JPH0454929B2 - - Google Patents
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- JPH0454929B2 JPH0454929B2 JP59252960A JP25296084A JPH0454929B2 JP H0454929 B2 JPH0454929 B2 JP H0454929B2 JP 59252960 A JP59252960 A JP 59252960A JP 25296084 A JP25296084 A JP 25296084A JP H0454929 B2 JPH0454929 B2 JP H0454929B2
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- optical
- polarizing prism
- optical path
- faraday rotator
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
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- Optics & Photonics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信装置に使用される発光素子の出
射光の1部が光フアイバの端面にて反射され、そ
の反射光の1部が、前記発光素子に帰還されない
ように構成された光アイソレータの改良に関す
る。
射光の1部が光フアイバの端面にて反射され、そ
の反射光の1部が、前記発光素子に帰還されない
ように構成された光アイソレータの改良に関す
る。
光通信方式において、光通信装置の発光素子よ
り出射される光信号が光フアイバを介して伝搬さ
れる際、前記光信号の1部が光フアイバの端面に
て反射されるが、その反射光が発光素子に入射さ
れない光アイソレータの出現が要望されている。
り出射される光信号が光フアイバを介して伝搬さ
れる際、前記光信号の1部が光フアイバの端面に
て反射されるが、その反射光が発光素子に入射さ
れない光アイソレータの出現が要望されている。
第2図は従来例の光アイソレータの基本構成を示
すブロツク図である。同図において、1は光アイ
ソレータ、1−1,1−2は例えばルチルからな
る複屈折性の偏光プリズム、2は磁気光学材料例
えばYIGよりなるフアラデー回転子、3は入射
光、4は出射光、5は磁石、6は中心軸である。
すブロツク図である。同図において、1は光アイ
ソレータ、1−1,1−2は例えばルチルからな
る複屈折性の偏光プリズム、2は磁気光学材料例
えばYIGよりなるフアラデー回転子、3は入射
光、4は出射光、5は磁石、6は中心軸である。
なお、全図を通し同一番号は同一部材を示す。
第2図において、複屈折性の偏光プリズム(以下
偏光プリズムと称す)1−1と1−2とは形状は
同じであるが、偏光プリズム1−1は偏光プリズ
ム1−2に対して、その結晶軸が45度傾けて設け
られ、偏光プリズム1−1の結晶軸は紙面に垂直
(図ではX軸方向で示すことにする)に配置して
ある。
第2図において、複屈折性の偏光プリズム(以下
偏光プリズムと称す)1−1と1−2とは形状は
同じであるが、偏光プリズム1−1は偏光プリズ
ム1−2に対して、その結晶軸が45度傾けて設け
られ、偏光プリズム1−1の結晶軸は紙面に垂直
(図ではX軸方向で示すことにする)に配置して
ある。
また、偏光プリズム1−1、フアラデー回転子
2、偏光プリズム1−2のそれぞれの入,出射面
は、光路に対してある傾きを持たせ、入射光が入
射方向に反射されないようにしてある。
2、偏光プリズム1−2のそれぞれの入,出射面
は、光路に対してある傾きを持たせ、入射光が入
射方向に反射されないようにしてある。
更に、入射光3は光アイソレータ1の偏光プリ
ズム1−1に入射し、フアラデー回転子2を経て
偏光プリズム1−2より出射されるが、この出射
光4と入射光3とは平行になるように構成されて
いる。
ズム1−1に入射し、フアラデー回転子2を経て
偏光プリズム1−2より出射されるが、この出射
光4と入射光3とは平行になるように構成されて
いる。
上記のように構成した光アイソレータ1は不可
逆特性を有するもので、逆方向の光は偏光プリズ
ム1−1,1−2及び複屈折性の特性とフアラデ
ー回転子2の特性を用いて偏光プリズム1−1の
入射面で、偏光プリズム1−2に入射した逆方向
の光、例えば反射光を、入射光3と異なる方向3
−1或いは3−2に出射させて、入射光3に、反
射光が入射されないような機能を持たせている。
逆特性を有するもので、逆方向の光は偏光プリズ
ム1−1,1−2及び複屈折性の特性とフアラデ
ー回転子2の特性を用いて偏光プリズム1−1の
入射面で、偏光プリズム1−2に入射した逆方向
の光、例えば反射光を、入射光3と異なる方向3
−1或いは3−2に出射させて、入射光3に、反
射光が入射されないような機能を持たせている。
図で点線はフアラデー回転子2の磁場Hの分布
の例を示す。光アイソレータ1の磁石5よりフア
ラデー回転子2の光学的中心軸6の方向に磁場H
が加えられ、光学的中心軸6の近傍の部分の磁場
H1は均一になつており、周辺部の磁場H2はH1
に比べて不均一になつている。即ち磁場H1と磁
場H2とは等しくない。
の例を示す。光アイソレータ1の磁石5よりフア
ラデー回転子2の光学的中心軸6の方向に磁場H
が加えられ、光学的中心軸6の近傍の部分の磁場
H1は均一になつており、周辺部の磁場H2はH1
に比べて不均一になつている。即ち磁場H1と磁
場H2とは等しくない。
第3図は従来の光アイソレータの動作原理を示
す説明図である。同図において、図aは順方向に
光を透過させた場合を示し、図bは逆方向に光を
透過させた場合を示している。
す説明図である。同図において、図aは順方向に
光を透過させた場合を示し、図bは逆方向に光を
透過させた場合を示している。
図において、7−1,7−2は偏光プリズムの
結晶軸、8は発光源、例えばレーザダイオード
(以下LDと称す)、8−1は7−1に対して垂直
に偏向している光、8−2は7−1に対して平行
に偏向している光、9はLD8の光路、10は光
フアイバ、10−1は光フアイバの端面、()
は異常光の光路、()は正常光の光路を示す。
結晶軸、8は発光源、例えばレーザダイオード
(以下LDと称す)、8−1は7−1に対して垂直
に偏向している光、8−2は7−1に対して平行
に偏向している光、9はLD8の光路、10は光
フアイバ、10−1は光フアイバの端面、()
は異常光の光路、()は正常光の光路を示す。
第3図aにおいて、発光源LD8の光は、光路
9を経て偏光プリズム1−1に入射する。上記の
入射光は偏光プリズム1−1の結晶軸7−1に垂
直な偏光面をもつた光は正常光oとなり、また結
晶軸7−1に平行な偏光面をもつた光は異常光e
となる。
9を経て偏光プリズム1−1に入射する。上記の
入射光は偏光プリズム1−1の結晶軸7−1に垂
直な偏光面をもつた光は正常光oとなり、また結
晶軸7−1に平行な偏光面をもつた光は異常光e
となる。
この入射光の内、結晶軸7−1(紙面に垂直な
結晶軸である)に垂直な偏光面を持つた光(図で
は紙面に平行な光)は正常光屈折率No1で屈折
し、また、前記、結晶軸7−1に平行な偏光面を
持つた光(図では紙面に垂直な光)は異常光屈折
率Ne1で屈折する。
結晶軸である)に垂直な偏光面を持つた光(図で
は紙面に平行な光)は正常光屈折率No1で屈折
し、また、前記、結晶軸7−1に平行な偏光面を
持つた光(図では紙面に垂直な光)は異常光屈折
率Ne1で屈折する。
以上のように形成された正常光oは光路()
の系を、また異常光eは光路()の系をそれぞ
れ進行する。
の系を、また異常光eは光路()の系をそれぞ
れ進行する。
上記の正常光oと異常光eとはフアラデー回転
子2に入射し屈折され、それぞれの光の偏光面は
磁場Hにより45度回転され、偏光プリズム1−2
に入射し屈折する。
子2に入射し屈折され、それぞれの光の偏光面は
磁場Hにより45度回転され、偏光プリズム1−2
に入射し屈折する。
偏光プリズム1−2の結晶軸は偏光プリズム1
−1の結晶軸に対し進行方向から見て時計方向に
45度傾けて設けられており、入射光はそのまま出
射され屈折する。
−1の結晶軸に対し進行方向から見て時計方向に
45度傾けて設けられており、入射光はそのまま出
射され屈折する。
即ち、異常光eは異常光屈折率Ne2にて屈折
し、また正常光oは正常光屈折率No2にて屈折
し、それぞれは光フアイバ10の端面10−1に
入射される。
し、また正常光oは正常光屈折率No2にて屈折
し、それぞれは光フアイバ10の端面10−1に
入射される。
この場合、光フアイバ10に入射する異常光e
の偏光面と正常光oの偏光面は、図示のように互
いに直交しており、この両者は、LD8よりの出
射光の偏光面に比し時計方向に45度回転してい
る。
の偏光面と正常光oの偏光面は、図示のように互
いに直交しており、この両者は、LD8よりの出
射光の偏光面に比し時計方向に45度回転してい
る。
また、偏光プリズム1−1の入射光と偏光プリ
ズム1−2の出射光は平行になつている。
ズム1−2の出射光は平行になつている。
上記の順方向の光の一部は光フアイバ10の端
面10−1にて反射され、その光は、第3図bに
示す如き、逆方向の光路11を経て、1−2にお
ける正常光oは光路()′を、1−2における
異常光eは光路()′をそれぞれ進行する。
面10−1にて反射され、その光は、第3図bに
示す如き、逆方向の光路11を経て、1−2にお
ける正常光oは光路()′を、1−2における
異常光eは光路()′をそれぞれ進行する。
第3図bにおいて、反射光は偏光プリズム1−
2に入射し、この反射光の内、偏光プリズム1−
2に対する正常光成分oは正常光屈折率No2にて
屈折され、また偏光プリズム1−2に対する異常
成分eは異常光屈折率No2にて屈折され、それぞ
れはフアラデー回転子2に入射され屈折される。
2に入射し、この反射光の内、偏光プリズム1−
2に対する正常光成分oは正常光屈折率No2にて
屈折され、また偏光プリズム1−2に対する異常
成分eは異常光屈折率No2にて屈折され、それぞ
れはフアラデー回転子2に入射され屈折される。
フアラデー回転子2にて、前記の順方向の光と
同様に、その偏光面は磁場Hにより45度回転され
るが、この回転は光路9の入射光(LD8側)の
それぞれに比べて90度になる。
同様に、その偏光面は磁場Hにより45度回転され
るが、この回転は光路9の入射光(LD8側)の
それぞれに比べて90度になる。
この90度の回転により、正常光oは異常光e
に、異常光eは正常光oに夫々変化し、それぞれ
は偏光プリズム1−1に入射する。
に、異常光eは正常光oに夫々変化し、それぞれ
は偏光プリズム1−1に入射する。
偏光プリズム1−1にて、正常光oは正常光屈
折率No1にて屈折し光路11−2に、異常光eは
異常光屈折率Ne1にて屈折し光路11−1に、出
射される。
折率No1にて屈折し光路11−2に、異常光eは
異常光屈折率Ne1にて屈折し光路11−1に、出
射される。
この場合、光路()′の系の屈折率の組合わ
せはNo2,Ne1であり、光路()′の屈折率の
組合わせはNe2,No1であり、いずれも異つた値
の屈折率の組合わせであるので、前記の出射光は
反射光(光フアイバ側)と平行にならず、ルチル
では異常光屈折率Ne1は正常光屈折率No1より大
きい(Ne1>No1)ので、反射光の光路11−
1,11−2は図示の如く拡がり、反射光はLD
8に帰還されない。
せはNo2,Ne1であり、光路()′の屈折率の
組合わせはNe2,No1であり、いずれも異つた値
の屈折率の組合わせであるので、前記の出射光は
反射光(光フアイバ側)と平行にならず、ルチル
では異常光屈折率Ne1は正常光屈折率No1より大
きい(Ne1>No1)ので、反射光の光路11−
1,11−2は図示の如く拡がり、反射光はLD
8に帰還されない。
従つて、上記の第3図に示された構成によつて
光アイソレータ1の動作を行わせることが出来
る。
光アイソレータ1の動作を行わせることが出来
る。
以上の光アイソレータ1はフアラデー回転子2
の磁場Hの分布を均一と考えた場合であつて、実
際の磁場Hの分布は、不均一であるため、透過光
は楕円偏光化し、以下第4図、第5図に説明する
如く、その楕円偏光成分がLD8に帰還され、LD
8の光信号のS/Nを低下させる。
の磁場Hの分布を均一と考えた場合であつて、実
際の磁場Hの分布は、不均一であるため、透過光
は楕円偏光化し、以下第4図、第5図に説明する
如く、その楕円偏光成分がLD8に帰還され、LD
8の光信号のS/Nを低下させる。
第4図は反射光の楕円偏光成分の光路を示す図
である。
である。
図において、12−1は光路()′でフアラ
デー回転子を通過した楕円偏光のうちのプリズム
1−1に対する正常光成分oの光路、12−2は
光路()′でフアラデー回転子を通過した楕円
偏光のうちのプリズム1−1に対する異常光成分
eの光路を示す。
デー回転子を通過した楕円偏光のうちのプリズム
1−1に対する正常光成分oの光路、12−2は
光路()′でフアラデー回転子を通過した楕円
偏光のうちのプリズム1−1に対する異常光成分
eの光路を示す。
第5図aは理想的には、プリズム1−1に対し
て正常光oとなるはずの直線偏光がフアラデー回
転子を通過する際に楕円化した偏光13を示し、
13−1は正常光o成分、13−2は異常光e成
分を示す図、図bは理想的には、プリズム1−1
に対して異常光eとなるはずの直線偏光がフアラ
デー回転子を通過する際に楕円化した偏光14を
示し、14−1は異常光e成分、14−2は正常
光o成分を示す図である。
て正常光oとなるはずの直線偏光がフアラデー回
転子を通過する際に楕円化した偏光13を示し、
13−1は正常光o成分、13−2は異常光e成
分を示す図、図bは理想的には、プリズム1−1
に対して異常光eとなるはずの直線偏光がフアラ
デー回転子を通過する際に楕円化した偏光14を
示し、14−1は異常光e成分、14−2は正常
光o成分を示す図である。
上記の楕円偏光における長軸成分と短軸成分と
は互いに直交していて、短軸成分と長軸成分との
比を消光比と称し、光信号の品質(楕円偏光化の
程度)を表している。
は互いに直交していて、短軸成分と長軸成分との
比を消光比と称し、光信号の品質(楕円偏光化の
程度)を表している。
第4図において、反射光の光路()′,
()′と磁場H1、磁場H2とのなす角が大きい
と、前記反射光は磁場の不均一な部分を透過する
為、反射光は第5図に示す如く楕円偏光して、偏
光プリズム1−1に入射する。
()′と磁場H1、磁場H2とのなす角が大きい
と、前記反射光は磁場の不均一な部分を透過する
為、反射光は第5図に示す如く楕円偏光して、偏
光プリズム1−1に入射する。
偏光プリズム1−1に入射した第5図aに示す
楕円偏光13の長軸成分(正常光o成分)13−
1は正常光屈折率No1にて屈折され、光路11−
2より出射され、これと偏光面が90度異なる短軸
成分(異常光e成分)13−2は異常光屈折率
Ne1にて屈折され、光路12−2に出射される。
楕円偏光13の長軸成分(正常光o成分)13−
1は正常光屈折率No1にて屈折され、光路11−
2より出射され、これと偏光面が90度異なる短軸
成分(異常光e成分)13−2は異常光屈折率
Ne1にて屈折され、光路12−2に出射される。
また、第5図bに示す楕円偏光14の長軸成分
(異常光e成分)14−1は異常光屈折率Ne1に
て屈折され、光路11−1に出射され、これと90
度偏光面が異なる短軸成分(正常光o成分)14
−2は正常光屈折率Ne1にて屈折され、光路12
−1に出射される。
(異常光e成分)14−1は異常光屈折率Ne1に
て屈折され、光路11−1に出射され、これと90
度偏光面が異なる短軸成分(正常光o成分)14
−2は正常光屈折率Ne1にて屈折され、光路12
−1に出射される。
上記の光路()′,12−1の屈折率の組合
わせはNo2,No1であり、また光路()′,1
2−2の屈折率の組合わせはNe2,Ne1であり、
いずれも等しい値の屈折率の組合わせであるので
上記の光路12−1,12−2と第3図の反射光
の光路11とは平行になり、従つて第5図に示す
如き楕円偏光の短軸成分である13−2,14−
2の光はLD8に帰還される。
わせはNo2,No1であり、また光路()′,1
2−2の屈折率の組合わせはNe2,Ne1であり、
いずれも等しい値の屈折率の組合わせであるので
上記の光路12−1,12−2と第3図の反射光
の光路11とは平行になり、従つて第5図に示す
如き楕円偏光の短軸成分である13−2,14−
2の光はLD8に帰還される。
以上説明した如く、逆方向から入射した直線偏
光がフアラデー回転子2の不一な磁場(H1≠
H2)を通過すること等の理由により、楕円偏光
化し、そのうちの短軸方向成分13−2,14−
2がLD8に帰還し、LD8の光信号のS/Nを低
下させる。
光がフアラデー回転子2の不一な磁場(H1≠
H2)を通過すること等の理由により、楕円偏光
化し、そのうちの短軸方向成分13−2,14−
2がLD8に帰還し、LD8の光信号のS/Nを低
下させる。
以上説明した如く、従来の光アイソレータでは
逆方向から入射した直線偏光がフアラデー回転子
にて楕円偏光し、そのうちの短軸方向成分がLD
に帰還してLDより出射される光信号のS/Nを
低下させる問題点がある。
逆方向から入射した直線偏光がフアラデー回転子
にて楕円偏光し、そのうちの短軸方向成分がLD
に帰還してLDより出射される光信号のS/Nを
低下させる問題点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の問題点はフアラデー回転子内の光路が光
学的中心軸近傍の均一な磁場の部分を該均一な磁
場の方向とほぼ平行になるように前記第1の複屈
折性の偏光プリズム及び第2の複屈折性の偏光プ
リズムのテーパ角と、該第1の複屈折性の偏光プ
リズムへの発光素子よりの入射角とを選択する本
発明の光アイソレータによつて解決される。
学的中心軸近傍の均一な磁場の部分を該均一な磁
場の方向とほぼ平行になるように前記第1の複屈
折性の偏光プリズム及び第2の複屈折性の偏光プ
リズムのテーパ角と、該第1の複屈折性の偏光プ
リズムへの発光素子よりの入射角とを選択する本
発明の光アイソレータによつて解決される。
本発明によれば、フアラデー回転子を通過する
光信号の光路をフアラデー回転子の光学的中心軸
近傍の均一な磁場の部分を、この磁場の方向とほ
ぼ平行になるように光アイソレータを構成してい
るので、直線偏光が楕円偏光化せず、これにより
反射光の発光素子への入射が無くなり、光信号の
S/Nの低下を防ぐようになる。
光信号の光路をフアラデー回転子の光学的中心軸
近傍の均一な磁場の部分を、この磁場の方向とほ
ぼ平行になるように光アイソレータを構成してい
るので、直線偏光が楕円偏光化せず、これにより
反射光の発光素子への入射が無くなり、光信号の
S/Nの低下を防ぐようになる。
以下、図に従つて本発明の光アイソレータにつ
いて説明する。
いて説明する。
第1図aは本発明の実施例の光アイソレータの
構成を示すもので、フアラデー回転子、偏光プリ
ズムは従来例と同質の材料より作られ、偏光プリ
ズムのそれぞれの結晶軸も互いに45度異なるよう
に作られており、またフアラデー回転子には従来
例と同一手法で磁場Hが加えられている。
構成を示すもので、フアラデー回転子、偏光プリ
ズムは従来例と同質の材料より作られ、偏光プリ
ズムのそれぞれの結晶軸も互いに45度異なるよう
に作られており、またフアラデー回転子には従来
例と同一手法で磁場Hが加えられている。
また、偏光プリズム16−1、フアラデー回転
子15、偏光プリズム16−2のそれぞれの入出
射面は、光路に対してある傾きを持たせ入射光が
入射方向に反射されないように構成されている。
子15、偏光プリズム16−2のそれぞれの入出
射面は、光路に対してある傾きを持たせ入射光が
入射方向に反射されないように構成されている。
同図において、1′は光アイソレータ、15は
フアラデー回転子、16−1,16−2は偏光プ
リズム、iは入、出射角、α1は偏光プリズム1
6−1,16−2のテーパ角を示す。
フアラデー回転子、16−1,16−2は偏光プ
リズム、iは入、出射角、α1は偏光プリズム1
6−1,16−2のテーパ角を示す。
第1図aに於いて、光アイソレータ1の入射光
3及び出射光4と逆方向の光がフアラデー回転子
15の光学的中心軸6の近傍を光学的中心軸6に
ほぼ平行に透過するように偏光プリズム16−
1,16−2の入、出射角i、テーパ角α1を選
定する。
3及び出射光4と逆方向の光がフアラデー回転子
15の光学的中心軸6の近傍を光学的中心軸6に
ほぼ平行に透過するように偏光プリズム16−
1,16−2の入、出射角i、テーパ角α1を選
定する。
第1図b,cは第1図aの光アイソレータ1の
構成を基本にした本発明の実施例の光アイソレー
タの動作原理を示す説明図である。
構成を基本にした本発明の実施例の光アイソレー
タの動作原理を示す説明図である。
図bは順方向に光を透過させた場合を示し、図
cは逆方向に光を透過させた場合をしめている。
cは逆方向に光を透過させた場合をしめている。
図に於いて、17は光路、ロは順方向の偏光プ
リズム16−1に対する正常光oの光路、イは順
方向の偏光プリズム16−1に対する異常光eの
光路を示す。
リズム16−1に対する正常光oの光路、イは順
方向の偏光プリズム16−1に対する異常光eの
光路を示す。
第1図bに於いて、前記の如きLD8の光は光路
17を経て、テーパ角α1の偏光プリズム16−
1に入射し、この入射光の内、結晶軸7−1に垂
直な偏光成分は正常光屈折率No1にて屈折して正
常光oになり、また結晶軸7−1に平行な偏向成
分は異常光屈折率Ne1にて屈折して異常光eにな
る。
17を経て、テーパ角α1の偏光プリズム16−
1に入射し、この入射光の内、結晶軸7−1に垂
直な偏光成分は正常光屈折率No1にて屈折して正
常光oになり、また結晶軸7−1に平行な偏向成
分は異常光屈折率Ne1にて屈折して異常光eにな
る。
上記の正常光oは光路ロの系を進行し、異常光
eは光路イを進行し、それぞれの光はフアラデー
回転子15に入射し、光学的中心軸6の近傍を透
過する。
eは光路イを進行し、それぞれの光はフアラデー
回転子15に入射し、光学的中心軸6の近傍を透
過する。
上記の正常光o,異常光eのそれぞれの偏光面
は均一の磁場H1により、前記第3図にて説明し
た如く45度回転され、結晶軸7−2が45度傾けら
れた偏光プリズム16−2に入射し、正常光oは
正常光屈折率No2にて屈折され、異常光eは異常
光屈折率Ne2にて屈折され、それぞれの光は光路
ホ,ヘに出射される。
は均一の磁場H1により、前記第3図にて説明し
た如く45度回転され、結晶軸7−2が45度傾けら
れた偏光プリズム16−2に入射し、正常光oは
正常光屈折率No2にて屈折され、異常光eは異常
光屈折率Ne2にて屈折され、それぞれの光は光路
ホ,ヘに出射される。
光路イ,ロの出射光ホ,ヘは光路17の光と平
行になり、光フアイバ10に入射する。
行になり、光フアイバ10に入射する。
上記の入射光の一部は光フアイバ10の端面1
0−1にて反射され、その反射光の一部は第1図
bの光路イ,ロとは逆方向の光路ハ,ニを進行す
る。
0−1にて反射され、その反射光の一部は第1図
bの光路イ,ロとは逆方向の光路ハ,ニを進行す
る。
第1図cに於いて、上記の反射光は光路18を
経て、偏光プリズム16−2に入射角iにて入射
し、入射光の内、プリズム16−2に対する正常
光oは正常光屈折率No2にて屈折され光路ハを進
行し、プリズム16−2に対する異常光eは異常
光屈折率Ne2にて屈折され光路ニを進行し、それ
ぞれの光はフアラデー回転子15に入射し屈折さ
れる。
経て、偏光プリズム16−2に入射角iにて入射
し、入射光の内、プリズム16−2に対する正常
光oは正常光屈折率No2にて屈折され光路ハを進
行し、プリズム16−2に対する異常光eは異常
光屈折率Ne2にて屈折され光路ニを進行し、それ
ぞれの光はフアラデー回転子15に入射し屈折さ
れる。
フアラデー回転子15に入射した光は、光学的
中心軸6付近の均一な磁場H1の部分を透過する。
中心軸6付近の均一な磁場H1の部分を透過する。
この均一な磁場H1により正常光o、異常光e
の偏光面は45度回転されるが、楕円偏光しない。
の偏光面は45度回転されるが、楕円偏光しない。
この45度回転により、それぞれの偏光面は入射
光に比べて90度回転することになり、偏光プリズ
ム16−2に対する正常光oは偏光プリズム16
−1に対して異常eに、又、偏光プリズム16−
2に対する異常光eは偏光プリズム16−1に対
して正常光oに変化し、偏光プリズム16−1に
入射する。
光に比べて90度回転することになり、偏光プリズ
ム16−2に対する正常光oは偏光プリズム16
−1に対して異常eに、又、偏光プリズム16−
2に対する異常光eは偏光プリズム16−1に対
して正常光oに変化し、偏光プリズム16−1に
入射する。
偏光プリズム16−1にて異常光eは異常光屈
折率Ne1にて屈折して光路トに出射され、また正
常光oは正常光屈折率No1にて屈折して光路チに
出射され、前記第3図bにて、説明したと同様の
手法により、光路ト,チは図示の如く拡がり、反
射光o,eはLD8に入射されない。
折率Ne1にて屈折して光路トに出射され、また正
常光oは正常光屈折率No1にて屈折して光路チに
出射され、前記第3図bにて、説明したと同様の
手法により、光路ト,チは図示の如く拡がり、反
射光o,eはLD8に入射されない。
従つて、上記の第1図に示された構成によつて
光アイソレータ1の動作を行わせることが出来
る。
光アイソレータ1の動作を行わせることが出来
る。
次に行アイソレータの実測データを示す。
入射角i=50度、テーパ角=30度、フアラデー
回転子15の内角A=110度、B=70度(第1図
b,c)とした時、フアラデー回転子15の中心
軸6に対して、正常光oは約6.7度、異常光eは
約3度それぞれ傾いて進行し、この条件の2つの
偏光のフアラデー回転子通過後の消光比は35dB
以上となり、これにより、反射光によるLD8の
S/Nの低下を阻止でき、光アイソレータの機能
を十分に果たすことが出来る。
回転子15の内角A=110度、B=70度(第1図
b,c)とした時、フアラデー回転子15の中心
軸6に対して、正常光oは約6.7度、異常光eは
約3度それぞれ傾いて進行し、この条件の2つの
偏光のフアラデー回転子通過後の消光比は35dB
以上となり、これにより、反射光によるLD8の
S/Nの低下を阻止でき、光アイソレータの機能
を十分に果たすことが出来る。
以上説明した如く、本発明によりばフアラデー
回転子にて光が楕円偏光しないように、偏光プリ
ズムへの発光素子よりの入射角、テーパ角が選択
されているので、光フアイバの端面に於ける反射
光がLDに帰還されるのが阻止され、光信号の
S/Nの低下を防ぐ効果である。
回転子にて光が楕円偏光しないように、偏光プリ
ズムへの発光素子よりの入射角、テーパ角が選択
されているので、光フアイバの端面に於ける反射
光がLDに帰還されるのが阻止され、光信号の
S/Nの低下を防ぐ効果である。
第1図aは本発明の実施例の光アイソレータの
構成を示す図、第1図bは本発明の光アイソレー
タの順方向の光路を示す図、第1図cは本発明の
光アイソレータの逆方向の光路を示す図、第2図
は従来例の光アイソレータの構成を示す図、第3
図は従来例の光アイソレータの動作原理を示す
図、第3図aは光アイソレータの順方向の光路を
示す図、第3図bは光アイソレータの逆方向の光
路を示す図、第4図は反射光の光路を示す図、第
5図は楕円偏光の説明図である。 図中、1,1′は光アイソレータ、1−1,1
−2,16−1,16−2は偏光プリズム、2,
15はフアラデー回転子、3は入射光、4は出射
光、5は磁石、6は光学的中心軸、7−1,7−
2は結晶軸、8はLD、8−1は7−1に対して
垂直に偏向している光、8−2は7−1に対して
平行に偏向している光、9,17はLD8の光路、
10は光フアイバ、10−1は端面、11は反射
光の光路、11−1は異常光eの出射光、11−
2は正常光oの出射光、12−1,12−2は楕
円偏光のうちの短軸方向成分の出射光、13はプ
リズムの結晶軸と垂直方向に長軸をもつ楕円偏
光、13−1,14−1は長軸成分、13−2,
14−2は短軸成分、14はプリズムの結晶軸方
向に長軸をもつ楕円偏光、18は反射光の光路を
示す。
構成を示す図、第1図bは本発明の光アイソレー
タの順方向の光路を示す図、第1図cは本発明の
光アイソレータの逆方向の光路を示す図、第2図
は従来例の光アイソレータの構成を示す図、第3
図は従来例の光アイソレータの動作原理を示す
図、第3図aは光アイソレータの順方向の光路を
示す図、第3図bは光アイソレータの逆方向の光
路を示す図、第4図は反射光の光路を示す図、第
5図は楕円偏光の説明図である。 図中、1,1′は光アイソレータ、1−1,1
−2,16−1,16−2は偏光プリズム、2,
15はフアラデー回転子、3は入射光、4は出射
光、5は磁石、6は光学的中心軸、7−1,7−
2は結晶軸、8はLD、8−1は7−1に対して
垂直に偏向している光、8−2は7−1に対して
平行に偏向している光、9,17はLD8の光路、
10は光フアイバ、10−1は端面、11は反射
光の光路、11−1は異常光eの出射光、11−
2は正常光oの出射光、12−1,12−2は楕
円偏光のうちの短軸方向成分の出射光、13はプ
リズムの結晶軸と垂直方向に長軸をもつ楕円偏
光、13−1,14−1は長軸成分、13−2,
14−2は短軸成分、14はプリズムの結晶軸方
向に長軸をもつ楕円偏光、18は反射光の光路を
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 発光素子の発射光が入射する第1の複屈折性
の偏光プリズムとフアラデー回転子と該第1の複
屈折性の偏光プリズムと結晶軸を互いに45度傾け
た第2の複屈折性の偏光プリズムとを順次配置
し、該フアラデー回転子の光学的中心軸に対して
平行になるように磁場を加え、前記第1の複屈折
性の偏光プリズムの入射光と第2の複屈折性の偏
光プリズムの出射光とが平行になるようにした光
アイソレータにおいて、 前記フアラデー回転子内の光路が光学的中心軸
近傍の均一な磁場の部分を該均一な磁場の方向と
ほぼ平行になるように 前記第1の複屈折性の偏光プリズム及び第2の
複屈折性の偏光プリズムのテーパ角と、該第1の
複屈折性の偏光プリズムへの発光素子よりの入射
角とを選択して構成したことを特徴とする光アイ
ソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25296084A JPS61130920A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 光アイソレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25296084A JPS61130920A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 光アイソレ−タ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61130920A JPS61130920A (ja) | 1986-06-18 |
| JPH0454929B2 true JPH0454929B2 (ja) | 1992-09-01 |
Family
ID=17244553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25296084A Granted JPS61130920A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 光アイソレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61130920A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5864428A (en) * | 1992-01-13 | 1999-01-26 | Hesline; Raymond | Polarizing device |
| EP0653662A1 (en) * | 1993-11-12 | 1995-05-17 | AT&T Corp. | Optical isolator with reduced relative walk-off |
| US5602673A (en) * | 1993-12-29 | 1997-02-11 | Lucent Technologies Inc. | Optical isolator without polarization mode dispersion |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5441251U (ja) * | 1977-08-26 | 1979-03-19 | ||
| JPS58116515A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-11 | Fujitsu Ltd | 光アイソレ−タ |
| JPS59176721A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-06 | Fujitsu Ltd | 光アイソレ−タ |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25296084A patent/JPS61130920A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61130920A (ja) | 1986-06-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |