式より、CSP型レーザでは NA＝0.1 θ＝5.7°（θ＜θ⊥） ……(5) とすると、結器レンズ２を通つた後のビームはほ
ぼ等方的になり、したがつて、デイスク４上に等
方的なスポツト５が形成される。
しかし、かかる構成では半導体レーザ素子から
出射された光線の一部しかデイスク上に照射され
ないので、レーザ素子の光利用効率が悪いという
欠点がある。特に、記録を行なうような場合に
は、デイスクに設けられた金属薄膜を溶解し、穴
を形成しなければならないので、再生を行なう場
合より数倍の光量を必要とする。また、半導体レ
ーザ素子は、ある一定以上の光量をだすと寿命が
短かくなる。従つて、半導体レーザ素子を用いた
光情報処理装置においては、レーザ素子の光利用
効率を高め、できるだけ光出力を少なくおさえる
ことが、寿命及び信頼性の面からぜひ必要なので
ある。また、通常、デイスクは約１mm程度の上下
ぶれをしながら回転している。この回転デイスク
の上下ぶれにかかわらず、スポツトの径が変化し
ないためには、焦点ずれの信号を光学的に検出し
て自動焦点を行なう必要がある。
出射された光線の一部しかデイスク上に照射され
ないので、レーザ素子の光利用効率が悪いという
欠点がある。特に、記録を行なうような場合に
は、デイスクに設けられた金属薄膜を溶解し、穴
を形成しなければならないので、再生を行なう場
合より数倍の光量を必要とする。また、半導体レ
ーザ素子は、ある一定以上の光量をだすと寿命が
短かくなる。従つて、半導体レーザ素子を用いた
光情報処理装置においては、レーザ素子の光利用
効率を高め、できるだけ光出力を少なくおさえる
ことが、寿命及び信頼性の面からぜひ必要なので
ある。また、通常、デイスクは約１mm程度の上下
ぶれをしながら回転している。この回転デイスク
の上下ぶれにかかわらず、スポツトの径が変化し
ないためには、焦点ずれの信号を光学的に検出し
て自動焦点を行なう必要がある。
さて、第２図に示す構成において、半導体レー
ザ素子１にデイスク４からの反射光が帰還すると
デイスクからの反射光の強弱に応じて半導体レー
ザ１の出力が増減するので、デイスク４の情報を
光検出器６の出力によつて再生できる。この技術
は特開昭49−69008号公報に記載されている。
ザ素子１にデイスク４からの反射光が帰還すると
デイスクからの反射光の強弱に応じて半導体レー
ザ１の出力が増減するので、デイスク４の情報を
光検出器６の出力によつて再生できる。この技術
は特開昭49−69008号公報に記載されている。
一方、光ビームのデイスク上からの焦点のずれ
を検出するため、光源あるいはレンズをその光軸
方向に微小振動させ、レーザ出力を同期検波する
ことで、焦点ずれを検出する技術が特開昭53−
17706号公報で提案されている。しかし、この技
術による自動焦点制御引き込み範囲は狭いという
欠点がある。第３図は第２図に示す構成におい
て、結合レンズ２の開口数NAが0.1のとき、デイ
スク４を光軸方向に沿つて微少に移動したときの
半導体レーザ素子１からの出力変化を示したもの
である。第３図から明らかなように結合レンズ２
の開口数NAが0.1と非常に小さいときは、自動焦
点引き込み範囲は10μｍしかないことがわかる。
これはデイスクの変位によつて、レーザ素子端面
附近の反射戻り光スポツト焦点位置が大きく変化
してしまうためである。すなわち、焦点ずれによ
るレーザ素子端面上の反射戻り光スポツトのぼけ
が著しく、このために自動焦点引き込み範囲が
10μｍという小さな数になつてしまうのである。
このように半導体レーザ素子にデイスクからの反
射光を帰還させる光情報処理装置では上述したよ
うに引き込み範囲が小さいという欠点をもつてい
る。このため、自動焦点制御が困難であり、上下
ぶれの大きなデイスクからの情報再生はできない
という欠点があつた。
を検出するため、光源あるいはレンズをその光軸
方向に微小振動させ、レーザ出力を同期検波する
ことで、焦点ずれを検出する技術が特開昭53−
17706号公報で提案されている。しかし、この技
術による自動焦点制御引き込み範囲は狭いという
欠点がある。第３図は第２図に示す構成におい
て、結合レンズ２の開口数NAが0.1のとき、デイ
スク４を光軸方向に沿つて微少に移動したときの
半導体レーザ素子１からの出力変化を示したもの
である。第３図から明らかなように結合レンズ２
