JPH0461226A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPH0461226A JPH0461226A JP16982790A JP16982790A JPH0461226A JP H0461226 A JPH0461226 A JP H0461226A JP 16982790 A JP16982790 A JP 16982790A JP 16982790 A JP16982790 A JP 16982790A JP H0461226 A JPH0461226 A JP H0461226A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業］１−の利用分野〕
この発明は、半導体素子の製造方法に関し、特にゲー
）・電極、配線あるいは拡散層と、土層に形成されＺ＋
Ａｌ−３ｉ ’５たはＡｌ−３ｉ−Ｃｕ等の配線との
間のコンタクト形成を良好に行えるようｃした半導体素
子の製造方法に関するものである。
）・電極、配線あるいは拡散層と、土層に形成されＺ＋
Ａｌ−３ｉ ’５たはＡｌ−３ｉ−Ｃｕ等の配線との
間のコンタクト形成を良好に行えるようｃした半導体素
子の製造方法に関するものである。
最近、す導体素−ｆの高密度化のための、配線層と拡散
層あるいは配線層と配線層とのコンタクト形状の微細化
技術の進歩はＩｊざましく、何らがの導電性膜をコンタ
クト孔内に埋め込んで素子間の配線層の接続、を８昂に
し７なければならない状況にある。
層あるいは配線層と配線層とのコンタクト形状の微細化
技術の進歩はＩｊざましく、何らがの導電性膜をコンタ
クト孔内に埋め込んで素子間の配線層の接続、を８昂に
し７なければならない状況にある。
イこで、この種の分野の技術としては、：７ンタクト孔
内に多結晶シリコン酸化を埋め込んだ半導体素子が形成
されている。
内に多結晶シリコン酸化を埋め込んだ半導体素子が形成
されている。
以下、第２図（ａ）ないし２第２図（ｄ）の１程断面図
により、従来の半導体素子の製造方法について説明する
。
により、従来の半導体素子の製造方法について説明する
。
まず、第２図（ａ）に示すように、通常の１．、 ＯＣ
Ｏ５（Ｌｏｃａｌ ０ｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ ５ｉｌ
ｉｃｏｒｉ）法を用いて、Ｐ型シリコン基板１０１およ
びＮウェル層１０１ａのＦに素子骨ｊｅｉ ｔｉｉ域に
なるフィールド酸化膜１０２を形成する。
Ｏ５（Ｌｏｃａｌ ０ｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ ５ｉｌ
ｉｃｏｒｉ）法を用いて、Ｐ型シリコン基板１０１およ
びＮウェル層１０１ａのＦに素子骨ｊｅｉ ｔｉｉ域に
なるフィールド酸化膜１０２を形成する。
次に、素子形成領域■にｎ型不純物、素子−形成饋域Ｕ
ＣＰ型不純物をイオン注入し、拡散層１０３および１０
３ａを形成する。
ＣＰ型不純物をイオン注入し、拡散層１０３および１０
３ａを形成する。
次に、常圧ＣＶＤ法により、シリコン酸化膜１、０４を
１０００人程度形成する。続いて、同し７く常圧ＣＶＤ
法により、不純物（ボロン リン等）を含むシリコン酸
化膜１０５を５００ｏ人〜７０００人程度形成する。
１０００人程度形成する。続いて、同し７く常圧ＣＶＤ
法により、不純物（ボロン リン等）を含むシリコン酸
化膜１０５を５００ｏ人〜７０００人程度形成する。
次に、熱処理を行い このシリコン酸化膜１０５０表面
を平坦にり、た後Ｃ，通常の２引ｊリソ技化および１ツ
ナング技術を用いて、第２．図（＋））に示すようＣご
、拡散層１．０３の土にズンタクト孔１０６４形成する
