JPH0460239B2 - - Google Patents

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JPH0460239B2
JPH0460239B2 JP14161784A JP14161784A JPH0460239B2 JP H0460239 B2 JPH0460239 B2 JP H0460239B2 JP 14161784 A JP14161784 A JP 14161784A JP 14161784 A JP14161784 A JP 14161784A JP H0460239 B2 JPH0460239 B2 JP H0460239B2
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Japan
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container
electrode
radioactive gas
gas
radioactive
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JP14161784A
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Japanese (ja)
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JPS6120898A (en
Inventor
Masashi Iimura
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は核分裂生成ガス中の放射性被処理ガス
をイオン化して金属基体中に注入する放射性ガス
の固定化処理装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a radioactive gas immobilization processing apparatus that ionizes a radioactive gas in a fission product gas and injects the ionized radioactive gas into a metal substrate.

〔発明の技術的背景とその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

核燃料再処理工場等の原子力施設は、有害な量
の放射能が環境に放出された場合、その影響が広
範囲かつ長期間にわたる可能性があるために、安
全性の確保を他の一般産業に比べて格段に厳しく
することが義務づけられている。
At nuclear power facilities such as nuclear fuel reprocessing plants, if a harmful amount of radioactivity is released into the environment, the effects may be wide-ranging and long-lasting, so ensuring safety is more important than in other general industries. We are required to make the rules even stricter.

再処理工場では使用済燃料から、ウランとプル
トニウムを回収するが、同時に随伴する核分裂生
成物等を含む放射性廃棄物を適切に処理しなけれ
ばならない。放射性廃棄物のうち、気体廃棄物は
クリプトン85(以下Kr−85と記す)のみである
が、これは半減期が10.7年と長寿命であるため
に、今後の原子力発電量の増加を見込むと、将来
は地球規模の汚染につながる恐れがある。そこで
回収技術とともに重要な課題は回収したKr−85
を如何にして安全に貯蔵あるいは処分するかであ
る。従来から放射性廃棄ガスはボンベなどの耐圧
性圧力容器に封入して永久保存する方法が考えら
れている。
Reprocessing plants recover uranium and plutonium from spent fuel, but at the same time they must properly dispose of accompanying radioactive waste, including fission products. Among radioactive waste, the only gaseous waste is krypton-85 (hereinafter referred to as Kr-85), which has a long half-life of 10.7 years, so it is expected that nuclear power generation will increase in the future. , which could lead to global pollution in the future. Therefore, in addition to recovery technology, the important issue is the recovery of Kr-85.
How to store and dispose of it safely. Conventionally, methods have been considered to permanently preserve radioactive waste gas by sealing it in pressure-resistant pressure containers such as cylinders.

しかしながら、圧力容器に封入する方法は長期
間にわたる安全貯蔵の点で問題がある。例えば圧
力容器は定期的な耐圧試験が法令で義務づけられ
ており、その都度貯蔵ガスの移し替えなど煩雑で
危険な作業が要求される欠点がある。
However, the method of sealing in a pressure vessel has problems in terms of safe storage over a long period of time. For example, pressure vessels are required by law to undergo periodic pressure tests, which have the disadvantage of requiring complicated and dangerous work such as transferring stored gas each time.

一方、気体廃棄物Kr−85の処理は前記ボンベ
等の圧力容器への貯蔵法の他に、ゼオライトに吸
着させる方法、イオン化注入固定法等が提案され
ている。
On the other hand, for the treatment of gaseous waste Kr-85, in addition to the method of storing it in a pressure vessel such as a cylinder, a method of adsorbing it on zeolite, a method of fixing by ionization injection, etc. have been proposed.

しかしながら、ボンベ貯蔵法およびゼオライト
に吸着させる方法は実用化するには幾多の改善す
べき問題がある。
However, the bomb storage method and the zeolite adsorption method have many problems that need to be improved before they can be put to practical use.

イオン注入法は、常温、低圧で処分操作ができ
るだけでなく、長期間の安全性でも他の方法に比
べて優れた方法とされている。
The ion implantation method not only enables disposal at room temperature and low pressure, but is also considered to be superior to other methods in terms of long-term safety.

第4図は従来の放射性ガスをイオン化注入する
注入装置の概要を示す断面図、第5図及び第6図
は第4図に示した装置の横断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing an outline of a conventional implantation apparatus for ionizing and implanting radioactive gas, and FIGS. 5 and 6 are cross-sectional views of the apparatus shown in FIG. 4.

