JPH0453221A - 電子ビーム露光装置 - Google Patents
電子ビーム露光装置Info
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- JPH0453221A JPH0453221A JP2162219A JP16221990A JPH0453221A JP H0453221 A JPH0453221 A JP H0453221A JP 2162219 A JP2162219 A JP 2162219A JP 16221990 A JP16221990 A JP 16221990A JP H0453221 A JPH0453221 A JP H0453221A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30433—System calibration
- H01J2237/3045—Deflection calibration
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- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
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- H01J2237/31776—Shaped beam
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、電子ビーム露光装置、特に、電子ビームによ
り試料の露光面を照射し、該露光面に微細パターンを形
成する装置に関し、 入射側偏向器及び射出側偏向器を効率的に較正すること
ができる電子ビーム露光装置を提供することを目的とし
、 電子銃と、電子ビームの光路中に配置され、繰り返し図
形の基本となる複数種類の開口パターンを有する基本パ
ターン部を備える透過マスク板と、該透過マスク板の入
射側に配置され、電子ビームを本来の光軸から透過マス
ク板の複数種類の開口パターンのうち所望の開口パター
ンに偏向する入射側偏向器と、前記透過マスク板の射出
側に配置され、前記所望の開口パターンからの電子ビー
ムを本来の光軸に偏向する射出側偏向器と、を含み、前
記入射側偏向器により選択された開口パターンを通過し
て整形された電子ビームで、試料の露光面を照射する電
子ビーム露光装置において前記透過マスク板は、入射側
偏向器により照射可能な範囲内全体に開口が形成され、
前記両偏向器相互間の偏向関係の較正に使用される第１
較正パターン部と、入射側偏向器により照射可能な範囲
内に同一形状の開口パターンが一定の間隔で形成され、
前記両偏向器の偏向特性の較正に使用される第２較正パ
ターン部と、のうち少なくとも一方を備えており、前記
透過マスク板を電子ビームに対して移動させ、基本パタ
ーン部あるいは第１較正パターン部あるいは第２較正パ
ターン部のうちいずれか１つが電子ビームの照射可能な
位置に到達するようにするマスク板駆動手段を備えるよ
うに構成し、 また、透過マスク板は、基本パターン部を備える基本透
過マスク板として使用され、入射側偏向器により照射可
能な範囲内全体に開口が形成され、前記両偏向器相互間
の偏向関係の較正に使用される第１較正パターン部を備
える第１較正透過マスク板と、入射側偏向器により照射
可能な範囲内に同一形状の開口パターンか一定の間隔で
形成され、前記両偏向器の偏向特性の較正に使用される
第２較正パターン部を備える第２較正透過マスク板との
うち少なくとも一方が備えられており、前記基本透過マ
スク板あるいは第１較正透過マスク板あるいは第２較正
透過マスク板のうちいずれか１つを電子ビームに対して
移動させ、基本パターン部あるいは第１較正パターン部
あるいは第２較正パターン部のうちいずれか１つが電子
ビームの照射可能な位置に到達するようにする選択移動
手段を備えるように構成する。
り試料の露光面を照射し、該露光面に微細パターンを形
成する装置に関し、 入射側偏向器及び射出側偏向器を効率的に較正すること
ができる電子ビーム露光装置を提供することを目的とし
、 電子銃と、電子ビームの光路中に配置され、繰り返し図
形の基本となる複数種類の開口パターンを有する基本パ
ターン部を備える透過マスク板と、該透過マスク板の入
射側に配置され、電子ビームを本来の光軸から透過マス
ク板の複数種類の開口パターンのうち所望の開口パター
ンに偏向する入射側偏向器と、前記透過マスク板の射出
側に配置され、前記所望の開口パターンからの電子ビー
ムを本来の光軸に偏向する射出側偏向器と、を含み、前
記入射側偏向器により選択された開口パターンを通過し
て整形された電子ビームで、試料の露光面を照射する電
子ビーム露光装置において前記透過マスク板は、入射側
偏向器により照射可能な範囲内全体に開口が形成され、
前記両偏向器相互間の偏向関係の較正に使用される第１
較正パターン部と、入射側偏向器により照射可能な範囲
内に同一形状の開口パターンが一定の間隔で形成され、
前記両偏向器の偏向特性の較正に使用される第２較正パ
ターン部と、のうち少なくとも一方を備えており、前記
透過マスク板を電子ビームに対して移動させ、基本パタ
ーン部あるいは第１較正パターン部あるいは第２較正パ
ターン部のうちいずれか１つが電子ビームの照射可能な
位置に到達するようにするマスク板駆動手段を備えるよ
うに構成し、 また、透過マスク板は、基本パターン部を備える基本透
過マスク板として使用され、入射側偏向器により照射可
能な範囲内全体に開口が形成され、前記両偏向器相互間
の偏向関係の較正に使用される第１較正パターン部を備
える第１較正透過マスク板と、入射側偏向器により照射
可能な範囲内に同一形状の開口パターンか一定の間隔で
形成され、前記両偏向器の偏向特性の較正に使用される
第２較正パターン部を備える第２較正透過マスク板との
うち少なくとも一方が備えられており、前記基本透過マ
スク板あるいは第１較正透過マスク板あるいは第２較正
透過マスク板のうちいずれか１つを電子ビームに対して
移動させ、基本パターン部あるいは第１較正パターン部
あるいは第２較正パターン部のうちいずれか１つが電子
ビームの照射可能な位置に到達するようにする選択移動
手段を備えるように構成する。
在、偏向器を効率的に較正することが望まれてい〔産業
