JPH0457373A - 電歪効果素子 - Google Patents
電歪効果素子Info
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- JPH0457373A JPH0457373A JP2169139A JP16913990A JPH0457373A JP H0457373 A JPH0457373 A JP H0457373A JP 2169139 A JP2169139 A JP 2169139A JP 16913990 A JP16913990 A JP 16913990A JP H0457373 A JPH0457373 A JP H0457373A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
- H10N30/883—Additional insulation means preventing electrical, physical or chemical damage, e.g. protective coatings
Landscapes
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電歪縦効果を利用した電歪効果素子に関し、
特に電歪効果素子の外装構造に関する。
特に電歪効果素子の外装構造に関する。
従来、この種の電歪効果素子は、第7図に示すように、
電歪セラミック材料からなるシートまたは薄板状の電歪
セラミック部材と銀・パラジウム合金を用いた内部電極
導体とが交互に重ね合わされた電歪効果素子体300と
、内部電極導体を交互に一層おきに電気的に接続するた
めに被着された一対の外部電極導体と、外部電極導体に
電気的に接続されたリード線600a、600bと、素
子の上下面を除くその他の面に外装されたエポキシ樹脂
等の有機高分子膜13とで構成されていた。
電歪セラミック材料からなるシートまたは薄板状の電歪
セラミック部材と銀・パラジウム合金を用いた内部電極
導体とが交互に重ね合わされた電歪効果素子体300と
、内部電極導体を交互に一層おきに電気的に接続するた
めに被着された一対の外部電極導体と、外部電極導体に
電気的に接続されたリード線600a、600bと、素
子の上下面を除くその他の面に外装されたエポキシ樹脂
等の有機高分子膜13とで構成されていた。
また、耐環境性を向上させるために第8図に示すように
、ハーメチックシール部8c、8dを施した外部端子8
a、8bを含む金属ステム7と金属ケース9を接着剤1
1て電歪効果素子体3の両端面にそれぞれ画定し、かつ
金属ステム7と金属ケース9の接触部9bを溶接してシ
ーリングしていた。
、ハーメチックシール部8c、8dを施した外部端子8
a、8bを含む金属ステム7と金属ケース9を接着剤1
1て電歪効果素子体3の両端面にそれぞれ画定し、かつ
金属ステム7と金属ケース9の接触部9bを溶接してシ
ーリングしていた。
上述した従来の電歪効果素子は、(1)の場合外装に有
機高分子膜が用いられているため、その有機高分子膜の
透湿性、吸湿性等の耐湿性や耐溶薬品性、耐油性の限界
や、有機高分子膜に含有する不純物イオンにより、内部
電極導体間の表面抵抗が下がってスパークを起したり、
内部電極導体中の銀成分によるマイグレーションにより
ショートしたりしていた。
機高分子膜が用いられているため、その有機高分子膜の
透湿性、吸湿性等の耐湿性や耐溶薬品性、耐油性の限界
や、有機高分子膜に含有する不純物イオンにより、内部
電極導体間の表面抵抗が下がってスパークを起したり、
内部電極導体中の銀成分によるマイグレーションにより
ショートしたりしていた。
また(2)の場合は、金属ステム7と金属ケース9の素
材として耐蝕性を考慮して一般にはステンレス材が使用
されるが、接着剤11を加熱して硬化させる時、ステン
レス材(十数ppm/’C)と電歪効果素子体(#1
p p−m/°C)の線膨張係数の差によるストレスの
ため、電歪効果素子体が割れたり、クラック等の欠陥が
生じたりしていた。
材として耐蝕性を考慮して一般にはステンレス材が使用
されるが、接着剤11を加熱して硬化させる時、ステン
レス材(十数ppm/’C)と電歪効果素子体(#1
p p−m/°C)の線膨張係数の差によるストレスの
ため、電歪効果素子体が割れたり、クラック等の欠陥が
生じたりしていた。
また、室温やそれ以下の雰囲気で本素子を駆動させた場
合も同様のことが起った。
合も同様のことが起った。
一方、ステンレス材の替わりに線膨張係数の小さいイン
バー材(数ppm/℃)やスーパーインバー材(−1p
pm/”C)等を使用した場合、先ず加工性が悪くコス
ト高になったり、ハーメチックシール用ガラスの形成が
困難てクラックやリークを起しなり、更に腐食性が大き
かったりして製品の信頼性に多大な悪影響を与えていた
。
バー材(数ppm/℃)やスーパーインバー材(−1p
pm/”C)等を使用した場合、先ず加工性が悪くコス
ト高になったり、ハーメチックシール用ガラスの形成が
困難てクラックやリークを起しなり、更に腐食性が大き
かったりして製品の信頼性に多大な悪影響を与えていた
。
本発明の目的は、金属ケースおよび金属ステムと素子体
との線膨張係数の差による素子体の破壊を防止し、加工
性の低下やコスト高を招くことなく、水分、薬品、油、
その他のガス等の素子内部への侵入を阻止できる高信頼
性の電歪効果素子を提供することにある。
との線膨張係数の差による素子体の破壊を防止し、加工
性の低下やコスト高を招くことなく、水分、薬品、油、
その他のガス等の素子内部への侵入を阻止できる高信頼
性の電歪効果素子を提供することにある。
本発明による電歪効果素子は、シート状の電歪セラミッ
ク部材と内部電極導体とが交互に積層された積層焼結体
を含み、この積層焼結体の対向する一対の側面で上記内
部電極導体の一方の端が上記側面において一層おきに絶
縁され、絶縁されていない上記内部電極導体の端部が、
上記側面に設けられた一対の外部電極導体にそれぞれ接
続されている電歪効果素子体と、これを取り囲む、ハー
メチックシール加工した外部端子を含む金属ステムと、
素子の伸縮方向に可撓性を有する金属ケースとからなり
上記金属ステムと金属ケースとの接触部がシール溶接さ
れた電歪効果素子において、上記金属ステムおよび金属
ケースの電歪効果素子体と接する面にそれぞれ面の中央
近辺にスポット溶接を施した、はぼ電歪効果素子体の端
面を覆い、電歪効果素子体の10倍以下の線膨張係数を
有する金属板を設置して、接着剤を介して電歪効果素子
体と固着してケーシングしている。
ク部材と内部電極導体とが交互に積層された積層焼結体
を含み、この積層焼結体の対向する一対の側面で上記内
部電極導体の一方の端が上記側面において一層おきに絶
縁され、絶縁されていない上記内部電極導体の端部が、
上記側面に設けられた一対の外部電極導体にそれぞれ接
続されている電歪効果素子体と、これを取り囲む、ハー
メチックシール加工した外部端子を含む金属ステムと、
素子の伸縮方向に可撓性を有する金属ケースとからなり
上記金属ステムと金属ケースとの接触部がシール溶接さ
れた電歪効果素子において、上記金属ステムおよび金属
ケースの電歪効果素子体と接する面にそれぞれ面の中央
近辺にスポット溶接を施した、はぼ電歪効果素子体の端
面を覆い、電歪効果素子体の10倍以下の線膨張係数を
有する金属板を設置して、接着剤を介して電歪効果素子
体と固着してケーシングしている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第1図
は本発明の電歪効果素子の第1の実施例の縦断面図、第
2図は本実施例の電歪効果素子の金属ケース9および金
属ステムを取り付ける前の裸の素子の縦断面図、第3図
は本実施例の完成した素子の外観斜視図である。
は本発明の電歪効果素子の第1の実施例の縦断面図、第
2図は本実施例の電歪効果素子の金属ケース9および金
属ステムを取り付ける前の裸の素子の縦断面図、第3図
は本実施例の完成した素子の外観斜視図である。
本実施例の電歪効果素子は、電歪効果素子体3と、電歪
効果素子体3を取り囲む、底部か電歪効果素子体3の数
倍以下の線膨張係数のスポット溶接した金属板12aを
有し電歪効果素子体3の一端と接着11で固着され、電
歪効果素子体3の分極方向に伸縮するように凹凸部9a
を有する金属ケース9と、片面が同様に金属板12bを
有し電歪効果素子体3の他端と接着剤11て固着され、
電歪効果素子体3の外部電極導体にリード線6a、6b
を介して電気的に接続され、かつハーメチックシール部
8c、8dにより気密化された外部端子8a、8bを含
み、さらに金属ケース9との接触部9bが溶接された平
板状の金属ステム7とからなっている。
効果素子体3を取り囲む、底部か電歪効果素子体3の数
倍以下の線膨張係数のスポット溶接した金属板12aを
有し電歪効果素子体3の一端と接着11で固着され、電
歪効果素子体3の分極方向に伸縮するように凹凸部9a
を有する金属ケース9と、片面が同様に金属板12bを
有し電歪効果素子体3の他端と接着剤11て固着され、
電歪効果素子体3の外部電極導体にリード線6a、6b
を介して電気的に接続され、かつハーメチックシール部
8c、8dにより気密化された外部端子8a、8bを含
み、さらに金属ケース9との接触部9bが溶接された平
板状の金属ステム7とからなっている。
次に、本実施例の電歪効果素子の製造方法を説明する。
先ず、例えばニッケル・ニオブ酸鉛pb(N 1 ’1
5 N b y3) 03やチタン酸鉛PbTi○3゜
ジルコン酸鉛PbZr○3等を主成分とする電歪材料の
予焼粉末に少量の有機バインダを添加し、この混合物を
有機溶媒中に分散させて泥漿を準備し、この泥漿でスリ
ップキャスティング成膜法等により層厚的100μmの
電歪セラミック部材1を形成する。次に、この電歪セラ
ミック部材1の片面に、重量比7:3の銀粉末とパラジ
ウム粉末との混合粉末を主成分とする導体ペーストをス
クリーン印刷等で約10μm被着させて内部電極導体2
を形成して、これを複数積層し積層体を作製した後、約
1100℃、2時間の条件で焼成した後、側面を切断し
て内部電極21〜2fi−1の端面が外部に露出した状
態の角柱状の積層焼結体30を作成する。次に、この積
層焼結体30の対向する一対と側面に露出した内部電極
導体21〜2n−1の端部に該側面において交互に電気
泳動法等によりガラス粉末の塗布およびその焼結を施し
て絶縁層41〜4fi−1を形成する。続いて、内部電
極導体21〜2゜−1を一層おきに電気的に接続するた
めに、銀粉末を主成分とする導電ペーストを印刷塗布し
て焼成することにより、一対の外部電極導体5a、5b
を形成する。さらに、外部電極導体5a、5bと電気的
に接続されたリート線6a、6bを設置して電歪効果素
子体3を得る。次に、ステンレス等の金属を片開円筒状
に冷間圧延し、さらに液圧押し込み法等により円筒の一
部に凹凸部7aを設けて可撓性を有した金属ケース9と
、ハーメチックシールされた鉄合金、銅合金ニッケル等
からなる一対の外部端子8a、8bを有し、金属ケース
9と同等の材料からなる円板状の金属ステム7とで電歪
効果素子体3を取り囲み、電歪効果素子体3と、この両
端面にそれぞれ接する金属ケース9および金属ステム7
との開に、例えばスーパーインバー鋼、インバー鋼、4
2Ni鋼等の低線膨張係数(本実施例では電歪効果素子
体3の線膨張係数が約1 p p m/℃であるので、
5ppm/’C以下のものを使用した。)の電歪効果素
子体3の端面を覆う面積を有する円板状の金属板12
a 、、 ]、 2 bを面の中央近辺にそれぞれスポ
ット溶接を施して金属ケース9および金属ステム7に固
定設置させ、さらにエポキシ樹脂等の接着剤11を介し
て電歪効果素子体3の両端面に固着させる。この時、リ
ード線6a、6bを外部端子8a、8bに半田付け、溶
着等でそれぞれ電気的に接続しておく。最後に、内部を
真空加熱処理した後、金属ケース9と金属ステム7の接
触部9bをレーサービーム溶接法、エレクトロビーム溶
接法、抵抗溶接法、T i g溶接法等て封止して完成
する。第3図にその外観斜視図を示す。
5 N b y3) 03やチタン酸鉛PbTi○3゜
ジルコン酸鉛PbZr○3等を主成分とする電歪材料の
予焼粉末に少量の有機バインダを添加し、この混合物を
有機溶媒中に分散させて泥漿を準備し、この泥漿でスリ
ップキャスティング成膜法等により層厚的100μmの
電歪セラミック部材1を形成する。次に、この電歪セラ
ミック部材1の片面に、重量比7:3の銀粉末とパラジ
ウム粉末との混合粉末を主成分とする導体ペーストをス
クリーン印刷等で約10μm被着させて内部電極導体2
を形成して、これを複数積層し積層体を作製した後、約
1100℃、2時間の条件で焼成した後、側面を切断し
て内部電極21〜2fi−1の端面が外部に露出した状
態の角柱状の積層焼結体30を作成する。次に、この積
層焼結体30の対向する一対と側面に露出した内部電極
導体21〜2n−1の端部に該側面において交互に電気
泳動法等によりガラス粉末の塗布およびその焼結を施し
て絶縁層41〜4fi−1を形成する。続いて、内部電
極導体21〜2゜−1を一層おきに電気的に接続するた
めに、銀粉末を主成分とする導電ペーストを印刷塗布し
て焼成することにより、一対の外部電極導体5a、5b
を形成する。さらに、外部電極導体5a、5bと電気的
に接続されたリート線6a、6bを設置して電歪効果素
子体3を得る。次に、ステンレス等の金属を片開円筒状
に冷間圧延し、さらに液圧押し込み法等により円筒の一
部に凹凸部7aを設けて可撓性を有した金属ケース9と
、ハーメチックシールされた鉄合金、銅合金ニッケル等
からなる一対の外部端子8a、8bを有し、金属ケース
9と同等の材料からなる円板状の金属ステム7とで電歪
効果素子体3を取り囲み、電歪効果素子体3と、この両
端面にそれぞれ接する金属ケース9および金属ステム7
との開に、例えばスーパーインバー鋼、インバー鋼、4
2Ni鋼等の低線膨張係数(本実施例では電歪効果素子
体3の線膨張係数が約1 p p m/℃であるので、
5ppm/’C以下のものを使用した。)の電歪効果素
子体3の端面を覆う面積を有する円板状の金属板12
a 、、 ]、 2 bを面の中央近辺にそれぞれスポ
ット溶接を施して金属ケース9および金属ステム7に固
定設置させ、さらにエポキシ樹脂等の接着剤11を介し
て電歪効果素子体3の両端面に固着させる。この時、リ
ード線6a、6bを外部端子8a、8bに半田付け、溶
着等でそれぞれ電気的に接続しておく。最後に、内部を
真空加熱処理した後、金属ケース9と金属ステム7の接
触部9bをレーサービーム溶接法、エレクトロビーム溶
接法、抵抗溶接法、T i g溶接法等て封止して完成
する。第3図にその外観斜視図を示す。
第4図、第5図は本発明の電歪効果素子の第2の実施例
の電歪効果素子の外装前の構造斜視図および縦断面図で
ある。
の電歪効果素子の外装前の構造斜視図および縦断面図で
ある。
本第2の実施例の電歪効果素子は、通称スタック型と呼
ばれるもので、予め円板状に焼成した電歪セラミック部
材10の両面に内部電極導体20を表裏が対称になる一
対の余白部20a、20bを残して形成し、第5図に示
すように側面両端に交互に内部電極導体20が露出しな
い余白部20a、20bをそれぞれそろえて各電歪セラ
ミック部材101〜10.を接着剤等で接着し、円柱状
の積層体31を形成し、幅が余白部20a。
ばれるもので、予め円板状に焼成した電歪セラミック部
材10の両面に内部電極導体20を表裏が対称になる一
対の余白部20a、20bを残して形成し、第5図に示
すように側面両端に交互に内部電極導体20が露出しな
い余白部20a、20bをそれぞれそろえて各電歪セラ
ミック部材101〜10.を接着剤等で接着し、円柱状
の積層体31を形成し、幅が余白部20a。
20bより小さい一対の外部電極導体50a50bを形
成し、それぞれ交互に一層おきに内部電極導体21〜2
n−1の露出部と電気的に接続する。さらに、外部電極
導体50a、50bと電気的に接続されたリード線60
a、60bを設置してスタック型の電歪効果素子を得る
。これを第1の実施例と同様に低線膨張係数の金属板を
固定した金属ケースと金属ステムとて完全密閉して完成
する。
成し、それぞれ交互に一層おきに内部電極導体21〜2
n−1の露出部と電気的に接続する。さらに、外部電極
導体50a、50bと電気的に接続されたリード線60
a、60bを設置してスタック型の電歪効果素子を得る
。これを第1の実施例と同様に低線膨張係数の金属板を
固定した金属ケースと金属ステムとて完全密閉して完成
する。
以上第1図〜第5図に示した電歪効果素子は、電圧供給
部(不図示)がら外部端子8a、8bに電圧を印加する
と、リード線6a、6bと外部電極導体5a、5bおよ
び内部電極導体21〜2o−1を介して電歪セラミック
部材1□〜1o−1の各々の両端に電圧が印加されて、
金属ステム7側を固定した場合、矢印方向(第3図)に
歪と応力を発生する。
部(不図示)がら外部端子8a、8bに電圧を印加する
と、リード線6a、6bと外部電極導体5a、5bおよ
び内部電極導体21〜2o−1を介して電歪セラミック
部材1□〜1o−1の各々の両端に電圧が印加されて、
金属ステム7側を固定した場合、矢印方向(第3図)に
歪と応力を発生する。
第6図は、パルス電圧150V、15Hzを印加した耐
湿性の評価結果である。従来樹脂外装品は湿気の影響に
よるスパーク不良やショート不良により1000時間で
全滅であった。従来金属ケース品(ステンレス材使用)
の場合、上記の不良はなかったが、繰り返しストレスに
よる素子割れや素子クラックにより2000時間く1億
回)もたなかった。一方、本発明品は、3000時間(
1,5億回)を超えても不良は発生しておらす、その効
果の大なることが理解できる。
湿性の評価結果である。従来樹脂外装品は湿気の影響に
よるスパーク不良やショート不良により1000時間で
全滅であった。従来金属ケース品(ステンレス材使用)
の場合、上記の不良はなかったが、繰り返しストレスに
よる素子割れや素子クラックにより2000時間く1億
回)もたなかった。一方、本発明品は、3000時間(
1,5億回)を超えても不良は発生しておらす、その効
果の大なることが理解できる。
以上説明したように本発明は、電歪効果素子体をこの素
子体の線膨張係数に近い金属板を介して金属ケースと金
属ステムに固定し、これらを完全封止することにより、
金属ケースおよび金属ステムと素子体との線膨張係数の
差による素子体の破壊を防止し、かつ、水分、薬品、油
、その他のガス等の素子内部への侵入を完全に阻止した
超高信頼性の電歪効果素子が得られる。
子体の線膨張係数に近い金属板を介して金属ケースと金
属ステムに固定し、これらを完全封止することにより、
金属ケースおよび金属ステムと素子体との線膨張係数の
差による素子体の破壊を防止し、かつ、水分、薬品、油
、その他のガス等の素子内部への侵入を完全に阻止した
超高信頼性の電歪効果素子が得られる。
第1図は本発明の電歪効果素子の第1の実施例の縦断面
図、第2図は第1の実施例の素子体のみの構造を示す縦
断面図、第3図は第1の実施例の外観斜視図、第4図は
本発明の第2の実施例の電歪効果素子の素子体の構造を
示すm造斜視図、第5図は、第4図に示す素子体の縦断
面図、第6図は繰り返し耐湿試験の結果を示すグラフ、
第7図は従来の樹脂外装を施した電歪効果素子の外観斜
視図、第8図は従来の金属ケース外装を施した電歪効果
素子の縦断面図である。 11〜1.、.10.10□〜10.、・・・電歪セラ
ミック部材、21〜2fi−+ 、20.20o〜20
゜−1・・・内部電極導体、3.300・・・電歪効果
素子体、30・・・積層焼結体、31・・・積層体、4
1〜4o−1”’絶縁層、5a、5b、50a、”io
b・=外部tgt導体、6a、6b、60a、60b、
600a、600b・・・リード線、7・・・金属ステ
ム、8a、8b・・・外部端子、8c、8d・・・ハー
メチックシール部、9・・・金属ケース、9a・・・凹
凸部、9b・・・接触部、11・・・接着剤、12a金
属板、13・・有機高分子膜、20a余白部。 12b ・・・ 20b・・・
図、第2図は第1の実施例の素子体のみの構造を示す縦
断面図、第3図は第1の実施例の外観斜視図、第4図は
本発明の第2の実施例の電歪効果素子の素子体の構造を
示すm造斜視図、第5図は、第4図に示す素子体の縦断
面図、第6図は繰り返し耐湿試験の結果を示すグラフ、
第7図は従来の樹脂外装を施した電歪効果素子の外観斜
視図、第8図は従来の金属ケース外装を施した電歪効果
素子の縦断面図である。 11〜1.、.10.10□〜10.、・・・電歪セラ
ミック部材、21〜2fi−+ 、20.20o〜20
゜−1・・・内部電極導体、3.300・・・電歪効果
素子体、30・・・積層焼結体、31・・・積層体、4
1〜4o−1”’絶縁層、5a、5b、50a、”io
b・=外部tgt導体、6a、6b、60a、60b、
600a、600b・・・リード線、7・・・金属ステ
ム、8a、8b・・・外部端子、8c、8d・・・ハー
メチックシール部、9・・・金属ケース、9a・・・凹
凸部、9b・・・接触部、11・・・接着剤、12a金
属板、13・・有機高分子膜、20a余白部。 12b ・・・ 20b・・・
Claims (1)
- シート状の電歪セラミック部材と内部電極導体とが交互
に積層された積層焼結体を含み、前記積層焼結体の対向
する一対の側面で、前記内部電極導体の一方の端が前記
側面において一層おきに絶縁され、絶縁されていない前
記内部電極導体の端部が、前記側面に設けられた一対の
外部電極導体にそれぞれ接続されている電歪効果素子体
と、これを取り囲む、ハーメチックシール加工した外部
端子を含む金属ステムと、素子の伸縮方向に可撓性を有
する金属ケースとからなり、前記金属ステムと金属ケー
スとの接触部がシール溶接された電歪効果素子において
、前記金属ステムおよび金属ケースの電歪効果素子体と
接する面に、それぞれ面の中央付近にスポット溶接を施
した、ほぼ電歪効果素子体の端面を覆い、電歪効果素子
体の10倍以下の線膨張係数を有する金属板を設置して
、接着剤を介して電歪効果素子体と固着したことを特徴
とする電歪効果素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2169139A JP2699619B2 (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | 電歪効果素子 |
| US07/720,255 US5250868A (en) | 1990-06-27 | 1991-06-24 | Piezoelectric effect device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2169139A JP2699619B2 (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | 電歪効果素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0457373A true JPH0457373A (ja) | 1992-02-25 |
| JP2699619B2 JP2699619B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=15881012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2169139A Expired - Lifetime JP2699619B2 (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | 電歪効果素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5250868A (ja) |
| JP (1) | JP2699619B2 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2692396B2 (ja) * | 1991-02-22 | 1997-12-17 | 日本電気株式会社 | 圧電アクチュエータおよびその製造方法 |
| JP3501860B2 (ja) * | 1994-12-21 | 2004-03-02 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪膜型素子及びその製造方法 |
| JP3218972B2 (ja) * | 1996-04-01 | 2001-10-15 | 株式会社村田製作所 | ラダー形フィルタ |
| DE19650900A1 (de) * | 1996-12-07 | 1998-06-10 | Bosch Gmbh Robert | Piezoelektrischer Aktuator |
| DE19818068A1 (de) * | 1998-04-22 | 1999-10-28 | Siemens Ag | Piezoelektronischer Aktor für einen Stellantrieb |
| US6137747A (en) * | 1998-05-29 | 2000-10-24 | Halliburton Energy Services, Inc. | Single point contact acoustic transmitter |
| DE19909450A1 (de) * | 1999-03-04 | 2000-09-07 | Bosch Gmbh Robert | Piezoelektrischer Aktor |
| ATE218243T1 (de) * | 1999-03-29 | 2002-06-15 | Abb T & D Tech Ltd | Geräuscharmer transformator |
| DE10002437A1 (de) * | 2000-01-21 | 2001-08-16 | Bosch Gmbh Robert | Piezoaktor |
| JP4248777B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2009-04-02 | 株式会社デンソー | インジェクタ用圧電体素子及びその製造方法,並びにインジェクタ |
| DE10230032A1 (de) * | 2002-07-04 | 2004-01-22 | Daimlerchrysler Ag | Piezoelektrischer Aktor für umströmende Medien sowie Verwendung eines entsprechenden piezoelektrischen Aktors |
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| KR100849155B1 (ko) * | 2003-11-20 | 2008-07-30 | 바이킹 테크놀러지스, 엘.씨. | 전기-기계식 액추에이터를 위한 통합적 열 보상 장치 및방법 |
| WO2005075113A1 (de) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Ultraschallwandler mit einem piezoelektrischen wandlerelement, verfahren zum herstellen des wandlerelements und verwendung des ultraschallwandlers |
| DE102004024123A1 (de) * | 2004-05-14 | 2005-12-08 | Siemens Ag | Kopfplattenbaugruppe für einen Aktor und Herstellungsverfahren für einen Aktor |
| DE102005043622A1 (de) * | 2005-09-13 | 2007-03-22 | Siemens Ag | Piezoelektrische Aktoreinheit bzw. piezoelektrische Antriebsvorrichtung |
| DE102006043027A1 (de) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Epcos Ag | Verspannelement und Piezoaktor mit dem Verspannelement |
| FR2906165B1 (fr) * | 2006-09-27 | 2009-01-09 | Corneal Ind Soc Par Actions Si | Systeme d'emission d'ultrasons et machine de traitement par ultrasons integrant ledit systeme |
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| JP1564966S (ja) * | 2016-05-02 | 2016-12-12 |
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| JPH02125674A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Nec Corp | 電歪効果素子 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4267478A (en) * | 1978-11-17 | 1981-05-12 | The Singer Company | Pathlength controller for a ring laser gyroscope |
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| EP0094078B1 (en) * | 1982-05-11 | 1988-11-02 | Nec Corporation | Multilayer electrostrictive element which withstands repeated application of pulses |
| JPS601877A (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-08 | Nippon Soken Inc | 積層型圧電体 |
| JPS61159777A (ja) * | 1985-01-07 | 1986-07-19 | Nec Corp | 電歪効果素子 |
| US4803763A (en) * | 1986-08-28 | 1989-02-14 | Nippon Soken, Inc. | Method of making a laminated piezoelectric transducer |
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| US4808874A (en) * | 1988-01-06 | 1989-02-28 | Ford Aerospace Corporation | Double saggital stroke amplifier |
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-
1990
- 1990-06-27 JP JP2169139A patent/JP2699619B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-06-24 US US07/720,255 patent/US5250868A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5250868A (en) | 1993-10-05 |
| JP2699619B2 (ja) | 1998-01-19 |
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