JPH0462806A - 軟磁性薄膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、軟磁性薄膜、特に高密度記録に適した磁気ヘ
ッド５薄膜インダクタ等和用いられる軟磁性薄膜に関す
る・。

〈従来の技術〉 磁気ヘッドや薄膜インダクタ等の軟磁性薄膜の材料とし
て、センダスト、パーマＯイ等ノ各種軟磁性材料が知ら
れている。

この場合１例えば、磁気記録の分野では、磁気記録の高
密度化に伴ない、高い保磁力ｎｃを有する磁気記録媒体
が用いられる。この場合。

高保磁力の磁気記録媒体に良好な記録を行なうには、磁
気ヘッドから密度の高い磁束を発生させる必要がある。

このため、磁気ヘッド用の軟磁性薄膜として。

飽和磁束密度ＢＳが高いものが要求される。

加えて、高い記録・再生感度が得られる点で。

軟磁性薄膜の透磁率μが高いことが好ましい。

ざら【１透磁率μの周波数特性が高い点で、電気抵抗率
ρが高いことが好ましい。

しかし、センダストやパーマロイでは、飽和磁束密度Ｂ
８が不十分なため、保磁力Ｈｃが１４００　０ｅ　　Ｌ
、Ｊ上ある高保磁力の磁気記録媒体に十分な書き込みが
できない。

また、数種の軟磁性薄膜を交互に積層した高飽和磁束密
度および高透磁率の多層膜が知られているが、製造工程
が多く、複雑であす、シかも生産歩留りが低いため、未
だ実用化されていない。

〈発明が解決しようとする課題〉 本発明の目的は、飽和磁束密度Ｂ、が高く。

透磁率μが高く、シかも電気抵抗率ρが高い軟磁性薄膜
を提供することにある、 〈課題を解決するための手段〉 このような目的は下記（１）〜（３）の本発明によって
達成される。

（１）下記式で表わされる原子比組成を有することを特
徴とする軟磁性薄膜。

式　　Ｃｏ１００−（ａ＋ｂ）　　Ｍａ　Ｏｂ（上式に
おいてＭＦｉ、５Ａ族元素、４Ａ族元素および５Ａ族元
素から選ばれる１ａ以上であり、２≦ａ≦１５，４≦ｂ
≦３５である。）（２）　　ｃｏを主成分とする主磁性
相を有し２前記主磁性相の結晶粒子の平均結晶粒径りが
１０００Ａ以下である上記（１）に記載の軟磁性薄膜。

（３）　　Ｃｏを主成分とする主磁性層を有し、前記主
磁性相の結晶粒子が全体の５０体体積用上存在する上記
（１）またニ（２）に記載の軟磁性薄膜。

〈作　　　用〉 本発明の軟磁性薄膜は、飽和磁束密度ＢＢが高く、透磁
率μが高く、しかも電気抵抗率ρが高い。

このため１本発明の軟磁性薄膜を例えば、磁気ヘッドに
適用する場合、高保磁力の磁気記録媒体に十分書き込む
ことができ、しかも高い記録・再生感度が得られ、加え
て、高周波数特性が向上する。

〈発明の具体的構成〉 川下１本発明の具体的構成を詳細に説明する。

本発明の軟磁性薄膜は、下記式で示される原子比組成を
有する。

式　　Ｃｏ１００−（ａ＋ｂ）　　Ｍａ　　Ｏｂ上式に
おいてＭは、５Ａ族元累、４Ａ族元素および５Ａ族元素
から選ばれる１種以上である。

このうち、　　Ｙ、　Ｌａ、　Ｃｅ、　Ｔ　ｉ、　Ｚｒ
、　ＴＢ、　Ｎｂおよび１−１ｆの１′５ＪＬＪ上が好
せしい。

より好捷しく汀、緻密性、密着強度および安定性が筒〈
、シかも内部応力が小さい等の膜質が良好な点で、Ｙ、
Ｔａ、Ｈｆおよび２ｒから選ばれる１種以上１％に好ま
しくはこれらのうちで。