上の利用分野〕 本発明は、電子ビーム露光装置、特に、電子ビームによ
り試料の露光面を照射し、該露光面に微細パターンを形
成する装置に関する。
上の利用分野〕 本発明は、電子ビーム露光装置、特に、電子ビームによ
り試料の露光面を照射し、該露光面に微細パターンを形
成する装置に関する。
近年、集積回路の高密度化に伴い、長年にわたって微細
回路パターン形成技術の主流であったフォトリソグラフ
ィに代わり、電子ビームを用いる露光方式の電子ビーム
露光装置が採用されている。
回路パターン形成技術の主流であったフォトリソグラフ
ィに代わり、電子ビームを用いる露光方式の電子ビーム
露光装置が採用されている。
この種の電子ビーム露光装置においては、電子銃から試
料への光路中に透過マスク板が配置され、該透過マスク
板は、複数種類の開口パターンを有している。透過マス
ク板の入射側、射出側には、それぞれ、入射側偏向器、
射出側偏向器が配置され、電子ビームは、該両偏向器に
より選択された透過マスク板の開口パターンを透過して
、試料の露光面を照射する。
料への光路中に透過マスク板が配置され、該透過マスク
板は、複数種類の開口パターンを有している。透過マス
ク板の入射側、射出側には、それぞれ、入射側偏向器、
射出側偏向器が配置され、電子ビームは、該両偏向器に
より選択された透過マスク板の開口パターンを透過して
、試料の露光面を照射する。
そして、電子ビームによる露光を正確に行うために、両
偏向器を較正することが必要であり、現る。
偏向器を較正することが必要であり、現る。
最近の電子ビーム露光装置としては、可変矩形ビーム方
式のものが多（使用されている。可変矩形ビーム方式の
電子ビーム露光装置は、回路パターンの線幅に応じて、
断面形状が矩形である電子ビームの当該矩形の大きさを
変えてワンショットずつ順次露光することによりＳ、ウ
ェーハ等の試料面上に回路パターンを描画するようにし
たものである。このような可変矩形ビーム方式の電子ビ
ーム露光装置は、一般にスループットが低いという問題
を有している。それは、矩形の電子ビームをパルス状に
間欠させて１シヨツトずつ露光し、これを形成すべき回
路パターンに沿って順次つなげて描画するため、回路パ
ターンのサイズが微細化するほど単位面積当りの露光シ
ョツト数が増加するからである。回路パターンの微細化
がさらに進んだ場合、このスループットはさらに大きな
問題となる。そこで、超微細パターンの露光を行うに際
して、より現実的なスループットを得るためのブロック
露光法が提案されている。
式のものが多（使用されている。可変矩形ビーム方式の
電子ビーム露光装置は、回路パターンの線幅に応じて、
断面形状が矩形である電子ビームの当該矩形の大きさを
変えてワンショットずつ順次露光することによりＳ、ウ
ェーハ等の試料面上に回路パターンを描画するようにし
たものである。このような可変矩形ビーム方式の電子ビ
ーム露光装置は、一般にスループットが低いという問題
を有している。それは、矩形の電子ビームをパルス状に
間欠させて１シヨツトずつ露光し、これを形成すべき回
路パターンに沿って順次つなげて描画するため、回路パ
ターンのサイズが微細化するほど単位面積当りの露光シ
ョツト数が増加するからである。回路パターンの微細化
がさらに進んだ場合、このスループットはさらに大きな
問題となる。そこで、超微細パターンの露光を行うに際
して、より現実的なスループットを得るためのブロック
露光法が提案されている。
ブロック露光法は、電子ビームの断面形状を整形する複
数種類の基本開口パターンブロックを１一つの基板上に
形成しておき、描画すべき回路パターンに応じて基本開
口パターンのブロックを使い分けることにより、多少複
雑な形状の回路パターンであっＣも１シヨツトで描画す
る方法である。
数種類の基本開口パターンブロックを１一つの基板上に
形成しておき、描画すべき回路パターンに応じて基本開
口パターンのブロックを使い分けることにより、多少複
雑な形状の回路パターンであっＣも１シヨツトで描画す
る方法である。
すなわち、超微細パターンが必要とされる半導体装置は
、例えば６４Ｍ−ＤＲＡＭのように、超微細ではあるが
、露光する回路パターンは、ある基本パターンの繰返し
である場合が多い。そこで、もし繰返しパターンの単位
となる基本パターンを、そのパターン自身の複雑さとは
無関係に、１シヨツトにて描画できれば、当該回路パタ
ーンの微細さによらず一定のスループットで露光するこ
とが可能となる。ブロック露光法は、このような考え方
から、複数の基本開口パターンをビーム整形用の透過マ
スク板上に形成し、その基本開口パターンを適宜使い分
けて、１ショット描画することにより、ショツト数を減
らしてスループットを向上させるようにしたものである
。
、例えば６４Ｍ−ＤＲＡＭのように、超微細ではあるが
、露光する回路パターンは、ある基本パターンの繰返し
である場合が多い。そこで、もし繰返しパターンの単位
となる基本パターンを、そのパターン自身の複雑さとは
無関係に、１シヨツトにて描画できれば、当該回路パタ
ーンの微細さによらず一定のスループットで露光するこ
とが可能となる。ブロック露光法は、このような考え方
から、複数の基本開口パターンをビーム整形用の透過マ
スク板上に形成し、その基本開口パターンを適宜使い分
けて、１ショット描画することにより、ショツト数を減
らしてスループットを向上させるようにしたものである
。
このようなブロック露光法は、例えば、ＩＥＥＥＴＲＡ
ＮＳ ＯＮ ＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ ｖｏ
ｌ、ＥＤ−２６（１９７９）６３３に示されており、第
５図には、ブロック露光法を実施するための従来の露光
装置が示されている。
ＮＳ ＯＮ ＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ ｖｏ
ｌ、ＥＤ−２６（１９７９）６３３に示されており、第
５図には、ブロック露光法を実施するための従来の露光
装置が示されている。
第５図において、透過マスク板（ステンシルマスク）１
０は、複数の（例えば５つの）開口パターン１２−１〜
１２−５を有し、開１ニコパターン１２−１〜１２−４
は、繰り返し図形の基本パターンであり、開口パターン
１２−５は、可変矩形用のパターンである。
０は、複数の（例えば５つの）開口パターン１２−１〜
