JPH0464198B2 - - Google Patents
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- JPH0464198B2 JPH0464198B2 JP59024801A JP2480184A JPH0464198B2 JP H0464198 B2 JPH0464198 B2 JP H0464198B2 JP 59024801 A JP59024801 A JP 59024801A JP 2480184 A JP2480184 A JP 2480184A JP H0464198 B2 JPH0464198 B2 JP H0464198B2
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は厚膜部品、チツプ部品、IC,LSIなど
から構成される高密度実装回路モジユール用のハ
イブリツド集積回路用基板に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a hybrid integrated circuit board for high-density packaging circuit modules composed of thick film parts, chip parts, ICs, LSIs, and the like.
従来例の構成とその問題点
近年、機器の小型化や多機能化の要望が年を追
つて強くなつてきているが、これらの要望に応え
るため回路部品の高密度実装が重要な技術となつ
ている。特に、IC,LSIの発達、さらには抵抗や
コンデンサの厚膜部品の発達に伴い回路部品の実
装密度が増々高密度化へと移行しつつある。ま
た、近年は通信周波数の高周波数化に伴つて、モ
ジユール配線層の導体抵抗が重要なポイントとな
つている。例えばチユーナモジユールでは高周波
域になると配線導体抵抗が高い場合、発振やゲイ
ンの低下などの現象が伴うため、従来構成のアル
ミナチユーナモジユールでは導体抵抗が高いため
実用化が困難なのが現状である。しかし、機器の
小型化、アツセンブル工程の合理化などの観点か
らこれらの高周波回路のハイブリツドICによる
モジユール化が強く望まれている。Conventional configurations and their problems In recent years, demands for smaller devices and multifunctionality have become stronger year by year, and in order to meet these demands, high-density mounting of circuit components has become an important technology. ing. In particular, with the development of ICs and LSIs, as well as the development of thick film components such as resistors and capacitors, the mounting density of circuit components is becoming increasingly dense. Furthermore, in recent years, as communication frequencies have become higher, the conductor resistance of the module wiring layer has become an important point. For example, in the case of alumina module, if the wiring conductor resistance is high in the high frequency range, phenomena such as oscillation and decrease in gain will occur, so it is currently difficult to put it into practical use with the conventional configuration of alumina module due to the high conductor resistance. It is. However, from the viewpoint of downsizing devices and streamlining the assembly process, there is a strong desire to modularize these high-frequency circuits using hybrid ICs.
回路をモジユール化するとともに高周波域の特
性向上をも含めた回路実装を実現するためには、
部品を小さくすることはもちろんのこと、上記し
たように配線導体の低抵抗化や配線密度の向上が
必要となる。ここで配線密度の向上には一般に配
線の多層化という手段が考えられ、各方面でその
取組みが積極的である。従来これらの多層基板と
しては大別して樹脂基板と銅配線の組合わせ、ま
たはアルミナセラミツクスとMoまたはWとの組
合わせなどがある。従来これらの構成による基板
では高密度化実装用基板として次のような問題点
があつた。 In order to modularize the circuit and realize circuit implementation that also improves the characteristics in the high frequency range,
In addition to reducing the size of components, as mentioned above, it is necessary to lower the resistance of wiring conductors and improve wiring density. In order to increase the wiring density, it is generally considered that the wiring is multilayered, and efforts are being made actively in various fields. Conventionally, these multilayer substrates can be broadly classified into combinations of resin substrates and copper wiring, and combinations of alumina ceramics and Mo or W. Conventionally, boards with these configurations have had the following problems as boards for high-density mounting.
樹脂基板と銅配線の組合わせ
(イ) 内部導体層間接続ビアホールの形成がむづか
しく、導体層間の接続には基板両面を貫通する
スルホール形成を行つている。そのため、多く
の部品を搭載しようとするときスルホール孔の
面積が無視できず、結果的に実装密度が上らな
い。 Combination of resin substrate and copper wiring (a) It is difficult to form connecting via holes between internal conductor layers, so through holes that penetrate both sides of the substrate are used to connect conductor layers. Therefore, when trying to mount many components, the area of the through-hole cannot be ignored, and as a result, the mounting density cannot be increased.
(ロ) 樹脂基板では、厚膜部品の形成が不可能、す
なわち、グレーズ抵抗のような厚膜部品は800
〜900℃、空気中で形成するため、これらの部
品の樹脂基板上への形成ができず、基板と抵抗
との一体化構成がとれない。(b) It is impossible to form thick film parts on resin substrates, that is, thick film parts such as glaze resistors require 800
Since these parts are formed in air at ~900°C, it is not possible to form these parts on a resin substrate, and an integrated configuration of the substrate and resistor cannot be achieved.
アルミナとMoまたはWの組合わせ
(イ) 部品の半田接続のために多層基板表面のタン
グステンまたはモリブデン層上にニツケル、金
などのメツキを施す必要がある。 Combination of Alumina and Mo or W (a) For solder connection of parts, it is necessary to plate the tungsten or molybdenum layer on the surface of the multilayer board with nickel, gold, etc.
(ロ) 厚膜部品であるグレーズ抵抗やコンデンサの
形成は空気中、高温で行う必要があるが、タン
グステンやモリブデンのような酸化され易い導
体材料から構成されていると、これらの厚膜部
品の形成は不可能で厚膜部品との一体化回路基
板として不向きである。(b) Glaze resistors and capacitors, which are thick-film components, must be formed in air at high temperatures, but if they are made of conductive materials that easily oxidize, such as tungsten or molybdenum, these thick-film components It is impossible to form such a material and is not suitable as an integrated circuit board with thick film components.
(ハ) Mo,Wの導体抵抗が高い(20〜30mΩ/□)
上記の理由から、高密度実装用基板または高
周波モジユール用基板として従来の樹脂多層基
板またはセラミツク多層基板として十分な機能
を備えていないといえる。(c) High conductor resistance of Mo and W (20 to 30 mΩ/□) For the above reasons, it has sufficient functionality as a conventional resin multilayer board or ceramic multilayer board as a board for high-density mounting or a board for high-frequency modules. It can be said that there is no.
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑み、内部配線層の導体抵
抗が低くかつ厚膜抵抗が形成され、高周波回路の
モジユール化や高密度部品実装が可能なハイブリ
ツド集積回路用基板を提供するものである。Purpose of the Invention In view of the above-mentioned drawbacks, the present invention provides a substrate for a hybrid integrated circuit in which the conductor resistance of the internal wiring layer is low and a thick film resistor is formed, and which enables modularization of high-frequency circuits and high-density component mounting. be.
発明の構成
本発明の銅配線層を含むハイブリツド集積回路
用基板は、アルミナを主成分とする多結晶基板上
に、銅配線層と電気絶縁を目的とするガラス層を
交互に形成した積層体と、最上層に形成したガラ
ス層に内部銅配線層が露出するように設けた小孔
と、この小孔部分にホウケイ酸バリウムガラスと
貴金属とからなる充填材料と、この最上層の充填
材料に接続するように形成した銀−パラジウム導
体とルテニウム系グレーズ抵抗とからなるように
構成したものであり、これにより導体抵抗の低
い、抵抗体一体型多層構成の集積回路用基板とな
るものである。Structure of the Invention The hybrid integrated circuit substrate including a copper wiring layer of the present invention is a laminate in which a copper wiring layer and a glass layer for electrical insulation are alternately formed on a polycrystalline substrate mainly composed of alumina. , a small hole is formed in the glass layer formed on the top layer so that the internal copper wiring layer is exposed, a filling material made of barium borosilicate glass and a noble metal is connected to this small hole portion, and the filling material on the top layer is connected. The present invention is made up of a silver-palladium conductor and a ruthenium-based glaze resistor, thereby providing an integrated circuit substrate with a resistor-integrated multilayer structure and low conductor resistance.
実施例の説明
以下本発明の一実施例について、図面を参照し
ながら説明する。DESCRIPTION OF EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は、本発明の一実施例におけるハイブリ
ツド集積回路用基板の断面図を示すものである。
第1図において、1はアルミナ基板、2は銅材料
からなるスルホール、3はアルミナ基板上に形成
された銅配線、4は上層配線層と絶縁する目的で
形成したガラス層、5はガラス絶縁層に形成され
た小孔に充填したホウケイ酸バリウムガラスと貴
金属とからなる充填部である。 FIG. 1 shows a cross-sectional view of a hybrid integrated circuit board in one embodiment of the present invention.