Ｈｃが低く、μが高く、磁気特性が良好であり、ρが高
く、高周波特性が良好な点でＹが好ましい。

また、ａば２〜１５．好１しくは３〜１３゜特に好１し
くは４〜１１である。

前記範囲未満では、保磁力Ｈｅが高く、十分な透磁率μ
が得られない。

前記範囲をこえると飽和磁束密度Ｂ８が１１ｋＧ史下に
低下する。

また、ｂｉｊ４〜３５．好ＩＬ＜Ｆ１７〜２８゜特に好
１しくけ９〜２１である。

前記範囲未満でに、保磁力ＨＣが高く、十分な軟磁気特
性が得られない。

前記範囲をこえると飽和磁束密度ＢＳが１１ｋＧ以下に
低下し、′！また保磁力Ｈｃも高くなり十分な軟磁気特
性が得られない。

なお、場合によっては、さらに炭素および／または窒素
が、酸素の一部を置換して含有していてもよい。

この場合、酸素の含有量は、酸素、窒素および炭素の合
計に対して、５０ａｔ％ＩＪ上５より好ましくけ８０　
ａｔチ以上、特に好寸しくｉｊ９［１〜１００ａｔチで
あることが好ましい。

これにより、特にρが向上し、高周波特性が向上する。

さらにまた　Ｃｏの一部ばＮｉ、Ｆｅ、Ｍｎの一種以上
の元素で置換することもできる。

このような本発明の軟磁性薄膜の組成に２例えば、　Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ　Ｐｒｏｂｅ　Ｍｉｃｒｏ　Ａｎａｌｙ
ｓｉｓ（ＥＰＭＡ）法によりすればよい。

軟磁性薄膜の膜厚け、用途＠、ＶＣ応じて適宜選択すれ
ばよいが、通常ｃＬ５〜５μｍ程度である。

このような本発明の軟磁性薄膜は１通常、Ｃｏ金主成分
とする主磁性相と、Ｘの酸化物を主成分とする酸化物相
とを有する。ただし、酸化物相の粒子は微細なため１通
常のＸ線回折等では検出が困難である。

主磁性相は、通常、ｃｏｄ主成分とする結晶粒子にて構
成はれる。そして、結晶粒子は、ＣＯのみで構成されて
もよく、あるいはＣＯにＭまたは酸素が固溶したものて
あってもよい。

また、酸化物相は１通常５ＭＯ酸化物にて構成されるが
、さらにＭの窒化物やＭの炭化物等が含！れでいてもよ
い。この場合１Ｍの酸化物は、通常、最も安定な酸化物
の形で存在するが。

化学量論の組成から多少ずれていてもよい。

主磁性層の結晶粒子の平均結晶粒径ＤＶｉ。

１０００ＡＬｊ下であることが好ましい。

前記範囲をこえると異方性分散を小名くすることができ
なくなると考えられ、結果として保磁力Ｈｅが大きくな
り、軟磁気特性を得ることができない。

そして、平均結晶粒径りに、より好ましくは６００八以
下、特に２０〜６００Ａであることが好ましい。

前記範囲の場合５％に高い透磁率μが得らり。

る。

なお、平均結晶粒径りが１００　ＤＡ以下、特に３０Ｏ
Ａ以下の場合、病い耐食性が得られる。そして、特にＭ
としてＹが含まれる場合はより一層高い耐食性が得られ
る。

結晶粒子の平均結晶粒径りは、粉末法によるＸ線回折線
のＣｏ（（１１）ピークの半値巾Ｗ５ｏを測定し、下記
のシェラ−の式から求めればよい。

式　　Ｄ＝（ｊ、９　　λ／　Ｗ５１１１　　ｃ０８θ
上式において、λけ用いたＸ線の波長であり、θは回折
角である。

また、主磁性相の結晶粒子は全体の５０体積幅以上、特
に８０体積係以上存在することが好ましい。

前記範囲未満では保磁力ＩＩｃが大きく、軟磁気％性が
得られず、しかも飽和磁束密度Ｂｓも低い。

微結晶よシなる主磁性相の体積比率は５例えば透過型電
子顕微鐘を用いて、マトリックスの非晶質相と析出して
いる微結晶相の体積比にて求めればよい。

本発明の軟磁性薄膜を成膜するには、蒸着。

スパッタリング、イオンブレーティング、ＣＶＤ等の気
相法を用いればよい。

成膜時Ｆ］ｄ、通常、通常全基板する。基板温度が高い
と成膜される軟磁性薄膜の主磁性相および酸化物相の結
晶粒が成長するため、基板温度は２００℃以下が好まし
い。

基板の冷却法に特に制限はなく１例えば、水冷して成膜
すればよい。

軟磁性薄膜をスパッタ法により形成するには。

例えば、以下のようにする。

ターゲットには、合金鋳造体や焼結体重らには複合ター
ゲット等を用いる。

酸素を膜中に混入するためには、酸素雰囲気中の反応性
スパッタでもよく、あるいは、ターゲットに酸化物を用
いて吃よい。

スパッタリングは、Ａｒ等不活１”Ｅガス雰囲気下で行
なわれる。

そして１反応性スパッタの場合は、酸素を［１２〜２５
体積チ程度含有させればよい。

スパッタの方式には特に制限はなく、１だ、使用するス
パッタ装置にも制限はなく２通常のものを用い：ｈばよ
い。

なお、動作圧力は２通常、ＲＦスパッタの場合にＦ１３
〜３０Ｘ１０　　’Ｉ’ｏｒｒ程度、イオ程度−イオン
ビームスパッタｎ　１５〜２．５　ｘ　１０　　Ｔ□ｒ
ｒ程度とすればよく、このほかの諸条件は、スパッタ方
式の種類等に応じ適宜決定する。

成膜直後の膜に、非晶質でも、あるいけ結晶質すなわち
結晶粒子が存在してもよい。

なお１Ｍと酸素は親和力が強いため、成膜時にＭ酸化物
の生成熱により膜が自己熱処理され、良好な軟磁気特性
が得られる。

軟磁性薄膜の軟磁気特性をより一層向上させるため熱処
理を行うことが好ましい。この場合。

特に下記の条件が好適である。

昇温速度＝２〜１０℃／分程度 保持温度：２００〜６５０　’Ｃ。

特に５００〜３５０℃程度 保持時間：５〜１００分程度 冷程度度：２〜ｂ 雰囲気：　Ｉ　Ｘ　１０−　’Ｉ’ｏｒｒ　　り下の真
空中またはＡｔ等の不活性ガス中 なお１本発明の場合、微細に分散したＭ酸化物が、熱処
理による結晶粒子の粒成長を抑制するため、平均結晶粒
径ＤＩ前記の範囲内となる。

得られた軟磁性薄膜の直流〜５０Ｈｚ程度での保磁力Ｈ
ｃｕ、４０ｅ以下、より好ましく１ｊｓｏｅ以下である
ことが好ましい。

捷だ、５ＭＨｚでの初透磁率μ、＃−１１’、　６ｏｏ
以上。

特に７００り上の４のが得られる。

保磁力Ｈｅが前記範囲をこえると、あるいけ初透磁率μ
ｍが前記範囲未満であると、磁気ヘッドに適用したとき
、記録・再生感度が低下する傾向にある。

Ｉｆｃ、軟磁性薄膜の飽和磁束密度Ｂ８に。

１１ｋＧ以上、特に１３１（Ｇ線上のものが得られる。

前記範囲未満であるとオーバーライド特性が悪化し、特
に高保磁力の磁気記録媒体への記録が困難となる。

また、軟磁性膜の電気抵抗率ρけ、　　１５０ｘ１０−
６Ω・ｃｍ　ｌ上、特に１ＢｆｌＸ１０−’Ω・ｃｍ　
１．！、Ｉ上のものが得られる、 このため１本発明の軟磁性薄膜に１例えば膜厚２μｍで
μｌが約２０００の薄膜の場合、１６ＭＨ２程度の周波
数までけμｌは低下せず、高周波でも高透磁率が得られ
る。

なお、　Ｂｓ、　１−ｉｃ、μｔｂよびρは下記のとお
り測定すればよい。

Ｂｓ　：試ａＳ動式磁力計（Ｖ　Ｓ　Ｍ　）　ヲ用イテ
。

１０１（０６の磁場中で行なう。

Ｈｃ　：薄膜ヒストロスコープを用いて行なう。

ｔｔｉ：インピーダンスアナライザーを用い、３Ｉｎ（
Ｊｅの磁場中にて、測定周波数５　ＭＢ２でインダクタ
ンスを測定して求める。

ρ：四端子法でシート抵抗を泪１１定して求める。

本発明の軟磁性薄膜は薄膜磁気ヘッド等の各種磁気ヘッ
ドに適用できる。

第１図に、本発明を適用した好適実施例である浮上型の
＃膜磁気ヘッドを示す。

第１図に示さ九る薄膜磁気ヘッドは、スライダ７上に、
絶縁層８１、下部磁極４９１　、ギヤツブＪ曽１０、絶
縁層８３、コイル層１１、絶縁層８５、上部磁極層９５
および保ＦｄＩ層１２を順次有する。

本発明においてスライダ７は、材料として従来公知の種
々のものを用いればよく、例えばセラミックス、フェラ
イト等により構成される。

この場合、セラミックス、特にＡｔ２０３−Ｔｉｅを生
成分とするセラミックス、ＺｒＯ２を主成分とするセラ
ミックス、ＳｉＣを主成分とするセラミックスまたｉＪ
　ＡｔＮを主成分とするセラミックスが好適である。な
お、これらには、添加物としてＭｇ、　Ｙ、　ＺｒＯ２
、’ｒｌｏ２等が含有されていてもよい。

スライダ７の形状やサイズ等の諸条件は公知の何れのも
のであってもよく、用途に応じ適宜選択される。

スライダ７上には、絶縁層８１が形成される。

絶縁層８１の材料としては従来公知のものは（ＯＪれも
使用用能であり１例えば、薄膜作製全スパッタ法により
行なうときには５ＩＯ２、カラス、Ａ７２０３等を用い
ることができる。

絶縁層８１の膜厚やパターンは公知の倒れのものであっ
てもよく、例えば膜厚は、５〜４０μｍ程度とする。

磁極は、通常図示のように、下部磁極層９１と、上部磁
極層９５として設けられる。

本発明では、下部磁極ＪｗＩ９１および上部磁極層９５
に、前記式で表わされる原子比組成の軟磁性薄膜を用い
る。

このため、高保磁力の磁気記録媒体に対してもオーバー
ライド特性に優れ、記録・再生感度、特に、高周波数で
の記録・再生感度が商い磁気ヘッドが得られる。

下部および上部磁極層９１．９５のパターン、膜厚等は
公知のいずれのものであってもよい。

例えば下部磁極層９１の膜厚は１〜５μｍ程度、上部Ｓ
極層９５の膜厚は１〜５μｍ程度とすればよい。

下部磁極層９１および上部磁極層９５の間にはキャップ
層１０が形成される キャップ層１０には、ｈｔ、　ｏ５．５ｉｏ２等公知の
種々の材料を用いればよい。

また、キャップ層１０のパターン、膜厚等は公知の何れ
のものであってもよい。例えば、ギャップ１０の膜厚は
０．２〜ｔｏμｍ程度とすればよい。

コイル層１１の材質には特に制限になく、通常用いられ
るＡｔ、Ｃｕ等の金属を用いればよい。

コイルの巻回パターンや巻回密度についても制限はなく
、公知のものを適宜選択使用すればよい。例えば巻回パ
ターンについては、図示のスバ・イラル型の他、積層型
、ジグザグ型等何れであってもよい。

笠だ、コイル層１１の形成にはスパッタ法、めっき法等
の各種気相被着法を用いればよい。

図示例ではコイル層１１ｔよ、いわゆるスパイラル型と
してスパイラル状に上部および下部磁極層９１．９５間
に配設されており、コイル層１１と上部および下部磁極
層９１．９５間には絶縁層８３．８５が設層されている
。

絶縁層８６．８５の材料としては従来公知のものは何れ
も使用可能であり、例えば、薄膜作製をスパッタＶ−に
より行なうときには、５ｉｏ２カラス、ｆｉ＞１２０ｓ
等をノγｊいるととができる。

また、上部磁＠Ｌ１曽９５上には保話１曽１２が設層さ
れる。保拗虐１２の材料としては従来公知のものは何れ
も使用可能であり、例えばＡｔ２０３等を用いることが
できる。

この場合、保護層１２のパターンや膜厚等は従来公知の
ものはいずれも使用可能であり、例えば膜厚に１０〜５
０μｍ程度とすればよい。

なお、本発明ではさらに各種樹脂゛コー　ト泗等を積層
してもよい。

このような￥ｉ＃膜磁気ヘッドの製造工程は、通常、薄
膜作製とパターン形成とによって行なわれる、。

各種の薄膜作製に＆ｊ、上記（−プでように、従来公知
の技術である気相被着法１例えば真空蒸着法、スパッタ
法、あるいけめっき法等を用いればよい。

薄膜磁気ヘッドの各層のパターン形成は、従来公知の技
術である選択エツチングあるいは選択デポジションによ
り行なうことができる。エツチングとしてにウェットエ
ツチングやドライエツチングＶＣより行なうことができ
る。

本発明を適用した薄膜磁気ヘッドは、アーム等の従来公
知のアセンブリーと組み合わせて使用される。

また、前記の薄膜磁気ヘッドを用いて７種々の方式のオ
ーバーライド記録を行うことができる。

本発明の軟磁性薄Ｍけ、このような薄膜磁気ヘッドのほ
かＭＩＧ　（メタル・イン・ギャップ）ヘッド等の各種
磁気ヘクトに適用できる。

また、熱処理温度が比較定低い６００℃程度で十分な磁
気特性が得られるので、ポリイミドなどの高分子フィル
ムの上に成膜することもできるので、薄膜インダクタ等
にも適用できる３、〈夫　かＴ−例〉 ９下部本発明の具体的実施例を挙げ１本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１ Ｈ，Ｆスパッタ装置を用いて１表１に示さｆ′＋−る原
子比組成を有し、膜厚、約１μｍのＣｏ−ｙ　−０軟磁
性薄膜を基板上に成膜１．た。

まず、純鉄ターゲット上にＹのチップを対称性よく配置
し、この複合ターゲットから３５目の位置に基板を置き
、、Ａｒと０２の混合ガス″ｒコスパッタリングを行な
、っ介。

なｊ・・、基板には結晶（Ｐガラス（コーニング社製フ
ォトセラム）ｆｔ用い７間接水冷して、基板の温度を１
００℃印１に保持しη。

主な成膜条件は、下記のとふ・！ノである。

スパッタガス＋Ａｒ−１−［ｉ１体積％０・−Ａｒ　−
＋　７−５　ｆ４：１１％　（Ｊ２−くバッダガス圧：
５〕・１ρ　　’ｉ’　ｏ　ｒ　ｒ投入電カニ７−４Ｗ
／。２ 成膜速度：１６０Ａ／分 到達真空度　Ｉ　Ｘ　１０　　Ｔｏｒｒ次に、磁気特性
を向上させるために真空度１ｘ１０　　’Ｉ’ｏｒｒ、
温度５００　℃、保持時間１時間にて熱処理を行なった
後［、以下の方法で緒特性を評価した。

（１）膜組成 特別に純度９９．８５４のアルミニウム基板上に成膜し
た膜を用いて、ＥＰＭＡ法により求めた。

（２）初透磁率ｃμｍ） フェライトヨークを膜面に轟て、インピーダンスアナラ
イザを用いて、　３ｍＯ，の磁場。

測定周波数５　Ｍｎ２でインダクタンスを測定すること
により求めた。

（３）保磁力（Ｈｃ’） 薄膜ヒストロスコープにより求メた。

（４）飽和磁束密度（Ｂｓ） ＶＳＭ′ｆｃ用いて１０ｋＯｅの磁場中で測定した。

（５）電気抵抗率（ρ） 四娃子法でシート抵抗を測定することにより求めた。

（６）結晶粒子の平均結晶粒径（Ｄ） Ｘ線回折法を用いてｃｏｒｆ（１）　　ピークの牛値幅
より求めた。

（７）結晶粒子の含有率 透過型電子顕微鏡を用いて、マトリックスの非晶質相と
析出している微結晶相の体積比より求めた。

また、比較用に、ｌ’ｅ　７４　Ｓ　ｉ　ｔｓ　）ｋｌ
　８（ａｔ％）の組成の合金ターゲットを用いて、Ａｙ
中でスパッタリングを行なったほかは、前記と同様とし
。

膜厚１μｍのＦｅ−８ｉ−Ａ７軟磁性薄膜をガラス基板
上に成膜した。

そして、真空度１ｘ１０　　Ｔｏｒｒ、温度６００℃、
保持時間１時間にて熱処理を行なった後。

前記と同様に緒特性を評価した。

結果は表１に示されるとおりである。

表１に示される結果から本発明の効果が明らかである。

なお、１〜２０　ＭＨｚの周波数でμｉを測定したとこ
ろ、サンプル扁１．２では、それぞれ１〜１ｏ　ＭＨｚ
にて一定のμｉが得られ、２０　ＭＨｚでもμｉの低下
量はわずかであった。

加えて、耐食性も良好であった、 実施例２ ｃｏ−’ｒａ−ｏ　軟磁性薄膜をイオンビームスパッタ
装置を用いて下記のように炸裂した。

筺ず、ｃｏメタ−ゲット上ｌ１ｌａのチップを対称性よ
く配置した複合ターゲットに対し、１００ｎ径のパケッ
ト型イオンガンをもつイオンビームスパッタ装置にてＡ
ｒイオンを加速してターゲットに当て、ターゲットから
所定の距離に基板を置いて膜厚的１μｍの膜を成膜した
。

この場合、真空チャンバーの基板に近い所から微量の酸
素を流し１反応性スパッタを行なっまた、基板には実施
例１と同様、結晶化ガラスを用い、間接水冷した。

主な成膜条件は下記の通りである、 加速電圧：１２００Ｖ ビーム電流：１３０ｍＡ 成膜速度：　１６ＯＡ／分 到達真空度：１ｘ１０　　Ｔｏｒｒ 成膜中真空度：　１５〜２．５　Ｘ　１０−’　Ｔｏｒ
ｒ次に得られた薄膜の磁気特性を向上させるために真空
度１ｘ　１ｏ−’　Ｔｏｒｒ、ｍ度５００℃、保持時間
１時間にて熱処理を行なった後に、実施例１と同様の方
法で緒特性を評価した。

結果は表２に示されるとおりである。

表２に示される結果から本発明の効果が明らかである。

なお、このほか、３Ａ族元累、４Ａ族元素および５Ａ族
元素から選ばれる種々の金属を用いてｃ、−Ｍ−０軟磁
性薄膜を成膜して前記と同様の評価を行なったところ同
等の結果が得られた。

また５本発明の軟磁性薄膜を磁気ヘッドに適用して、薄
膜磁気ヘッドを製造した。

そして、高保磁力の磁気記録媒体に対し、記録・再生を
行なったところ、十分なオーバーライド特性と高周波数
での高い記録・再生感度等の優れた電磁変換特性が得ら
れた。

〈発明の効果〉 本発明の軟磁性薄膜け、飽和磁束密度Ｂ８が高く、透磁
率μが高く、保磁力Ｈｃが低い軟磁気特性を有し、しか
本電気抵抗率ρが高い。

加えて、耐食性が良い。

さらには、単層膜で前記の特性が得られるため、成膜が
容易であり、生産歩留りや量産性が高い。

筐だ１本発明の軟磁性薄膜を例えば、磁気ヘッドに適用
する場合、高保磁力の磁気記録媒体へ十分な記録を行な
うことができ、十分なオーバーライド特性が得られる。

加えて５記録・再生感度、特に高周波数での記録・再生
感度が従来のものに比べ格段と向上にする。

【図面の簡単な説明】

第１図に、本発明の軟磁性薄膜を適用した薄膜磁気ヘッ
ドの１例が示される部分断面図である。 符号の説明 ７・・・スライダ ８１．８３．８５・・・絶縁層 ９１・・・下部磁極層 ９５・・・上部磁極層 １０・・−ギャップ層 １１・・−コイル層 １２・・・保護層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）下記式で表わされる原子比組成を有することを特
   徴とする軟磁性薄膜。 式Ｃｏ＿１＿０＿０＿−＿（＿ａ＿＋＿ｂ＿）Ｍ＿ａＯ
   ＿ｂ（上式においてＭは、３Ａ族元素、４Ａ族元素およ
   び５Ａ族元素から選ばれる１種以上であり、２≦ａ≦１
   ５．４≦ｂ≦３５である。）（２）Ｃｏを主成分とする
   主磁性相を有し、前記主磁性相の結晶粒子の平均結晶粒
   径Ｄが１０００Å以下である請求項１に記載の軟磁性薄
   膜。 （３）Ｃｏを主成分とする主磁性層を有し、前記主磁性
   相の結晶粒子が全体の５０体積％以上存在する請求項１
   または２に記載の軟磁性薄膜。