JPH0456461A - イメージリーダ - Google Patents
イメージリーダInfo
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- JPH0456461A JPH0456461A JP2166488A JP16648890A JPH0456461A JP H0456461 A JPH0456461 A JP H0456461A JP 2166488 A JP2166488 A JP 2166488A JP 16648890 A JP16648890 A JP 16648890A JP H0456461 A JPH0456461 A JP H0456461A
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- line
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序に従って本発明を説明する。
A、産業上の利用分野
B1発明の概要
C0従来技術
り0発明が解決しようとする問題点
(A、産業上の利用分野)
本発明はイメージリーダ、特に高い感度を得ることがで
きるイメージリーダに関する。
きるイメージリーダに関する。
(B、発明の概要)
本発明は、イメージリーダにおいて、
感度を高めるため、
イメージセンサとしてラインセンサではなく複数本(N
本、但しNは正の整数)のラインを有したエリアイメー
ジセンサを用い、 副走査周期毎に各ラインの受光素子に蓄積された信号電
荷を副走査方向にラインシフトさせるようにしたもので
ある。
本、但しNは正の整数)のラインを有したエリアイメー
ジセンサを用い、 副走査周期毎に各ラインの受光素子に蓄積された信号電
荷を副走査方向にラインシフトさせるようにしたもので
ある。
(C,従来技術)
複写機、ファクシミリ等にはイメージリーダが不可欠で
あるが、複写機、ファクシミリ等に従来用いられていた
イメージリーダは、リニアセンサからなるものであった
。即ち、主走査方向にリニアセンサを配置し、該リニア
センサによって1ラインの画像を検出し、副走査方向に
被写体とリニアセンサとの相対的位置関係を移動すると
いうことを繰返すことによって行うようにしたものであ
った。
あるが、複写機、ファクシミリ等に従来用いられていた
イメージリーダは、リニアセンサからなるものであった
。即ち、主走査方向にリニアセンサを配置し、該リニア
センサによって1ラインの画像を検出し、副走査方向に
被写体とリニアセンサとの相対的位置関係を移動すると
いうことを繰返すことによって行うようにしたものであ
った。
しかしながら、イメージリーダとしてリニアセンサを用
いていたのでイメージリーダの感度を高めることが難し
かった。というのは、リニアセンサを用いたイメージリ
ーダの受光時間は最大でも副走査周期、即ち1ラインの
走査期間になるに過ぎないからである。
いていたのでイメージリーダの感度を高めることが難し
かった。というのは、リニアセンサを用いたイメージリ
ーダの受光時間は最大でも副走査周期、即ち1ラインの
走査期間になるに過ぎないからである。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、受光時間を実質的に長くすることにより感度を高
めることを目的とする。
あり、受光時間を実質的に長くすることにより感度を高
めることを目的とする。
(D、発明が解決しようとする問題点)ところで、複写
機、ファクシミリ等において小型化、ポータプル化が要
請されるに至っており、そのため光源の小型化、小電力
化が要求されている。そして、光源の小型化、小電力化
に応えるためには光源の光量が少なくなることを許容し
なければならなくなる。従って、光源の光量が少な(で
もイメージを読み取ることができるようにすることが必
要であり、そのためにはイメージリーダの感度を高める
ことが必要となる。
機、ファクシミリ等において小型化、ポータプル化が要
請されるに至っており、そのため光源の小型化、小電力
化が要求されている。そして、光源の小型化、小電力化
に応えるためには光源の光量が少なくなることを許容し
なければならなくなる。従って、光源の光量が少な(で
もイメージを読み取ることができるようにすることが必
要であり、そのためにはイメージリーダの感度を高める
ことが必要となる。
(E、問題点を解決するための手段)
本発明イメージリーグは上記問題点を解決するため、イ
メージセンサとしてラインセンサではな(複数本(N本
、但しNは正の整数)のラインを有したエリアイメージ
センサを用い、 副走査周期毎に各ラインの受光素子に蓄積された信号電
荷を副走査方向にラインシフトさせるようにしたことを
特徴とする。
メージセンサとしてラインセンサではな(複数本(N本
、但しNは正の整数)のラインを有したエリアイメージ
センサを用い、 副走査周期毎に各ラインの受光素子に蓄積された信号電
荷を副走査方向にラインシフトさせるようにしたことを
特徴とする。
(F、作用)
本発明イメージリーダによれば、イメージセンサとして
エリアイメージセンサを用い、1回副走査する毎に信号
電荷を副走査方向にラインシフトするので、信号電荷が
第1番目のラインから第N番目のラインに転送される間
に同じ場所からの光信号をN回受光することになる。従
って、受光時間が実質的にN倍になり、延いてはイメー
ジリーダの感度をN倍にすることができる。但し、これ
は副走査によって1ラインずつラインシフトした場合を
前提としており、若し副走査ピッチが2ラインの場合に
は感度がN/2になり、3ラインの場合には感度がN/
3になる。
エリアイメージセンサを用い、1回副走査する毎に信号
電荷を副走査方向にラインシフトするので、信号電荷が
第1番目のラインから第N番目のラインに転送される間
に同じ場所からの光信号をN回受光することになる。従
って、受光時間が実質的にN倍になり、延いてはイメー
ジリーダの感度をN倍にすることができる。但し、これ
は副走査によって1ラインずつラインシフトした場合を
前提としており、若し副走査ピッチが2ラインの場合に
は感度がN/2になり、3ラインの場合には感度がN/
3になる。
(G、実施例)[第1図、第2図]
以下、本発明イメージリーダを図示実施例に従って詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明イメージリーグの一つの実施例を示す平
面図である。lはエリアイメージセンサで、CCDから
なり、2.2、・・・は受光素子であり、主走査方向に
並べられたM個の受光素子によって1ラインが構成され
、そして、ラインがN本副走査方向に並べられている。
面図である。lはエリアイメージセンサで、CCDから
なり、2.2、・・・は受光素子であり、主走査方向に
並べられたM個の受光素子によって1ラインが構成され
、そして、ラインがN本副走査方向に並べられている。
即ち、受光素子がMXN個設けられている。尚、本明細
書においては、ラインNの受光素子を、左側のものから
順番に次のように座標で表わすこととする。
書においては、ラインNの受光素子を、左側のものから
順番に次のように座標で表わすこととする。
M、N、M−1,N、M−2,N・・・1.N。
ラインN−1の受光素子を同じ<M、N−1、M−1,
N−1、M−2,N−1・・・l、N−1と表わす。他
のラインについても同様に受光素子2を座標で表わす。
N−1、M−2,N−1・・・l、N−1と表わす。他
のラインについても同様に受光素子2を座標で表わす。
3はライン1の下側に配置されたMビットのシフトレジ
スタで、該シフトレジスタ3の出力信号が画像信号とし
て処理される。
スタで、該シフトレジスタ3の出力信号が画像信号とし
て処理される。
次に、動作を第2図(A)乃至(D)に従って説明する
。同図(A)乃至(D)はそれぞれ左側の部分がエリア
イメージセンサを示し、右側の部分が各受光素子2によ
り検出される被検出点を示す。
。同図(A)乃至(D)はそれぞれ左側の部分がエリア
イメージセンサを示し、右側の部分が各受光素子2によ
り検出される被検出点を示す。
同図(A)に示す状態では、主走査方向に並んだ被検出
点M、a、M−1,a、M−2,a、・・・1、aはラ
インNの各受光素子M、N、M−1゜N、M−2,N、
・・・1.Nによって受光される。
点M、a、M−1,a、M−2,a、・・・1、aはラ
インNの各受光素子M、N、M−1゜N、M−2,N、
・・・1.Nによって受光される。
また、被検出点M、b、M−1,b、M−2b、・・・
1.bはラインN−1の各受光素子M、N−1、M−1
,N−1、M−2,N−1、・・・1.N−1によって
受光される。また、被検出点M、C,M−1,c、M−
2,c、−1,cはラインN−2の各受光素子M、N−
2、M−1,N−2、M−2,N−2、・・・1. N
−2によって受光される。
1.bはラインN−1の各受光素子M、N−1、M−1
,N−1、M−2,N−1、・・・1.N−1によって
受光される。また、被検出点M、C,M−1,c、M−
2,c、−1,cはラインN−2の各受光素子M、N−
2、M−1,N−2、M−2,N−2、・・・1. N
−2によって受光される。
そして、このイメージリーグは、副走査周期毎に、シフ
トレジスタ3による信号の読み出しと、各受光素子にお
いて受光した信号電荷の副走査方向へのラインシフトと
、シフトレジスタ3による信号の読み出しとを行う。こ
のラインシフトと副走査とは同期して行われる。これが
イメージリーグの基本的動作である。
トレジスタ3による信号の読み出しと、各受光素子にお
いて受光した信号電荷の副走査方向へのラインシフトと
、シフトレジスタ3による信号の読み出しとを行う。こ
のラインシフトと副走査とは同期して行われる。これが
イメージリーグの基本的動作である。
第2図(B)は第2図(A)に示す状態から1副走査周
期経過した後における状態を示す。ところで、主走査方
向に並んだ被検出点M、a、M−1,a、M−2,a、
・−・1.aは1回の副走査によって今度はラインN−
1の各受光素子MN−1,M−1,N−1、M−2,N
−1、・・・1、N−1によって受光されることになる
。
期経過した後における状態を示す。ところで、主走査方
向に並んだ被検出点M、a、M−1,a、M−2,a、
・−・1.aは1回の副走査によって今度はラインN−
1の各受光素子MN−1,M−1,N−1、M−2,N
−1、・・・1、N−1によって受光されることになる
。
方、このラインN−1の各受光素子M、N−1、M−I
N−1、M−2N−1、・・・1.N−1にはライ
ンシフトによりラインNの各受光素子M、N、M−1,
N、M−2,N、・・・1.N(これは前の副走査周期
において被検出点M、a、M−1,a、M−2,a、−
1,aからの光を受光した受光素子)で受光されて生じ
た信号電荷が転送されてきているのである。従って、第
2図(B)に示す副走査の終了時点ではラインN−1の
受光素子には被検出点M、a、M−1゜a、M−2,a
、・・・1.aからの1回の副走査周期で受光できる光
の2倍の量の信号電荷が蓄積されることになる。
N−1、M−2N−1、・・・1.N−1にはライ
ンシフトによりラインNの各受光素子M、N、M−1,
N、M−2,N、・・・1.N(これは前の副走査周期
において被検出点M、a、M−1,a、M−2,a、−
1,aからの光を受光した受光素子)で受光されて生じ
た信号電荷が転送されてきているのである。従って、第
2図(B)に示す副走査の終了時点ではラインN−1の
受光素子には被検出点M、a、M−1゜a、M−2,a
、・・・1.aからの1回の副走査周期で受光できる光
の2倍の量の信号電荷が蓄積されることになる。
第2図(C)は更に次の副走査周期における状態を示す
。この状態では、被検出点M、a、M−1,a、M−2
,a、・・・1.aからの光はう?ンN−2の受光素子
M、N−2、 M−1,N−2、M−2,N−2、・・弓、N−2よっ
て受光されるが、このラインN−2の受光素子M、N−
2、M−1,N−2 M−2,N−2、・・・1.N−2にはラインN−1の
各受光素子M、N−1、M−1,N−1、M−2,N−
1、・・・1.N−1から信号電荷が転送されてきてお
り、この転送されてきた信号電荷に改めて本副走査周期
でこのラインN−2の各受光素子M、N−2、M−1,
N−2、 M−2,N−2、・・・1.N−2が受光して得た信号
電荷が加算されるのである。
。この状態では、被検出点M、a、M−1,a、M−2
,a、・・・1.aからの光はう?ンN−2の受光素子
M、N−2、 M−1,N−2、M−2,N−2、・・弓、N−2よっ
て受光されるが、このラインN−2の受光素子M、N−
2、M−1,N−2 M−2,N−2、・・・1.N−2にはラインN−1の
各受光素子M、N−1、M−1,N−1、M−2,N−
1、・・・1.N−1から信号電荷が転送されてきてお
り、この転送されてきた信号電荷に改めて本副走査周期
でこのラインN−2の各受光素子M、N−2、M−1,
N−2、 M−2,N−2、・・・1.N−2が受光して得た信号
電荷が加算されるのである。
そして、第2図(D)に示すように、被検出点M、a、
M−1,a%M−2,a、−A、aからの光がライン1
の受光素子M、1、M−1,1、M−2,l・・・1.
1によって受光された状態になると、そのライン1の受
光素子M、1、M−1,1、M−2,1・・・1.1に
はライン2(図示しない)から転送されてきた信号電荷
が存在しているところに更に本副走査周期で被検出点M
、a、M−1,a、M−2,a、−1,aから受光した
信号電荷が加算される。従って、本副走査周期が終了し
た時点でライン1の受光素子M、1、M−1,1、M−
2,1・・・l、1に蓄えられた信号電荷の電荷量は、
被検出点M、a、M−1,a、M−2,a、・・・1.
aから1副走査周期の間に受光した信号電荷の量のN倍
になる。
M−1,a%M−2,a、−A、aからの光がライン1
の受光素子M、1、M−1,1、M−2,l・・・1.
1によって受光された状態になると、そのライン1の受
光素子M、1、M−1,1、M−2,1・・・1.1に
はライン2(図示しない)から転送されてきた信号電荷
が存在しているところに更に本副走査周期で被検出点M
、a、M−1,a、M−2,a、−1,aから受光した
信号電荷が加算される。従って、本副走査周期が終了し
た時点でライン1の受光素子M、1、M−1,1、M−
2,1・・・l、1に蓄えられた信号電荷の電荷量は、
被検出点M、a、M−1,a、M−2,a、・・・1.
aから1副走査周期の間に受光した信号電荷の量のN倍
になる。
そして、このライン1の受光素子M、1、M−1,1、
M−2,1・・・1.1に蓄積された信号電荷は次の信
号電荷においてシフトレジスタ3ヘラインシフトされ、
次いでシフトレジスタ3によって1ビツトずつ読み出さ
れる。この読み出しは、勿論1副走査期間内に行われる
。
M−2,1・・・1.1に蓄積された信号電荷は次の信
号電荷においてシフトレジスタ3ヘラインシフトされ、
次いでシフトレジスタ3によって1ビツトずつ読み出さ
れる。この読み出しは、勿論1副走査期間内に行われる
。
従って、最終的に得られる1ラインの画素信号Qm、o
は下記の式で表わされる。
は下記の式で表わされる。
Qm、OdQm、i
ルづ
但し、1≦m≦M
副走査周期とエリアイメージセンサのラインシフト周期
は同期しているので Qm、i =Qm 但し、i=1.Nとなる。
は同期しているので Qm、i =Qm 但し、i=1.Nとなる。
従って、Qm、o=NQmとなる。
これはとりも直さず感度がN倍となることを意味する。
第2図(A)乃至(D)によって主走査方向に並んだ被
検8点M、a、M−1,a M−2a、・・・1.aからの1ライン分の信号電荷に
着目して動作の説明をしたが、どのラインの信号電荷に
ついても上述したことがいえるのである。
検8点M、a、M−1,a M−2a、・・・1.aからの1ライン分の信号電荷に
着目して動作の説明をしたが、どのラインの信号電荷に
ついても上述したことがいえるのである。
尚、エリアイメージセンサ上における1回当りの副走査
量(副走査ピッチ)が例えば2ラインあるいは3ライン
というようになる場合もあり得る。というのは、レンズ
等の光学系及び副走査と、エリアイメージセンサの寸法
とのからみによってはlラインずつ副走査することがで
きない場合もあるからである。このような場合にも本発
明を適用することができることはいうまでもない。但し
、この場合は、イメージセンサの感度はライン数N/副
走査ピッチとなる。
量(副走査ピッチ)が例えば2ラインあるいは3ライン
というようになる場合もあり得る。というのは、レンズ
等の光学系及び副走査と、エリアイメージセンサの寸法
とのからみによってはlラインずつ副走査することがで
きない場合もあるからである。このような場合にも本発
明を適用することができることはいうまでもない。但し
、この場合は、イメージセンサの感度はライン数N/副
走査ピッチとなる。
(H,発明の効果)
以上に述べたように、本発明イメージリーダは、受光素
子を複数個一方向(主走査方向)に配設したラインを複
数本(N本)副走査方向に並べたエリアイメージセンサ
からなり、副走査周期毎に上記各ラインの受光素子に蓄
積された信号電荷を副走査方向にラインシフトさせるよ
うにしたことを特徴とするものである。
子を複数個一方向(主走査方向)に配設したラインを複
数本(N本)副走査方向に並べたエリアイメージセンサ
からなり、副走査周期毎に上記各ラインの受光素子に蓄
積された信号電荷を副走査方向にラインシフトさせるよ
うにしたことを特徴とするものである。
従って、本発明イメージリーダによれば、イメージセン
サとしてエリアイメージセンサを用い、1回副走査する
毎に信号電荷を副走査方向にラインシフトするので、信
号電荷が第N番目のラインから第1番目のラインに転送
される間に同じ場所からの光信号をN回受光することに
なる。
サとしてエリアイメージセンサを用い、1回副走査する
毎に信号電荷を副走査方向にラインシフトするので、信
号電荷が第N番目のラインから第1番目のラインに転送
される間に同じ場所からの光信号をN回受光することに
なる。
従って、受光時間が実質的にN倍になり、延いてはイメ
ージリーダの感度をN倍にすることができる。
ージリーダの感度をN倍にすることができる。
但し、1ライン置きに副走査する場合(副走査ピッチが
2ラインの場合)には感度はN/2.2ライン置きに副
走査する場合(副走査ピッチが3ラインの場合)にはN
/3になる。
2ラインの場合)には感度はN/2.2ライン置きに副
走査する場合(副走査ピッチが3ラインの場合)にはN
/3になる。
第1図、第2図は本発明イメージリーダの一つの実施例
を説明するためのもので、第1図はエリアイメージセン
サの平面図、第2図(A)乃至(D)は動作説明図であ
る。 エリアイメージセンサ 受光素子 一一◆主走査方向 符号の説明 1・・・エリアイメージセンサ、 2・・・受光素子、 3・・・シフトレジスタ。 平面図 第1図 −一ゆla−礪p恒 −一ゆ一一欅欠署 一一◆i輌嶺投復 一−◆ai4J−11にニー[ir
を説明するためのもので、第1図はエリアイメージセン
サの平面図、第2図(A)乃至(D)は動作説明図であ
る。 エリアイメージセンサ 受光素子 一一◆主走査方向 符号の説明 1・・・エリアイメージセンサ、 2・・・受光素子、 3・・・シフトレジスタ。 平面図 第1図 −一ゆla−礪p恒 −一ゆ一一欅欠署 一一◆i輌嶺投復 一−◆ai4J−11にニー[ir
Claims (1)
- (1)受光素子を複数個一方向に配設したラインを複数
本副走査方向に並べたエリアイメージセンサからなり、 副走査周期毎に上記各ラインの受光素子に蓄積された信
号電荷を副走査方向にラインシフトさせるようにした ことを特徴とするイメージリーダ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2166488A JPH0456461A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | イメージリーダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2166488A JPH0456461A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | イメージリーダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456461A true JPH0456461A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15832317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2166488A Pending JPH0456461A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | イメージリーダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456461A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6407418B1 (en) | 1998-09-16 | 2002-06-18 | Nec Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, image sensor apparatus having the same and image reader having the same |
| WO2004012440A1 (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | ラインセンサ |
| US7460163B2 (en) | 2002-07-26 | 2008-12-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Line sensor spatially compressing charge distribution |
| JP2016197810A (ja) * | 2015-04-03 | 2016-11-24 | 三菱電機株式会社 | イメージセンサおよび画像読取装置 |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP2166488A patent/JPH0456461A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6407418B1 (en) | 1998-09-16 | 2002-06-18 | Nec Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, image sensor apparatus having the same and image reader having the same |
| US6583456B2 (en) | 1998-09-16 | 2003-06-24 | Nec Corporation | Image sensor with light receiving elements of differing areas and image reader both having semiconductor device |
| WO2004012440A1 (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | ラインセンサ |
| US7460163B2 (en) | 2002-07-26 | 2008-12-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Line sensor spatially compressing charge distribution |
| JP2016197810A (ja) * | 2015-04-03 | 2016-11-24 | 三菱電機株式会社 | イメージセンサおよび画像読取装置 |
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