JPH0463154B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0463154B2 JPH0463154B2 JP61312155A JP31215586A JPH0463154B2 JP H0463154 B2 JPH0463154 B2 JP H0463154B2 JP 61312155 A JP61312155 A JP 61312155A JP 31215586 A JP31215586 A JP 31215586A JP H0463154 B2 JPH0463154 B2 JP H0463154B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- plasma
- plasma cvd
- deposition
- reaction vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、プラズマCVD（Chemical Vapor
Deposition）法によつて、薄膜を形成する方法に
関するものである。 従来の技術 プラズマCVD方法は、真空容器内に試料を保
持し、形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物ガ
スを供給しながら、高周波エネルギによつて、前
記化合物ガスを励起し、試料表面をそのプラズマ
雰囲気に配置することによつて、試料表面に薄膜
を形成する方法である。この方法は、プラズマの
活性を利用しているため、室温から400℃程度ま
での低温で膜形成を行うことができるという特徴
がある。 プラズマCVD法による薄膜形成上の課題は、
形成薄膜の膜質および膜厚分布の制御並びにビン
ホールやパーテイクルの付着等の膜欠陥の問題で
ある。また、生産面での課題は堆積速度の向上で
ある。 従つて、良質のプラズマCVD膜を均一にかつ、
再現性良く試料表面に形成するためには、薄膜形
成時の低温プラズマの分布およびその安定度、試
料加熱分布並びに試料保持温度等のプロセス条件
に工夫が必要である。 以下図面を参照しながら、上述した従来のプラ
ズマ気相成長装置の一例について説明する。 第３図に従来のプラズマCVD装置を示す。第
３図において、１は真空状態の維持が可能な真空
容器、２はプラズマCVD膜が形成される試料、
３は試料２を保持し、かつ、内部に加熱用のヒー
タ４を有し、試料２を加熱することが可能な試料
台、５はヒータ４に交流電力を供給するための交
流電源、６は例えば50KHzの高周波電力が供給さ
れる電極、７は周波数50KHzの高周波電源、８は
真空容器１内の圧力を大気圧以下の真空度に真空
排気するための真空ポンプ、９は真空容器１と真
空ポンプ８の間に気密に接続する真空排気用のパ
イプ、１０は真空容器１内の圧力を管内抵抗を可
変にし、すなわち真空ポンプ８の有効排気速度を
可変にして制御するバタフライパルプ、１１はガ
ス流量制御装置を介して化合物ガスを真空容器１
内に導入するためのガスノズルである。 以上のように構成されたプラズマCVD装置に
ついて、以下その動作について説明する。 まず真空容器１内を真空ポンプ８により、
5mTorr以下の真空度まで真空排気した後、試料
２表面に形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物
ガスをガスノズル１１から流量制御装置で制御し
ながら真空容器１内に導入する。さらにバタフラ
イパルプ１０を操作し、薄膜形成条件である圧力
すなわち100〜400mTorrに真空容器１内を制御
する。また試料２は試料台３によつて300℃程度
の温度に加熱制御する。次に、電極６に周波数
50KHzの高周波電力を供給することによつて、前
記化合物ガスを励起し、試料２表面をそのプラズ
マ雰囲気にさらすことによつて試料２表面にプラ
ズマCVD膜を形成する。 ところで、試料２表面にプラズマCVD膜を形
成する際には、電極６、試料台３、真空容器１
等々の真空容器１内構成部品にも類似の膜（無効
な膜）が堆積する。すなわち、類似の膜が真空容
器１内構成部品に累積する。この類似の膜は比較
的密着力が弱く、その膜厚増加と共に、真空容器
１内にフレークを発生させる。その結果試料２表
面にパーテイクルが多量に付着し、試料２表面に
形成したプラズマCVD膜に膜欠陥を生じさせる。
