JPH0453273A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH0453273A JPH0453273A JP16320890A JP16320890A JPH0453273A JP H0453273 A JPH0453273 A JP H0453273A JP 16320890 A JP16320890 A JP 16320890A JP 16320890 A JP16320890 A JP 16320890A JP H0453273 A JPH0453273 A JP H0453273A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- semiconductor pressure
- gauge
- lead wire
- sensor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ブリッジ配線されたセンサチップを備えた半
導体圧力センサに関するものである。
導体圧力センサに関するものである。
従来、この種の半導体圧力センサは第２図に示すように
構成されている。これを同図に基づいて説明すると、同
図において、符号１で示すものはダイヤフラム領域２に
Ｉｌ （アルミニウム）からなる導線部３によってＢ
（ボロン）からなるゲージ抵抗部４がブリッジ配線され
たセンサチップである。
構成されている。これを同図に基づいて説明すると、同
図において、符号１で示すものはダイヤフラム領域２に
Ｉｌ （アルミニウム）からなる導線部３によってＢ
（ボロン）からなるゲージ抵抗部４がブリッジ配線され
たセンサチップである。
ごのよ・うに構成された半導体圧カセンザにおいては、
ダイヤフラム領域２に圧力が加わると、ゲージ抵抗部４
の抵抗値が変化し、この抵抗値変化に応して電圧が出力
される。なお、この出力電圧は、ダイヤフラムに発生ず
る応力によって変化する。
ダイヤフラム領域２に圧力が加わると、ゲージ抵抗部４
の抵抗値が変化し、この抵抗値変化に応して電圧が出力
される。なお、この出力電圧は、ダイヤフラムに発生ず
る応力によって変化する。
次に、従来の半導体圧力センＩ十を製造する方法につい
て説明する。
て説明する。
先ず、センサチップ１に不純物としてのボロンを拡散す
ることにより４個のゲージ抵抗部４を形成する。次に、
これらゲージ抵抗部４を導線部３によってブリッジ配線
する。
ることにより４個のゲージ抵抗部４を形成する。次に、
これらゲージ抵抗部４を導線部３によってブリッジ配線
する。
このようにして、半導体圧力センサを製造することがで
きる。
きる。
ところで、この種の半導体圧カセンザにおいては、セン
サチップ１の熱膨張係数と導線部３の熱膨張係数が互い
に異なるため、温度変化に対して加圧力以外の応力が発
生していた。さらに、センサチップ１の材料としてのＳ
ｉ （シリコン）は完全弾性体であり、これに対して導
線部３の材料としての＾ρ（アルミニウム）は非完全弾
性体であるため、各材料の復元性が互いに異なり、温度
変化に対して両材料間に残留応力が発生していた。この
結果、例えば常温−低温一常温一高温一常温といった温
度変化があると、各常温下で熱ヒステリシスが発生し、
センサとしての信頼性が低下するという問題があった。
サチップ１の熱膨張係数と導線部３の熱膨張係数が互い
に異なるため、温度変化に対して加圧力以外の応力が発
生していた。さらに、センサチップ１の材料としてのＳ
ｉ （シリコン）は完全弾性体であり、これに対して導
線部３の材料としての＾ρ（アルミニウム）は非完全弾
性体であるため、各材料の復元性が互いに異なり、温度
変化に対して両材料間に残留応力が発生していた。この
結果、例えば常温−低温一常温一高温一常温といった温
度変化があると、各常温下で熱ヒステリシスが発生し、
センサとしての信頼性が低下するという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、温度
変化に対して発生ずる熱ヒステリシスを低減することが
でき、もってセンサとしての信頼性を高めることができ
る半導体圧カセンザを提供するものである。
変化に対して発生ずる熱ヒステリシスを低減することが
でき、もってセンサとしての信頼性を高めることができ
る半導体圧カセンザを提供するものである。
本発明に係る半導体圧力センサは、ダイヤフラム領域に
導線部によってゲージ抵抗部がブリッジ配線されたセン
サチップからなり、このセンサチップの導線部およびゲ
ージ抵抗部を不純物の拡散によって形成し、導線部の不
純物濃度をゲージ抵抗部の不純物濃度より大きい濃度に
設定したものである。
導線部によってゲージ抵抗部がブリッジ配線されたセン
サチップからなり、このセンサチップの導線部およびゲ
ージ抵抗部を不純物の拡散によって形成し、導線部の不
純物濃度をゲージ抵抗部の不純物濃度より大きい濃度に
設定したものである。
本発明においては、導線部およびゲージ抵抗部を拡散に
よって形成することにより、温度変化かあ−っても加圧
力以外の応力の発生を抑制するごとができる。
よって形成することにより、温度変化かあ−っても加圧
力以外の応力の発生を抑制するごとができる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係る半導体圧力センサを示す平面図で
ある。同図において、符号１工で示すものはダイヤフラ
ム領域］２に導線部１３によって４個のゲージ抵抗部１
４がブリ、ジ配線されたセンサチップである。このセン
サチップ１１の導線部１３およびゲージ抵抗部１４ば、
不純物としてのＢ（ボロン）を拡散することにより形成
されている。そして、導線部１３の不純物濃度は、ゲー
ジ抵抗部１４の不純物濃度より大きい濃度に設定されて
いる。
ある。同図において、符号１工で示すものはダイヤフラ
ム領域］２に導線部１３によって４個のゲージ抵抗部１
４がブリ、ジ配線されたセンサチップである。このセン
サチップ１１の導線部１３およびゲージ抵抗部１４ば、
不純物としてのＢ（ボロン）を拡散することにより形成
されている。そして、導線部１３の不純物濃度は、ゲー
ジ抵抗部１４の不純物濃度より大きい濃度に設定されて
いる。
このように構成された半導体圧力センサにおいては、導
線部１３およびゲージ抵抗部１４を拡散によって形成す
ることにより、温度変化があっても加圧力以外の応力（
残留応力等）の発生を抑制することができる。すなわち
、センサチップ１１の各物質は、完全弾性体からなる材
料のみによって形成されているため、温度変化に対して
各物質の復元性が異なることがないからである。
線部１３およびゲージ抵抗部１４を拡散によって形成す
ることにより、温度変化があっても加圧力以外の応力（
残留応力等）の発生を抑制することができる。すなわち
、センサチップ１１の各物質は、完全弾性体からなる材
料のみによって形成されているため、温度変化に対して
各物質の復元性が異なることがないからである。
したがって、本実施例においては、仮に常温−・低温−
常温一高温一常温といった温度変化があっても、各常温
下で発生する熱ヒステリシスを低減することができる。
常温一高温一常温といった温度変化があっても、各常温
下で発生する熱ヒステリシスを低減することができる。
次に、本発明における半導体圧力センサの製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
すなわち、半導体圧力センサの製造は、センサチップ１
１に不純物としてのボロンを拡散（Ｐ拡散）して４個の
ゲージ抵抗部１４と導線部１３をブリッジ配線すること
により行・う。
１に不純物としてのボロンを拡散（Ｐ拡散）して４個の
ゲージ抵抗部１４と導線部１３をブリッジ配線すること
により行・う。
なお、このブリッジ配線は、ウェハプロセスにおけるダ
ブルヘース工程で形成する。
ブルヘース工程で形成する。
因に、本発明においては、従来と同様にダイヤフラム領
域１２に圧力が加わると、ゲージ抵抗部１４の抵抗値が
変化し、この抵抗値変化に応して電圧が出力される。
域１２に圧力が加わると、ゲージ抵抗部１４の抵抗値が
変化し、この抵抗値変化に応して電圧が出力される。
以上説明した。）、うに本発明によれば、ダイヤフラム
領域に導線部によってゲージ抵抗部がブリ・７ジ配線さ
れたセンサチップからなり、このセンサチップの薄線部
およびゲージ抵抗部を不純物の拡散によって形成し、導
線部の不純物濃度をゲージ抵抗部の不純物濃度より大き
い濃度に設定したので、温度変化があっても加圧力以外
の応力の発生を抑制することができる。したがって、温
度変化に対して発生ずる熱ヒステリシスを低減すること
ができるから、センサとしての信頼性を高めることがで
きる。
領域に導線部によってゲージ抵抗部がブリ・７ジ配線さ
れたセンサチップからなり、このセンサチップの薄線部
およびゲージ抵抗部を不純物の拡散によって形成し、導
線部の不純物濃度をゲージ抵抗部の不純物濃度より大き
い濃度に設定したので、温度変化があっても加圧力以外
の応力の発生を抑制することができる。したがって、温
度変化に対して発生ずる熱ヒステリシスを低減すること
ができるから、センサとしての信頼性を高めることがで
きる。
第１図は本発明に係る半導体圧力センサを示す平面図、
第２図は従来の半導体圧カセンザを示す平面図である。 １１・・・・センザチソブ、１２・・・・ダイヤフラム
領域、１３・・・・導線部、１４・・・・ゲージ抵抗部
。
第２図は従来の半導体圧カセンザを示す平面図である。 １１・・・・センザチソブ、１２・・・・ダイヤフラム
領域、１３・・・・導線部、１４・・・・ゲージ抵抗部
。
Claims (1)
- ダイヤフラム領域に導線部によってゲージ抵抗部がブ
リッジ配線されたセンサチップからなり、このセンサチ
ツプの導線部およびゲージ抵抗部を不純物の拡散によっ
て形成し、前記導線部の不純物濃度を前記ゲージ抵抗部
の不純物濃度より大きい濃度に設定したことを特徴とす
る半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16320890A JPH0453273A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16320890A JPH0453273A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0453273A true JPH0453273A (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=15769348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16320890A Pending JPH0453273A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0453273A (ja) |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP16320890A patent/JPH0453273A/ja active Pending
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