以下、第4図から第6図を参照しながら、従来
の放射性ガスの固定化処理装置を説明する。
Hereinafter, a conventional radioactive gas immobilization processing apparatus will be explained with reference to FIGS. 4 to 6.

円筒状容器1内に設けられたイオン化室2には
冷却管3およびリード線4が取りつけられた円筒
型電極5がその中央部に配置されている。前記冷
却管3およびリード線4は、例えばハーメチツク
シールなどの絶縁体6によつて上蓋7と絶縁封じ
されている。また、前記容器1の上蓋7にはKr
−85ガスを導入するためのパイプ9がバルブ8を
介して接続されるとともに、前記容器1内を排気
するためのパイプ11がバルブ10を介して接続
されている。また、前記容器1の外周面は冷却パ
イプが巻回されている。なお、符号14はイオン
注入されたKr−85イオン層と電極がスパツタリ
ングしたコーテイング層からなる累積層であり、
第5図および第6図中、符号15はKr−85イオ
ン、16は電極5から飛び出すスパツタイオンを
ぞれぞれ示している。
In an ionization chamber 2 provided in a cylindrical container 1, a cylindrical electrode 5 to which a cooling pipe 3 and a lead wire 4 are attached is arranged at the center thereof. The cooling pipe 3 and lead wires 4 are insulated and sealed with an upper lid 7 by an insulator 6 such as a hermetic seal. In addition, the upper lid 7 of the container 1 is equipped with Kr.
A pipe 9 for introducing -85 gas is connected via a valve 8, and a pipe 11 for exhausting the inside of the container 1 is connected via a valve 10. Further, a cooling pipe is wound around the outer peripheral surface of the container 1. Note that the reference numeral 14 is a cumulative layer consisting of an ion-implanted Kr-85 ion layer and a coating layer sputtered with an electrode.
In FIGS. 5 and 6, reference numeral 15 indicates Kr-85 ions, and reference numeral 16 indicates sputter ions ejected from the electrode 5, respectively.

次に上記装置においてKr−85ガスを固定化処
分する方法を説明する。
Next, a method for fixing and disposing Kr-85 gas in the above apparatus will be explained.

即ち、第4図において、容器1内は排気用パイ
プ11に接続される図示してない排気装置例えば
イオンポンプ、軸流分子ポンプ、油拡散ポンプな
どで所望の真空度、例えば5×10-7Torr程度に
排気された後、バルブ10を閉じて容器1内を一
定圧力に維持した後、バルブ8を開いてパイプ9
に接続された図示していないボンンベ等からKr
−85ガスを記し、容器1内に一定圧力、例えば
0.1Torr程度のKr−85ガスが封入されたらバルブ
8を閉じる。
That is, in FIG. 4, the inside of the container 1 is heated to a desired degree of vacuum, e.g., 5×10 -7 by an evacuation device (not shown), such as an ion pump, an axial flow molecular pump, or an oil diffusion pump, which is connected to an evacuation pipe 11. After being exhausted to about Torr, valve 10 is closed to maintain a constant pressure inside container 1, valve 8 is opened and pipe 9
Kr from a cylinder, etc. (not shown) connected to
−85 gas and maintain a constant pressure in container 1, e.g.
When Kr-85 gas of about 0.1 Torr is filled, valve 8 is closed.

また、冷却パイプおよび12に水などの冷却媒
体を流して例えばニツケル電極5および容器1を
冷却する。容器1とニツケル電極5に接続された
リード線4の間にKr−85を注入し植えつけるの
に充分なエネルギーで衝撃できる例えば2〜5kV
の高電圧を極性を交互に交換できる図示してない
直流高電圧電源により、ニツケル電極5に印加す
る。ニツケル電極5にプラスの2〜5kVの高電圧
が印加されている時はイオン化されたKr−85イ
オン15は第5図に示すように容器1の内面に注
入して植えつけられ、ニツケル電極5にマイナス
の高電圧2〜5kVが印加されている場合は第6図
に示したように、Kr−85イオン15がニツケル
電極5の表面を衝撃して該電極5材をスパツタリ
ングし、このスパツタリングしたイオンが容器1
の内面に植えつけられたKr−85イオン15面に
コーテイングされる。
Further, a cooling medium such as water is caused to flow through the cooling pipe and 12 to cool the nickel electrode 5 and the container 1, for example. The Kr-85 is injected between the container 1 and the lead wire 4 connected to the nickel electrode 5, and can be impacted with enough energy to implant it, for example, 2 to 5 kV.
is applied to the nickel electrode 5 by a DC high voltage power supply (not shown) whose polarity can be alternately exchanged. When a positive high voltage of 2 to 5 kV is applied to the nickel electrode 5, the ionized Kr-85 ions 15 are injected and planted into the inner surface of the container 1 as shown in FIG. When a negative high voltage of 2 to 5 kV is applied to the nickel electrode 5, as shown in FIG. Ion is container 1
The 15 surfaces of Kr-85 ions planted on the inner surface of the glass are coated.