そこで、定期的に真空容器１内構成部品に付着し
た無効な膜を除去する必要がある。その手段とし
て、プラズマクリーニングが用いられる。これ
は、真空容器１内にガスノズル１１よりハロゲン
ガスを導入し、所定の圧力に保持した後、電極６
に高周波電力を供給することによつて、真空容器
１内に低温プラズマを発生させ、低温プラズマ中
の活性種によつて、無効な膜をドライエツチング
するものである。例えば、試料２表面に窒化シリ
コン膜を堆積させるプラズマCVD装置の場合に
は、前記ハロゲンガスは、六フツ化イオン
（SF6）や四フツ化炭素（CF4）と酸素（O2）と
の混合ガスが用いられる。 また、プラズマクリーニング後、膜堆積速度お
よび膜質等を安定化させるため、通常試料２に膜
堆積を行う前に試料２を入れない状態で、真空容
器１内構成部品にあらかじめ膜堆積を行う。（以
下この動作をプリデポジシヨンという）。 発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では下記の問題
点を有していた。すなわち、プリデポジシヨンを
低温プラズマの発生時間によつて管理及び制御し
ているため、再現性良くプリデポジシヨンを行う
ことが困難である。従つて、プリデポジシヨンが
不十分の場合、プラズマCVD膜を試料２表面に
形成する際、膜堆積速度および膜質等がバツチ処
理毎に変化する。また、プラズマクリーニング時
間に応じて適切なプリデポジシヨン時間を設定す
ることが困難であるという問題点を有していた。 本発明は上記問題点に鑑み、プラズマCVD装
置におけるプリデポジシヨンを再現性良く行うこ
とが可能なプラズマCVD方法を提供するもので
ある。 問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明のプラズ
マCVD方法は、プリデポジシヨンを行う際、低
温プラズマ中の特定原子又は分子の発光スペクト
ル強度をモニタリングしながらプリデポジシヨン
を行う方法である。 作 用 本発明は上記した構成によつて、プリデポジシ
ヨンを行う際、低温プラズマ中の特定原子又は分
子の発光スペクトル強度をモニタリングしながら
プリデポジシヨンを行い、前記スペクトル強度が
所定の値に到達した時、高周波電力の供給を停止
し、プリデポジシヨンを終了することによつて再
現性良くプリデポジシヨンを行うことができる。 実施例 以下本発明の一実施例のプラズマCVD方法に
ついて図面を参照しながら説明する 第１図は、本発明の実施例に用いるプラズマ
CVD装置の概略断面図を示すものである。 第１図において、４１は真空状態の維持が可能
な真空容器（反応容器）、４２はプラズマCVD膜
が形成される被加工物としての試料、４３は試料
４２を保持し、かつ、内部に加熱装置を有し試料
４２を加熱することが可能なアース接地された被
加工物保持手段としての試料台、４４は試料台４
３の内部に搭載された加熱装置、４５は交流電
源、４６は周波数50KHzの高周波電力が供給され
る電極、４７はガス流量制御装置、４８は周波数
50KHzの高周波電源、４９は真空容器４１内の圧
力を大気圧以下の真空度にするための真空排気手
段としての真空ポンプ、５０は真空容器４１と真
空ポンプ４９との間を気密に接続する真空排気用
パイプ、５１は真空容器４１内の圧力を制御する
ための圧力制御装置、５２は真空容器４１内を観
察できる窓、５３はプラズマ光を集光するレン
ズ、５４はプラズマ光を分光する分光器、５５は
分光器５４に内蔵された特定発光波長に整合する
波長スキヤン装置、５６は分光後の光を検知する
検出器、５７は検知信号を増幅する増幅器、５８
は記録計である。 以上のように構成されたプラズマCVD装置を
用いたプラズマCVD方法を説明する。 まず、真空容器４１内を真空ポンプ４９によつ
て、5mTorr以下の真空度まで真空排気した後、
試料４２表面に形成すべき薄膜の組成元素を含む
化合物ガス、すなわち、モノシラン（SiH4）、ア
ンモニア（NH3）、窒素（N2）の混合ガスを各々
13SCCM，31SCCM，142SCCMのガス流量で、
ガス流量制御装置４７より真空容器４１内に導入
し、かつ、真空容器４１内の圧力を圧力制御装置
５１を操作して、260mTorrに保持する。 また、試料４２は試料台４３によつて300℃の
温度に加熱制御する。次に、電極４６に高周波電
源４８より周波数50KHzの高周波電力を供給する