。
を平坦にり、た後Ｃ，通常の２引ｊリソ技化および１ツ
ナング技術を用いて、第２．図（＋））に示すようＣご
、拡散層１．０３の土にズンタクト孔１０６４形成する
。
次に、滅ｌコーＣＶ Ｉ）法により、多結晶シリ：ｌｙ
ｐ】０７を１ｏｏｏｏ人程度堆積させる。
ｐ】０７を１ｏｏｏｏ人程度堆積させる。
次に、ＲＩＥ法による異方性エツチング技術を用いで、
多結晶シリコン膜１０７をエッチハックし、コンタクト
孔１０６内にのみ多結晶パ／リコン膜１０７を残す。
多結晶シリコン膜１０７をエッチハックし、コンタクト
孔１０６内にのみ多結晶パ／リコン膜１０７を残す。
次に１、コンタクト孔１０６内の多結晶シリコン膜１０
７にｎ型不純物またはＰ型不純物をイオン注入法により
導入する。
７にｎ型不純物またはＰ型不純物をイオン注入法により
導入する。
次に、多結晶シリコン膜１０７中の不純物を活性化させ
るために、熱処理を行なう。このとき１、不純物を含む
シリコン酸化膜からの不純物の固相拡散およびオートド
ーピングを防くために、Ｎ 、 ＋０□雰囲気中で行な
い、コンタクト孔１．０６の周辺および表面に、第２図
（Ｃ）に示すように、シリコン酸化膜１０８および１０
８ａを形成する。
るために、熱処理を行なう。このとき１、不純物を含む
シリコン酸化膜からの不純物の固相拡散およびオートド
ーピングを防くために、Ｎ 、 ＋０□雰囲気中で行な
い、コンタクト孔１．０６の周辺および表面に、第２図
（Ｃ）に示すように、シリコン酸化膜１０８および１０
８ａを形成する。
続いて、多結晶シリコン［１０７中の不純物をさらに活
性化するために、Ｎ、雰囲気中で短時間アニーリングを
行なう。
性化するために、Ｎ、雰囲気中で短時間アニーリングを
行なう。
次に、コンタクト孔１０６の表面のシリコン酸化Ｗ１１
．０８および１０８ａを希弗酸（１％程度）でエツチン
グ除去する。
．０８および１０８ａを希弗酸（１％程度）でエツチン
グ除去する。
次に、第２図（均に示すように、全面にスバ・ツタリン
グ法により、Ａｆ−５ｔ膜１０９を７０００人程度堆積
させる。
グ法により、Ａｆ−５ｔ膜１０９を７０００人程度堆積
させる。
次に、通常のホトリソ技術とエツチング技術を用いてＡ
ｌ−５ｉｌｌ！配線のバターニングを１］なう。最後に
、■□ガス雰囲気中でシンタリングを行ない、／ｄ−５
３１１１０９と多結晶シリコン膜１０７の接触を良くす
る。
ｌ−５ｉｌｌ！配線のバターニングを１］なう。最後に
、■□ガス雰囲気中でシンタリングを行ない、／ｄ−５
３１１１０９と多結晶シリコン膜１０７の接触を良くす
る。
しかしながら、以上述べた半導体素子の製造方法では、
多結晶シリコンｌ］！１０７中の不純物を活性化するた
めに、Ｎ、 ＋ Ｏ，雰囲気中で熱処理を行う際、ｎ型
不純物を導入した部分の表面がＰ型不純物を導入した部
分の表面よりも厚く酸化され、梠弗酸ζこよる酸化膜の
除去が十分でないと、第２図（ｃｉ）の符号■で示した
ように、ｎ型コンタクト表面にのみ酸化膜が残りやすく
、コンタクト抵抗の増大を招く。
多結晶シリコンｌ］！１０７中の不純物を活性化するた
めに、Ｎ、 ＋ Ｏ，雰囲気中で熱処理を行う際、ｎ型
不純物を導入した部分の表面がＰ型不純物を導入した部
分の表面よりも厚く酸化され、梠弗酸ζこよる酸化膜の
除去が十分でないと、第２図（ｃｉ）の符号■で示した
ように、ｎ型コンタクト表面にのみ酸化膜が残りやすく
、コンタクト抵抗の増大を招く。
これに対して、必要以上にエンチングすると、不純物を
含むシリコン酸化膜１０５も同時にエツチングされるた
め、Ａｆ−５ｉ膜１０９の配線と下層配線の間の絶縁マ
ージンが十分とれなくなるおそれがあるという問題点が
あった。
含むシリコン酸化膜１０５も同時にエツチングされるた