の開口数NAが0.1と非常に小さいときは、自動焦
点引き込み範囲は10μｍしかないことがわかる。
これはデイスクの変位によつて、レーザ素子端面
附近の反射戻り光スポツト焦点位置が大きく変化
してしまうためである。すなわち、焦点ずれによ
るレーザ素子端面上の反射戻り光スポツトのぼけ
が著しく、このために自動焦点引き込み範囲が
10μｍという小さな数になつてしまうのである。
このように半導体レーザ素子にデイスクからの反
射光を帰還させる光情報処理装置では上述したよ
うに引き込み範囲が小さいという欠点をもつてい
る。このため、自動焦点制御が困難であり、上下
ぶれの大きなデイスクからの情報再生はできない
という欠点があつた。
一方、デイスク上に絞りこんだスポツトを円形
状に近づけるために円筒レンズを用いることが考
えられている。しかし、円筒レンズは工作上の精
度が出にくく、高価であること光学系の配置が複
雑になることの欠点があり、また、光スポツトを
1μｍの円形状スポツトに収束することは、円筒
レンズを使用しているために非点収差が大きく影
響して、困難である。
状に近づけるために円筒レンズを用いることが考
えられている。しかし、円筒レンズは工作上の精
度が出にくく、高価であること光学系の配置が複
雑になることの欠点があり、また、光スポツトを
1μｍの円形状スポツトに収束することは、円筒
レンズを使用しているために非点収差が大きく影
響して、困難である。
本発明は、等方的な拡がり角をもたない半導体
レーザビームを光の利用効率よくデイスク上に等
方的なスツトとして形成することが可能な光情報
処理装置を提供することを目的とする。
レーザビームを光の利用効率よくデイスク上に等
方的なスツトとして形成することが可能な光情報
処理装置を提供することを目的とする。
かかる目的を達成するために、本発明において
は、デイスク上の光スポツトが等方形状になると
いう結合レンズの条件である第(4)式を無視して、
結合レンズの開口数を大きくすることによつて半
導体レーザ素子からの非等方形状のビームを殆ん
どすべて結合レンズに入射させると共に、結合レ
ンズの後段にプリズムを配置することにより、結
合レンズを通過した等方的でないビームを等方的
形状のビームに変換せしめるものである。また、
本発明では、半導体レーザ光が接合面に平行な方
向に偏光していることに着目してこのレーザ光が
入射面内で偏光するようプリズムを配設すること
により、該プリズムへの入出射に際ての反射損失
をほとんどなくし、光の利用効率を高めたもので
ある。
は、デイスク上の光スポツトが等方形状になると
いう結合レンズの条件である第(4)式を無視して、
結合レンズの開口数を大きくすることによつて半
導体レーザ素子からの非等方形状のビームを殆ん
どすべて結合レンズに入射させると共に、結合レ
ンズの後段にプリズムを配置することにより、結
合レンズを通過した等方的でないビームを等方的
形状のビームに変換せしめるものである。また、
本発明では、半導体レーザ光が接合面に平行な方
向に偏光していることに着目してこのレーザ光が
入射面内で偏光するようプリズムを配設すること
により、該プリズムへの入出射に際ての反射損失
をほとんどなくし、光の利用効率を高めたもので
ある。
〔発明の実施例〕
第４図は、デイスクの位置と光出力との関係を
示す図である。即ち、第２図に示した構成におい
て、デイスク４上の光スポツト５が等方形状にな
るという結合レンズの条件である第(4)式を無視し
て、結合レンズ２の開口数NAを大きく（NA＝
0.5）し、デイスク４を光軸方向に沿つて微小に
移動したときの半導体レーザ素子からの光出力の
変化を示したものである。第４図から明らかなよ
うに引き込み範囲は100μｍとなつている。
示す図である。即ち、第２図に示した構成におい
て、デイスク４上の光スポツト５が等方形状にな
るという結合レンズの条件である第(4)式を無視し
て、結合レンズ２の開口数NAを大きく（NA＝
0.5）し、デイスク４を光軸方向に沿つて微小に
移動したときの半導体レーザ素子からの光出力の
変化を示したものである。第４図から明らかなよ
うに引き込み範囲は100μｍとなつている。
即ち、結合レンズの開口数を大きくすることに
より、デイスクの変位による反射戻り光スポツト
焦点位置の変化が小さくなり、自動焦点の引き込
み範囲が、拡大されていのである。
より、デイスクの変位による反射戻り光スポツト
焦点位置の変化が小さくなり、自動焦点の引き込
み範囲が、拡大されていのである。
而して、結合レンズは、開口数が大きいほど自
動焦点引き込み範囲が大きくなり、デイスクの上
下ぶれに対して完全な自動焦点が実現できること
となる。しかも、結合レンズの開口数が大きくな
ると、半導体レーザ素子からのビームがそれだけ
多く結合レンズに入射されるので、レーザ素子の
光の利用効率が高くなる。しかし、結合レンズの
開口数NAがほぼ第１図に示す遠視野像のe-2で
垂直方向の拡がり角度θ⊥を満足すれば実質的に
半導体レーザ素子からのビームを殆んど結合レン
ズに入射させることとなる。したがつて、実質的
には、 θ＜θ≦θ⊥ ……(6) を満足すればよいのである。
動焦点引き込み範囲が大きくなり、デイスクの上
下ぶれに対して完全な自動焦点が実現できること
となる。しかも、結合レンズの開口数が大きくな
ると、半導体レーザ素子からのビームがそれだけ
多く結合レンズに入射されるので、レーザ素子の
光の利用効率が高くなる。しかし、結合レンズの
開口数NAがほぼ第１図に示す遠視野像のe-2で
垂直方向の拡がり角度θ⊥を満足すれば実質的に
半導体レーザ素子からのビームを殆んど結合レン
ズに入射させることとなる。したがつて、実質的
には、 θ＜θ≦θ⊥ ……(6) を満足すればよいのである。
しかし、第(6)式を満足する結合レンズ２を通過
した光ビームは等方的でないので光スポツト５も
等方的でなくなつてしまう。そこで、本発明にお
いてはこれを解決するために、第５図に示すよう
に、結合レンズ２の後段にプリズム７を配置す
る。第９図は上記プリズム７の形状を示す。第９
図において、プリズムはその頂角をθα、屈折率
をＮとする直角プリズムとし、入射角θi、入射ビ
ーム径Ｉと、屈折ビーム径Ｏの比をｍ＝Ｏ／Ｉと
すると、これらは、それぞれ次式で与えられる。
した光ビームは等方的でないので光スポツト５も
等方的でなくなつてしまう。そこで、本発明にお
いてはこれを解決するために、第５図に示すよう
に、結合レンズ２の後段にプリズム７を配置す
る。第９図は上記プリズム７の形状を示す。第９
図において、プリズムはその頂角をθα、屈折率
をＮとする直角プリズムとし、入射角θi、入射ビ
ーム径Ｉと、屈折ビーム径Ｏの比をｍ＝Ｏ／Ｉと
すると、これらは、それぞれ次式で与えられる。
cosθi＝N2−１
N2m2−１
cosθα＝ｍN2−１
N2m2−１
ｍ＝cosθα
cosθi
R11＝tan2（θi−θα）
tan2（θi＋θα） ……(7)
ここでR11はプリズムの入射面における反射率
である。プリズム７は半導体レーザ素子からのビ
ームの拡がりの水平方向を伸長せしめてその垂直
方向と一致させて、等方的なビームに変換する。
したがつて、半導体レーザ素子からのビームを殆
んど結合レンズに入射させた場合等方的なビーム
を得るためには、ｍをビームの拡がり角の比θ⊥
θと一致させる必要がある。例えば、BH型半
導体レーザ素子を用いる場合は第(2)式によりｍ＝
２である。プリズムの屈折率Ｎ＝1.7636とする
と、反射率R11ができるだけ小さくなるようにθi、
θαを選ぶと式(7)式より ｍ＝2.03 Ｎ＝1.7636 θα＝30.935° θi＝65° R11＝0.05 ……(8) したがつて、第(2)式で表わされるビーム拡がり
角をもつBH型半導体レーザについては第(8)式で
表わされるプリズム７を第５図において、結合レ
ンズ２の直後に挿入することによつて、等方的な
ビームに変換することが可能となる。この等方に
なつた光ビームは対物レンズ３によつてデイスク
４上に等方なスポツトとして照射される。しかし
て、縦、横比の異なる発光領域を有する半導体レ
ーザ素子からのビームの一部を遮断することな
く、デイスク上に等方的なスポツトとして照射す
ることが可能となる。しかもプリズムを使用して
いるために、収差が生じない。本実施例の如く半
導体レーザ素子１の一方の端面から出たビームを
デイスクで反射させて、その反射光を上記端面に
帰還させる構成においては、結合レンズ２の開口
数を第(6)式にしたがつて大きくしている為に第４
図に示すように自動焦点の引き込み範囲は拡大さ
れている。
である。プリズム７は半導体レーザ素子からのビ
ームの拡がりの水平方向を伸長せしめてその垂直
方向と一致させて、等方的なビームに変換する。
したがつて、半導体レーザ素子からのビームを殆
んど結合レンズに入射させた場合等方的なビーム
を得るためには、ｍをビームの拡がり角の比θ⊥
θと一致させる必要がある。例えば、BH型半
導体レーザ素子を用いる場合は第(2)式によりｍ＝
２である。プリズムの屈折率Ｎ＝1.7636とする
と、反射率R11ができるだけ小さくなるようにθi、
θαを選ぶと式(7)式より ｍ＝2.03 Ｎ＝1.7636 θα＝30.935° θi＝65° R11＝0.05 ……(8) したがつて、第(2)式で表わされるビーム拡がり
角をもつBH型半導体レーザについては第(8)式で
表わされるプリズム７を第５図において、結合レ
ンズ２の直後に挿入することによつて、等方的な
ビームに変換することが可能となる。この等方に
なつた光ビームは対物レンズ３によつてデイスク
４上に等方なスポツトとして照射される。しかし
て、縦、横比の異なる発光領域を有する半導体レ
ーザ素子からのビームの一部を遮断することな
く、デイスク上に等方的なスポツトとして照射す
ることが可能となる。しかもプリズムを使用して
いるために、収差が生じない。本実施例の如く半
導体レーザ素子１の一方の端面から出たビームを
デイスクで反射させて、その反射光を上記端面に
帰還させる構成においては、結合レンズ２の開口
数を第(6)式にしたがつて大きくしている為に第４
図に示すように自動焦点の引き込み範囲は拡大さ
れている。
なお、第５図において、半導体レーザ素子１か
らのビームは、図の矢印で示すようにＰ偏光（偏
光面が紙面に平行に振動している）に設定されて
いる。
らのビームは、図の矢印で示すようにＰ偏光（偏
光面が紙面に平行に振動している）に設定されて
いる。
第６図は、本発明の他の実施例の構成を示す図
であり、第５図と同一符号は同一又は均等部分を
示す。第６図の実施例では、第５図の実施例と異
なり、ビームの拡がりの垂直方向を縮少して、そ
の水平方向と一致するようにした場合であり、プ
リズム７の入射面が、第５図の実施例とは逆に配
置されている。即ち、半導体レーザ素子１からの
ビームは、図の黒丸で示す如くＳ偏光（偏光面が
紙面に垂直に振動している）に設定され、これが
１／２波長板１１によつてＰ偏光に変換されて、プ
リズム７に入射されるのである。かくすることに
より、対物レンズ３の小型化が可能となる。
であり、第５図と同一符号は同一又は均等部分を
示す。第６図の実施例では、第５図の実施例と異
なり、ビームの拡がりの垂直方向を縮少して、そ
の水平方向と一致するようにした場合であり、プ
リズム７の入射面が、第５図の実施例とは逆に配
置されている。即ち、半導体レーザ素子１からの
ビームは、図の黒丸で示す如くＳ偏光（偏光面が
紙面に垂直に振動している）に設定され、これが
１／２波長板１１によつてＰ偏光に変換されて、プ
リズム７に入射されるのである。かくすることに
より、対物レンズ３の小型化が可能となる。
以上のことから、ビームの偏光は、第７図に示
す如く、垂直方向ではＳ偏光であり、水平方向で
はＰ偏光である。
す如く、垂直方向ではＳ偏光であり、水平方向で
はＰ偏光である。
以上の説明においては、半導体レーザ素子の一
方の端面から出たビームをデイスクで反射させて
その反射光を上記端面に帰還させることにより、
所定情報を記録・再生する光情報処理装置につい
てのみ説明したが、本発明はかかる光情報処理装
置に限定されるものではなく、半導体レーザ素子
からのビームをデイスクに導く光学系中にプリズ
ムを設け、このプリズムでデイスクからの反射光
を取り出し、その反射光の変化を光検出器で検出
することにより、所定情報を記録・再生する光情
報処理装置にも適用できる。
方の端面から出たビームをデイスクで反射させて
その反射光を上記端面に帰還させることにより、
所定情報を記録・再生する光情報処理装置につい
てのみ説明したが、本発明はかかる光情報処理装
置に限定されるものではなく、半導体レーザ素子
からのビームをデイスクに導く光学系中にプリズ
ムを設け、このプリズムでデイスクからの反射光
を取り出し、その反射光の変化を光検出器で検出
することにより、所定情報を記録・再生する光情
報処理装置にも適用できる。
第８図は、かかる光情報処理装置に本発明を適
用した場合の一実施例の構成を示す図である。本
実施例では、第５図に示す実施例の構成におい
て、プリズム７と対物レンズ３との間にプリズム
９及び一波長板８を配置している。かかる構成に
よりデイスク４からの反射光を上記プリズム９で
取り出し、その反射光の変化を光検出器１０で検
出することが可能となる。なお、第８図の実施例
において、光検出器６はレーザ光出力を一定に保
つ、所謂光出力安定化自動制御のためのレーザ光
出力モニターとして用いられる。
用した場合の一実施例の構成を示す図である。本
実施例では、第５図に示す実施例の構成におい
て、プリズム７と対物レンズ３との間にプリズム
９及び一波長板８を配置している。かかる構成に
よりデイスク４からの反射光を上記プリズム９で
取り出し、その反射光の変化を光検出器１０で検
出することが可能となる。なお、第８図の実施例
において、光検出器６はレーザ光出力を一定に保
つ、所謂光出力安定化自動制御のためのレーザ光
出力モニターとして用いられる。
以上説明した如く、本発明によれば光源として
等分的な拡がり角をもたない半導体レーザ素子を
用いても、デイスクに等方的な（円形状）スポツ
トを簡単な光学系で形成でき、しかも半導体レー
ザビームはプリズムへＰ偏光で入射するので、プ
リズムへの入出射に際して反射損失がほとんどな
く光の利用効率を高めることができる。
等分的な拡がり角をもたない半導体レーザ素子を
用いても、デイスクに等方的な（円形状）スポツ
トを簡単な光学系で形成でき、しかも半導体レー
ザビームはプリズムへＰ偏光で入射するので、プ
リズムへの入出射に際して反射損失がほとんどな
く光の利用効率を高めることができる。
なお、上述の説明においては、デイスクからの
反射光の光量を半導体レーザの他方向からのレー
ザ光の変化として検出する場合について述べた
が、反射光の変化を半導体レーザ１の駆動電流の
変化として検出する場合に於ても、本発明が適用
できるのは勿論のことである。
反射光の光量を半導体レーザの他方向からのレー
ザ光の変化として検出する場合について述べた
が、反射光の変化を半導体レーザ１の駆動電流の
変化として検出する場合に於ても、本発明が適用
できるのは勿論のことである。
第１図は、半導体レーザ光の遠視野像を示す
図、第２図は、従来の光情報処理装置を説明する
ための図、第３図は従来の自動焦点の引込み範囲
を説明する図、第４図は、本発明による自動焦点
の引き込み範囲を説明する図、第５図及び第６図
は、本発明の一実施例の構成を示す図、第７図
は、本発明の動作を説明する図、第８図は、本発
明の他の実施例の構成を示す図、第９図は、本発
明を説明するための図である。
図、第２図は、従来の光情報処理装置を説明する
ための図、第３図は従来の自動焦点の引込み範囲
を説明する図、第４図は、本発明による自動焦点
の引き込み範囲を説明する図、第５図及び第６図
は、本発明の一実施例の構成を示す図、第７図
は、本発明の動作を説明する図、第８図は、本発
明の他の実施例の構成を示す図、第９図は、本発
明を説明するための図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光軸回りの強度分布が該光軸に関し非等方な
光を放射する半導体レーザと、情報記録媒体と、
上記半導体レーザからの光ビームを平行化する回
転対称な結合レンズと、平行化された光ビームを
拡大または縮小するプリズムと、該プリズムから
の光を上記媒体上に収束させる光学系と、上記媒
体からの光ビームの光量変化を検出する手段とか
らなる光情報処理装置において、上記回転対称な
結合レンズは、以下の条件を満足することを特徴
とする光情報処理装置。 条件：θ‖＜θ≦θ⊥ NA＝sinθ （ただし、上記半導体レーザからの光ビームの遠
視野像における出射光分布の水平方向及び垂直方
向のe-2での角度をそれぞれθ‖、θ⊥とし、上記
結合レンズの開口数をNAとする。） ２ 上記半導体レーザは非等方分布の短軸方向に
偏光された光ビームを出力する半導体レーザ素子
であり、上記光学系は上記レーザ素子からの光ビ
ームが入射面内で偏光するように配設されたプリ
ズムを有することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光情報処理装置。 ３ 上記プリズムと上記レーザ素子の間の光路中
に1/2波長板を設けると共に、該波長板からの光
ビームが垂直に入射するよう上記プリズムが配設
されたことを特徴とする特許請求の範囲第２項記
載の光情報処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60220061A JPS61216144A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 光情報処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60220061A JPS61216144A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 光情報処理装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7466479A Division JPS5641A (en) | 1979-06-15 | 1979-06-15 | Processor for optical information |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61216144A JPS61216144A (ja) | 1986-09-25 |
| JPH0453008B2 true JPH0453008B2 (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=16745323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60220061A Granted JPS61216144A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 光情報処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61216144A (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3983317A (en) * | 1974-12-09 | 1976-09-28 | Teletype Corporation | Astigmatizer for laser recording and reproducing system |
| US4030122A (en) * | 1975-07-28 | 1977-06-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Recording apparatus utilizing small optical components |
| US3974507A (en) * | 1975-09-29 | 1976-08-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Conversion of stripe-geometry junction laser emission to a spherical wavefront |
| JPS5371846A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-26 | Mansei Kogyo Kk | Optics to obtain equal direction spot from various direction light beam |
| JPS53100844A (en) * | 1977-02-15 | 1978-09-02 | Canon Inc | Beam shaping optical system |
| JPS5455184A (en) * | 1977-10-11 | 1979-05-02 | Canon Inc | Semiconductor laser light source unit |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60220061A patent/JPS61216144A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61216144A (ja) | 1986-09-25 |
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