In Figure 1, 1 is an alumina substrate, 2 is a through hole made of copper material, 3 is a copper wiring formed on the alumina substrate, 4 is a glass layer formed for the purpose of insulating from the upper wiring layer, and 5 is a glass insulating layer. This is a filling part made of barium borosilicate glass and noble metal that fills the small holes formed in the.
以上のように構成された本実施例の銅配線層を
含むハイブリツド集積回路用基板について以下そ
の機能を説明する。 The functions of the hybrid integrated circuit board including the copper wiring layer of this embodiment configured as described above will be explained below.
第1図のように構成された基板は、まずアルミ
ナ基板1に銅ペーストでスルホール2と配線層3
をスクリーン印刷する。これを120℃程度の温度
で乾燥させたのちガラス粉末をペースト状にした
ものをスクリーン印刷し次に印刷されたガラスペ
ーストを乾燥させガラス層4を形成する。このと
き、ガラス層4には下部導体が露出するような小
孔4aが必要箇所に形成されている。この小孔4
aはあとで最上層と電気的に接続する目的で設け
られるものである。このようにアルミナ基板と銅
ペーストと、ガラスペーストを印刷、乾燥したの
ち、これを900℃、窒素雰囲気中で焼成した。焼
成中のプロフアイルはピーク温度900℃で10分程
度であつた。なお、焼成中窒素ガス中に10ppm以
下の若干の酸素を混入した。こののち、形成され
た絶縁ガラス層4に設けた銅配線が露出した小孔
部4aにホウケイ酸バリウムガラス粉末と銀粉末
とのペーストをスクリーン印刷し、乾燥後850℃
の通常厚膜炉に通した。なお使用したホウケイ酸
バリウムガラス粉末の作製は、原料でBaCO3,
H3BO3,SiO2,Al2O3,MgO,CaCO3をそれぞ
れ40g,60g,4g,7g,3g,3g混合し、1200℃に
加熱してガラス溶解させ、水中に滴下させたのち
湿式粉砕したものを用いた。本ガラスはホウケイ
酸バリウムガラスに、Al2O3,MgO,CaOをさら
に添加したものである。Al2O3の添加は、ガラス
軟化点のコントロールのため、また熱膨張係数を
制御するためのCaO、耐湿性の改善のためMgO
を添加それぞれ適量溶解させたものである。この
基板を空気中850℃に30分間放置したが、内部銅
導体層が酸化される事なく2〜3mΩの導体抵抗
を示した。また、充填剤と下部導体層の間の抵抗
を測定したところ10〜15mΩであつた。 The board constructed as shown in Fig. 1 is made by first applying copper paste to an alumina board 1 to form through holes 2 and wiring layer 3.
screen print. After drying this at a temperature of about 120° C., a glass powder paste is screen printed, and the printed glass paste is then dried to form a glass layer 4. At this time, small holes 4a are formed in the glass layer 4 at necessary locations to expose the lower conductor. This small hole 4
A is provided for the purpose of electrical connection with the uppermost layer later. After printing and drying the alumina substrate, copper paste, and glass paste in this way, they were fired at 900°C in a nitrogen atmosphere. The profile during firing was at a peak temperature of 900°C for about 10 minutes. Note that a small amount of oxygen of 10 ppm or less was mixed into the nitrogen gas during firing. After that, a paste of barium borosilicate glass powder and silver powder was screen printed in the small holes 4a where the copper wiring provided in the formed insulating glass layer 4 was exposed, and after drying at 850°C.