ことによつて、試料４２を含む空間に低温プラズ
マを発生させる。以上の結果、試料４２上に屈折
率1.998±0.02、膜厚分布±３％のシリコンナイ
トライド膜を形成することができた。 次に、プラズマクリーニングを行う際の動作を
説明する。 まず、試料４２を真空容器４１内より取り出し
た後、真空容器４１内を真空ポンプ４９によつて
5mTorr以下の真空度まで真空排気した後、六フ
ツ化硫黄（SF6）ガスを200SCCMのガス流量で、
ガス流量制御装置４７より真空容器４１内に導入
し、かつ、真空容器４１内の圧力を圧力制御装置
５１を操作して、300mTorrに保持する。次に、
電極４６に高周波電源４８より周波数50KHzの高
周波電力を供給することによつて、低温プラズマ
を発生させる。 尚本実施例では、試料台４３の試料４２位置の
累積膜厚が3μm以上の任意の膜厚になつた時、プ
ラズマクリーニングを一定時間実施した。 次にプリデポジシヨンを実施した。ここでプリ
デポジシヨン条件は、前記デポジシヨン条件と同
じにした。 また、プリデポジシヨン中、窓５２よりプラズ
マ光をレンズ５３を介して分光器５４に導き、波
長スキヤン装置５５を操作し、波長が315.05nm
及び323.49nmの窒素原子を検出器５６によつて
モニタリングし、増幅器５７を介して記録計５８
に導く。記録計５８に出力された発光スペクトル
強度の時間変化を第２図に示す。第２図中、Ａ点
は低温プラズマが発生した地点の発光スペクトル
強度を示す。第２図より明らかなように、プリデ
ポジシヨンが進行すると共に、ある時間より発光
スペクトル強度が減少する。この減衰後の一定の
値を決め（例えばＢ点）、その値になつた時、高
周波電力の供給を停止し、プリデポジシヨンを終
了する。 次にプリデポジシヨンにおける窒化シリコン膜
の堆積速度を調べてみると、表１に示すようにほ
ぼ同等の値が得られた（No.１〜No.５の５回の実験
を行つた。）すなわちプリデポジシヨンが再現性
良くできたことを示している。
Deposition）法によつて、薄膜を形成する方法に
関するものである。 従来の技術 プラズマCVD方法は、真空容器内に試料を保
持し、形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物ガ
スを供給しながら、高周波エネルギによつて、前
記化合物ガスを励起し、試料表面をそのプラズマ
雰囲気に配置することによつて、試料表面に薄膜
を形成する方法である。この方法は、プラズマの
活性を利用しているため、室温から400℃程度ま
での低温で膜形成を行うことができるという特徴
がある。 プラズマCVD法による薄膜形成上の課題は、
形成薄膜の膜質および膜厚分布の制御並びにビン
ホールやパーテイクルの付着等の膜欠陥の問題で
ある。また、生産面での課題は堆積速度の向上で
ある。 従つて、良質のプラズマCVD膜を均一にかつ、
再現性良く試料表面に形成するためには、薄膜形
成時の低温プラズマの分布およびその安定度、試
料加熱分布並びに試料保持温度等のプロセス条件
に工夫が必要である。 以下図面を参照しながら、上述した従来のプラ
ズマ気相成長装置の一例について説明する。 第３図に従来のプラズマCVD装置を示す。第
３図において、１は真空状態の維持が可能な真空
容器、２はプラズマCVD膜が形成される試料、
３は試料２を保持し、かつ、内部に加熱用のヒー
タ４を有し、試料２を加熱することが可能な試料
台、５はヒータ４に交流電力を供給するための交
流電源、６は例えば50KHzの高周波電力が供給さ
れる電極、７は周波数50KHzの高周波電源、８は
真空容器１内の圧力を大気圧以下の真空度に真空
排気するための真空ポンプ、９は真空容器１と真
空ポンプ８の間に気密に接続する真空排気用のパ
イプ、１０は真空容器１内の圧力を管内抵抗を可
変にし、すなわち真空ポンプ８の有効排気速度を
可変にして制御するバタフライパルプ、１１はガ
ス流量制御装置を介して化合物ガスを真空容器１
内に導入するためのガスノズルである。 以上のように構成されたプラズマCVD装置に
ついて、以下その動作について説明する。 まず真空容器１内を真空ポンプ８により、
5mTorr以下の真空度まで真空排気した後、試料
２表面に形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物
ガスをガスノズル１１から流量制御装置で制御し
ながら真空容器１内に導入する。さらにバタフラ
イパルプ１０を操作し、薄膜形成条件である圧力
すなわち100〜400mTorrに真空容器１内を制御
する。また試料２は試料台３によつて300℃程度
の温度に加熱制御する。次に、電極６に周波数
50KHzの高周波電力を供給することによつて、前
記化合物ガスを励起し、試料２表面をそのプラズ
マ雰囲気にさらすことによつて試料２表面にプラ
ズマCVD膜を形成する。 ところで、試料２表面にプラズマCVD膜を形
成する際には、電極６、試料台３、真空容器１
等々の真空容器１内構成部品にも類似の膜（無効
な膜）が堆積する。すなわち、類似の膜が真空容
器１内構成部品に累積する。この類似の膜は比較
的密着力が弱く、その膜厚増加と共に、真空容器
１内にフレークを発生させる。その結果試料２表
面にパーテイクルが多量に付着し、試料２表面に
形成したプラズマCVD膜に膜欠陥を生じさせる。
そこで、定期的に真空容器１内構成部品に付着し
た無効な膜を除去する必要がある。その手段とし
て、プラズマクリーニングが用いられる。これ
は、真空容器１内にガスノズル１１よりハロゲン
ガスを導入し、所定の圧力に保持した後、電極６
に高周波電力を供給することによつて、真空容器
１内に低温プラズマを発生させ、低温プラズマ中
の活性種によつて、無効な膜をドライエツチング
するものである。例えば、試料２表面に窒化シリ
コン膜を堆積させるプラズマCVD装置の場合に
は、前記ハロゲンガスは、六フツ化イオン
（SF6）や四フツ化炭素（CF4）と酸素（O2）と
の混合ガスが用いられる。 また、プラズマクリーニング後、膜堆積速度お
よび膜質等を安定化させるため、通常試料２に膜
堆積を行う前に試料２を入れない状態で、真空容
器１内構成部品にあらかじめ膜堆積を行う。（以
下この動作をプリデポジシヨンという）。 発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では下記の問題
点を有していた。すなわち、プリデポジシヨンを
低温プラズマの発生時間によつて管理及び制御し
ているため、再現性良くプリデポジシヨンを行う
ことが困難である。従つて、プリデポジシヨンが
不十分の場合、プラズマCVD膜を試料２表面に
形成する際、膜堆積速度および膜質等がバツチ処
理毎に変化する。また、プラズマクリーニング時
間に応じて適切なプリデポジシヨン時間を設定す
ることが困難であるという問題点を有していた。 本発明は上記問題点に鑑み、プラズマCVD装
置におけるプリデポジシヨンを再現性良く行うこ
とが可能なプラズマCVD方法を提供するもので
ある。 問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明のプラズ
マCVD方法は、プリデポジシヨンを行う際、低
温プラズマ中の特定原子又は分子の発光スペクト
ル強度をモニタリングしながらプリデポジシヨン
を行う方法である。 作 用 本発明は上記した構成によつて、プリデポジシ
ヨンを行う際、低温プラズマ中の特定原子又は分
子の発光スペクトル強度をモニタリングしながら
プリデポジシヨンを行い、前記スペクトル強度が
所定の値に到達した時、高周波電力の供給を停止
し、プリデポジシヨンを終了することによつて再
現性良くプリデポジシヨンを行うことができる。 実施例 以下本発明の一実施例のプラズマCVD方法に
ついて図面を参照しながら説明する 第１図は、本発明の実施例に用いるプラズマ
CVD装置の概略断面図を示すものである。 第１図において、４１は真空状態の維持が可能
な真空容器（反応容器）、４２はプラズマCVD膜
が形成される被加工物としての試料、４３は試料
４２を保持し、かつ、内部に加熱装置を有し試料
４２を加熱することが可能なアース接地された被
加工物保持手段としての試料台、４４は試料台４
３の内部に搭載された加熱装置、４５は交流電
源、４６は周波数50KHzの高周波電力が供給され
る電極、４７はガス流量制御装置、４８は周波数
50KHzの高周波電源、４９は真空容器４１内の圧
力を大気圧以下の真空度にするための真空排気手
段としての真空ポンプ、５０は真空容器４１と真
空ポンプ４９との間を気密に接続する真空排気用
パイプ、５１は真空容器４１内の圧力を制御する
ための圧力制御装置、５２は真空容器４１内を観
察できる窓、５３はプラズマ光を集光するレン
