JPH0453041Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0453041Y2 JPH0453041Y2 JP4104987U JP4104987U JPH0453041Y2 JP H0453041 Y2 JPH0453041 Y2 JP H0453041Y2 JP 4104987 U JP4104987 U JP 4104987U JP 4104987 U JP4104987 U JP 4104987U JP H0453041 Y2 JPH0453041 Y2 JP H0453041Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- termination element
- matching termination
- dielectric substrate
- matching
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、マイクロ波を伝送するトリプレー
ト形ストリツプ線路（以下、ストリツプ線路とす
る。）のRF整合終端に必要不可欠なRF整合終端
素子の改良に関するものである。
ト形ストリツプ線路（以下、ストリツプ線路とす
る。）のRF整合終端に必要不可欠なRF整合終端
素子の改良に関するものである。
第５図に、例えば特開昭56−154804号公報に示
された従来のストリツプ線路の一部削除した斜視
図を示す。図中、１ａは一方の面の一部に線路幅
Ｗなるストリツプ線路２と他方の面の全面に金属
から成る地板３をそれぞれ密着させた比誘電率εr
の誘電体からなる誘電体基板Ａ、１ｂは一方の面
にのみ全面に地板３を密着させた誘電体基板Ｂで
ある。
された従来のストリツプ線路の一部削除した斜視
図を示す。図中、１ａは一方の面の一部に線路幅
Ｗなるストリツプ線路２と他方の面の全面に金属
から成る地板３をそれぞれ密着させた比誘電率εr
の誘電体からなる誘電体基板Ａ、１ｂは一方の面
にのみ全面に地板３を密着させた誘電体基板Ｂで
ある。
このストリツプ線路２は、マイクロストリツプ
線路と比較して系が閉じているため、放射損失が
なく、漏洩電力ならびに機器に及ぼす影響がない
等の利点があるため、アンテナ給配電回路等によ
く用いられる。
線路と比較して系が閉じているため、放射損失が
なく、漏洩電力ならびに機器に及ぼす影響がない
等の利点があるため、アンテナ給配電回路等によ
く用いられる。
第６図に、従来、ストリツプ線路２に用いられ
るRF整合終端素子の一部削除した斜視図を示す。
また、第７図に断面図を示す。
るRF整合終端素子の一部削除した斜視図を示す。
また、第７図に断面図を示す。
図中、４は２枚の誘電体基板を押える金属板、
５はRF整合終端素子である。
５はRF整合終端素子である。
次に動作原理について説明する。
ストリツプ線路２を流れるマイクロ波電力は、
RF整合終端素子５に流れ込み吸収される。スト
リツプ線路２にマイクロ波電力が流れる時、誘電
体基板１ａと１ｂの地板３間に電位が生ずる。
RF整合終端素子５が十分金属板４に接地してい
る場合、RF整合終端素子５とストリツプ線路２
は同電位となり、マイクロ波がRF整合終端素子
５に入力する時に生ずる反射損失は、第８図に示
すように−25dB以下となり、RF整合終端素子５
に十分マイクロ波電力が吸収される。
RF整合終端素子５に流れ込み吸収される。スト
リツプ線路２にマイクロ波電力が流れる時、誘電
体基板１ａと１ｂの地板３間に電位が生ずる。
RF整合終端素子５が十分金属板４に接地してい
る場合、RF整合終端素子５とストリツプ線路２
は同電位となり、マイクロ波がRF整合終端素子
５に入力する時に生ずる反射損失は、第８図に示
すように−25dB以下となり、RF整合終端素子５
に十分マイクロ波電力が吸収される。
このように構成された従来のRF整合終端素子
５は、以上のように構成されているので、ストリ
ツプ線路２を構成する誘電体基板１ａ，１ｂの厚
みとRF整合終端素子５の厚みを等しくしなけれ
ばならない。誘電体基板１ａ，１ｂの厚みが第９
図のようにRF整合終端素子５より厚い場合、ス
トリツプ線路２とRF整合終端素子５は同電位に
ならないため、マイクロ波がRF整合終端素子５
に入力する時に生ずる反射損失は、第１０図に示
すように−15dBから−20dBと不安定になり、
RF整合終端素子にマイクロ波電力が十分吸収さ
れない問題があつた。また、RF整合終端素子５
の厚みとストリツプ線路２を構成する誘電体基板
１ａ，１ｂの厚みを等しくして使用するため、マ
イクロ波回路の設計に拘束を受けるなどの問題点
があつた。
５は、以上のように構成されているので、ストリ
ツプ線路２を構成する誘電体基板１ａ，１ｂの厚
みとRF整合終端素子５の厚みを等しくしなけれ
ばならない。誘電体基板１ａ，１ｂの厚みが第９
図のようにRF整合終端素子５より厚い場合、ス
トリツプ線路２とRF整合終端素子５は同電位に
ならないため、マイクロ波がRF整合終端素子５
に入力する時に生ずる反射損失は、第１０図に示
すように−15dBから−20dBと不安定になり、
RF整合終端素子にマイクロ波電力が十分吸収さ
れない問題があつた。また、RF整合終端素子５
の厚みとストリツプ線路２を構成する誘電体基板
１ａ，１ｂの厚みを等しくして使用するため、マ
イクロ波回路の設計に拘束を受けるなどの問題点
があつた。
この考案は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、誘電体基板１ａ，１ｂの厚み
がRF整合終端素子５より厚い場合でも、ストリ
ツプ線路２とRF整合終端素子５は同電位となり、
RF整合終端素子５にマイクロ波電力が入力する
時に生ずる反射損失を小さくし、RF整合終端素
子５に十分マイクロ波電力が吸収されることを目
的とする。
になされたもので、誘電体基板１ａ，１ｂの厚み
がRF整合終端素子５より厚い場合でも、ストリ
ツプ線路２とRF整合終端素子５は同電位となり、
RF整合終端素子５にマイクロ波電力が入力する
時に生ずる反射損失を小さくし、RF整合終端素
子５に十分マイクロ波電力が吸収されることを目
的とする。
この考案に係るRF整合終端素子５は、ストリ
ツプ線路２を形成する誘電体基板１ａ，１ｂの厚
みと同一になるように、RF整合終端素子５の上
下にスルーホールメツキした誘電体基板を取り付
けたものである。
ツプ線路２を形成する誘電体基板１ａ，１ｂの厚
みと同一になるように、RF整合終端素子５の上
下にスルーホールメツキした誘電体基板を取り付
けたものである。
この考案においては、RF整合終端素子５の上
下に取り付けたスルーホールメツキした誘電体基
板により、ストリツプ線路２とRF整合終端素子
５は同電位となり、マイクロ波電力RF整合終端
素子５に入力する時に生ずる反射損失は改善さ
れ、RF整合終端素子５に十分マイクロ波電力が
吸収される。
下に取り付けたスルーホールメツキした誘電体基
板により、ストリツプ線路２とRF整合終端素子
５は同電位となり、マイクロ波電力RF整合終端
素子５に入力する時に生ずる反射損失は改善さ
れ、RF整合終端素子５に十分マイクロ波電力が
吸収される。
第１図は、この考案の一実施例を示す一部削除
した斜視図である。図中、１ａから５は、上記従
来のRF整合終端素子と全く同一のものである。
６はRF整合終端素子５の厚みを誘電体基板１ａ，
１ｂと同一とするために付けられたスルーホール
メツキした誘電体基板である。
した斜視図である。図中、１ａから５は、上記従
来のRF整合終端素子と全く同一のものである。
６はRF整合終端素子５の厚みを誘電体基板１ａ，
１ｂと同一とするために付けられたスルーホール
メツキした誘電体基板である。
第２図は、誘電体基板６を挿入したRF整合終
端素子５の断面図である。
端素子５の断面図である。
また、第３図に誘電体基板１ａ，１ｂとRF整
合終端素子５の厚みを同一とするスルーホールメ
ツキした誘電体基板６の拡大図である。
合終端素子５の厚みを同一とするスルーホールメ
ツキした誘電体基板６の拡大図である。
上記のように構成されたRF整合終端素子５に
おいて、２枚の誘電体基板６を付けることによ
り、RF整合終端素子５と誘電体基板１ａと１ｂ
を押える金属板４に生ずる電位差とマイクロ波電
力がストリツプ線路２に流れる時に誘電体基板１
ａと１ｂの地板３間に生ずる電位差が同電位とな
り、マイクロ波電力がRF整合終端素子５に入力
する時に生ずる反射損失は、第４図に示すように
−25dB以下となり、RF整合終端素子５に十分マ
イクロ波電力が吸収される。
おいて、２枚の誘電体基板６を付けることによ
り、RF整合終端素子５と誘電体基板１ａと１ｂ
を押える金属板４に生ずる電位差とマイクロ波電
力がストリツプ線路２に流れる時に誘電体基板１
ａと１ｂの地板３間に生ずる電位差が同電位とな
り、マイクロ波電力がRF整合終端素子５に入力
する時に生ずる反射損失は、第４図に示すように
−25dB以下となり、RF整合終端素子５に十分マ
イクロ波電力が吸収される。
なお、上記実施例では、誘電体基板６を円柱形
で示したが四角形で形成してもよい。また、スト
リツプ線路２は、２枚の誘電体基板の中間に形成
したが、上下どちらによつてもRF整合終端素子
５に厚みの異なる誘電体基板６を取付けること
で、マイクロ波電力を十分吸収する効果を奏す
る。
で示したが四角形で形成してもよい。また、スト
リツプ線路２は、２枚の誘電体基板の中間に形成
したが、上下どちらによつてもRF整合終端素子
５に厚みの異なる誘電体基板６を取付けること