The film was passed through a conventional thick film furnace. The barium borosilicate glass powder used was prepared using raw materials such as BaCO 3 ,
40g, 60g, 4g, 7g, 3g, and 3g of H 3 BO 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, and CaCO 3 were mixed, heated to 1200°C to melt the glass, and dropped into water, followed by a wet process. The crushed one was used. This glass is made by adding Al 2 O 3 , MgO, and CaO to barium borosilicate glass. The addition of Al 2 O 3 is used to control the glass softening point, CaO to control the thermal expansion coefficient, and MgO to improve moisture resistance.
were added and dissolved in appropriate amounts. When this board was left in the air at 850°C for 30 minutes, the internal copper conductor layer showed a conductor resistance of 2 to 3 mΩ without being oxidized. Further, when the resistance between the filler and the lower conductor layer was measured, it was 10 to 15 mΩ.
以下に上記実施例の構成原理を簡単に述べる。 The principle of construction of the above embodiment will be briefly described below.
ここで、最もポイントとなるところは第1図5
の充填材に銅に還元されないガラスと貴金属とか
らなる充填材を形成するところにある。これはこ
の構造にすることにより下部導体である銅と充填
材を通じて表面層と電気的導通がとれることと、
これを空気中高温の条件下においても充填材を通
じて空気が下部導体層が酸化されることがないこ
とである。もちろん、ガラス絶縁層で下部に形成
された銅導体は、ガラスが空気の拡散防止材とし
て働き、高温空気中処理においても酸化されるこ
とはない。一般に、流動性の材料に導電性粒子を
分散することにより、導電粒子同志が一種の凝集
現象を起し粒子が接触を保つ構造となる。その結
果、導電粒子分散体は電気的導通現象がみられる
こととなる。したがつて、本発明の構成ではある
温度に達するとガラスは流動性を持ち、これに貴
金族が分散されているため電気的導通が得られる
こととなる。導電粒子として貴金属を用いたのは
高温空気中でも酸化されないことが必要となるた
めである。一方、本発明の構成により空気中高温
においても内部銅配線層が酸化されないことにつ
いて述べる。 The most important point here is Figure 1, 5.
A filling material made of glass and precious metals that cannot be reduced to copper is formed in the filling material. This is because this structure allows electrical continuity with the surface layer through the lower conductor copper and the filler material.
This is because the lower conductor layer will not be oxidized even under high temperature conditions in the air through the filler. Of course, the copper conductor formed under the glass insulating layer will not be oxidized even during high-temperature air treatment because the glass acts as an air diffusion prevention material. Generally, by dispersing conductive particles in a fluid material, a structure is created in which a kind of agglomeration phenomenon occurs between the conductive particles and the particles maintain contact with each other. As a result, the conductive particle dispersion exhibits an electrical conduction phenomenon. Therefore, in the configuration of the present invention, the glass becomes fluid when it reaches a certain temperature, and electrical conductivity is obtained because the noble metal group is dispersed in the glass. The reason for using noble metals as the conductive particles is that they must not be oxidized even in high-temperature air. On the other hand, it will be described that the structure of the present invention prevents the internal copper wiring layer from being oxidized even at high temperatures in air.
本発明では、内部銅配線層への酸化を防止する
のにガラス材料の効果が大きい。つまり、第1図
の充填部5の充填材のガラス層が焼成後、ガラス
絶縁層によくぬれ、また貴金属粒子のまわりはガ
ラスで充填されているため、このガラス層により
内部への気密性を保ち空気が下部導体層に至らな
いためである。ここで、ガラス材料として一般に
良く用いられる鉛系のガラスを考えてみると、ガ
ラスは下部導体の銅と次のような反応を起す。 In the present invention, the glass material is highly effective in preventing oxidation of the internal copper wiring layer. In other words, the glass layer of the filler material in the filling part 5 in Fig. 1 wets the glass insulating layer well after firing, and the area around the noble metal particles is filled with glass, so this glass layer provides airtightness to the inside. This is because the retained air does not reach the lower conductor layer. If we consider lead-based glass, which is commonly used as a glass material, the following reaction occurs between the glass and the copper of the lower conductor.
Cu+3PbO→CuO+3Pb
すなわち、導体である銅がガラスの主成分である
酸化鉛によつて酸化され、充填材と銅の接触部の
抵抗が高くなつてしまう。従つて、本発明に使用
するガラスは銅を酸化しない性質、別の云い方を
すれば銅によつて還元されないガラス材料である
事が重要な点となる。このような条件を満足する
ガラスとしてはアルカリ土類系金属酸化物が族
系金属酸化物を主成分とするものがある。中でも
本発明のホウケイ酸バリウムガラスを用いた系
は、内部の銅電極を酸化させず、また分散させる
貴金属との濡れ性もよい。したがつて充填導体の
信頼性、特に耐湿性に優れたものである。 Cu+3PbO→CuO+3Pb In other words, copper, which is a conductor, is oxidized by lead oxide, which is the main component of glass, and the resistance at the contact area between the filler and copper increases. Therefore, it is important that the glass used in the present invention has a property that does not oxidize copper, or in other words, that it is a glass material that is not reduced by copper. Some glasses that satisfy these conditions include those whose main component is an alkaline earth metal oxide group metal oxide. Among them, the system using the barium borosilicate glass of the present invention does not oxidize the internal copper electrode and has good wettability with the noble metal to be dispersed. Therefore, the filled conductor has excellent reliability, especially moisture resistance.
以上述べたように、本発明の構成をとることに
より、下部に銅配線を施すと同時にその上部の絶
縁層に設けた小孔に形成した充填材を通じて上部
層へ電気的導通がとれる事が可能となり、かつこ
の基板は空気中高温に於いても下部銅配線層が酸
化される事がない。したがつて、現在非常に発達
している厚膜技術によつてこの基板の上部にグレ
ーズ抵抗、グレーズ誘電体の一体化が可能とな
る。ここで、実施例では銅配線層、ガラス絶縁層
をそれぞれ1層としたがこれは工程を繰返すこと
により層数を増す事ができる。つまり、本発明の
基板構成により内部配線が多層化され、高密度の
部品実装が可能であるとともに、厚膜部品の一体
化が可能であり実装密度が更に向上できる。 As described above, by adopting the configuration of the present invention, it is possible to provide electrical continuity to the upper layer through the filling material formed in the small hole provided in the upper insulating layer at the same time as providing copper wiring in the lower part. In addition, the lower copper wiring layer of this board will not be oxidized even at high temperatures in the air. Therefore, the currently very developed thick film technology makes it possible to integrate a glaze resistor and a glaze dielectric on top of this substrate. Here, in the embodiment, each of the copper wiring layer and the glass insulating layer is one layer, but the number of layers can be increased by repeating the process. In other words, the board structure of the present invention allows for multi-layered internal wiring, which enables high-density component mounting, and also enables integration of thick-film components, further improving packaging density.
また、内部導体層として銅配線を施しているた
め導体抵抗が小さく高周波回路モジユール用に
適している。配線の線巾を細くする事が可能な
どの利点がある。 In addition, since copper wiring is provided as an internal conductor layer, the conductor resistance is low and it is suitable for high frequency circuit modules. There are advantages such as the ability to reduce the line width of the wiring.
次に、本発明の他の実施例について図面を参照
しながら説明する。 Next, other embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第2図は、本発明の他の実施例における銅配線
を含むハイブリツド集積回路用基板の断面図であ
る。本発明の実施例は実施例1に示した基板に充
填材5と接続するように銀−パラジウム導体6と
銀パラジウム導体を電極として酸化ルテニウム系
グレーズ抵抗6を形成したものである。 FIG. 2 is a cross-sectional view of a hybrid integrated circuit board including copper wiring according to another embodiment of the present invention. In an embodiment of the present invention, a ruthenium oxide based glaze resistor 6 is formed on the substrate shown in embodiment 1 using a silver-palladium conductor 6 and a silver-palladium conductor as electrodes so as to be connected to a filler 5.
銀−パラジウム導体と酸化ルテニウム系抵抗体
の形成は従来の形成方法と全て同じ工程を経て作
成した。すなわち、銀−パラジウムペーストを印
刷乾燥後、850℃空気中厚膜炉で焼成し、更にこ
れに酸化ルテニウム系ペーストを印刷、乾燥後
850℃、空気中で焼成した。このようにして、作
成したグレーズ抵抗体は従来のアルミナ基板上へ
形成したグレーズ抵抗体に比べ若干抵抗値は高目
にでたが、例えば100KΩ/□の抵抗体で温度係
数100〜150ppmと十分一般に使用し得る特性のも
のが得られた。以上のように、本実施例によれば
実施例1の基板上に従来厚膜抵抗を従来方法で形
成する事により、内部導体抵抗の小さい、多層構
造を有する抵抗一体型基板を実現している。 The silver-palladium conductor and the ruthenium oxide resistor were formed through the same steps as in the conventional method. That is, after printing and drying a silver-palladium paste, it was fired in a thick film oven at 850°C in the air, and then a ruthenium oxide paste was printed on it, and after drying.
Fired at 850℃ in air. The resistance value of the glazed resistor created in this way was slightly higher than that of a conventional glazed resistor formed on an alumina substrate, but for example, a 100KΩ/□ resistor has a temperature coefficient of 100 to 150 ppm, which is sufficient. Characteristics that can be used generally were obtained. As described above, according to this embodiment, by forming a conventional thick film resistor on the substrate of Embodiment 1 using a conventional method, a resistor-integrated substrate with a multilayer structure and low internal conductor resistance is realized. .
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明はアル
ミナ基板上に内部導体層として銅材料、絶縁層と
してガラス材料を用い多層化するとともに、ガラ
ス貴金属からなる充填材で表面層へ電気的接続を
可能とし、かつ上層には厚膜部品を形成し一体化
しているもので、内部導体抵抗が小さいため高
周波特性を向上させ、かつ導体線巾を細くでき
る。空気中、高温形成の厚膜部品一体化が可能
という優れた効果が得られる。その効果により、
これから増々情報通信手段として高周波化する回
路のモジユール化を可能にするとともに高密度実
装を可能にするという点で回路モジユールの小型
化が可能という効果が得られる。Effects of the Invention As is clear from the above description, the present invention uses a copper material as an internal conductor layer and a glass material as an insulating layer on an alumina substrate to form a multilayer structure, and electrically connects the surface layer with a filler made of a glass noble metal. It enables connection and is integrated with a thick film component formed on the upper layer.The internal conductor resistance is low, so high frequency characteristics can be improved and the conductor line width can be made thinner. The excellent effect of being able to integrate thick film parts formed at high temperatures in air can be obtained. Due to its effect,
This makes it possible to modularize circuits that will increasingly be used as information communication means in the future, and also enables miniaturization of circuit modules in the sense that high-density packaging is possible.
第1図は本発明の一実施例におけるハイブリツ
ド集積回路用基板の断面図、第2図は本発明の他
の実施例におけるハイブリツド集積回路用基板の
断面図である。
1……アルミナ基板、2……銅スルホール、3
……銅配線層、4……ガラス絶縁層、5……充填
部、6……銀−パラジウム導体層、7……酸化ル
テニウム系グレーズ抵抗体。
FIG. 1 is a sectional view of a hybrid integrated circuit board according to one embodiment of the invention, and FIG. 2 is a sectional view of a hybrid integrated circuit board according to another embodiment of the invention. 1...Alumina substrate, 2...Copper through hole, 3
... copper wiring layer, 4 ... glass insulating layer, 5 ... filling part, 6 ... silver-palladium conductor layer, 7 ... ruthenium oxide glaze resistor.
Claims (1)
配線層と電気絶縁を目的とするガラス層を交互に
形成した積層体と、最上層に形成したガラス層に
内部銅配線層が露出するように設けた小孔と、こ
の小孔部分にホウケイ酸バリウムガラスと貴金属
とからなる充填材料と、この最上層の充填材料に
接続するように形成した銀−パラジウム導体とル
テニウム系グレーズ抵抗からなるハイブリツド集
積回路用基板。1 A laminate in which copper wiring layers and glass layers for electrical insulation are alternately formed on a polycrystalline substrate mainly composed of alumina, and the internal copper wiring layer is exposed to the glass layer formed on the top layer. A hybrid conductor consisting of a small hole provided in the hole, a filling material made of barium borosilicate glass and a noble metal in the small hole portion, and a silver-palladium conductor and a ruthenium-based glaze resistor formed so as to be connected to this top layer filling material. Substrate for integrated circuits.
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Families Citing this family (2)
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