め、Ａｆ−５ｉ膜１０９の配線と下層配線の間の絶縁マ
ージンが十分とれなくなるおそれがあるという問題点が
あった。
この発明は、前記従来技術が持っている問題点のうち、
ｎ型コンタクト表面の酸化膜のエツチング不足によるコ
ンタクト抵抗の増加する問題点と、逆にエツチング過剰
による絶縁マージンが低■するという間凹点について解
決した半導体素子の１５製造力法を提供するものである
。
ｎ型コンタクト表面の酸化膜のエツチング不足によるコ
ンタクト抵抗の増加する問題点と、逆にエツチング過剰
による絶縁マージンが低■するという間凹点について解
決した半導体素子の１５製造力法を提供するものである
。
（課題を解決するだめの手段］
この発明は前記問題点を解決するために、半導体素子の
製造方法において、コンタクト孔内の多結晶シリコン膜
中の不純物を活性化させるためＮ２＋０□雰囲気中で熱
処理を行う前に、Ｐ゛イオン注入マスクを用いて窒化シ
リコン膜をバターニングＬ、てＤ型コンタクトの表面を
覆う」程を導入したものである。
製造方法において、コンタクト孔内の多結晶シリコン膜
中の不純物を活性化させるためＮ２＋０□雰囲気中で熱
処理を行う前に、Ｐ゛イオン注入マスクを用いて窒化シ
リコン膜をバターニングＬ、てＤ型コンタクトの表面を
覆う」程を導入したものである。
［ｆＩ 用〕
この発明によれば、半導体素子の製造方法において、以
」−のような工程を導入したので、窒化シリコン膜が：
ｊンタクト孔内の多結晶シリコン膜の表面に被覆され熱
処理により多結晶シリコン膜の表面の酸化が抑制され、
後の酸化膜除去」程において、エツチング不足によるコ
ンタクトの高抵抗化や、エツチング過剰による絶縁マー
ジンの低下を抑制するように作用し、したがって、前記
問題点を除去できる。
」−のような工程を導入したので、窒化シリコン膜が：
ｊンタクト孔内の多結晶シリコン膜の表面に被覆され熱
処理により多結晶シリコン膜の表面の酸化が抑制され、
後の酸化膜除去」程において、エツチング不足によるコ
ンタクトの高抵抗化や、エツチング過剰による絶縁マー
ジンの低下を抑制するように作用し、したがって、前記
問題点を除去できる。
［実施例］
以）゛、この発明の半導体素子の製造方法の実施例に・
ついて図面に基づき説明する。第１図（ａ）ないし第１
Ｊ（ｄ）はその一実施例の工程断面図である。
ついて図面に基づき説明する。第１図（ａ）ないし第１
Ｊ（ｄ）はその一実施例の工程断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、Ｐ型シリコン基板】
にリンをイオン注入し、熱処理によりＮウェル層１ａを
形成り、ておく。
にリンをイオン注入し、熱処理によりＮウェル層１ａを
形成り、ておく。
次に、通常の１．、、 ＯＣＯｓ法を用い″ζ、フィー
ルド酸化膜２を形成づ゛る。次に、Ｐ型シリコン基板１
土の素ｆ−形成領域Ｉにり二・をイオン注入し７、Ｎ゛
拡散層３を、また、Ｎつｙ−ルＸｉ １ ａ 、Ｕ−の
素Ｙ形成領域ＨにＢＦ□をイオン注入１７、Ｐ゛拡散層
３ａをそれぞれ形成づる。
ルド酸化膜２を形成づ゛る。次に、Ｐ型シリコン基板１
土の素ｆ−形成領域Ｉにり二・をイオン注入し７、Ｎ゛
拡散層３を、また、Ｎつｙ−ルＸｉ １ ａ 、Ｕ−の
素Ｙ形成領域ＨにＢＦ□をイオン注入１７、Ｐ゛拡散層
３ａをそれぞれ形成づる。
次に、常圧ＣＶＤ法Ｑこよりシリコン酸化膜４を１００
０人程度形成する６綺、い゛こ、常圧ＣＶＤ法により、
不純物（ボロンとリン）を含むシリコン酸化膜５を５０
００人〜７０００人程度形成する。
０人程度形成する６綺、い゛こ、常圧ＣＶＤ法により、
不純物（ボロンとリン）を含むシリコン酸化膜５を５０
００人〜７０００人程度形成する。
次に、９００ ’Ｃで１５分間、Ｎ２ガス雰囲気中で熱