で、マイクロ波電力を十分吸収する効果を奏す
る。
ここでは、誘電体基板を２枚で説明したが、誘
電体基板の枚数を２枚以上で構成する多層化した
誘電体基板で使用するRF整合終端素子にも適用
できる。
電体基板の枚数を２枚以上で構成する多層化した
誘電体基板で使用するRF整合終端素子にも適用
できる。
この考案は、以上説明したように、ストリツプ
線路を用いた誘電体基板を使用して構成されるマ
イクロストリツプアンテナや給電回路等のRF整
合終端素子を設計する場合、RF整合終端素子の
厚みに拘束されずに誘電体基板の厚みを選定でき
るため、設計に自由度をもたせるという効果があ
る。
線路を用いた誘電体基板を使用して構成されるマ
イクロストリツプアンテナや給電回路等のRF整
合終端素子を設計する場合、RF整合終端素子の
厚みに拘束されずに誘電体基板の厚みを選定でき
るため、設計に自由度をもたせるという効果があ
る。
第１図はこの考案の一実施例を示す一部削除し
た斜視図、第２図はこの考案の断面図、第３図は
この考案に用いるスルーホールメツキした誘電体
基板の拡大図、第４図はこの考案によるRF整合
終端素子の電気的特性図、第５図はストリツプ線
路の一部削除した斜視図、第６図は従来のRF整
合終端素子の一部削除した斜視図、第７図は従来
のRF整合終端素子の断面図、第８図は従来のRF
整合終端素子の電気的特性図、第９図は誘電体基
板の厚みとRF整合終端素子の厚みが異なる場合
の断面図、第１０図は誘電体基板とRF整合終端
素子の厚みが異なる場合の電気的特性図である。 図中、１ａ，１ｂは誘電体基板Ａ，Ｂ、２はス
トリツプ線路、３は地板、４は誘電体基板を押え
る金属板、５はRF整合終端素子、６はスルーホ
ールメツキした誘電体基板である。なお、図中、
同一符号は同一あるいは相当部分を示す。
た斜視図、第２図はこの考案の断面図、第３図は
この考案に用いるスルーホールメツキした誘電体
基板の拡大図、第４図はこの考案によるRF整合
終端素子の電気的特性図、第５図はストリツプ線
路の一部削除した斜視図、第６図は従来のRF整
合終端素子の一部削除した斜視図、第７図は従来
のRF整合終端素子の断面図、第８図は従来のRF
整合終端素子の電気的特性図、第９図は誘電体基
板の厚みとRF整合終端素子の厚みが異なる場合
の断面図、第１０図は誘電体基板とRF整合終端
素子の厚みが異なる場合の電気的特性図である。 図中、１ａ，１ｂは誘電体基板Ａ，Ｂ、２はス
トリツプ線路、３は地板、４は誘電体基板を押え
る金属板、５はRF整合終端素子、６はスルーホ
ールメツキした誘電体基板である。なお、図中、
同一符号は同一あるいは相当部分を示す。
Claims (1)
- 片面にのみ導体を被着した誘電体基板、片面に
導体をまた他方の面にはストリツプ線路をそれぞ
れ被着した誘電体基板、これら２枚の誘電体基板
をそれぞれの導体が外側になるように重ね合せて
構成したトリプレート形ストリツプ線路とその誘
電体基板の厚さより薄いRF整合終端素子を接続
するのにRF整合終端素子の上，下面に２枚のス
ルーホールメツキした誘電体基板をそれぞれ接続
し、前記誘電体基板と同じ厚さにしたことを特徴
とするRF整合終端素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4104987U JPH0453041Y2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4104987U JPH0453041Y2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63149607U JPS63149607U (ja) | 1988-10-03 |
| JPH0453041Y2 true JPH0453041Y2 (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=30855688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4104987U Expired JPH0453041Y2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0453041Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP4104987U patent/JPH0453041Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63149607U (ja) | 1988-10-03 |
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