１２−５を有し、開１ニコパターン１２−１〜１２−４
は、繰り返し図形の基本パターンであり、開口パターン
１２−５は、可変矩形用のパターンである。
電子銃］４からの電子ビーム１６は、矩形成形用アパー
チャ１−８により、その断面形状が矩形にされ、レンズ
２０を通り、パターン選択用偏向器（デフレクタ）２２
に収束する。電子ビーム１６は、偏向器２２により本来
の光軸２４から偏向され、透過マスク板１０の所望の開
口パターン、例えば１２−１−に照射される。なお−、
透過マスク板１．０の符号２６−１−〜２６−４は、偏
向器２２を調整するための開口パターンを示す。
チャ１−８により、その断面形状が矩形にされ、レンズ
２０を通り、パターン選択用偏向器（デフレクタ）２２
に収束する。電子ビーム１６は、偏向器２２により本来
の光軸２４から偏向され、透過マスク板１０の所望の開
口パターン、例えば１２−１−に照射される。なお−、
透過マスク板１．０の符号２６−１−〜２６−４は、偏
向器２２を調整するための開口パターンを示す。
前記所望の開口パターン１２−１で断面がパターン化さ
れた電子ビーム１６は、レンズ２８で収束され、本来の
光軸２４に戻される。更に、電子ビーム１６は、縮小レ
ンズ３０により、その断面が縮小され（例えば１／１０
０）、投影レンズ３２及び偏向器３４．３６により、試
料（ウエノ１）３８の露光面に照射される。
れた電子ビーム１６は、レンズ２８で収束され、本来の
光軸２４に戻される。更に、電子ビーム１６は、縮小レ
ンズ３０により、その断面が縮小され（例えば１／１０
０）、投影レンズ３２及び偏向器３４．３６により、試
料（ウエノ１）３８の露光面に照射される。
上記のような電子ビーム露光装置において、偏向器２２
で偏向され所望の開口パターン１２を通過した電子ビー
ム１６は、レンズ２８の収束作用だけで本来の光軸２４
に戻されるため、どの開口パターン１２が選択されるか
により、電子ビーム１６は、レンズ２８内の異なった経
路を通ることになり、この結果、レンズ収差の影響が生
じる。
で偏向され所望の開口パターン１２を通過した電子ビー
ム１６は、レンズ２８の収束作用だけで本来の光軸２４
に戻されるため、どの開口パターン１２が選択されるか
により、電子ビーム１６は、レンズ２８内の異なった経
路を通ることになり、この結果、レンズ収差の影響が生
じる。
そして、透過マスク板１０に多くの開口パターン１２を
形成するために、本来の光軸２４から半径方向にかなり
離れて開口パターン１２を形成した場合に、このような
離れ開口パターン１２を選択する際には、電子ビーム１
６は、かなり偏向された後、レンズ２８により本来の光
軸２４に戻されることになる。この結果、レンズ２８の
収差の影響が大きくなる。
形成するために、本来の光軸２４から半径方向にかなり
離れて開口パターン１２を形成した場合に、このような
離れ開口パターン１２を選択する際には、電子ビーム１
６は、かなり偏向された後、レンズ２８により本来の光
軸２４に戻されることになる。この結果、レンズ２８の
収差の影響が大きくなる。
上記のようなＩノンズ収差の影響を防止するために、次
のようなタイプの電子ビーム露光装置か提案されている
。
のようなタイプの電子ビーム露光装置か提案されている
。
透過マスク板の入射側、射出側には、それぞれ、入射側
レンズ、射出側レンズか配置され、該両レンズの間では
、電子ビームがほぼ平行ビームになるようにする。入射
側レンズと透過マスク板との間には、入射側偏向器か配
置され、同様にして、射出側レンズと透過マスク板との
間には、射出側偏向器が配置されている。
レンズ、射出側レンズか配置され、該両レンズの間では
、電子ビームがほぼ平行ビームになるようにする。入射
側レンズと透過マスク板との間には、入射側偏向器か配
置され、同様にして、射出側レンズと透過マスク板との
間には、射出側偏向器が配置されている。
そして、入射側レンズからの電子ビームは、入射側偏向
器により本来の光軸から偏向され、透過マスク板の所望
の開口パターンに照射される。その後、該所望の開口パ
ターンからの電子ビームは、射出側偏向器により本来の
光軸に戻され、創出側レンズに照射される。ここで、電
子ビームの偏向、偏向戻しの際には、電子ビームは、入
射側レンズの中心及び射出側レンズの中心を通るように
なっており、この結果、入射側レンズ及び射出側レンズ
の収差の影響が生じないようにしている。
器により本来の光軸から偏向され、透過マスク板の所望
の開口パターンに照射される。その後、該所望の開口パ
ターンからの電子ビームは、射出側偏向器により本来の
光軸に戻され、創出側レンズに照射される。ここで、電
子ビームの偏向、偏向戻しの際には、電子ビームは、入
射側レンズの中心及び射出側レンズの中心を通るように
なっており、この結果、入射側レンズ及び射出側レンズ
の収差の影響が生じないようにしている。
上記のような電子ビーム露光装置において、電子ビーム
による露光を正確に行うために、入射側偏向器及び射出
側偏向器を較正する必要があり、この較正には、次の２
種類がある。
による露光を正確に行うために、入射側偏向器及び射出
側偏向器を較正する必要があり、この較正には、次の２
種類がある。
■入射側偏向器により電子ビームが本来の光軸から変更
した場合に、該変更した電子ビームを射出側偏向器によ
り本来の光軸に正確に戻すための較正、すなわち、両偏
向器相互間の偏向関係の較正。
した場合に、該変更した電子ビームを射出側偏向器によ
り本来の光軸に正確に戻すための較正、すなわち、両偏
向器相互間の偏向関係の較正。
■ある偏向器駆動信号が供給されたときの入射側偏向器
及び射出側偏向器の偏向量を調整し、該偏向量を透過マ
スク板の所望の開口パターンに正確に合わせるための較
正、すなわち、両偏向器の偏向特性の較正。
及び射出側偏向器の偏向量を調整し、該偏向量を透過マ
スク板の所望の開口パターンに正確に合わせるための較
正、すなわち、両偏向器の偏向特性の較正。
本発明の目的は、入射側偏向器及び射出側偏向器を効率
的に較正することができる電子ビーム露光装置を提供す
ることにある。
的に較正することができる電子ビーム露光装置を提供す
ることにある。
第１発明は、電子ビーム７０の光路中に配置され、繰り
返し図形の基本となる複数種類の開口パターン４８〜５
４を有する基本パターン部４２を備える透過マスク板４
０と、該透過マスク板４０の入射側に配置され、電子ビ
ーム７０を本来の光軸９０から透過マスク板４０の複数
種類の開口パターン４８〜５４のうち所望の開口パター
ンに偏向する入射側偏向器８０．８２と、前記透過マス
ク板４０の射出側に配置され、前記所望の開口パターン
からの電子ビーム７０を本来の光軸９０に偏向する射出
側偏向器８４．８６と、を含み、前記入射側偏向器８０
．８２により選択された開口パターンを通過して整形さ
れた電子ビーム７０で、試料１０２の露光面を照射する
電子ビーム露光装置において、前記透過マスク板４０は
、入射側側内器８０．８２により照射可能な範囲内全体
に開口６４が形成され、前記両側内器８０．８２．８４
．８６相互間の偏向関係の較正に使用される第１較正パ
ターン部４４と、入射側偏向器８０．８２により照射可
能な範囲内に同一形状の開口パターン６６が一定の間隔
で形成され、前記両側内器８０．８２．８４．８６の偏
向特性の較正に使用される第２較正パターン部４６と、
のうち少なくとも一方を備えており、前記透過マスク板
４０を電子ビーム７０に対して移動させ、基本パターン
部４２あるいは較正パターン部４４あるいは４６のうち
いずれか１．つが電子ビーム７０の照射可能な位置に到
達するようにするマスク板駆動手段１０４を備えること
を特徴とする。
返し図形の基本となる複数種類の開口パターン４８〜５
４を有する基本パターン部４２を備える透過マスク板４
０と、該透過マスク板４０の入射側に配置され、電子ビ
ーム７０を本来の光軸９０から透過マスク板４０の複数
種類の開口パターン４８〜５４のうち所望の開口パター
ンに偏向する入射側偏向器８０．８２と、前記透過マス
ク板４０の射出側に配置され、前記所望の開口パターン
からの電子ビーム７０を本来の光軸９０に偏向する射出
側偏向器８４．８６と、を含み、前記入射側偏向器８０
．８２により選択された開口パターンを通過して整形さ
れた電子ビーム７０で、試料１０２の露光面を照射する
電子ビーム露光装置において、前記透過マスク板４０は
、入射側側内器８０．８２により照射可能な範囲内全体
に開口６４が形成され、前記両側内器８０．８２．８４
．８６相互間の偏向関係の較正に使用される第１較正パ
ターン部４４と、入射側偏向器８０．８２により照射可
能な範囲内に同一形状の開口パターン６６が一定の間隔
で形成され、前記両側内器８０．８２．８４．８６の偏
向特性の較正に使用される第２較正パターン部４６と、
のうち少なくとも一方を備えており、前記透過マスク板
４０を電子ビーム７０に対して移動させ、基本パターン
部４２あるいは較正パターン部４４あるいは４６のうち
いずれか１．つが電子ビーム７０の照射可能な位置に到
達するようにするマスク板駆動手段１０４を備えること
を特徴とする。
また、第２発明は、透過マスク板４０は、基本パターン
部１１０を備える基本透過マスク板１．０５として使用
され、入射側偏向器８０．８２により照射可能な範囲内
全体に開口６４が形成され、前記両側内器８０．８２．
８４．８６相互間の偏向関係の較正に使用される第１較
正パターン部１１２を備える第１較正透過マスク板１０
６と、入射側偏向器８０．８２により照射可能な範囲内
に同一形状の開口パターン６６が一定の間隔で形成され
、前記両側内器８０．８２．８４．８６の偏向特性の較
正に使用される第２較正パターン部１１４を備える第２
較正透過マスク板１０８とのうち少なくとも一方が備え
られており、前記基本透過マスク板１０５あるいは第１
較正透過マスク板１０６あるいは第２透過マスク板１０
８のうちいずれか１つを電子ヒーム７０に対して移動さ
せ、基本パターン部１−１０あるいは第１較正パターン
部１１−２あるいは第２較正パターン部１１４のうちい
ずれか１つが電子ビーム７０の照射可能な位置に到達す
るようにする選択移動手段１１６を備えることを特徴と
する。
部１１０を備える基本透過マスク板１．０５として使用
され、入射側偏向器８０．８２により照射可能な範囲内
全体に開口６４が形成され、前記両側内器８０．８２．
８４．８６相互間の偏向関係の較正に使用される第１較
正パターン部１１２を備える第１較正透過マスク板１０
６と、入射側偏向器８０．８２により照射可能な範囲内
に同一形状の開口パターン６６が一定の間隔で形成され
、前記両側内器８０．８２．８４．８６の偏向特性の較
正に使用される第２較正パターン部１１４を備える第２
較正透過マスク板１０８とのうち少なくとも一方が備え
られており、前記基本透過マスク板１０５あるいは第１
較正透過マスク板１０６あるいは第２透過マスク板１０
８のうちいずれか１つを電子ヒーム７０に対して移動さ
せ、基本パターン部１−１０あるいは第１較正パターン
部１１−２あるいは第２較正パターン部１１４のうちい
ずれか１つが電子ビーム７０の照射可能な位置に到達す
るようにする選択移動手段１１６を備えることを特徴と
する。
第１発明において、入射側偏向器及び射出側偏向器の較
正は、次にように行われる。
正は、次にように行われる。
まず、マスク板駆動手段１０４により透過マスり板４０
を移動させ、第１較正パターン部４４か電子ビーｌえ７
０の照射可能な位置に到達するようにする。この状態で
、第１較正パターン部４４の開口６４を使用して、両側
内器８０．８２．８４．８６相互間の偏向関係の較正が
なされ、すなわち、入射側偏向器８０．８２により電子
ビーム７０か本来の光軸９０から変更した場合に、該偏
向した電子ビーム７０を射出側偏向器８４．８６により
本来の光軸９０に正確に戻すための較正がなされる。
を移動させ、第１較正パターン部４４か電子ビーｌえ７
０の照射可能な位置に到達するようにする。この状態で
、第１較正パターン部４４の開口６４を使用して、両側
内器８０．８２．８４．８６相互間の偏向関係の較正が
なされ、すなわち、入射側偏向器８０．８２により電子
ビーム７０か本来の光軸９０から変更した場合に、該偏
向した電子ビーム７０を射出側偏向器８４．８６により
本来の光軸９０に正確に戻すための較正がなされる。
更に、マスク板駆動手段１０４により透過マスク板４０
を移動させ、第２較正パターン部４６が電子ビーム７０
の照射可能な位置に到達するようにする。この状態で、
第２較正パターン部４６の同一形状の一定間隔の開口パ
ターン６６を使用して、両側内器８０．８２．８４．８
６の偏向特性の較正がなされ、すなわち、ある偏向器駆
動信号が供給されたときの両側内器８０．８２．８４．
８６の偏向量を調整し、該偏向量を所望の開口パターン
６６に正確に合わせるための較正がなされる。
を移動させ、第２較正パターン部４６が電子ビーム７０
の照射可能な位置に到達するようにする。この状態で、
第２較正パターン部４６の同一形状の一定間隔の開口パ
ターン６６を使用して、両側内器８０．８２．８４．８
６の偏向特性の較正がなされ、すなわち、ある偏向器駆
動信号が供給されたときの両側内器８０．８２．８４．
８６の偏向量を調整し、該偏向量を所望の開口パターン
６６に正確に合わせるための較正がなされる。
更に、マスク板駆動手段１０４により透過マスク板４０
を移動させ、透過マスク板４０の基本パターン部４２が
電子ビーム７０の照射可能な位置に到達するようにする
。この状態で、基本パターン部４２の複数種類の開口パ
ターン４８〜５４を使用して、該開口パターン４８〜５
４に合わせて両側内器８０．８２．８４．８６の微調整
を行う。
を移動させ、透過マスク板４０の基本パターン部４２が
電子ビーム７０の照射可能な位置に到達するようにする
。この状態で、基本パターン部４２の複数種類の開口パ
ターン４８〜５４を使用して、該開口パターン４８〜５
４に合わせて両側内器８０．８２．８４．８６の微調整
を行う。
そして、この状態で、基本パターン部４２を使用して、
試料１０２の露光面に実際の露光がなされる。
試料１０２の露光面に実際の露光がなされる。
以上のようにして、１つの透過マスク板４０により、較
正及び実際の露光かなされる。
正及び実際の露光かなされる。
次に、第２発明においては、基本パターン部１１−０、
第１較正パターン部１１２、第２較正パターン部１１４
がそれぞれ別個の基本透過マスク板１０５、第１較正透
過マスク板１０６、第２較正透過マスク板１０８に形成
されている。そして、選択移動手段１１６により、前記
透過マスク板１０５．１０６．１０８のパターン部１１
０、１１．２．１．１４のうちいずれか１つを電子ビー
ム７０の照射可能な位置に到達させることにより、前記
第１−発明と同様の作用がなされる。
第１較正パターン部１１２、第２較正パターン部１１４
がそれぞれ別個の基本透過マスク板１０５、第１較正透
過マスク板１０６、第２較正透過マスク板１０８に形成
されている。そして、選択移動手段１１６により、前記
透過マスク板１０５．１０６．１０８のパターン部１１
０、１１．２．１．１４のうちいずれか１つを電子ビー
ム７０の照射可能な位置に到達させることにより、前記
第１−発明と同様の作用がなされる。
以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例を説明する
。
。
第１図には、本発明の実施例による露光装置が示され、
第２図には、第１図の露光装置に使用される透過マスク
板の平面が示され、第３図には、第２図の■−■断面の
一部が示されている。
第２図には、第１図の露光装置に使用される透過マスク
板の平面が示され、第３図には、第２図の■−■断面の
一部が示されている。
まず、第２．３図において、透過マスク板４゜は、基本
パターン部４２、第１較正パターン部４４、第２較正パ
ターン部４６を備えている。
パターン部４２、第１較正パターン部４４、第２較正パ
ターン部４６を備えている。
なお、透過マスク板４０は、Ｓ 等の半導体あるいは金
属板等から構成されており、このマスク板４０にエツチ
ング技術を用いて抜きパターンを形成することにより、
開口パターンを形成することができる。
属板等から構成されており、このマスク板４０にエツチ
ング技術を用いて抜きパターンを形成することにより、
開口パターンを形成することができる。
基本パターン部４２は、電子ビームの照射可能な範囲内
に、繰り返し図形の基本となる複数種類の開口パターン
４８．５０，５２．５４を有している。なお、開口パタ
ーン５４は、可変矩形用のパターンである。そして、各
開口パターン４８．５０．５２．５４により、パターン
ブロック５６．５８．６０．６２か構成される。
に、繰り返し図形の基本となる複数種類の開口パターン
４８．５０，５２．５４を有している。なお、開口パタ
ーン５４は、可変矩形用のパターンである。そして、各
開口パターン４８．５０．５２．５４により、パターン
ブロック５６．５８．６０．６２か構成される。
第１較正パターン部４４は、電子ビームの照射可能な範
囲内全体に開口６４を有している。
囲内全体に開口６４を有している。
第２較正パターン部４６は、電子ビームの照射可能な範
囲内に同一形状の一定間隔の開口パターン６６を有して
いる。
囲内に同一形状の一定間隔の開口パターン６６を有して
いる。
次に、第１図において、光学系は、電子ビーム鏡筒（図
示せず）内に収納され、電子ビーム鏡筒内の」一部には
、電子銃６８が配置されている。電子銃６８からの電子
ビーム７ｏは、矩形成形用アパーチャア２を通り、その
断面形状が矩形にされ、レンズ７４、偏向器７６、レン
ズ７８を通り、透過マスク板４０（第２．３図参照）に
照射される。
示せず）内に収納され、電子ビーム鏡筒内の」一部には
、電子銃６８が配置されている。電子銃６８からの電子
ビーム７ｏは、矩形成形用アパーチャア２を通り、その
断面形状が矩形にされ、レンズ７４、偏向器７６、レン
ズ７８を通り、透過マスク板４０（第２．３図参照）に
照射される。
なお、レンズ７８は、電子ビーム７ｏを平行ビームにす
るためのものである。
るためのものである。
透過マスク板４０とレンズ７８との間には、入射側偏向
器８０．８２が配置され、また、透過マスク板４０の下
方には、射出側偏向器８４．８６が配置されており、該
偏向器８０．８２．８４．８６は、偏向器駆動手段８８
により駆動される。
器８０．８２が配置され、また、透過マスク板４０の下
方には、射出側偏向器８４．８６が配置されており、該
偏向器８０．８２．８４．８６は、偏向器駆動手段８８
により駆動される。
すなわち、入射側偏向器８０．８２は、電子ビーム７０
を本来の光軸９０から偏向させるように作動し、射出側
偏向器８４．８６は、電子ビーム７０を本来の光軸９０
に戻すように作動する。
を本来の光軸９０から偏向させるように作動し、射出側
偏向器８４．８６は、電子ビーム７０を本来の光軸９０
に戻すように作動する。
射出側偏向器８４．８６からの電子ビーム７０は、レン