ズ、５４はプラズマ光を分光する分光器、５５は
分光器５４に内蔵された特定発光波長に整合する
波長スキヤン装置、５６は分光後の光を検知する
検出器、５７は検知信号を増幅する増幅器、５８
は記録計である。 以上のように構成されたプラズマCVD装置を
用いたプラズマCVD方法を説明する。 まず、真空容器４１内を真空ポンプ４９によつ
て、5mTorr以下の真空度まで真空排気した後、
試料４２表面に形成すべき薄膜の組成元素を含む
化合物ガス、すなわち、モノシラン（SiH4）、ア
ンモニア（NH3）、窒素（N2）の混合ガスを各々
13SCCM，31SCCM，142SCCMのガス流量で、
ガス流量制御装置４７より真空容器４１内に導入
し、かつ、真空容器４１内の圧力を圧力制御装置
５１を操作して、260mTorrに保持する。 また、試料４２は試料台４３によつて300℃の
温度に加熱制御する。次に、電極４６に高周波電
源４８より周波数50KHzの高周波電力を供給する
ことによつて、試料４２を含む空間に低温プラズ
マを発生させる。以上の結果、試料４２上に屈折
率1.998±0.02、膜厚分布±３％のシリコンナイ
トライド膜を形成することができた。 次に、プラズマクリーニングを行う際の動作を
説明する。 まず、試料４２を真空容器４１内より取り出し
た後、真空容器４１内を真空ポンプ４９によつて
5mTorr以下の真空度まで真空排気した後、六フ
ツ化硫黄（SF6）ガスを200SCCMのガス流量で、
ガス流量制御装置４７より真空容器４１内に導入
し、かつ、真空容器４１内の圧力を圧力制御装置
５１を操作して、300mTorrに保持する。次に、
電極４６に高周波電源４８より周波数50KHzの高
周波電力を供給することによつて、低温プラズマ
を発生させる。 尚本実施例では、試料台４３の試料４２位置の
累積膜厚が3μm以上の任意の膜厚になつた時、プ
ラズマクリーニングを一定時間実施した。 次にプリデポジシヨンを実施した。ここでプリ
デポジシヨン条件は、前記デポジシヨン条件と同
じにした。 また、プリデポジシヨン中、窓５２よりプラズ
マ光をレンズ５３を介して分光器５４に導き、波
長スキヤン装置５５を操作し、波長が315.05nm
及び323.49nmの窒素原子を検出器５６によつて
モニタリングし、増幅器５７を介して記録計５８
に導く。記録計５８に出力された発光スペクトル
強度の時間変化を第２図に示す。第２図中、Ａ点
は低温プラズマが発生した地点の発光スペクトル
強度を示す。第２図より明らかなように、プリデ
ポジシヨンが進行すると共に、ある時間より発光
スペクトル強度が減少する。この減衰後の一定の
値を決め（例えばＢ点）、その値になつた時、高
周波電力の供給を停止し、プリデポジシヨンを終
了する。 次にプリデポジシヨンにおける窒化シリコン膜
の堆積速度を調べてみると、表１に示すようにほ
ぼ同等の値が得られた（No.１〜No.５の５回の実験
を行つた。）すなわちプリデポジシヨンが再現性
良くできたことを示している。
【表】
以上のように、本実施例によれば、プリデポジ
シヨンの際、低温プラズマ中の特定原子又は分子
の発光スペクトル強度をモニタリングするための
測定手段を設け、低温プラズマの特定原子又は分
子の発光スペクトル強度が所定の値に到達した
時、高周波電力の供給を停止し、プリデポジシヨ
ンを停止することによつて、再現性良くプリデポ
ジシヨンを行うことができた。 なお、本実施例では分光器５４を用いて特定波
長を限定してモニタリングしたが、所望の特定波
長だけを透過させる干渉フイルターを適用しても
良い。 発明の効果 本発明によれば、プラズマCVD装置において、
プリデポジシヨンを行なう際、低温プラズマ中の
特定原子又は分子の発光スペクトル強度が所定の
値に到達した時、プリデポジシヨンを停止するこ
とによつて、再現性良いプリデポジシヨンを行な
うことができる。
シヨンの際、低温プラズマ中の特定原子又は分子
の発光スペクトル強度をモニタリングするための
測定手段を設け、低温プラズマの特定原子又は分
子の発光スペクトル強度が所定の値に到達した
時、高周波電力の供給を停止し、プリデポジシヨ
ンを停止することによつて、再現性良くプリデポ
ジシヨンを行うことができた。 なお、本実施例では分光器５４を用いて特定波
長を限定してモニタリングしたが、所望の特定波
長だけを透過させる干渉フイルターを適用しても
良い。 発明の効果 本発明によれば、プラズマCVD装置において、
プリデポジシヨンを行なう際、低温プラズマ中の
特定原子又は分子の発光スペクトル強度が所定の
値に到達した時、プリデポジシヨンを停止するこ
とによつて、再現性良いプリデポジシヨンを行な
うことができる。
第１図は本発明の一実施例におけるプラズマ
CVD装置の概略断面図、第２図はプリデポジシ
ヨン時間に伴う低温プラズマ中の特定波長の発光
スペクトル強度の変化を表わした図、第３図は従
来のプラズマCVD装置の概略断面図である。 ４１……真空容器（反応容器）、４２……試料、
４３……試料台、４４……加熱装置、４６……電
極、４７……ガス流量制御装置、４８……高周波
電源、４９……真空ポンプ、５１……圧力制御装
置、５４……分光器、５６……検出器。
CVD装置の概略断面図、第２図はプリデポジシ
ヨン時間に伴う低温プラズマ中の特定波長の発光
スペクトル強度の変化を表わした図、第３図は従
来のプラズマCVD装置の概略断面図である。 ４１……真空容器（反応容器）、４２……試料、
４３……試料台、４４……加熱装置、４６……電
極、４７……ガス流量制御装置、４８……高周波
電源、４９……真空ポンプ、５１……圧力制御装
置、５４……分光器、５６……検出器。
Claims (1)
- １ 真空状態の維持が可能な反応容器と、反応容
器内を減圧雰囲気にするための排気手段と、プラ
ズマCVD膜を少なくとも一方の表面に堆積させ
る試料を保持する試料保持手段と、試料を加熱制
御するための加熱手段と、反応容器内に原料ガス
を導入するためのガス供給手段と、反応容器内を
所定の圧力に保持するための圧力制御手段と、少
なくとも試料を含む空間に低温プラズマを発生さ
せる電極と、電極に高周波電力を供給し、低温プ
ラズマを発生させるためのプラズマ発生手段とか
らなるプラズマCVD装置を用いたプラズマCVD
方法において、プラズマCVD装置の反応容器内
をクリーニングした後プリデポジシヨンを行なう
際、低温プラズマ中の特定原子又は分子の発光ス
ペクトル強度をモニタリングし、前記発光スペク
トル強度が減衰し、一定値になつた時、電極への
高周波電極の供給を停止し、プリデポジシヨンを
終了させるプラズマCVD方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312155A JPS63166972A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | プラズマｃｖｄ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312155A JPS63166972A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | プラズマｃｖｄ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63166972A JPS63166972A (ja) | 1988-07-11 |
| JPH0463154B2 true JPH0463154B2 (ja) | 1992-10-08 |
Family
ID=18025903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61312155A Granted JPS63166972A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | プラズマｃｖｄ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63166972A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5229585A (en) * | 1991-02-19 | 1993-07-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Film cartridge bar code scanner and controller for a digital imaging system |
| FR2847713B1 (fr) * | 2002-11-21 | 2005-03-18 | Cit Alcatel | Dispositif et procede de nettoyage des chambres de procedes et lignes de vide |
| CN105112885B (zh) * | 2015-08-31 | 2018-01-26 | 清远先导材料有限公司 | 一种带有清料装置的化学气相沉积炉 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS591673A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-07 | Toshiba Corp | 薄膜形成装置 |
| JPS6134931A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-19 | Canon Inc | シリコン膜の製造方法 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61312155A patent/JPS63166972A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63166972A (ja) | 1988-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5316579A (en) | Apparatus for forming a thin film with a mist forming means | |
| JP4555410B2 (ja) | 半導体上に酸化膜を形成する装置及び方法 | |
| JPS61127121A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS5930130B2 (ja) | 気相成長方法 | |
| JPS6314421A (ja) | プラズマｃｖｄ方法 | |
| US7763153B2 (en) | Method and apparatus for forming a crystalline silicon thin film | |
| JPWO2005093797A1 (ja) | 結晶性シリコン薄膜の形成方法及び装置 | |
| US20070158182A1 (en) | Silicon dot forming method and apparatus | |
| JPH0463154B2 (ja) | ||
| JPS6293382A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0777198B2 (ja) | プラズマｃｖｄ方法 | |
| JP2537822B2 (ja) | プラズマｃｖｄ方法 | |
| JP2002110551A (ja) | 半導体薄膜の形成方法及び装置 | |
| JP3125280B2 (ja) | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 | |
| JP2907111B2 (ja) | 気相成長方法及びその装置 | |
| JPH0797557B2 (ja) | プラズマｃｖｄ方法 | |
| JPH07110996B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3795012B2 (ja) | 薄膜製造装置、及びそれに対するクリーニング方法 | |
| JPH01136970A (ja) | プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法 | |
| JPS61247031A (ja) | プラズマ処理装置のクリ−ニング方法 | |
| JP3876222B2 (ja) | 薄膜製造装置、及びそれに対するクリーニング方法 | |
| JP2502582B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3843064B2 (ja) | 薄膜製造装置、及びそれに対するクリーニング方法 | |
| JPH08100264A (ja) | 薄膜の形成方法およびその装置 | |
| JPS61143585A (ja) | 薄膜形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |