JPH046282B2 - - Google Patents
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- JPH046282B2 JPH046282B2 JP59126801A JP12680184A JPH046282B2 JP H046282 B2 JPH046282 B2 JP H046282B2 JP 59126801 A JP59126801 A JP 59126801A JP 12680184 A JP12680184 A JP 12680184A JP H046282 B2 JPH046282 B2 JP H046282B2
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- attenuation
- voltage
- control
- circuit
- pin diode
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
- H03H7/25—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
- H03H7/253—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode
- H03H7/255—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode the element being a PIN diode
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- Attenuators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、ピンダイオード・ドライバー回路に
関し、特にピンダイオードを用いる可変減衰器に
おける減衰制御特性を改善する、ピンダイオー
ド・ドライバー回路に関する。
関し、特にピンダイオードを用いる可変減衰器に
おける減衰制御特性を改善する、ピンダイオー
ド・ドライバー回路に関する。
（従来技術）
従来、例えば中間周波数帯における信号のレベ
ルを調整する可変減衰器においては、ピンダイオ
ードを減衰用素子として用い、ピンダイオードに
対するバイアス電圧を減衰量制御用の電圧として
加えてやることにより、減衰量を制御調整する方
法が用いられている。第１図ａおよびｂに示され
るのは、従来よく用いられているピンダイオード
による可変減衰回路例を示し、第１図ａの場合に
おいては、端子１０１から入力される信号入力
は、ピンダイオードX1の呈するインピーダンス
に対応して減衰され、端子１０３より出力され
る。この場合、端子１０２からは、電圧制御モー
ドによりピンダイオードX1のバイアス電圧を制
御する、従来よく用いられているピンダイオー
ド・ドライバー回路の制御電圧が入力されてお
り、抵抗R1およびR2を介してピンダイオードX1
には前記制御電圧に対応するバイアス電圧が加え
られ、所定の減衰量が設定される。第１図ｂの場
合においては、減衰用素子として、ピンダイオー
ドX2およびX3が、相互に逆極性となるように接
続されており、電圧制御モードによるピンダイオ
ード・ドライバー回路から、端子１０５を経由し
て入力されるプラス・マイナス両極性制御電圧に
対応して、抵抗R3およびR4を介してそれぞれの
ピンダイオードにバイアス電圧が加えられ、第１
図ａの場合と同様に、信号の入出力端子１０４お
よび１０５の間の伝送減衰量が設定される。
ルを調整する可変減衰器においては、ピンダイオ
ードを減衰用素子として用い、ピンダイオードに
対するバイアス電圧を減衰量制御用の電圧として
加えてやることにより、減衰量を制御調整する方
法が用いられている。第１図ａおよびｂに示され
るのは、従来よく用いられているピンダイオード
による可変減衰回路例を示し、第１図ａの場合に
おいては、端子１０１から入力される信号入力
は、ピンダイオードX1の呈するインピーダンス
に対応して減衰され、端子１０３より出力され
る。この場合、端子１０２からは、電圧制御モー
ドによりピンダイオードX1のバイアス電圧を制
御する、従来よく用いられているピンダイオー
ド・ドライバー回路の制御電圧が入力されてお
り、抵抗R1およびR2を介してピンダイオードX1
には前記制御電圧に対応するバイアス電圧が加え
られ、所定の減衰量が設定される。第１図ｂの場
合においては、減衰用素子として、ピンダイオー
ドX2およびX3が、相互に逆極性となるように接
続されており、電圧制御モードによるピンダイオ
ード・ドライバー回路から、端子１０５を経由し
て入力されるプラス・マイナス両極性制御電圧に
対応して、抵抗R3およびR4を介してそれぞれの
ピンダイオードにバイアス電圧が加えられ、第１
図ａの場合と同様に、信号の入出力端子１０４お
よび１０５の間の伝送減衰量が設定される。
第３図ａに示されるのは、従来の電圧制御モー
ドによるピンダイオード・ドライバーを用いて減
衰量を制御する場合の、可変減衰回路における減
衰量制御特性の１例である。図において、横軸は
ピンダイオード・ドライバーに対する制御電圧
を、縦軸は可変減衰回路における減衰量を示して
いる。なお、可変減衰回路として、第１図ｂに対
応する回路を用いる場合には、制御電圧のプラ
ス・マイナス両極性に対応して、縦軸に対して対
象性を有する減衰特性を呈するが、第３図ａにお
いては、プラスの制御電圧に対する減衰量制御特
性のみを示している。第３図ａより明らかなよう
に、制御電圧入力に対応して、ピンダイオードに
対する直流バイアス電圧の立上りの状態において
は、信号入力に対する減衰量が急激に変化し、こ
のため、制御電圧値に対応する減衰量制御精度が
著しく劣化するという欠点があり、また、上記の
減衰特性に起因して、減衰特性の温度依存性が高
くなり、温度変化にともなう減衰量制御精度の低
下をも生じるという欠点も介在している。
ドによるピンダイオード・ドライバーを用いて減
衰量を制御する場合の、可変減衰回路における減
衰量制御特性の１例である。図において、横軸は
ピンダイオード・ドライバーに対する制御電圧
を、縦軸は可変減衰回路における減衰量を示して
いる。なお、可変減衰回路として、第１図ｂに対
応する回路を用いる場合には、制御電圧のプラ
ス・マイナス両極性に対応して、縦軸に対して対
象性を有する減衰特性を呈するが、第３図ａにお
いては、プラスの制御電圧に対する減衰量制御特
性のみを示している。第３図ａより明らかなよう
に、制御電圧入力に対応して、ピンダイオードに
対する直流バイアス電圧の立上りの状態において
は、信号入力に対する減衰量が急激に変化し、こ
のため、制御電圧値に対応する減衰量制御精度が
著しく劣化するという欠点があり、また、上記の
減衰特性に起因して、減衰特性の温度依存性が高
くなり、温度変化にともなう減衰量制御精度の低
下をも生じるという欠点も介在している。
（発明の目的）
本発明の目的は上記の欠点を除去し、ピンダイ
オードを減衰用素子として用いる可変減衰回路に
対する減衰量制御電圧に対応して、前記ピンダイ
オードに対する制御ドライブを、電圧制御モード
から電流制御モードに変換する作用と、前記減衰
量制御電圧における所定の制御電圧範囲におい
て、前記電流制御モードにおける制御電流を抑制
する制御作用とを併有することにより、前記可変
減衰回路に対する減衰量制御精度を著しく改善す
るピンダイオード・ドライバー回路を提供するこ
とにある。
オードを減衰用素子として用いる可変減衰回路に
対する減衰量制御電圧に対応して、前記ピンダイ
オードに対する制御ドライブを、電圧制御モード
から電流制御モードに変換する作用と、前記減衰
量制御電圧における所定の制御電圧範囲におい
て、前記電流制御モードにおける制御電流を抑制
する制御作用とを併有することにより、前記可変
減衰回路に対する減衰量制御精度を著しく改善す
るピンダイオード・ドライバー回路を提供するこ
とにある。
（発明の構成）
本発明のピンダイオード・ドライバー回路は、
所定の減衰量制御電圧に対応して、可変直流バイ
アス電圧をピンダイオードに加えることにより、
所定の信号に対する伝送減衰量を制御調整するピ
ンダイオード・ドライバー回路において、前記減
衰量制御電圧入力に対応して、前記ピンダイオー
ドに対する制御ドライブを電流モードにより行う
ために、前記減衰量制御電圧値を非直線特性を介
して電流値に変換し、前記ピンダイオードに対す
る減衰量制御電流として出力する電圧電流変換回
路を備えて構成される。
所定の減衰量制御電圧に対応して、可変直流バイ
アス電圧をピンダイオードに加えることにより、
所定の信号に対する伝送減衰量を制御調整するピ
ンダイオード・ドライバー回路において、前記減
衰量制御電圧入力に対応して、前記ピンダイオー
ドに対する制御ドライブを電流モードにより行う
ために、前記減衰量制御電圧値を非直線特性を介
して電流値に変換し、前記ピンダイオードに対す
る減衰量制御電流として出力する電圧電流変換回
路を備えて構成される。
（発明の実施例）
以下、本発明について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第２図ａは、本発明の一実施例と、対応する可
変減衰回路との、それぞれの要部を示すブロツク
図である。図において、本発明のピンダイオー
ド・ドライバー回路３は、減衰量制御電圧が入力
される端子１０９に対応して、差動増幅器１およ
び２と、抵抗R11、R12およびツエナー・ダイオ
ードX5を含む非線形回路と、抵抗R7〜R10および
R13とにより構成されており、ピンダイオード・
ドライバー回路３自体が電圧電流変換回路そのも
のを形成している。
変減衰回路との、それぞれの要部を示すブロツク
図である。図において、本発明のピンダイオー
ド・ドライバー回路３は、減衰量制御電圧が入力
される端子１０９に対応して、差動増幅器１およ
び２と、抵抗R11、R12およびツエナー・ダイオ
ードX5を含む非線形回路と、抵抗R7〜R10および
R13とにより構成されており、ピンダイオード・
ドライバー回路３自体が電圧電流変換回路そのも
のを形成している。
第２図ａにおいて、差動増幅器１、抵抗R7、
R8、R9およびR10は同相加算回路を形成してお
り、また、出力が逆相入力側に帰還されている差
動増幅器２は電圧フオロワー回路を形成してい
る。今、端子１０９より入力される減衰量制御電
圧をViとし、抵抗R7、R8、R9およびR10の抵抗
値につきR7＝R8＝R9＝R10≡Ｒに設定し、抵抗
R11、R12およびツエナー・ダイオードX5を含む
非線形回路のインピーダンスをRCとすると、前
記同相加算回路を形成する差動増幅器１の出力電
圧をV0、前記電圧フオロワー回路を形成する差
動増幅器２の出力電圧をV1として、同相加算回
路の入出力特性より次式が成立つ。
R8、R9およびR10は同相加算回路を形成してお
り、また、出力が逆相入力側に帰還されている差
動増幅器２は電圧フオロワー回路を形成してい
る。今、端子１０９より入力される減衰量制御電
圧をViとし、抵抗R7、R8、R9およびR10の抵抗
値につきR7＝R8＝R9＝R10≡Ｒに設定し、抵抗
R11、R12およびツエナー・ダイオードX5を含む
非線形回路のインピーダンスをRCとすると、前
記同相加算回路を形成する差動増幅器１の出力電
圧をV0、前記電圧フオロワー回路を形成する差
動増幅器２の出力電圧をV1として、同相加算回
路の入出力特性より次式が成立つ。
V0＝Vi＋V1 (1)
また、ピンダイオードX4を含む可変減衰回路
を見込むインピーダンスと抵抗R13との並列接続
によるインピーダンスをRLとすると、前記同相
加算回路の出力電圧V0に対応して、前記非線形
回路のインピーダンスRCおよび前記インピーダ
ンスRLには、電圧フオロワー回路の入力インピ
ーダンスが無限大と大きいため、出力電流I0が一
貫して流れる。従つて、差動増幅器２を含む電圧
フオロワー回路の正相入力側には、 V2＝I0RL (2) の電圧が印加される。然るに、出力電圧が逆相入
力側に帰還されている電圧フオロワー回路におい
ては、その入出力電圧は等しくなるので、V1＝
V2となる。従つて、(1)式および(2)式より次式が
得られる。
を見込むインピーダンスと抵抗R13との並列接続
によるインピーダンスをRLとすると、前記同相
加算回路の出力電圧V0に対応して、前記非線形
回路のインピーダンスRCおよび前記インピーダ
ンスRLには、電圧フオロワー回路の入力インピ
ーダンスが無限大と大きいため、出力電流I0が一
貫して流れる。従つて、差動増幅器２を含む電圧
フオロワー回路の正相入力側には、 V2＝I0RL (2) の電圧が印加される。然るに、出力電圧が逆相入
力側に帰還されている電圧フオロワー回路におい
ては、その入出力電圧は等しくなるので、V1＝
V2となる。従つて、(1)式および(2)式より次式が
得られる。
V0＝Vi＋I0RL (3)
また、同相加算回路の出力電圧V0と、インピ
ーダンスRCおよびRLを流れる出力電流I0との関
係より、 V0＝I0（RC＋RL） (4) 上記の(3)式および(4)式より、次式が与えられ
る。
ーダンスRCおよびRLを流れる出力電流I0との関
係より、 V0＝I0（RC＋RL） (4) 上記の(3)式および(4)式より、次式が与えられ
る。
I0＝Vi／RC (5)
上記の(5)式より明らかなように、出力電流I0
は、ピンダイオードX4を含む可変減衰回路を見
込むインピーダンスと抵抗R13との並列接続によ
るインピーダンスRLの値の如何に関係なく、減
衰量制御電圧Viに比例し、且つ非線形インピー
ダンスRCに反比例している。即ち、出力電流I0
は、減衰量制御電圧Viに対応する減衰量制御用
の電圧電流交換値、即ち可変減衰回路に対する制
御電流として出力される。ここにおいて、非線形
回路のインピーダンスRCの回路構成要素を適当
に選択することにより、この制御電流I0の値を調
整し、前記可変減衰回路に対する制御電流制御回
路を形成することが可能となる。
は、ピンダイオードX4を含む可変減衰回路を見
込むインピーダンスと抵抗R13との並列接続によ
るインピーダンスRLの値の如何に関係なく、減
衰量制御電圧Viに比例し、且つ非線形インピー
ダンスRCに反比例している。即ち、出力電流I0
は、減衰量制御電圧Viに対応する減衰量制御用
の電圧電流交換値、即ち可変減衰回路に対する制
御電流として出力される。ここにおいて、非線形
回路のインピーダンスRCの回路構成要素を適当
に選択することにより、この制御電流I0の値を調
整し、前記可変減衰回路に対する制御電流制御回
路を形成することが可能となる。
また、インピーダンスRCは、第２図ａにおけ
る場合には、抵抗器R12とツエナー・ダイオード
X5の直列インピーダンスと抵抗器R11との並列接
続により形成されており、抵抗器R11とR12との
関係としてR11≫R12となるように選定し、且つ
R11の値を適当な抵抗値に選ぶことにより、ツエ
ナー・ダイオードX5におけるツエナー電圧との
対応関係において、前記制御電圧Viに対する制
御電流I0の関係を修正し、結果的に可変減衰回路
における減衰量制御特性を改善することが可能と
なる。すなわち、減衰量に対する制御電圧Viが
低電圧の領域においては、電圧V0に対して、ツ
エナー・ダイオードX5におけるバイアス電圧は、
ツエナー電圧よりも低電位であり、従つて、イン
ピーダンスRCは、ツエナー・ダイオードX5を含
む側路が開放状態となるため、実効的に抵抗器
R11として作用する。すなわち、前記(5)式より明
らかなように、制御電流はI0＝Vi／R11となり、
制御電圧Viに対する制御電流I0の関係は抵抗器
R11の抵抗値によつて規定される。このことは、
抵抗器R11の抵抗値を適当に選択することによ
り、ツエナー・ダイオードX5のバイアス電圧が、
所定のツエナー電圧以下となる制御電圧の領域に
おいては、Vi−I0特性を所望の特性に設定できる
ことを意味している。制御電圧Viの増大にとも
ない、ツエナー・ダイオードX5に対するバイア
ス電圧がツエナー電圧を上廻る状態になると、ツ
エナーダイオードX5を含む側路は導通状態とな
り、制御電流I0は、前述の抵抗器R11のみによる
規制を離れて、抵抗器R12により規制され、Viに
対する変化量が増大する傾向となる。
る場合には、抵抗器R12とツエナー・ダイオード
X5の直列インピーダンスと抵抗器R11との並列接
続により形成されており、抵抗器R11とR12との
関係としてR11≫R12となるように選定し、且つ
R11の値を適当な抵抗値に選ぶことにより、ツエ
ナー・ダイオードX5におけるツエナー電圧との
対応関係において、前記制御電圧Viに対する制
御電流I0の関係を修正し、結果的に可変減衰回路
における減衰量制御特性を改善することが可能と
なる。すなわち、減衰量に対する制御電圧Viが
低電圧の領域においては、電圧V0に対して、ツ
エナー・ダイオードX5におけるバイアス電圧は、
ツエナー電圧よりも低電位であり、従つて、イン
ピーダンスRCは、ツエナー・ダイオードX5を含
む側路が開放状態となるため、実効的に抵抗器
R11として作用する。すなわち、前記(5)式より明
らかなように、制御電流はI0＝Vi／R11となり、
制御電圧Viに対する制御電流I0の関係は抵抗器
R11の抵抗値によつて規定される。このことは、
抵抗器R11の抵抗値を適当に選択することによ
り、ツエナー・ダイオードX5のバイアス電圧が、
所定のツエナー電圧以下となる制御電圧の領域に
おいては、Vi−I0特性を所望の特性に設定できる
ことを意味している。制御電圧Viの増大にとも
ない、ツエナー・ダイオードX5に対するバイア
ス電圧がツエナー電圧を上廻る状態になると、ツ
エナーダイオードX5を含む側路は導通状態とな
り、制御電流I0は、前述の抵抗器R11のみによる
規制を離れて、抵抗器R12により規制され、Viに
対する変化量が増大する傾向となる。
制御電流I0は、原理的に、インピーダンスRCに
接続されている抵抗器R13と、可変減衰回路にお
ける抵抗器R5、ピンダイオードX4および抵抗器
R6とを含む負荷回路のインピーダンスに関係な
く、一義的に、制御電圧ViとインピーダンスRC
とにより定まる電流値であり、この制御電流I0に
よる電流モードの制御ドライブにより、ピンダイ
オードX4のバイアス電圧が制御されて、可変減
衰回路における端子１０７から１０８に対応する
伝送減衰量が制御調整される。従つて、ピンダイ
オード・ドライバー回路３の端子１０９から入力
される。減衰量に対する制御電圧Viに対応する
減衰量制御特性は、第３図ｂに示されるように、
制御電圧ViのＯ〜Vbの領域においては、ほぼ直
線的な特性となり、電圧Vbを境界点として、Vi
に対する変化率が増大する特性に移行する。言う
までもなく、前述の電圧値Vbは、ツエナー・ダ
イオードX5におけるバイアス電圧が、所定のツ
エナー電圧に到達する時点の制御電圧に対応して
いる。
接続されている抵抗器R13と、可変減衰回路にお
ける抵抗器R5、ピンダイオードX4および抵抗器
R6とを含む負荷回路のインピーダンスに関係な
く、一義的に、制御電圧ViとインピーダンスRC
とにより定まる電流値であり、この制御電流I0に
よる電流モードの制御ドライブにより、ピンダイ
オードX4のバイアス電圧が制御されて、可変減
衰回路における端子１０７から１０８に対応する
伝送減衰量が制御調整される。従つて、ピンダイ
オード・ドライバー回路３の端子１０９から入力
される。減衰量に対する制御電圧Viに対応する
減衰量制御特性は、第３図ｂに示されるように、
制御電圧ViのＯ〜Vbの領域においては、ほぼ直
線的な特性となり、電圧Vbを境界点として、Vi
に対する変化率が増大する特性に移行する。言う
までもなく、前述の電圧値Vbは、ツエナー・ダ
イオードX5におけるバイアス電圧が、所定のツ
エナー電圧に到達する時点の制御電圧に対応して
いる。
第３図ａおよびｂを比較対応させて見て明らか
なように、本発明のピンダイオード・ドライバー
回路を用いる場合には、制御電圧Viに対応する
減衰量制御特性が、Vi＝Ｏ〜Vbの領域において
は、前述のように抵抗器R11に規制されて低勾配
の特性に改善され、また、ViがVbを越える領域
においては、抵抗器R12により規制されて比較的
急勾配の特性に移行してゆくことが分る。従つ
て、制御電圧Viの入力に対応する減衰量の変化
が低勾配の特性に改善されるために、Viにおけ
る変化量△Viに対応する減衰量の変化量△Ｌを
相対的に小さい量に抑制し、△Vi／△Ｌの値を
大きくすることができるため、制御電圧Viに対
応する、可変減衰回路に対する減衰量制御精度
を、前記△Vi／△Ｌの値に比例する形で改善す
ることができる。前述のように、ViがVbを越え
る制御電圧の領域においても、第３図ｂに示され
るように、△Vi／△Ｌの値が増大傾向に移行は
するものの、抵抗器R12の抵抗値の選定により、
減衰量制御精度を大きく劣化させることなく、制
御電圧Viの有効範囲を拡大することができる。
また、前記△Vi／△Ｌの値の向上にともない、
温度条件に対する依存度も低減し、減衰量制御精
度の温度特性も改善される。
なように、本発明のピンダイオード・ドライバー
回路を用いる場合には、制御電圧Viに対応する
減衰量制御特性が、Vi＝Ｏ〜Vbの領域において
は、前述のように抵抗器R11に規制されて低勾配
の特性に改善され、また、ViがVbを越える領域
においては、抵抗器R12により規制されて比較的
急勾配の特性に移行してゆくことが分る。従つ
て、制御電圧Viの入力に対応する減衰量の変化
が低勾配の特性に改善されるために、Viにおけ
る変化量△Viに対応する減衰量の変化量△Ｌを
相対的に小さい量に抑制し、△Vi／△Ｌの値を
大きくすることができるため、制御電圧Viに対
応する、可変減衰回路に対する減衰量制御精度
を、前記△Vi／△Ｌの値に比例する形で改善す
ることができる。前述のように、ViがVbを越え
る制御電圧の領域においても、第３図ｂに示され
るように、△Vi／△Ｌの値が増大傾向に移行は
するものの、抵抗器R12の抵抗値の選定により、
減衰量制御精度を大きく劣化させることなく、制
御電圧Viの有効範囲を拡大することができる。
また、前記△Vi／△Ｌの値の向上にともない、
温度条件に対する依存度も低減し、減衰量制御精
度の温度特性も改善される。
第２図ｂは、本発明の他の一実施例と、対応す
る可変減衰回路との、それぞれの要部を示すブロ
ツク図である。図において、本発明のピンダイオ
ード・ドライバー回路６は、減衰量制御電圧が入
力される端子１１２に対応して、差動増幅器４お
よび５と、抵抗R20、R21、ダイオードX8、X9お
よびツエナー・ダイオードX10、X11を含む非線
形回路と、抵抗R16〜R15およびR22とにより構成
されており、ピンダイオード・ドライバー回路６
自体が電圧電流変換回路そのものを形成してい
る。
る可変減衰回路との、それぞれの要部を示すブロ
ツク図である。図において、本発明のピンダイオ
ード・ドライバー回路６は、減衰量制御電圧が入
力される端子１１２に対応して、差動増幅器４お
よび５と、抵抗R20、R21、ダイオードX8、X9お
よびツエナー・ダイオードX10、X11を含む非線
形回路と、抵抗R16〜R15およびR22とにより構成
されており、ピンダイオード・ドライバー回路６
自体が電圧電流変換回路そのものを形成してい
る。
第２図ｂに示される実施例と、第２図ａに示さ
れる実施例との相異点は、ピンダイオード・ドラ
イバー回路については、制御電流制御回路の主要
構成要素である非線形回路に含まれる半導体回路
素子が、単一のツエナー・ダイオードにより構成
されるのではなく、相互に逆極性の状態にて直列
接続されるダイオードX8およびX9と、同じく相
互に逆極性の状態にて直列接続されるツエナー・
ダイオードX10およびX11とが並列に接続されて
構成されていることであり、また、対応する可変
減衰回路においても、第１図ｂの場合と同様に、
２個のピンダイオードが、逆極性の状態において
接続され、減衰用素子として用いられていること
である。２個のピンダイオードを用いる可変減衰
回路の作用については、既に第１図ｂの従来例の
説明において触れたとおりである。第２図ｂに示
されるピンダイオード・ドライバー回路の動作に
ついては、制御電流制御回路を形成する、抵抗器
R21と、ダイオードX8およびX9と、ツエナー・ダ
イオードX10およびX11とによる回路構成が異な
ることに起因する差異のみで、基本的に減衰量制
御特性が第３図ｂに示されるように改善される点
については、第２図ａの場合と全く同様である。
第２図ｂにおいて、ツエナー・ダイオードX10お
よびX11を逆極性の状態にて、それぞれダイオー
ドX8およびX9と直列に接続している理由は、端
子１１２から入力される制御電圧Viがプラスの
領域にある場合には、ダイオードX8とツエナ
ー・ダイオードX10より成るアームが制御電流I0
を制御するように作用し、制御電圧Viがマイナ
スの領域にある場合には、ダイオードX9とツエ
ナー・ダイオードX11より成るアームが制御電流
I0を制御するように作用する。勿論、制御電圧Vi
におけるプラス・マイナス両極性が、可変減衰回
路における２個のピンダイオードX6およびX7の
それぞれに対応していることは言うまでもない。
なお、第２図ｂの実施例の場合には、第３図ｂに
示される減衰量制御特性は、減衰量を示す縦軸に
関して対象性を持つ、マイナスの制御電圧の領域
における制御特性をも併有する形で規定される。
れる実施例との相異点は、ピンダイオード・ドラ
イバー回路については、制御電流制御回路の主要
構成要素である非線形回路に含まれる半導体回路
素子が、単一のツエナー・ダイオードにより構成
されるのではなく、相互に逆極性の状態にて直列
接続されるダイオードX8およびX9と、同じく相
互に逆極性の状態にて直列接続されるツエナー・
ダイオードX10およびX11とが並列に接続されて
構成されていることであり、また、対応する可変
減衰回路においても、第１図ｂの場合と同様に、
２個のピンダイオードが、逆極性の状態において
接続され、減衰用素子として用いられていること
である。２個のピンダイオードを用いる可変減衰
回路の作用については、既に第１図ｂの従来例の
説明において触れたとおりである。第２図ｂに示
されるピンダイオード・ドライバー回路の動作に
ついては、制御電流制御回路を形成する、抵抗器
R21と、ダイオードX8およびX9と、ツエナー・ダ
イオードX10およびX11とによる回路構成が異な
ることに起因する差異のみで、基本的に減衰量制
御特性が第３図ｂに示されるように改善される点
については、第２図ａの場合と全く同様である。
第２図ｂにおいて、ツエナー・ダイオードX10お
よびX11を逆極性の状態にて、それぞれダイオー
ドX8およびX9と直列に接続している理由は、端
子１１２から入力される制御電圧Viがプラスの
領域にある場合には、ダイオードX8とツエナ
ー・ダイオードX10より成るアームが制御電流I0
を制御するように作用し、制御電圧Viがマイナ
スの領域にある場合には、ダイオードX9とツエ
ナー・ダイオードX11より成るアームが制御電流
I0を制御するように作用する。勿論、制御電圧Vi
におけるプラス・マイナス両極性が、可変減衰回
路における２個のピンダイオードX6およびX7の
それぞれに対応していることは言うまでもない。
なお、第２図ｂの実施例の場合には、第３図ｂに
示される減衰量制御特性は、減衰量を示す縦軸に
関して対象性を持つ、マイナスの制御電圧の領域
における制御特性をも併有する形で規定される。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明は、可変減
衰器の減衰用素子を形成するピンダイオードに対
する制御ドライブを、電流モードにより行い、且
つ電流モードによる制御電流を抑制し制御するこ
とにより、制御電圧に対応する減衰量制御精度を
著しく向上させ、且つ前記減衰量制御精度の温度
特性をも改善することができるという効果があ
る。
衰器の減衰用素子を形成するピンダイオードに対
する制御ドライブを、電流モードにより行い、且
つ電流モードによる制御電流を抑制し制御するこ
とにより、制御電圧に対応する減衰量制御精度を
著しく向上させ、且つ前記減衰量制御精度の温度
特性をも改善することができるという効果があ
る。
第１図ａおよびｂは、それぞれ可変減衰回路の
要部を示すブロツク図、第２図ａおよびｂは、そ
れぞれ本発明の実施例と対応する可変減衰回路と
の二例の要部を示すブロツク図、第３図ａおよび
ｂは、それぞれ減衰量制御特性を示す図である。 図において、１，２，４，５…差動増幅器。
要部を示すブロツク図、第２図ａおよびｂは、そ
れぞれ本発明の実施例と対応する可変減衰回路と
の二例の要部を示すブロツク図、第３図ａおよび
ｂは、それぞれ減衰量制御特性を示す図である。 図において、１，２，４，５…差動増幅器。
Claims (1)
- １ 所定の減衰量制御電圧に対応して、可変直流
バイアス電圧をピンダイオードに加えることによ
り、所定の信号に対する伝送減衰量を制御調整す
るピンダイオード・ドライバー回路において、前
記減衰量制御電圧入力に対応して、前記ピンダイ
オードに対する制御ドライブを電流モードにより
行うために、前記減衰量制御電圧値を非直線特性
を介して電流値に変換し、前記ピンダイオードに
対する減衰量制御電流として出力する電圧電流変
換回路を備えることを特徴とするピンダイオー
ド・ドライバー回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12680184A JPS615613A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | ピンダイオ−ド・ドライバ−回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12680184A JPS615613A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | ピンダイオ−ド・ドライバ−回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS615613A JPS615613A (ja) | 1986-01-11 |
| JPH046282B2 true JPH046282B2 (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=14944292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12680184A Granted JPS615613A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | ピンダイオ−ド・ドライバ−回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS615613A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19725993A1 (de) * | 1997-06-19 | 1998-12-24 | Bosch Gmbh Robert | PIN-Dioden Dämpfungsglied |
| JP5333964B2 (ja) | 2008-06-27 | 2013-11-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 光検出装置、電気光学装置及び電子機器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58107711A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-27 | Nec Corp | 電圧制御減衰器 |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP12680184A patent/JPS615613A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS615613A (ja) | 1986-01-11 |
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