処理を行ない、不純物を含むシリコン酸化膜５をガラス
の粘性流動により表面を平坦にする。
処理を行ない、不純物を含むシリコン酸化膜５をガラス
の粘性流動により表面を平坦にする。
次に、通常のホトリソ技術とエツチング技術を用いて、
Ｎ゛拡散層３およびＰ゛拡散Ｎ３ａのＪ二に第１図（ｂ
ｌに示すように、コンタクト径０，８μｍ１「〕のＮ゛
コンタクト孔６およびＰ゛コンタクト孔６ａを形成する
。
Ｎ゛拡散層３およびＰ゛拡散Ｎ３ａのＪ二に第１図（ｂ
ｌに示すように、コンタクト径０，８μｍ１「〕のＮ゛
コンタクト孔６およびＰ゛コンタクト孔６ａを形成する
。
次に、減圧ＣＶＤ法により多結晶シリコン膜７を１００
００人程度堆形成せる。
００人程度堆形成せる。
次に、ＲＩＥ法による異方性工・７チング技術を用いて
エッチバックし、コンタクト孔６および６ａ内にのみ多
結晶シリコン膜７を残す。
エッチバックし、コンタクト孔６および６ａ内にのみ多
結晶シリコン膜７を残す。
次に、Ｎ゛コンタクト孔孔内内多結晶シリコン膜７にｎ
型不純物（リン）をイオン注入法により導入する。続い
て、このときマスクとして用いたホ［・レジストを除去
する。
型不純物（リン）をイオン注入法により導入する。続い
て、このときマスクとして用いたホ［・レジストを除去
する。
次に、ｆｉｌ（ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法により
、第１図（Ｃ）に示すように、窒化シリコン膜１０を１
００人〜１０００人程形成成する。
、第１図（Ｃ）に示すように、窒化シリコン膜１０を１
００人〜１０００人程形成成する。
次に、通常のホトリソ技術、エツチング技術により、Ｐ
゛イオン注入マスクを用いて、窒化シリコンＩｇ１！１
０をバターニングする。
゛イオン注入マスクを用いて、窒化シリコンＩｇ１！１
０をバターニングする。
次に、Ｐ″コンタクト孔６り内の多結晶シリコン膜にＰ
型不純物（ボロン）をイオン注入法により導入する。、
続いて、この時マスクとして用いたホ］・レジストを除
去する。
型不純物（ボロン）をイオン注入法により導入する。、
続いて、この時マスクとして用いたホ］・レジストを除
去する。
次に、多結晶シリコン膜７中の不純物を活性化させるた
めに、まず電気炉アニール法により、９００℃で１５分
間、Ｎ２→０８ガス雰囲気中で熱処理を行なう。このと
きのＮ 、 ＋ ０．ガスの０□ガラス圧は２０％〜４
０％である。
めに、まず電気炉アニール法により、９００℃で１５分
間、Ｎ２→０８ガス雰囲気中で熱処理を行なう。このと
きのＮ 、 ＋ ０．ガスの０□ガラス圧は２０％〜４
０％である。
なお、ｌ〕゛ のコンタクト孔６ａ内の多結晶シリコン
狡７の周辺および表面には １００Ａ〜２００人のシリ
コン酸化膜８が形成されるが、Ｎ゛のコンタクト孔６内
の多結晶シリコン膜７の表面は窒化シリコン膜１０で覆
われているため、表面に酸化膜は形成され４″、周辺に
のめ２００人〜３００人のシリコン酸化膜が形成される
。
狡７の周辺および表面には １００Ａ〜２００人のシリ
コン酸化膜８が形成されるが、Ｎ゛のコンタクト孔６内
の多結晶シリコン膜７の表面は窒化シリコン膜１０で覆
われているため、表面に酸化膜は形成され４″、周辺に
のめ２００人〜３００人のシリコン酸化膜が形成される
。
また、二コンタクト孔周辺の不純物を含むシリコン酸化
膜５のエッヂは１．ガラスの粘性流動により丸くなる。
膜５のエッヂは１．ガラスの粘性流動により丸くなる。
続いて、ランプアニール法により９００ ’Ｃ−・９５
０ ’Ｃの範囲で１０秒間、Ｎ、ガス雰囲気中で熱処理
を行ない、多結晶シリコン膜７中の不純物の活性化率を
高くする。
０ ’Ｃの範囲で１０秒間、Ｎ、ガス雰囲気中で熱処理
を行ない、多結晶シリコン膜７中の不純物の活性化率を
高くする。
次に、第１図（ｄ）に示すように、等方性エツチングに
より、窒化シリコン膜１０を除去する。次に、Ｐ゛コン
タクト孔６ａの表面のシリコン酸化膜８を希弗酸（１％
程度）で工ンチュ／グ除去する。
より、窒化シリコン膜１０を除去する。次に、Ｐ゛コン
タクト孔６ａの表面のシリコン酸化膜８を希弗酸（１％
程度）で工ンチュ／グ除去する。
次に、第１閲（ｄ）にボ”４よう４゛２全而にノ、バッ
タリング法によりＩＪ −Ｓ ｉ膜９を７０００人程度
堆積さセる。
タリング法によりＩＪ −Ｓ ｉ膜９を７０００人程度
堆積さセる。
次に、通常の、１ζ１リソ技術とユッナング技術を用い
て、Ａｌ−５ｉｔｌりＣ１の配線のバクーニングを？コ
な°フ 。
て、Ａｌ−５ｉｔｌりＣ１の配線のバクーニングを？コ
な°フ 。
最後に、４００ ’Ｃご２０分間、Ｈ，ガス雰囲気中で
シンタリングを行ない、Ａｌ−５ｉ膜９と多結晶シリ７
ゴン膜′７の接触４良くする。
シンタリングを行ない、Ａｌ−５ｉ膜９と多結晶シリ７
ゴン膜′７の接触４良くする。
なお、途中の窒化−′／リーｙ ７ 瞑］、 ０の形成
は、Ｎ゛コンタクト孔１５内の多結晶シリコン膜′７に
Ｉｌ型不純物を導入”づる際のイオン↑Ｊ込みエネルギ
４最適化１れば１．イオン打込みのためのマスクを形成
°４るボトリソユ程の前にｊう・）ことがごきる。
は、Ｎ゛コンタクト孔１５内の多結晶シリコン膜′７に
Ｉｌ型不純物を導入”づる際のイオン↑Ｊ込みエネルギ
４最適化１れば１．イオン打込みのためのマスクを形成
°４るボトリソユ程の前にｊう・）ことがごきる。
〔発明の効果］
以」−２ｒ＋ ｍ←′説明したよ・うに、この発明によ
れば、コンタクト孔内の多結晶・シリコン膜中の不純物
を・活性化！１″るための熱処理の前に、Ｐ゛イメンγ
１４１７１１人川しビで窒化シリコン膜をバター、−１
゛／グし、熱処理後にこオフ庖除去゛づるようにしたの
で、Ｎ’ ｒンタクト札内の多結晶シリ３７ン表面が酸
化されなくなり、後の＝〕ンタクト表曲の酸化膜除去の
１−稈ｒおいて、〕ノチング不ｙに、上、るＮ″ コン
〃りｌの高抵抗化や、逆に〕、ン（ング過剰による絶縁
マージンの低トを防１１＝する。−とが期待ごきるもの
である。
れば、コンタクト孔内の多結晶・シリコン膜中の不純物
を・活性化！１″るための熱処理の前に、Ｐ゛イメンγ
１４１７１１人川しビで窒化シリコン膜をバター、−１
゛／グし、熱処理後にこオフ庖除去゛づるようにしたの
で、Ｎ’ ｒンタクト札内の多結晶シリ３７ン表面が酸
化されなくなり、後の＝〕ンタクト表曲の酸化膜除去の
１−稈ｒおいて、〕ノチング不ｙに、上、るＮ″ コン
〃りｌの高抵抗化や、逆に〕、ン（ング過剰による絶縁
マージンの低トを防１１＝する。−とが期待ごきるもの
である。
第１図（ａ）ないし第１１￥１（ｄ）はこの発明の１′
導体（；了の製造方法の・実施例の］程断曲図、第１２
図（３１）ないし第２ ｒ （ａ）は−従宋の半導体累
ｆの型造メツ法り、リー■程断Ｉｆ］１し］ごある。 １・・・Ｐ型シリ−２７基板、１ａ・・・Ｎつ、ル層、
２・・・フィールド酸化膜、；３・・・Ｎ゛拡散層、３
．う・・・Ｐ゛拡散層、４．り・・・シリ−１ン酸化膜
、（ｊ・・・Ｎ゛コンタクト孔６ ａ−Ｐ” ：Ｊンタ
クト孔、’？ −・・多結晶シリコン膜、８・・・シリ
コン酸化膜、イ〕・・・Ａ、／Ｓｉ膜、ｌＯ・・・窒化
シリコン膜。
導体（；了の製造方法の・実施例の］程断曲図、第１２
図（３１）ないし第２ ｒ （ａ）は−従宋の半導体累
ｆの型造メツ法り、リー■程断Ｉｆ］１し］ごある。 １・・・Ｐ型シリ−２７基板、１ａ・・・Ｎつ、ル層、
２・・・フィールド酸化膜、；３・・・Ｎ゛拡散層、３
．う・・・Ｐ゛拡散層、４．り・・・シリ−１ン酸化膜
、（ｊ・・・Ｎ゛コンタクト孔６ ａ−Ｐ” ：Ｊンタ
クト孔、’？ −・・多結晶シリコン膜、８・・・シリ
コン酸化膜、イ〕・・・Ａ、／Ｓｉ膜、ｌＯ・・・窒化
シリコン膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）半導体基板上に拡散層を形成した後、不純物を含
まないシリコン酸化膜と、不純物を含むシリコン酸化膜
とを連続的に堆積させる工程と、 （ｂ）上記不純物を含むシリコン酸化膜を熱処理により
平坦化した後、ＲＩＥ法によりコンタクト孔を形成する
とともに、このコンタクト孔にのみ多結晶シリコン膜を
残す工程と、 （ｃ）上記多結晶シリコン膜にｎ型不純物をイオン注入
した後、窒化シリコン膜を堆積させ、この窒化シリコン
膜をＰ＾＋イオン注入マスクを用いてパターニングする
工程と、 （ｄ）Ｐ型不純物を上記多結晶シリコン膜にイオン注入
した後、この多結晶シリコン膜中の不純物を活性化させ
るために熱処理を行なう工程と、 （ｅ）この熱処理に続いて、上記窒化シリコン膜をエッ
チングにより除去するとともに、上記Ｐ型不純物を注入
した上記多結晶シリコン膜の表面に形成されたシリコン
酸化膜を除去する工程と、 （ｆ）上記シリコン酸化膜除去工程に続いて、上記多結
晶シリコン膜と配線との接触を良くするシンタ工程と、 からなる半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16982790A JP2922991B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16982790A JP2922991B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461226A true JPH0461226A (ja) | 1992-02-27 |
| JP2922991B2 JP2922991B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=15893645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16982790A Expired - Fee Related JP2922991B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2922991B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5837602A (en) * | 1995-07-24 | 1998-11-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing doped interconnect |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP16982790A patent/JP2922991B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5837602A (en) * | 1995-07-24 | 1998-11-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing doped interconnect |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2922991B2 (ja) | 1999-07-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |