JPH0456004A - マイクロ波用誘電体磁器材料 - Google Patents
マイクロ波用誘電体磁器材料Info
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- JPH0456004A JPH0456004A JP2137381A JP13738190A JPH0456004A JP H0456004 A JPH0456004 A JP H0456004A JP 2137381 A JP2137381 A JP 2137381A JP 13738190 A JP13738190 A JP 13738190A JP H0456004 A JPH0456004 A JP H0456004A
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- Japan
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- dielectric constant
- microwave
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は５例えばマイクロ波通信機器内の誘電体共振器
、分波器、フィルタ、マイクロ波集積回路基板（ＭＩＧ
基板）等に使用する高周波領域において、高い比誘電率
とＱ値（誘電体損の逆数）及び小さい温度係数を有する
マイクロ波用誘電体磁器材料に関する。
、分波器、フィルタ、マイクロ波集積回路基板（ＭＩＧ
基板）等に使用する高周波領域において、高い比誘電率
とＱ値（誘電体損の逆数）及び小さい温度係数を有する
マイクロ波用誘電体磁器材料に関する。
最近、マイクロ波通イ８機器における小型化の傾向に伴
い、誘電体共振器などの誘電体磁器材料を使用する部品
の小型化への要求が強い。
い、誘電体共振器などの誘電体磁器材料を使用する部品
の小型化への要求が強い。
これらの部品の小型化は、高い誘電率、安定な温度特性
、マイクロ波帯での大きいＱ値、これら全てを満足する
誘電体磁器材料により可能となる。
、マイクロ波帯での大きいＱ値、これら全てを満足する
誘電体磁器材料により可能となる。
ロａＯ−Ｔｉ０２−Ｎｄ２Ｏ３系磁器材料は、比誘電率
（εｒ）が６０〜８０で、共振周波数の温度係数（τｆ
）がθ〜９０ｐｐｍ／’Ｃ１Ｑ値は３ Ｇ）１２では１
，９００〜３，５００の値を有しくＪｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ ｔｈｅ Ａｓ＋ｅｒｉｃａｎ ＣｅｒａｍｉｃＳｏ
ｃｉｅＬｙ、Ａｐｒｉｌ １９８４．Ｖｏｌ、６７ Ｎ
ｏ、４．Ｐ、２７８〜Ｐ、２８１）、またＢａ０４１０
２−５１１１２Ｏ３−Ｎｄ２Ｏ３系磁器材料は、ε１が
５０〜９５．τ、が一２１０〜÷１９５ｐｐｍ／’ｅ、
Ｑ値は２〜４ＧＨｚで８７０〜３９００を示しく特開昭
５７−２＋０１０号公報）前述の用途に用いられようと
している。
（εｒ）が６０〜８０で、共振周波数の温度係数（τｆ
）がθ〜９０ｐｐｍ／’Ｃ１Ｑ値は３ Ｇ）１２では１
，９００〜３，５００の値を有しくＪｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ ｔｈｅ Ａｓ＋ｅｒｉｃａｎ ＣｅｒａｍｉｃＳｏ
ｃｉｅＬｙ、Ａｐｒｉｌ １９８４．Ｖｏｌ、６７ Ｎ
ｏ、４．Ｐ、２７８〜Ｐ、２８１）、またＢａ０４１０
２−５１１１２Ｏ３−Ｎｄ２Ｏ３系磁器材料は、ε１が
５０〜９５．τ、が一２１０〜÷１９５ｐｐｍ／’ｅ、
Ｑ値は２〜４ＧＨｚで８７０〜３９００を示しく特開昭
５７−２＋０１０号公報）前述の用途に用いられようと
している。
なお、本発明において発明者らが評価した、より高い周
波数である９ ＧＨ，では、Ｑ値は周波数に逆比例し、
上記の値の約局となる。
波数である９ ＧＨ，では、Ｑ値は周波数に逆比例し、
上記の値の約局となる。
又、ＢａＯ−ＴｉＯ２−５ｍ２Ｏ３−５ｒＯ・ＣｅＯ２
−Ｃａ（ｌＣｅＯ２系磁器材料は、高周波領域において
高い比誘導率とＱ値および小さい温度係数を示す（特願
昭６２−１３０９０２号明細書）。
−Ｃａ（ｌＣｅＯ２系磁器材料は、高周波領域において
高い比誘導率とＱ値および小さい温度係数を示す（特願
昭６２−１３０９０２号明細書）。
従来のＢａｎ−Ｔｉ０２−Ｎｄ２Ｏ３系やＢａ０−Ｔｉ
Ｏ□−５＋＋＋２Ｏ３−Ｎｄ２Ｏ３系磁器材料は原料と
して高価で人手しにくい５ｆｆ１２Ｏ３（価格例：約２
５０円／ｇ）や高価なＮｄ２Ｏ３（価格例：約１７０円
／ｇ）を使用するので、磁器材料の製造費が高いという
聞届があった。また、上記の組成系では、５ ＧＨ，以
上などの高い周波数で有用性を増す比較的比誘電率の小
さい磁器材料でむしろＱ値が小さく、部品としてよい性
能が得られにくいなどの′ｊＪ題があった。
Ｏ□−５＋＋＋２Ｏ３−Ｎｄ２Ｏ３系磁器材料は原料と
して高価で人手しにくい５ｆｆ１２Ｏ３（価格例：約２
５０円／ｇ）や高価なＮｄ２Ｏ３（価格例：約１７０円
／ｇ）を使用するので、磁器材料の製造費が高いという
聞届があった。また、上記の組成系では、５ ＧＨ，以
上などの高い周波数で有用性を増す比較的比誘電率の小
さい磁器材料でむしろＱ値が小さく、部品としてよい性
能が得られにくいなどの′ｊＪ題があった。
又、ＢａＯ−ＴｉＯ２−５ｍ２Ｏ３−５ｒＯ−ＣｅＯ２
−ＣａＯ・ＣｅＯ，系においては、ＳＩ［１２Ｏ３の使
用ｔＩｉを５ｒＯ−ＣｅＯ２およびＣａＯ−ＣｅＯ．て
一部置換することにより減少しようとしているか、入毛
困難て高価な５ ｍ ２Ｏ３を使用しているという課題
かある。
−ＣａＯ・ＣｅＯ，系においては、ＳＩ［１２Ｏ３の使
用ｔＩｉを５ｒＯ−ＣｅＯ２およびＣａＯ−ＣｅＯ．て
一部置換することにより減少しようとしているか、入毛
困難て高価な５ ｍ ２Ｏ３を使用しているという課題
かある。
本発明は、」−記のような課題を解消するためになされ
たものであり、より安（ｄｉで、大きいＱ値と安定な温
度特性を有し、比誘電率の温度係数の調整が可能で比較
的比誘電率の大きなマイクロ波用？ｊ、電体磁器材料を
得ることを目的とする。
たものであり、より安（ｄｉで、大きいＱ値と安定な温
度特性を有し、比誘電率の温度係数の調整が可能で比較
的比誘電率の大きなマイクロ波用？ｊ、電体磁器材料を
得ることを目的とする。
又５本発明の別の発明は、上記目的に加えて同等の誘電
率および温度係数のもとでは、Ｑ値かさらに向上１−る
傾向を有し、比誘電率の温度係数を調整する手段が増し
たマイクロ波用誘電体磁器材料を得ることを目的とする
。
率および温度係数のもとでは、Ｑ値かさらに向上１−る
傾向を有し、比誘電率の温度係数を調整する手段が増し
たマイクロ波用誘電体磁器材料を得ることを目的とする
。
本発明のさらに別の発明は、」二足［１的に加えて焼結
性か向上するとともに、より比誘電率の増大したマイク
ロ波用誘電体！ｆ！器材料を得ることを［）的とする。
性か向上するとともに、より比誘電率の増大したマイク
ロ波用誘電体！ｆ！器材料を得ることを［）的とする。
本発明のマイクロ波用誘電体磁器材料は組成式％式％（
Ｏ・ＣｅＯｚ）］で表わされ、かつ、式中の成分組成が
モル分率で０．１０≦Ｘ≦０．２５．０．６０≦ｙ≦０
．８５．０．０５≦ｚ≦０．３０、Ｏ＜ｍ≦０，８０．
０≦ｎ ＜ ０．８０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｍ＋ｎ≦０．
８０の範囲にあることを特徴とするものである。
モル分率で０．１０≦Ｘ≦０．２５．０．６０≦ｙ≦０
．８５．０．０５≦ｚ≦０．３０、Ｏ＜ｍ≦０，８０．
０≦ｎ ＜ ０．８０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｍ＋ｎ≦０．
８０の範囲にあることを特徴とするものである。
本発明の別の発明のマイクロ波用誘電体＠器材料は、上
記組成式において、Ｎｄ２Ｏ３の１０００１０１％未満
をＳｍ２Ｏ．で置換したことを特徴とするものである。
記組成式において、Ｎｄ２Ｏ３の１０００１０１％未満
をＳｍ２Ｏ．で置換したことを特徴とするものである。
本発明のさらに別の発明のマイクロ波用誘電体磁器材料
は、−上記磁器材料に副成分としてＭｎ２ｏ。
は、−上記磁器材料に副成分としてＭｎ２ｏ。
を３重量％以下含有することを特徴とするものである。
（作用）
本発明における誘電体磁器材料の成分であるＳ「０−Ｃ
ａｎ、とＣａＯ−ＣｅＯ□は、Ｎｄ２Ｏ５（価格例二約
１７０円／ｇ）や入手困難な５Ｉｎ２Ｏ３（価格例：２
５０円／ｇ）に比較し、著しく安価な原料である炭酸ス
トロンチウム：５ｒＣＯａ（価格例：約２１円／ｇ）、
炭酸カルシウム・ＣａＣＯ５（価格例：約２５円／ｇ）
、二酸化セリウム： ＣｅＯ□（価格例：約２８円／ｇ
＞より作成され、材料の製造費が低餞される。また、マ
イクロ波特性として比誘電率の増大とＱ値の向上をもた
らした。
ａｎ、とＣａＯ−ＣｅＯ□は、Ｎｄ２Ｏ５（価格例二約
１７０円／ｇ）や入手困難な５Ｉｎ２Ｏ３（価格例：２
５０円／ｇ）に比較し、著しく安価な原料である炭酸ス
トロンチウム：５ｒＣＯａ（価格例：約２１円／ｇ）、
炭酸カルシウム・ＣａＣＯ５（価格例：約２５円／ｇ）
、二酸化セリウム： ＣｅＯ□（価格例：約２８円／ｇ
＞より作成され、材料の製造費が低餞される。また、マ
イクロ波特性として比誘電率の増大とＱ値の向上をもた
らした。
上記のように、Ｎｄ２Ｏ．やＳｍ２Ｏ３に対し、（Ｓｒ
Ｏ・ＣｅＯ２）や（ＣａＯ・Ｃ（！０２）での置換えか
可能となったのは、３僅のＮｄイオンや５ＬＬ１イオン
の２個を２価のＳｒイオンやＣａイオンのどちらか１個
と４価のＣｅイオン１個の組合せで平均３価としてイオ
ン価数を一致させたこと、及びイオン＊径が、Ｎｄ’
”の約１．１０Ａ（オングストローム） 、 Ｓａ＋”
＋の約１．０７Ａ 、 Ｓｒ”の約１．１３Ａ 、 Ｃ
ａ”＋の０．９９Ａ 、 Ｃｅ’″″の１．ｏｌＡと比
較的近い大きさの元素を選択したことによる。
Ｏ・ＣｅＯ２）や（ＣａＯ・Ｃ（！０２）での置換えか
可能となったのは、３僅のＮｄイオンや５ＬＬ１イオン
の２個を２価のＳｒイオンやＣａイオンのどちらか１個
と４価のＣｅイオン１個の組合せで平均３価としてイオ
ン価数を一致させたこと、及びイオン＊径が、Ｎｄ’
”の約１．１０Ａ（オングストローム） 、 Ｓａ＋”
＋の約１．０７Ａ 、 Ｓｒ”の約１．１３Ａ 、 Ｃ
ａ”＋の０．９９Ａ 、 Ｃｅ’″″の１．ｏｌＡと比
較的近い大きさの元素を選択したことによる。
本発明の別の発明において、Ｎｄ２Ｏ，に対し５Ｉ１１
２Ｏ３で置換した場合は、比誘電率の温度係数をプラス
側に変化させる効果を有し、温度特性を調整するのに有
効であり、Ｓｍ２Ｏ３に比べ人手しやすく、安価なＮｄ
２Ｏ３の使用により生産性が向上する。
２Ｏ３で置換した場合は、比誘電率の温度係数をプラス
側に変化させる効果を有し、温度特性を調整するのに有
効であり、Ｓｍ２Ｏ３に比べ人手しやすく、安価なＮｄ
２Ｏ３の使用により生産性が向上する。
本発明のさらに別の発明において、副成分であるＭｎ２
Ｏ３の添加含有により、磁器材料の焼結性が向上すると
ともに比誘電率が増大する。
Ｏ３の添加含有により、磁器材料の焼結性が向上すると
ともに比誘電率が増大する。
以下、本発明を実施例によ、り具体的に説明する。
出発原料には、化学的に高純度のＢａＣＯ３，ＴｉＯ２
、Ｎｄ２Ｏ３、５１１２Ｏｓ、ＣａＣＯ３，５ｒＣ０３
、ＣｅＯ２，Ｍｒ＋２Ｏ３を用いて表１及び表２に示す
組成の誘電体磁器か得られるように調合、混合し、空気
中で１０００〜１２Ｏ０℃で２時間反応、仮焼成した。
、Ｎｄ２Ｏ３、５１１２Ｏｓ、ＣａＣＯ３，５ｒＣ０３
、ＣｅＯ２，Ｍｒ＋２Ｏ３を用いて表１及び表２に示す
組成の誘電体磁器か得られるように調合、混合し、空気
中で１０００〜１２Ｏ０℃で２時間反応、仮焼成した。
次いで、得られた仮焼成品を乳鉢、ボールミル粉砕機等
で粉砕し、成形圧カフ００にｇ／ｃｓ２で直径１２ｍｍ
、高さ＋５１１０１の円柱状にプレス成形した。得られ
た成形体を、酸素雰囲気中、約１３００〜１５００℃に
３〜５時間保持して本発明の実施例および比較例の誘電
体磁器を得た。
で粉砕し、成形圧カフ００にｇ／ｃｓ２で直径１２ｍｍ
、高さ＋５１１０１の円柱状にプレス成形した。得られ
た成形体を、酸素雰囲気中、約１３００〜１５００℃に
３〜５時間保持して本発明の実施例および比較例の誘電
体磁器を得た。
誘電体磁器は、研削加工を施し、Ｉ ＭＨ，で比誘電率
（ε、）の温度係数（τ、）を２５〜７０℃で測定し、
次いで平行導体板形誘電体円柱共振器により９Ｇ）１□
で比誘電率とＱ値を測定した。その結果を表１、表２に
示した。
（ε、）の温度係数（τ、）を２５〜７０℃で測定し、
次いで平行導体板形誘電体円柱共振器により９Ｇ）１□
で比誘電率とＱ値を測定した。その結果を表１、表２に
示した。
表中、※印は比較例のもので２それ以外はずへて本発明
の実施例のものである。なお、試料番号１４．１６．１
９．２１．：１７．３９．４２．４４はＱ値が小さいた
め、τえのＭｉ１１定を行っていない。
の実施例のものである。なお、試料番号１４．１６．１
９．２１．：１７．３９．４２．４４はＱ値が小さいた
め、τえのＭｉ１１定を行っていない。
表における試料番号３，４，５．６の比較、９．１０、
ＩＩ、１２．１３の比較、２４．２５．２６．２７の比
較、３０．３１，３２．３３．３４の比較から明らかな
ように、本発明の請求範囲内であれば成分５ｒＯ−Ｃｅ
Ｏ２と成分ＣａＯ−ＣｅＯ□の含有によってＱ値が向上
する。
ＩＩ、１２．１３の比較、２４．２５．２６．２７の比
較、３０．３１，３２．３３．３４の比較から明らかな
ように、本発明の請求範囲内であれば成分５ｒＯ−Ｃｅ
Ｏ２と成分ＣａＯ−ＣｅＯ□の含有によってＱ値が向上
する。
また、−例として、試料番号ｌ０１１１．１２．１３の
比較から、５ｒＯ−ＣｅＯ２の含有はτ、をマイナス側
に、 ＣａＯ・ＣｅＯ，の含有はτ３をプラス側にそれ
ぞれ移行させることがわかる。すなわち上記の二成分Ｓ
ｒＯ・ＣｅＯ２とＣａＯ・ＣｅＯ２とにより任意に温度
係数を調整できる。
比較から、５ｒＯ−ＣｅＯ２の含有はτ、をマイナス側
に、 ＣａＯ・ＣｅＯ，の含有はτ３をプラス側にそれ
ぞれ移行させることがわかる。すなわち上記の二成分Ｓ
ｒＯ・ＣｅＯ２とＣａＯ・ＣｅＯ２とにより任意に温度
係数を調整できる。
また、試料１１と３４の比較、試料＋５と３８等の比較
で明らかなようにＮｄ２Ｏ３をＳｍ２Ｏ３で置換えるこ
とにより、τ、をプラス側に移行することかでき、温度
係数を調整できる。
で明らかなようにＮｄ２Ｏ３をＳｍ２Ｏ３で置換えるこ
とにより、τ、をプラス側に移行することかでき、温度
係数を調整できる。
さらに、試料番号６，７，８の比較、同じ＜１０、Ｉ５
の比較、同じ＜２９．３０の比較から副成分Ｍ１１２Ｏ
３の添加含有によりＣ１が増加することかわかった。
の比較、同じ＜２９．３０の比較から副成分Ｍ１１２Ｏ
３の添加含有によりＣ１が増加することかわかった。
従って、本発明の誘電体＠器は、マイクロ波周波数帯に
おいて、誘電率及びＱ値が大きく、広範囲に誘電率の温
度係数を変化させることができる。成分ＢａＯのモル分
率Ｘが０．２５より大きくなるか、あるいは成分子ｉｅ
２のモル分率ｙが０．６０より小さくなるとＱ値が低下
し、マイクロ波用誘電体磁器材料として不適当になる。
おいて、誘電率及びＱ値が大きく、広範囲に誘電率の温
度係数を変化させることができる。成分ＢａＯのモル分
率Ｘが０．２５より大きくなるか、あるいは成分子ｉｅ
２のモル分率ｙが０．６０より小さくなるとＱ値が低下
し、マイクロ波用誘電体磁器材料として不適当になる。
このＱ値の低下は成分ＳｒＯ・ＣｅＯ２と成分ＣａＯ−
ＣｅＯ２のモル分率の和（ｍ＋ｎ）が０，８より大きい
場合、また副成分Ｍｎ、ＯＳを３重量％を越えて添加含
有した場合にも生じる。また、成分ＢａＱのそ加分率Ｘ
が０．１より小さく、成分子ｉｅ２のモル分率ｙが０．
８５より大きくなるとτ工の絶対値が大きくなり、部品
としての応用が難しく工業材料として不適当になる。
ＣｅＯ２のモル分率の和（ｍ＋ｎ）が０，８より大きい
場合、また副成分Ｍｎ、ＯＳを３重量％を越えて添加含
有した場合にも生じる。また、成分ＢａＱのそ加分率Ｘ
が０．１より小さく、成分子ｉｅ２のモル分率ｙが０．
８５より大きくなるとτ工の絶対値が大きくなり、部品
としての応用が難しく工業材料として不適当になる。
また、ＮｄｚＯｉのＳｓ２Ｏ３の置換えは、温度係数を
プラス側へ移行させて温度特性を調整でき、Ｑ値もわず
かながら向上させる効果を有するが、原料としてＮｄ２
Ｏ３以上に高価であること、また誘電率の低下をまねく
ことから、置換量を５０ｓｏ１％までに留めるのが望ま
しい。
プラス側へ移行させて温度特性を調整でき、Ｑ値もわず
かながら向上させる効果を有するが、原料としてＮｄ２
Ｏ３以上に高価であること、また誘電率の低下をまねく
ことから、置換量を５０ｓｏ１％までに留めるのが望ま
しい。
又、Ｚが０．０５より小さいか２Ｏ．３より大きいと、
Ｑ値か低下し、ｍが０．８より大きいと特性が低下する
傾向があり、ｎが０．８以上でも特性が低下する傾向が
ある。
Ｑ値か低下し、ｍが０．８より大きいと特性が低下する
傾向があり、ｎが０．８以上でも特性が低下する傾向が
ある。
なお、上記実施例では、出発原料にＢａ（：（］＋、
ＴｌＯ２、Ｎｄ２Ｏ１、Ｓｍ２Ｏ．Ｊ、 ５ｒＣ０３、
ＣａＣＯ３、ＣｅＯ，、Ｍｎ２Ｏ３を用いたが、ＢａＯ
１Ｂａ（叶ｈ・８Ｈ２Ｏ、Ｂａ （ＮＯ３） ２などの
Ｂａ含有化合物、ＴｉＣ１，、Ｔｉ （ＮＯ４） 、、
Ｔｉ ［０（ＣＨ２）３ｃｌＩ＋］４などのＴｉ含有化
合物、Ｎｄ（Ｎ０３）３・６１１２Ｏ、Ｎｄｃ１３・６
１１２ＯなどのＮｄ含有化合物、５ｌ（Ｎ（ｈ）３・６
Ｈ２Ｏ、ＳＩｇｃＪ、−６Ｈ，０などのＳｓ含有化合物
、 Ｓｒ （ＯＮ） 、、５ｒＯ１Ｓｒ（ＮＯｚ）２な
どのＳｒ含有化合物、Ｃａｏ、Ｃａ（ＮＯｌ）２などの
Ｃａ含有化合物、Ｃｅ（ＯＨ）ａ、Ｃｅ（ＮＯ３）４、
Ｃｅ（１：０３）２などのＣｅ含仔化合物、ＭｎＣ０１
−ｎＨ２Ｏ、Ｍｎ（ＣＨｓＣｏｏ）２”４Ｈ２Ｏ、Ｍｎ
ｃｌ□・４１１，０なとのＭＯ含有化合物を所定の割合
で調合し、用いてもよい。要は、誘電体磁器にした場合
に上記組成として用いられればよいのである。
ＴｌＯ２、Ｎｄ２Ｏ１、Ｓｍ２Ｏ．Ｊ、 ５ｒＣ０３、
ＣａＣＯ３、ＣｅＯ，、Ｍｎ２Ｏ３を用いたが、ＢａＯ
１Ｂａ（叶ｈ・８Ｈ２Ｏ、Ｂａ （ＮＯ３） ２などの
Ｂａ含有化合物、ＴｉＣ１，、Ｔｉ （ＮＯ４） 、、
Ｔｉ ［０（ＣＨ２）３ｃｌＩ＋］４などのＴｉ含有化
合物、Ｎｄ（Ｎ０３）３・６１１２Ｏ、Ｎｄｃ１３・６
１１２ＯなどのＮｄ含有化合物、５ｌ（Ｎ（ｈ）３・６
Ｈ２Ｏ、ＳＩｇｃＪ、−６Ｈ，０などのＳｓ含有化合物
、 Ｓｒ （ＯＮ） 、、５ｒＯ１Ｓｒ（ＮＯｚ）２な
どのＳｒ含有化合物、Ｃａｏ、Ｃａ（ＮＯｌ）２などの
Ｃａ含有化合物、Ｃｅ（ＯＨ）ａ、Ｃｅ（ＮＯ３）４、
Ｃｅ（１：０３）２などのＣｅ含仔化合物、ＭｎＣ０１
−ｎＨ２Ｏ、Ｍｎ（ＣＨｓＣｏｏ）２”４Ｈ２Ｏ、Ｍｎ
ｃｌ□・４１１，０なとのＭＯ含有化合物を所定の割合
で調合し、用いてもよい。要は、誘電体磁器にした場合
に上記組成として用いられればよいのである。
以上説明したとおり、本発明は、組成式がｘＢａＯ−ｙ
Ｔｉｏ２−ｚ ［（１−ａ＋−ｎ）Ｎｄ２Ｏ３−ｍ （
ＳｒＯ−ＣｅＯ２） −ｎ （ＣａＯ−ＣｅＯａ） ］
で表わされ、かつ、式中の成分組成がモル分率で０．１
０≦ｘ≦０．２５．０．６０≦ｙ≦０．８５．０．０５
≦ｚ５０．３０．０＜ｍ≦０．８０、Ｏ≦ｎ＜０．８０
゜ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｍ ＋ ｎ≦０，８０の範囲にある
ことを特徴とするものを用いることにより、より安価で
大きいＱ値と安定な温度特性を有し、比誘電率の温度調
整が可能で、比較的比誘電率の大きなマイクロ波用誘電
体磁器材料を得ることができる。
Ｔｉｏ２−ｚ ［（１−ａ＋−ｎ）Ｎｄ２Ｏ３−ｍ （
ＳｒＯ−ＣｅＯ２） −ｎ （ＣａＯ−ＣｅＯａ） ］
で表わされ、かつ、式中の成分組成がモル分率で０．１
０≦ｘ≦０．２５．０．６０≦ｙ≦０．８５．０．０５
≦ｚ５０．３０．０＜ｍ≦０．８０、Ｏ≦ｎ＜０．８０
゜ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｍ ＋ ｎ≦０，８０の範囲にある
ことを特徴とするものを用いることにより、より安価で
大きいＱ値と安定な温度特性を有し、比誘電率の温度調
整が可能で、比較的比誘電率の大きなマイクロ波用誘電
体磁器材料を得ることができる。
又、本発明の別の発明は、上記組成法においてＮｄ２Ｏ
３のＪＯＯｓｏ１％未満を５ＩＩ１２Ｏ３で置換したも
のを用いることにより、上記目的に加えて同等の誘電率
および温度係数のもとでは、Ｑ値がさらに向上する傾向
を有し、比誘電率の温度係数を調整する手段が増したマ
イクロ波用誘電体磁器材料を得ることができる。
３のＪＯＯｓｏ１％未満を５ＩＩ１２Ｏ３で置換したも
のを用いることにより、上記目的に加えて同等の誘電率
および温度係数のもとでは、Ｑ値がさらに向上する傾向
を有し、比誘電率の温度係数を調整する手段が増したマ
イクロ波用誘電体磁器材料を得ることができる。
又、本発明のさらに別の発明は、上記磁器材料にＭｎ２
Ｏ．を３重量％以下含有することにより、上記目的に加
えて焼結性が向上するとともに、より比誘電率の増大し
たマイクロ波用誘電体磁器材料を得ることかできる。
Ｏ．を３重量％以下含有することにより、上記目的に加
えて焼結性が向上するとともに、より比誘電率の増大し
たマイクロ波用誘電体磁器材料を得ることかできる。
Claims (3)
- （１）組成式がｘＢａＯ−ｙＴｉＯ＿２−ｚ［（１−ｍ
−ｎ）Ｎｄ＿２Ｏ＿３−ｍ（ＳｒＯ・ＣｅＯ＿２）−ｎ
（ＣａＯ・ＣｅＯ＿２）］で表わされ、かつ、式中の成
分組成がモル分率で０．１０≦ｘ≦０．２５、０．６０
≦ｙ≦０．８５、０．０５≦ｚ≦０．３０、０＜ｍ≦０
．８０、０≦ｎ＜０．８０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｍ＋ｎ≦
０．８０の範囲にあることを特徴とするマイクロ波用誘
電体磁器材料。 - （２）特許請求の範囲第１項記載のものにおいて、Ｎｄ
＿２Ｏ＿３の１００ｍｏｌ％未満をＳｍ＿２Ｏ＿３で置
換したことを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器材料。 - （３）特許請求の範囲第１項および第２項記載のものに
おいて、副成分としてＭｎ＿２Ｏ＿３を３重量％以下含
有することを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2137381A JP2611499B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | マイクロ波用誘電体磁器材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2137381A JP2611499B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | マイクロ波用誘電体磁器材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456004A true JPH0456004A (ja) | 1992-02-24 |
| JP2611499B2 JP2611499B2 (ja) | 1997-05-21 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2137381A Expired - Fee Related JP2611499B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | マイクロ波用誘電体磁器材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2611499B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117658625A (zh) * | 2023-12-04 | 2024-03-08 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种宽温度稳定型mlcc介质材料及其制备方法 |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP2137381A patent/JP2611499B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117658625A (zh) * | 2023-12-04 | 2024-03-08 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种宽温度稳定型mlcc介质材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2611499B2 (ja) | 1997-05-21 |
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