このようにニツケル電極5に2〜5kVのプラス
の高電圧、マイナスの高電圧を一定間隔で例えば
コーテイングの時は5sec、Kr−85イオン15の
注入時は1secのごとく、印加することにより、円
筒形容器1の内表面にKr−85イオン層とニツケ
ルイオンの金属コーテイング層を累積させて累積
層を形成させる。
In this way, by applying a positive high voltage and a negative high voltage of 2 to 5 kV to the nickel electrode 5 at regular intervals, for example, for 5 seconds when coating, and for 1 second when implanting Kr-85 ions 15, the cylindrical A metal coating layer of a Kr-85 ion layer and a nickel ion layer is accumulated on the inner surface of the shaped container 1 to form a cumulative layer.

しかし、このような従来の放射性ガスのイオン
化注入固定装置は処理すべき放射性ガスの量の多
い、少ないにかかわらず、イオン化固定化処理装
置を稼動し、固定化処理が終えると装置を停止す
ることになる。イオン化固定処理装置はオンライ
ン化した場合、稼動、停止を頻繁にくりかえすこ
とは装置のメンテナンス、電力消費、省力化から
も好ましくなく、どちらかといえば連続的に装置
を稼動させることが望ましいことである。
However, with conventional radioactive gas ionization implantation and fixation devices, the ionization and fixation treatment device is operated regardless of whether the amount of radioactive gas to be treated is large or small, and the device is stopped once the immobilization process is completed. become. When an ionization fixation processing device is brought online, it is undesirable to repeatedly start and stop the device from the viewpoint of device maintenance, power consumption, and labor savings, and if anything, it is preferable to operate the device continuously. .

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は上記した事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は核燃料再処理の際に生じる放射性
ガス例えばKr−85の処理量に対応してイオン化
固定処理装置のイオン化処理量、即ち処理能力を
調整出来るようにした放射性ガスの固定化処理装
置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and its purpose is to increase the ionization throughput, that is, throughput capacity, of the ionization fixation processing equipment in response to the throughput of radioactive gas, such as Kr-85, generated during nuclear fuel reprocessing. An object of the present invention is to provide a radioactive gas immobilization processing device that can be adjusted.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明に係る放射性ガスの固定化処理装置は放
射性被処理ガスが導入される筒状容器内に筒状電
極が配置され前記容器との間に極性の異なる例え
ば2〜5kVの高電圧を印加して前記放射性ガスを
イオン化してグロー放電をおこさせ、前記電極に
は負の高電圧−2〜−5kVを印加して、該イオン
で衝撃して電極表面からスパツタリングイオンを
発生させて前記容器内面にコーテイング層を形成
する。
In the radioactive gas immobilization processing apparatus according to the present invention, a cylindrical electrode is arranged in a cylindrical container into which the radioactive gas to be processed is introduced, and a high voltage of, for example, 2 to 5 kV with a different polarity is applied between the cylindrical electrode and the container. The radioactive gas is ionized to cause a glow discharge, and a negative high voltage of -2 to -5 kV is applied to the electrode, and the ions are bombarded to generate sputtering ions from the electrode surface. A coating layer is formed on the inner surface of the container.

しかる後に、前記円筒状容器に−2〜−5kVの
負の高電圧を印加して該容器内面に前記イオンを
イオン注入してイオン化層を形成し、前記コーテ
イング化層とイオン化層を交互に累積捕捉させる
装置である。この装置の筒状容器内は複数個に分
割した電気的に絶縁されたイオン化室を形成し、
各イオン化室に選択的または同時にイオン化注入
する部材が設けられている。
After that, a negative high voltage of -2 to -5 kV is applied to the cylindrical container to implant the ions into the inner surface of the container to form an ionized layer, and the coated layer and the ionized layer are alternately accumulated. It is a device that captures images. The inside of the cylindrical container of this device forms an electrically insulated ionization chamber divided into multiple parts.
Each ionization chamber is provided with a member for selectively or simultaneously implanting ionization.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、第1図から第3図を参照しながら、本発
明の放射性ガスの固定化処理装置を詳細に説明す
る。
Hereinafter, the radioactive gas immobilization processing apparatus of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3.

即ち、第1図は本発明の放射性ガス固定化処理
装置の第1の実施例を示す断面図で第4図と同一
部分は同一符号で示し重複する部分の説明を省略
する。
That is, FIG. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of the radioactive gas fixation processing apparatus of the present invention, and the same parts as in FIG. 4 are designated by the same reference numerals, and the explanation of the overlapping parts will be omitted.

円筒状容器1の中央部に配置された電極20,
21,22は軸方向に沿つて3等分に分割され、
各々の分割部に絶縁物23が介在されている。そ
して、これらの電極20,21,22をそれぞれ
電気的に絶縁して第1のイオン化室12、第2の
イオン化室33および第3のイオン化室34を形
成させる。また各々の電極20,21,22に対
向した前記容器1の側面に3個の例えばハーメチ
ツクシールからなる絶縁体24を設け、この絶縁
体24を介してそれぞれ独立にリード線25,2
6,27を接続し、これらのリード線25,2
6,27にはスイツチ28,29,30が取りつ
けられている。これらのスイツチ28,29,3
0の他端は一定間隔で極性を変えながら例えば2
〜5kVの高電圧を印加する高電圧供給電源31に
接続され、該電源31の他端は前記容器1に接続
されている。このように第1の実施例では第1の
イオン化室32、第2のイオン化室33第3のイ
オン化室34に分割して形成した以外は第1図と
同様の(同符号)構成になつている。
An electrode 20 arranged in the center of the cylindrical container 1,
21 and 22 are divided into three equal parts along the axial direction,
An insulator 23 is interposed in each divided portion. These electrodes 20, 21, and 22 are then electrically insulated to form a first ionization chamber 12, a second ionization chamber 33, and a third ionization chamber 34, respectively. Further, three insulators 24 made of, for example, hermetic seals are provided on the side surface of the container 1 facing each electrode 20, 21, 22, and lead wires 25, 2 are connected independently through the insulators 24.
6, 27, and these lead wires 25, 2
Switches 28, 29, and 30 are attached to switches 6 and 27. These switches 28, 29, 3
The other end of 0 changes the polarity at regular intervals, for example, 2.
It is connected to a high voltage supply power source 31 that applies a high voltage of ~5 kV, and the other end of the power source 31 is connected to the container 1 . In this way, the first embodiment has the same configuration as that in FIG. 1 (same reference numerals) except that it is divided into a first ionization chamber 32, a second ionization chamber 33, and a third ionization chamber 34. There is.

次に第1の実施例における処理装置を用いて実
際に放射性被処理ガスの例としてKr−85ガスを
イオン化処理する方法について詳細に説明する。
なお、電極20,1,22の材料にはニツケルを
使用した例である。Kr−85ガス量が比較的少な
い場合は電極20に相当する部分のイオン化室3
2でKr−85ガスのイオン化固定処理することと
し、スイツチ28を閉じて(スイツチ29,30
は開放状態)容器1と電極20間に高電圧供給電
源31により、一定間隔で極性の異つた高電圧例
えば2〜5kVを印加する。そして第5図および第
6図に示した方法で、第1のイオン化室32内で
電極20のスパツタリングによる容器1の内壁へ
のコーテイング層の形成およびイオン化層の形成
を繰返して行うことによつてイオン層14を形成
しKr−85のイオン注入固定化処理を行う。
Next, a method for actually ionizing Kr-85 gas as an example of a radioactive gas to be processed using the processing apparatus in the first embodiment will be described in detail.
In this example, nickel is used as the material for the electrodes 20, 1, and 22. If the amount of Kr-85 gas is relatively small, the ionization chamber 3 in the part corresponding to the electrode 20
In step 2, the Kr-85 gas is ionized and fixed, and the switch 28 is closed (switches 29 and 30 are closed).
(open state) High voltages of different polarities, for example, 2 to 5 kV, are applied at regular intervals between the container 1 and the electrodes 20 by a high voltage power source 31. 5 and 6, by repeatedly forming a coating layer on the inner wall of the container 1 by sputtering the electrode 20 and forming an ionization layer in the first ionization chamber 32. An ion layer 14 is formed and Kr-85 is ion implanted and fixed.

また、多量のKr−85ガスを処理する場合には、
スイツチ29,30も閉にすることにより、第2
のイオン化室33および第3のイオン化室34で
も同等の方法で同時にイオン注入固定化処理を行
うことができる。
In addition, when processing a large amount of Kr-85 gas,
By also closing switches 29 and 30, the second
In the ionization chamber 33 and the third ionization chamber 34, the ion implantation and immobilization process can be performed simultaneously using the same method.

このようにして、処理されるKr−85ガス量の
多少、即ち処理量の変動に対応して処理能力を調
整することにより、処理装置の平均化をはかつた
連続的な運転を行うことができる。
In this way, by adjusting the processing capacity in response to fluctuations in the amount of Kr-85 gas being processed, that is, fluctuations in the processing amount, it is possible to perform continuous operation with the aim of averaging the processing equipment. can.

第2図は本発明の放射性ガスの固定化処理装置
の第2の実施例を示す断面図である。第2図中、
第1図と同一部分は同一符号で示し重複する部分
の説明を省略する。
FIG. 2 is a sectional view showing a second embodiment of the radioactive gas immobilization processing apparatus of the present invention. In Figure 2,
Components that are the same as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and explanations of overlapping components will be omitted.

この実施例が第1図の実施例と異なる点は中空
円筒状電極5を共通とし、円筒状容器1を3分割
し、その分割面に絶縁体23を介在して電気的に
絶縁し第1のイオン化室32、第2のイオン化室
33、第3のイオン化室34を形成する。また容
器1の底面に絶縁体を設け、この絶縁体24を貫
通して電極5は高電圧供給電源31の一端に接続
されている。さらに第1、第2および第3のイオ
ン化室32,33,34の容器1に高電圧供給電
源31の他端からはスイツチ35,36,37を
介してリード線が接続されている。その他の構成
は第1図と同じ構成である。
This embodiment differs from the embodiment shown in FIG. 1 by using a common hollow cylindrical electrode 5, dividing the cylindrical container 1 into three parts, and interposing an insulator 23 between the divided surfaces to electrically insulate the first part. An ionization chamber 32, a second ionization chamber 33, and a third ionization chamber 34 are formed. Further, an insulator is provided on the bottom surface of the container 1, and the electrode 5 is connected to one end of a high voltage power supply 31 through the insulator 24. Further, lead wires are connected from the other end of the high voltage power supply 31 to the containers 1 of the first, second and third ionization chambers 32, 33 and 34 via switches 35, 36 and 37. The other configurations are the same as in FIG. 1.

このような構成の装置においてスイツチ28を
閉にし、スイツチ29,30は開放状態にしてお
き、第1図で説明したのと同等の方法により、第
1のイオン化室32でKr−85のイオン注入固定
化処理を行うことができる。
In the apparatus having such a configuration, the switch 28 is closed, the switches 29 and 30 are left open, and Kr-85 ions are implanted in the first ionization chamber 32 by the same method as explained in FIG. Immobilization treatment can be performed.

第3図は本発明の第3の実施例を示したもので
ある。この第3の実施例は前述した第1図および
第2図の装置における容器および電極をそれぞれ
分割して示した以外はほぼ同様の構成である。こ
の実施例によつてもKr−85のイオン注入固定化
処理が実現できる。
FIG. 3 shows a third embodiment of the invention. This third embodiment has substantially the same structure as the apparatus shown in FIGS. 1 and 2, except that the container and the electrodes are shown separately. This embodiment also makes it possible to implement the ion implantation fixation treatment of Kr-85.

以上の実施例では円筒状電極材としてニツケル
を使用した例について説明したが、これに限るこ
となくニツケルとランタンの合金、ランタン、
銅、銅合金、金、銀、アルミニウム、アルミニウ
ム合金などスパツタリングを起しやすい金属なら
ばすべて本発明に適用される。
In the above embodiments, an example was explained in which nickel was used as the cylindrical electrode material, but the invention is not limited to this, and alloys of nickel and lanthanum, lanthanum,
Any metal that tends to cause sputtering, such as copper, copper alloy, gold, silver, aluminum, or aluminum alloy, can be applied to the present invention.

また被処理ガスの例としてKr−85ガスのイオ
ン化処理について説明したが、本発明は他の放射
性ガス、または有毒ガスについても適用され、イ
オン化室も3分割に限定されない。
Furthermore, although the ionization treatment of Kr-85 gas has been described as an example of the gas to be treated, the present invention is also applicable to other radioactive gases or toxic gases, and the ionization chamber is not limited to being divided into three.

なお、冷却媒体は水に限定されないし、円筒状
電極と容器間に印加する高電圧は容器および電極
の大きさなどで変化することは当然のことで2〜
5kVに限定されない。さらに容器内に導入される
ガスの圧力は上記で説明した値に限定されない。
Note that the cooling medium is not limited to water, and it goes without saying that the high voltage applied between the cylindrical electrode and the container will vary depending on the size of the container and electrode.
Not limited to 5kV. Furthermore, the pressure of the gas introduced into the container is not limited to the values described above.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明の放射性ガスの固定
化処理装置によれば、燃料再処理工場で回収され
た放射性ガス、例えばKr−85ガスの量によつて
イオン注入固定化処理能力を調整することが可能
となるので、オンライン化されたイオン注入固定
化処理装置を連続的に運転できるようになる。従
つて、装置の稼動および停止を頻繁にくりかえす
必要がなく、かつ装置のメンテナンスが容易で、
電力消費が少なく、しかも省力化できる等実用的
に大なる効果を奏する。
As explained above, according to the radioactive gas immobilization processing apparatus of the present invention, the ion implantation immobilization processing capacity can be adjusted depending on the amount of radioactive gas, such as Kr-85 gas, recovered at the fuel reprocessing plant. This makes it possible to continuously operate an online ion implantation and immobilization processing device. Therefore, there is no need to repeatedly start and stop the device, and maintenance of the device is easy.
It has great practical effects such as low power consumption and labor saving.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図から第3図は本発明に係る放射性ガスの
固定化装置の第1から第3の実施例をそれぞれ示
す縦断面図、第4図は従来の放射性ガスをイオン
化注入する注入装置の概要を示す断面図、第5図
および第6図は第1図に示した装置の横断面図で
ある。 1……円筒状容器、3……冷却管、6,23,
24……絶縁体、8,10……バルブ、9,11
……パイプ、12……冷却パイプ、14……イオ
ン層、20,21,22……円筒状電極、25,
26,27……リード線、28,29,30……
スイツチ、31……高電圧供給電源、32,3
3,34……イオン化室。
1 to 3 are vertical sectional views showing first to third embodiments of a radioactive gas immobilization device according to the present invention, and FIG. 4 is an outline of a conventional injection device for ionizing and injecting radioactive gas. FIGS. 5 and 6 are cross-sectional views of the apparatus shown in FIG. 1. 1... Cylindrical container, 3... Cooling pipe, 6, 23,
24... Insulator, 8, 10... Valve, 9, 11
... Pipe, 12 ... Cooling pipe, 14 ... Ion layer, 20, 21, 22 ... Cylindrical electrode, 25,
26, 27... Lead wire, 28, 29, 30...
Switch, 31...High voltage supply power supply, 32,3
3, 34...Ionization chamber.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 放射性被処理ガスが導入される筒状容器と、
この容器内に配置された電極と、この電極と前記
容器の間に極性が異なる高電圧を印加する直流電
圧電源と、前記容器内に電気的に絶縁されて被数
に分割された複数のイオン化室とからなることを
特徴とする放射性ガスの固定化処理装置。 2 前記電極は中空筒状体で絶縁体を介して複数
に分割されておりかつ冷却管が設けられているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の放射
性ガスの固定化処理装置。 3 前記容器と電極間には前記電源によつて2〜
5kVの高電圧が印加され、また該電極には2〜
5kVの負の電圧が印加され、さらに該容器に2〜
5の負の電圧が印加され前記容器の内面にイオン
化層とスパツタリングイオンによるコーテング層
とが交互に累積されることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の放射性ガスの固定化処理装
置。
[Claims] 1. A cylindrical container into which a radioactive gas to be treated is introduced;
An electrode disposed within the container, a DC voltage power source that applies high voltages of different polarities between the electrode and the container, and a plurality of ionizers electrically insulated and divided into digits within the container. A radioactive gas immobilization processing device characterized by comprising a chamber. 2. The radioactive gas immobilization processing apparatus according to claim 1, wherein the electrode is a hollow cylindrical body that is divided into a plurality of parts via an insulator and is provided with a cooling pipe. 3 Between the container and the electrode, there are two to
A high voltage of 5 kV is applied, and 2 to 5 kV is applied to the electrode.
A negative voltage of 5 kV is applied to the vessel, and a voltage of 2 to
A radioactive gas immobilization process according to claim 1, characterized in that a negative voltage of 5 is applied and an ionized layer and a sputtered ion coating layer are alternately accumulated on the inner surface of the container. Device.
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