ズ９２を通り、縮小レンズ９４でその断面が縮小され、
絞りアパーチャ９６を通り、投影レンズ９８、偏向器１
００を通り、試料（ウェハ）１０２の露光面に照射され
る。
ズ９２を通り、縮小レンズ９４でその断面が縮小され、
絞りアパーチャ９６を通り、投影レンズ９８、偏向器１
００を通り、試料（ウェハ）１０２の露光面に照射され
る。
なお、前記透過マスク板４０は、マスク板駆動手段１０
４により、光軸９０と直交方向に移動可能である。
４により、光軸９０と直交方向に移動可能である。
次に、上記露光装置の作用を第１．２．３図に基づいて
説明する。
説明する。
まず、マスク板駆動手段１０４により、透過マスク板４
０を移動させ、透過マスク板４０の第１較正パターン部
４４が電子ビーム７０の照射可能な（すなわち偏向可能
な）位置に到達するようにする。この状態で、第１較正
パターン部４４の開［ｊ６４を使用して、入射側偏向器
８０．８２相互間の偏向関係の較正がなされ、すなわち
、偏向器８０により電子ビーノ、７０が偏向した場合に
、偏向器８２により電子ビーム７０か光軸９０に平行に
なるようにする。更に、射出側偏向器８４．８６相互間
の偏向関係の較正がなされいすなわち、偏向器８４によ
り電子ビーム７０が戻された場合に、偏向器８６により
電子ビーム７０が光軸９０に平行あるいは一致するよう
にする。更に、入射側偏向器８０．８２、射出側偏向器
８４．８６相互間の偏向関係の較正がなされ、すなわち
、入射側偏向器８０．８２により電子ビーム７０が本来
の光軸９０から変更した場合に、該変更した電子ビーム
７０を射出側偏向器８４．８６により本来の光軸９０に
正確に戻すための較正がなされる。
０を移動させ、透過マスク板４０の第１較正パターン部
４４が電子ビーム７０の照射可能な（すなわち偏向可能
な）位置に到達するようにする。この状態で、第１較正
パターン部４４の開［ｊ６４を使用して、入射側偏向器
８０．８２相互間の偏向関係の較正がなされ、すなわち
、偏向器８０により電子ビーノ、７０が偏向した場合に
、偏向器８２により電子ビーム７０か光軸９０に平行に
なるようにする。更に、射出側偏向器８４．８６相互間
の偏向関係の較正がなされいすなわち、偏向器８４によ
り電子ビーム７０が戻された場合に、偏向器８６により
電子ビーム７０が光軸９０に平行あるいは一致するよう
にする。更に、入射側偏向器８０．８２、射出側偏向器
８４．８６相互間の偏向関係の較正がなされ、すなわち
、入射側偏向器８０．８２により電子ビーム７０が本来
の光軸９０から変更した場合に、該変更した電子ビーム
７０を射出側偏向器８４．８６により本来の光軸９０に
正確に戻すための較正がなされる。
次に、マスク板駆動手段１０４により、透過マスフ板４
０を移動させ、透過マスク板４０の第２較正パターン部
４６が電子ビーム７０の照射可能な（すなわち偏向可能
な）位置に到達するようにする。この状態で、第２較正
パターン部４６の同一形状の一定間隔の開口パターン６
６を使用して、偏向器８０．８２．８４．８６の偏向特
性の較正がなされる。すなわち、ある偏向器駆動信号が
供給されたときの偏向器８０．８２．８４．８６の偏向
量を調整し、該偏向量を所望の１つの開口パターン６６
に正確に合わせるための較正がなされる。
０を移動させ、透過マスク板４０の第２較正パターン部
４６が電子ビーム７０の照射可能な（すなわち偏向可能
な）位置に到達するようにする。この状態で、第２較正
パターン部４６の同一形状の一定間隔の開口パターン６
６を使用して、偏向器８０．８２．８４．８６の偏向特
性の較正がなされる。すなわち、ある偏向器駆動信号が
供給されたときの偏向器８０．８２．８４．８６の偏向
量を調整し、該偏向量を所望の１つの開口パターン６６
に正確に合わせるための較正がなされる。
次に、マスク板駆動手段１０４により、透過マスク板４
０を移動させ、透過マスク板４０の基本パターン部４２
が電子ビーム７０の照射可能な（すなわち偏向可能な）
位置に到達するようにする。この状態で、基本パターン
部４２の複数種類の開口パターン４８．５０．５２．５
４を使用して、該開口パターンに合わせて偏向器８０．
８２．８４．８６の微調整を行う。
０を移動させ、透過マスク板４０の基本パターン部４２
が電子ビーム７０の照射可能な（すなわち偏向可能な）
位置に到達するようにする。この状態で、基本パターン
部４２の複数種類の開口パターン４８．５０．５２．５
４を使用して、該開口パターンに合わせて偏向器８０．
８２．８４．８６の微調整を行う。
以上のようにして、偏向器８０．８２．８４．８６の較
正及び微調整がなされた後、透過マスク板４０の基本パ
ターン部４２を使用して、試料］、、 ０２の露光面に
実際の露光がなされる。以下、この実際の露光について
説明する。
正及び微調整がなされた後、透過マスク板４０の基本パ
ターン部４２を使用して、試料］、、 ０２の露光面に
実際の露光がなされる。以下、この実際の露光について
説明する。
前述したように、基本パターン部４２は、開口パターン
４８．５０．５２．５４を宵するパターンブロック５６
．５８．６０．６２を備えている。
４８．５０．５２．５４を宵するパターンブロック５６
．５８．６０．６２を備えている。
これらのパターンブロック５６．５８．６０．６２は、
電子ビーム７０の照射可能な（すなわち偏向可能な）領
域内に配置されており、また、１つのパターンブロック
の形状は、電子ビーム７０の断面形状に対応している。
電子ビーム７０の照射可能な（すなわち偏向可能な）領
域内に配置されており、また、１つのパターンブロック
の形状は、電子ビーム７０の断面形状に対応している。
そして、偏向器駆動手段８８により偏向器８０゜８２．
８４．８６を駆動することにより、電子ビーム７０は、
パターンブロック５６．５８．６０．６２のうち選択さ
れた１つのパターンブロックに照射される。これにより
、パターンブロック５６．５８．６０．６２のうち所望
の１一つのパターンブロックの開口パターンにより、試
料１０２が露光されることとなる。
８４．８６を駆動することにより、電子ビーム７０は、
パターンブロック５６．５８．６０．６２のうち選択さ
れた１つのパターンブロックに照射される。これにより
、パターンブロック５６．５８．６０．６２のうち所望
の１一つのパターンブロックの開口パターンにより、試
料１０２が露光されることとなる。
以上のようにして、試料１０２にブロック露光がなされ
る。
る。
次に、第４図には、他の実施例による透過マスク板の正
面が示されている。
面が示されている。
第４図において、符号１０５．１０６．１０８は、それ
ぞれ、別個の基本透過マスク板、第１較正透過マスク板
、第２較正透過マスク板を示し、透過マスク板１０５、
］−０６，１０８は、それぞれ、前記第２．３図と同様
の基本パターン部１１０、第１較正パターン部１１−２
、第２較正パターン部１１４を備えている。そして、選
択移動手段１１６により、透過マスク板１０５．１０６
．１０８のパターン部１１０．１１２．１１４のうちい
ずれか１つを電子ビームの照射可能な（すなわち偏向可
能な）位置に到達させることにより、前記実施例と同様
の作用がなされる。
ぞれ、別個の基本透過マスク板、第１較正透過マスク板
、第２較正透過マスク板を示し、透過マスク板１０５、
］−０６，１０８は、それぞれ、前記第２．３図と同様
の基本パターン部１１０、第１較正パターン部１１−２
、第２較正パターン部１１４を備えている。そして、選
択移動手段１１６により、透過マスク板１０５．１０６
．１０８のパターン部１１０．１１２．１１４のうちい
ずれか１つを電子ビームの照射可能な（すなわち偏向可
能な）位置に到達させることにより、前記実施例と同様
の作用がなされる。
以上説明したように、本発明によれば、透過マスク板が
較正パターン部を備えているので、入射側偏向器及び射
出側偏向器を効率的に較正することができる。
較正パターン部を備えているので、入射側偏向器及び射
出側偏向器を効率的に較正することができる。
第１図は、本発明実施例による露光装置の説明図、
第２図は、透過マスク板の平面図、
第３図は、第２図のｍ−ｍ断面図、
第４図は、他の実施例による透過マスク板の正面図、
第５図は、従来の露光装置の説明図である。
４０・・・透過マスク板
４２・・・基本パターン部
４４・・・第１較正パターン部
４６・・・第２較正パターン部
４８．５０，５２．５４・・・開口パターン５６．５８
．６０．６２・パターンブロック６４・・開口 ６６・・開口パターン ６８・・・電子銃 ０・・・電子ビーム ０．８２・・・入射側偏向器 ４．８６・・・射出側偏向器 ８・・・偏向器駆動手段 ０・・・本来の光軸 ０２・・・試料 ０４・・・マスク板駆動手段
．６０．６２・パターンブロック６４・・開口 ６６・・開口パターン ６８・・・電子銃 ０・・・電子ビーム ０．８２・・・入射側偏向器 ４．８６・・・射出側偏向器 ８・・・偏向器駆動手段 ０・・・本来の光軸 ０２・・・試料 ０４・・・マスク板駆動手段
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電子銃（６８）と、 電子ビーム（７０）の光路中に配置され、繰り返し図形
の基本となる複数種類の開口パターン（４８〜５４）を
有する基本パターン部（４２）を備える透過マスク板（
４０）と、 該透過マスク板（４０）の入射側に配置され、電子ビー
ム（７０）を本来の光軸（９０）から透過マスク板（４
０）の複数種類の開口パターン（４８〜５４）のうち所
望の開口パターンに偏向する入射側偏向器（８０、８２
）と、 前記透過マスク板（４０）の射出側に配置され、前記所
望の開口パターンからの電子ビーム（７０）を本来の光
軸（９０）に偏向する射出側偏向器（８４、８６）と、
を含み、 前記入射側偏向器（８０、８２）により選択された開口
パターンを通過して整形された電子ビーム（７０）で、
試料（１０２）の露光面を照射する電子ビーム露光装置
において、 前記透過マスク板（４０）は、 入射側偏向器（８０、８２）により照射可能な範囲内全
体に開口（６４）が形成され、前記両偏向器（８０、８
２、８４、８６）相互間の偏向関係の較正に使用される
第１較正パターン部（４４）と、 入射側偏向器（８０、８２）により照射可能な範囲内に
同一形状の開口パターン（６６）が一定の間隔で形成さ
れ、前記両偏向器（８０、８２、８４、８６）の偏向特
性の較正に使用される第２較正パターン部（４６）と、 のうち少なくとも一方を備えており、 前記透過マスク板（４０）を電子ビーム（７０）に対し
て移動させ、基本パターン部（４２）あるいは第１較正
パターン部（４４）あるいは第２較正パターン部（４６
）のうちいずれか１つが電子ビーム（７０）の照射可能
な位置に到達するようにするマスク板駆動手段（１０４
）を備えることを特徴とする電子ビーム露光装置。 ２、請求項１記載の透過マスク板（４０）は、基本パタ
ーン部（１１０）を備える基本透過マスク板（１０５）
として使用され、 入射側偏向器（８０、８２）により照射可能な範囲内全
体に開口（６４）が形成され、前記両偏向器（８０、８
２、８４、８６）相互間の偏向関係の較正に使用される
第１較正パターン部（１１２）を備える第１較正透過マ
スク板（１０６）と、 入射側偏向器（８０、８２）により照射可能な範囲内に
同一形状の開口パターン（６６）が一定の間隔で形成さ
れ、前記両偏向器（８０、８２、８４、８６）の偏向特
性の較正に使用される第２較正パターン部（１１４）を
備える第２較正透過マスク板（１０８）と、 のうち少なくとも一方が備えられており、 前記基本透過マスク板（１０５）あるいは第１較正透過
マスク板（１０６）あるいは第２較正透過マスク板（１
０８）のうちいずれか１つを電子ビーム（７０）に対し
て移動させ、基本パターン部（１１０）あるいは第１較
正パターン部（１１２）あるいは第２較正パターン部（
１１４）のうちいずれか１つが電子ビーム（７０）の照
射可能な位置に到達するようにする選択移動手段（１１
６）を備えることを特徴とする電子ビーム露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2162219A JP2837515B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 電子ビーム露光装置 |
| US07/718,378 US5105089A (en) | 1990-06-20 | 1991-06-20 | Electron beam exposure system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2162219A JP2837515B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 電子ビーム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0453221A true JPH0453221A (ja) | 1992-02-20 |
| JP2837515B2 JP2837515B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=15750229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2162219A Expired - Fee Related JP2837515B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 電子ビーム露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5105089A (ja) |
| JP (1) | JP2837515B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5223719A (en) * | 1990-07-06 | 1993-06-29 | Fujitsu Limited | Mask for use in a charged particle beam apparatus including beam passing sections |
| JP3173162B2 (ja) * | 1992-08-20 | 2001-06-04 | 富士通株式会社 | 透過マスク板 |
| US5523580A (en) * | 1993-12-23 | 1996-06-04 | International Business Machines Corporation | Reticle having a number of subfields |
| US5674413A (en) * | 1993-12-23 | 1997-10-07 | International Business Machines Corporation | Scattering reticle for electron beam systems |
| US5466904A (en) * | 1993-12-23 | 1995-11-14 | International Business Machines Corporation | Electron beam lithography system |
| US5798528A (en) * | 1997-03-11 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Correction of pattern dependent position errors in electron beam lithography |
| US5920073A (en) * | 1997-04-22 | 1999-07-06 | Schlumberger Technologies, Inc. | Optical system |
| JPH11186150A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-07-09 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置並びにそのマスクアライメント方法及び装置較正方法 |
| JP2001085303A (ja) | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Toshiba Corp | 荷電ビーム露光装置及び荷電ビーム露光方法 |
| JP2001126978A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、その調整方法、及び調整に使用するブロックマスク |
| JP4585661B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2010-11-24 | キヤノン株式会社 | 電子光学系アレイ、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP2001284230A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法 |
| JP4947841B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2012-06-06 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置 |
| JP2001283756A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法 |
| JP4947842B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2012-06-06 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置 |
| JP6349944B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2018-07-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1990
- 1990-06-20 JP JP2162219A patent/JP2837515B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1991
- 1991-06-20 US US07/718,378 patent/US5105089A/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| JP2837515B2 (ja) | 1998-12-16 |
| US5105089A (en) | 1992-04-14 |
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