JPH0458438B2 - - Google Patents
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- JPH0458438B2 JPH0458438B2 JP14033787A JP14033787A JPH0458438B2 JP H0458438 B2 JPH0458438 B2 JP H0458438B2 JP 14033787 A JP14033787 A JP 14033787A JP 14033787 A JP14033787 A JP 14033787A JP H0458438 B2 JPH0458438 B2 JP H0458438B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal
- ppm
- raw material
- cracks
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- Expired
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 27
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、タンタル酸リチウム単結晶（以下単
結晶という）を製造する方法に係り、特に育成し
た単結晶の不純物をコントロールすることにより
単結晶のクラツクを防止する単結晶の製造方法に
関する。 〔従来の技術〕 単結晶の製造はるつぼ内の多結晶原料を所定の
温度（例えば1670℃）まで昇温して溶融し、融液
を所定温度（例えば1650℃）まで降温してシード
付けを行なつた後、シードを回転させつつ引き上
げてネツク部、コーン部、ボデイ部を有する単結
晶を育成する。次回の単結晶の育成では前回残つ
た原料に前回育成した結晶の重量分を追加し再度
単結晶を育成を行なつている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記方法で追加チヤージをしながら育成する方
法では、追加チヤージを繰り返すと回を重ねる毎
に単結晶のクラツクの発生率が高くなるという問
題点があり、その為原料の追加チヤージ数を少な
くする必要があつた。 本発明は上記の点に鑑み、育成後の単結晶のク
ラツクの発生を大幅に減少させ、クラツクを生じ
せしめる事なく原料の追加チヤージ回数を増やす
ための単結晶育成法を提供することを目的とする
ものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の単結晶の製造方法は、上記目的達成の
ため、るつぼ内に装入した原料を加熱溶融後種子
結晶を降下し融液に接触させ回転させながら引き
上げ単結晶を育成させる方法において、上記原料
のLi／Taモル比が0.91から0.97よりなる原料で、
Zrが200ppm以下、Alが80ppm以下、Caが20ppm
以下であることを特徴とする単結晶の製造方法で
ある。 〔作用〕 本発明において、発明者らはまず原料の追加チ
ヤージ数の不純物の関係及び単結晶クラツクとの
関係を詳細に調査した結果、表１のようにZrが
200ppm以上、Alが80ppm以上、Caが20ppm以上
になると、結晶のＺ軸方向にクラツクが入ること
が分かつた。クラツクの原因としては、結晶の育
成時の結晶の成長速度の速いＺ軸方向に、Zr、
Al、Caが取り込まれ転位や亜粒界などの結晶欠
陥が発生するためと考えられる。また原料の追加
チヤージ数が多くなる程、Zr、Al、Caが多くな
る傾向があつたが、ZrとAlは耐火物として使用
しているZrO2やAl2O3に混入するための考えら
れ、Caは追加チヤージにより不純物が濃縮され
るためと推定される。
結晶という）を製造する方法に係り、特に育成し
た単結晶の不純物をコントロールすることにより
単結晶のクラツクを防止する単結晶の製造方法に
関する。 〔従来の技術〕 単結晶の製造はるつぼ内の多結晶原料を所定の
温度（例えば1670℃）まで昇温して溶融し、融液
を所定温度（例えば1650℃）まで降温してシード
付けを行なつた後、シードを回転させつつ引き上
げてネツク部、コーン部、ボデイ部を有する単結
晶を育成する。次回の単結晶の育成では前回残つ
た原料に前回育成した結晶の重量分を追加し再度
単結晶を育成を行なつている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記方法で追加チヤージをしながら育成する方
法では、追加チヤージを繰り返すと回を重ねる毎
に単結晶のクラツクの発生率が高くなるという問
題点があり、その為原料の追加チヤージ数を少な
くする必要があつた。 本発明は上記の点に鑑み、育成後の単結晶のク
ラツクの発生を大幅に減少させ、クラツクを生じ
せしめる事なく原料の追加チヤージ回数を増やす
ための単結晶育成法を提供することを目的とする
ものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の単結晶の製造方法は、上記目的達成の
ため、るつぼ内に装入した原料を加熱溶融後種子
結晶を降下し融液に接触させ回転させながら引き
上げ単結晶を育成させる方法において、上記原料
のLi／Taモル比が0.91から0.97よりなる原料で、
Zrが200ppm以下、Alが80ppm以下、Caが20ppm
以下であることを特徴とする単結晶の製造方法で
ある。 〔作用〕 本発明において、発明者らはまず原料の追加チ
ヤージ数の不純物の関係及び単結晶クラツクとの
関係を詳細に調査した結果、表１のようにZrが
200ppm以上、Alが80ppm以上、Caが20ppm以上
になると、結晶のＺ軸方向にクラツクが入ること
が分かつた。クラツクの原因としては、結晶の育
成時の結晶の成長速度の速いＺ軸方向に、Zr、
Al、Caが取り込まれ転位や亜粒界などの結晶欠
陥が発生するためと考えられる。また原料の追加
チヤージ数が多くなる程、Zr、Al、Caが多くな
る傾向があつたが、ZrとAlは耐火物として使用
しているZrO2やAl2O3に混入するための考えら
れ、Caは追加チヤージにより不純物が濃縮され
るためと推定される。
上記のように本発明によれば、育成後の単結晶
のクラツクの発生を大幅に減少させ、さらに単結
晶にクラツクの発生する直前まで原料の追加チヤ
ージをすることができ、単結晶育成歩留の大幅な
向上および原価低減が達成できる。
のクラツクの発生を大幅に減少させ、さらに単結
晶にクラツクの発生する直前まで原料の追加チヤ
ージをすることができ、単結晶育成歩留の大幅な
向上および原価低減が達成できる。
第１図は本発明に係り実験的に得られた原料追
加チヤージ回数と、Zr、Al、Caの不純物濃度の
相関図である。
加チヤージ回数と、Zr、Al、Caの不純物濃度の
相関図である。
Claims (1)
- １ るつぼ内に原料を充填し、加熱溶融後種子結
晶を降下し融液に接触させ回転させながら引き上
げタンタル酸リチウム単結晶を育成させる方法に
おいて、Li／Taモル比が0.91から0.97よりなるタ
ンタル酸リチウム単結晶用原料で、Zrを200ppm
以下、Alを80ppm以下、Caを20ppm以下にする
ことを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14033787A JPS63303895A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14033787A JPS63303895A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63303895A JPS63303895A (ja) | 1988-12-12 |
| JPH0458438B2 true JPH0458438B2 (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=15266481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14033787A Granted JPS63303895A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | タンタル酸リチウム単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63303895A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4046884A1 (en) | 2021-02-17 | 2022-08-24 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Collision avoidance assist apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4924817B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2012-04-25 | 住友金属鉱山株式会社 | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-06-04 JP JP14033787A patent/JPS63303895A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4046884A1 (en) | 2021-02-17 | 2022-08-24 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Collision avoidance assist apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63303895A (ja) | 1988-12-12 |
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