JPH0464932A

JPH0464932A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH0464932A
Application number: JP2176196A
Authority: JP
Inventors: Ryoichi Yamamoto; 亮一山本
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1990-07-05
Filing date: 1990-07-05
Publication date: 1992-02-28

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は光記録媒体に関し、特に帯電が起こりに＜＜、
耐擦傷性に優れた光記録媒体に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

近年、光記録媒体は、その配縁容量が大きいことから、
大容量データファイル等に実用化されている。

光記録媒体は、通常、ガラス、プラスチック等の透明基
板上に記録層の薄膜があるディスク状の形態をしており
、記録方式及び記録層の相違から、ＲＯＭ型、ＷＯ型及
び光磁気記録媒体等に分類できる。

前記ＲＯＭ型媒体においては、記録情報は射出成型時に
プレピントの形で基板上に形成されており、再生用の光
を反射させるための金属反射層の薄膜が形成される。

ＷＯ型型体体は、レーザー光照射により光透過率／光度
’１＝１率特性が変化することを利用して情報の記録再
生を行う。

書換えが自在にできる光磁気型媒体では、垂直磁化膜の
磁区を熱磁気反転させることで情報を記録し、カー効果
を利用して記録情報の読みだしをする。

光磁気型媒体の記録層は、遷移金属と希土類金属の合金
などの記録層と誘電体保護層などの薄膜を積層した形態
である。

相変化型光記録媒体では、結晶相と非晶質相の光透過率
／光反射率特性の変化を利用して情報の記録再生を行う
。そしてその記録層の材料には、Ｔｅ系と非Ｔｅ系とが
あり、Ｔｅ系としては、ＴｅＳｅ系、ＴｅＳｂ系、Ｔｅ
Ａｓ系等があり、非Ｔｅ系としては、５ｅＳｂ系、５ｅ
Ｇａ系等がある。

光記録媒体の記録再生用光は、多くの場合、透明基板の
記録層が設けられた面とは反対の面に入射される。その
ため、光が入射される面からゴミやはごりを除去して記
録再生用光の進路の障害物をなくすためにナイロンブラ
シ等でその表面を擦ることが行われている。

ところが、ナイロンブラシ等で擦ると媒体を傷つけたり
、帯電によりむしろゴミやほこりを呼び込んだりする。

媒体の表面に傷がつかないようにするために、特開昭６
１−１８０９．１６号公報に開示されているように、紫
外線硬化樹脂の保護層を設けた媒体が提案されている。

この技術に従い、紫外線硬化樹脂など硬度が比較的高い
とされている樹脂を保護層に使用した場合は、その硬化
収縮率が大きいために媒体の反りの原因となることがあ
った。また、この技術だりでは帯電を防止する効果は認
められない。

一方、帯電を防止するために、特開昭６０−２３９９４
６号公報には、界面活性剤、導電性フィラー、金属薄膜
等による帯電防止処理を大気に接触する表面に施すこと
が提案されている。

しかしながら、この技術によれば帯電はある程度防止す
ることができるものの、保護層としての硬度が充分でな
く、使用しているうちに傷がついてＢＥＲ（ビソトエラ
ーレ−１・）の増大となって特性の劣化を招き、保存耐
久性という点では充分でなかった。また、特に界面活性
剤を用いた場合、高温高湿下での経時或いは表面拭き取
りクリーニング等により、その帯電防止効果が比較的簡
単に失われてしまうという問題点がある。

更に、特開平１−１１９９３４号公報では、透明基板」
二に硬度の高い有機樹脂の保護層を設け、更にその上に
透明導電性被膜を設けることにより、有機樹脂保護層に
より透明基板を保護し、透明導電性被膜により帯電を防
止することが提案されている。

しかしながら、この技術により、帯電は防止され、且つ
透明基板は有機樹脂保護層により保護されるものの、透
明導電性被膜の耐擦傷性が劣るという新たな問題が発生
した。

即ち、この技術では、光学的に透明で且つ導電性である
被膜は、蒸着法やスパッタ法等のＰＶＤ法（Ｐｈｙｓｉ
ｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ　Ｄｅｓｉｔｏｐｎ法、物理的蒸
着法）で成膜される非常に薄い薄膜であり、しかも透明
で導電性である素材としては５ｎＯｚやＩＴＯ等のセラ
ミックが用いられている。このようなセラミンク薄膜は
非常に薄く数１０００人レベルの膜しか得られず、また
堅くて脆いので、スクラッチ時にセラミンク薄膜自身が
欠けて傷が生じる事がある。そして、この膜が欠けて出
来たカケラが非常に問題となる。例えば光記録媒体を使
用する前に、光ビームが入射される面からゴミやほこり
を除去するためその表面をクリーニングするが、クリー
ナーとして表面を傷付６Ｊない様な柔らかい素材を用い
てもセラミック薄膜のカケラがクリーナーと媒体表面に
噛み込み、思わぬ大きな傷が生じることがあった。

このように、帯電防止効果及び耐擦傷性の両方を満足さ
せる光記録媒体を得ることが非常に困難であるのが現状
である。

〔発明が解決しようとする課題〕本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みなされた
ものであり、特に、高温高湿下での経時保存や表面拭き
取りクリーニングによっても優れた帯電防止効果が持続
でき、且つ表面の硬度が高く、耐擦傷性の優れた光記録
媒体を折供することを目的としている。

〔課題を解決するだめの手段〕

本発明の前記目的は、透明基板の一方の面に記録層が形
成されており、該記録層が形成されていない該透明基板
の他方の面に有機樹脂より成るハトコーＩ・層を有する
光配縁媒体において、前記ハルトコート層と前記透明基
板との間に透明導電性薄膜を設いることを特徴とする光
記録媒体により達成される。

一般に、有機樹脂より成るハードコート層は電気絶縁性
であり、このようなハードコート層の帯電を防止するに
は、ハードコート層の大気に接する表面を前記特開昭６
０−２３９９４６号公報に記載の界面活性剤等により帯
電防止処理することや、ハードコート層の大気に接する
表面を前記特開平１−１１９９３４号公報に記載の透明
導電性被成で覆うことが必要と考えられていた。

従って、本発明の構成のように、透明基板の一方の面に
透明導電性薄膜を設け、更にこの導電性薄膜の十に有機
樹脂より成るバートコ−１・層を形成する構成にすると
、透明導電性薄膜によるハトコート層の帯電防止効果は
失われてしまうと考えられていた。

とごろが、本発明者らが鋭意検嗣したところ、驚くべき
ことに、このような本発明の構成にしてもバートコ−Ｉ
−層の厚みがある程度の薄いものであれば、透明導電性
薄ＩＩりによるハードコート層の帯電防止効果が得られ
ることがわかり、本発明を完成した。

また、本発明のような構成にするごとにより、従来の表
面に透明導電性薄膜を設けた場合に発生ずる透明導電性
薄膜の面１擦傷性の問題も住しにくい光記録媒体を得る
ことが出来る。

以−トのように、本発明にあ゛いては、帯電防止効果を
得るためには、バートコ−１・層の厚みがある程度の薄
いものである事が必要である。帯電防止効果を得るため
のへ−ｌコート層の厚みは、使用する有機樹脂の種類や
その組成、また透明導電性薄膜の種類や膜厚等により変
化し、−・概に決められないが、一般に８７Ｍ以下であ
ることが望ましい。

即ち、有機樹脂より成るバートコ−１・層は絶縁物であ
るが、本発明の構成において、ハードコート層の厚みを
８１ｓ以下とすることにより、ハードコート層が帯電し
てもその電荷を有効にリークさ−Ｕる事が本発明者等の
研究により明らかになった。

以丁、本発明をより詳細に説明する。

本発明においては、透明導電性セラミック薄膜の脆さを
補う為、該セラミ・ツタ薄膜」二に、有機樹脂よりなる
保護コーティング（バートコ−１〜層）を施す。

有機樹脂としては、光記録媒体においてハードコーティ
ング剤として一般的な、アクリル系の紫外線硬化樹脂や
シリ：１−ン系の樹脂等を用いることができる。

アクリル系の紫外線硬化樹脂としては、例えば、ポリエ
ステルアクリレート、エポキシアクリレート及びウレタ
ンアクリレート等の光重合性オリゴマーや、Ｉ・リッチ
１１−ルプロパントリアクリレート、ペンクエリスリト
ールトリアクＩＪレート等の３官能以トの光重合性モノ
マーや、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ヘキ
ザンジオールジアクリレート等の２官能モノマーや、エ
チルへキシルアクリレ−）・、テトラヒドロフルフリル
アクリレ−１へ等の栄官能千ツマ−の混合物に、ヘンシ
フエノン、ヘンヅインエチルエーテル、メチルヘンジイ
ルフォメート等の光開始剤を添加したものが良い。又、
これら素材に、レベリング剤、増感剤等を加えても良い
。

また、シリコーン系の樹脂としては、例えば、２官能性
以上の多官能性のオルガノポリシロキサンが挙げられる
。オルガノポリシロキサンは、通常、シロキザン結合（
Ｓｉ−Ｏ）を基本骨格とし、その骨格にメチル基、エチ
ル基等のアルキル基やフェニル法等の置換基が結合した
分子構造を有する。そして、官能性数の異なるオルガノ
ポリシロキサンが混合されて使用され、全体の平均官能
性数としては２．５〜３．５の範囲にあることが好まし
い。この平均官能性数が２．５未満であるとハードコー
ト層の硬度が不充分となり、また３、５を超えると脆く
なり、望ましくない。ごこて、官能性故としでは、基本
骨格となるシロキサン結合の構造により、以下のような
１官能性〜４官能性があり、２官能性は鎖状構造、３及
び４官能性は架橋構造となる。

■官能性：Ｒ−３ｉ−Ｏ２官能性ニー０−５ｉ−Ｏ３官能性ニー０−５ｉ−０４官能性ニー０−８ｉ−０（Ｒはメチル基、エチル基、フェニル基等）以上の有機
樹脂の中でも、アクリル系の紫外線硬化樹脂は、比較的
高い表面硬度が得られ、且つ硬化のタクト的観点からも
望ましい。

ここで、タクトタイムとは硬化時間の意味である。シリ
コーン系等の熱硬化を行うコーティング剤では、股の硬
化に短くて数１０分、通常は数時間のオーダーの硬化時
間が必要になる。一方、紫外線硬化樹脂に於いては、そ
の硬化時間は概ね数１０秒、長くても数分のオーダーで
ある。従って、熱硬化型樹脂と紫外線硬化型樹脂とを比
較すると、紫外線硬化型樹脂の方がタクトタイムが短く
て済む為、結果として全体の製造コストを低くする事が
出来、有利である。

ハードコート層は、例えば、前記紫外線硬化樹脂を透明
導電性薄膜上にスピンコード等の塗布方法を用いて塗布
し、次いで紫外線を照射して硬化処理することにより形
成される。

前記した様に、有機樹脂より成るハードコート層に肝心
なのは、先ず、帯電防止効果、即ち電荷をリークさせる
効果を失わない様な厚みで、セラミックス層上にコーテ
ィングする事である。その為の厚みとしては８ｐ以下が
望ましい。これより厚いと電荷を有効にリークさせる事
が出来なくなる。又、特に４ＩＩｍ以下である事が、帯
電防止効果を高める上で望ましい。

一方、ハードコート層の膜厚の下限としては１ｐ以上が
望ましい。１声未満であると、有機樹脂の保護機能（耐
擦傷性）が劣ってくる。更に望ましくは２声以上である
ことがよい。

このように、ハードコート層の膜厚を１乃至８声の特定
の範囲に限定することによって、帯電防止効果が優れ且
つ耐擦傷性の優れた光記録媒体を得ることが出来る。

又、ハードコート層に通常行われる様な帯電防止処理が
施されていても、有機樹脂の表面硬度を低下させない範
囲であれば何ら本発明の主旨から外れない。

次に、本発明において、透明導電性薄膜に用いられる透
明導電性セラミックについて説明する。

透明導電性セラミックとしては、錫酸化物、ＩＴＯ（イ
ンジウム、錫の複合酸化物）、アンチモン酸化物、鉄酸
化物等が用いられる。この中で透明度などで錫酸化物、
ＩＴＯ、アンチモン酸化物等の１種以上を含むものから
選ばれる系が、特に望ましい。

透明導電性薄膜の膜厚としては２００〜２０００人であ
ることが望ましく、更に５００〜１５００人であること
が特に望ましい。

透明導電性薄膜は、蒸着法やスパッタ法等のＰＶＤ法で
透明基板上に成膜される。更に詳しくは、中部経営開発
センター発行「高分子への新しい導電性付与技術」ｐ９
７〜１０２を参照することが出来る。

次に、ハードコート層中に導電性微粒子を含有する態様
について説明する。

本発明において、ハードコート層中に導電性微粒子を分
散して含有させることにより、帯電防止効果は更に大き
くなる。

そして、この場合の導電性微粒子の量は、ハードコート
層の下に前記透明導電性薄膜がない場合のハードコート
層中に含有させる導電性微粒子の量に比べ、少量で同程
度の帯電防止効果が得られる。また、この場合、ハード
コート層の厚みを更に厚くしても、高い帯電防止効果を
得ることが出来る。

従って、本発明においてハードコート層中に導電性微粒
子を分散して含有させることにより、ハトコート層の厚
みを厚くし、その耐擦傷性を向上させても、優れた帯電
防止効果を得ることができ、好ましい。

導電性微粒子はその粒径が０．２−以下であることが好
ましく、より望ましくは０．０５−以下である。

粒径が０．２側を超えると、レーザー光の邪魔になり、
記録再生特性に劣化をきたす。

導電性微粒子の材質としては透明性と電気伝導性を備え
たものが用いられ、具体的材質としては錫、インジウム
、アンチモン等の酸化物で、それらの単独及び／又はそ
れらの固溶体、もしくは混合物が望ましい。更に、Ｆｅ
２Ｏ，、ＺｎＯ等も使用することができる。

ハードコート層中の導電性微粒子の含有量としては、７
０重量％以下が望ましく、特に５０重量％以下が望まし
い。導電性微粒子の含有量が７０重量％を超えると、導
電性微粒子の分散性の低下による表面性の劣化、またレ
ーザー光の邪魔になり、記録再生特性に影響を来す事が
ある。

導電性微粒子を含有する場合のハートじ一１〜層の厚み
は、−最前には導電性微粒子を含有しない場合のバート
コ−１・層の厚めと同しであり、１〜８１Ｍであること
が望ましい。但し、導電性微粒子を含有する場合は、前
記したようにハードコート層の厚めを厚くしてその耐擦
傷性を向−トさせても、優れた帯電防止効果を得ること
ができる。この点より、特に望ましいバートコ−１・層
の厚みは２〜８１Ｉｍである。

本発明の光記録媒体の記録層は、通常、真空蒸着法、イ
オンブレーティング法もしくはスパッタ法等の真空成膜
法やスピンコード法により、透明基板の片側に成膜する
ことにより形成される。

例えば、スパッタ法であれば、ＲＦ（高周波）電力やＤ
Ｃ（直流）電力を投入して行うマグネトロンスパック法
が望ましく、真空蒸着法では、ＥＢ　（Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ　Ｂｅａｍ）ガンや抵抗加熱ボードによる加熱方式の
蒸着法が望ましい。

本発明の光記録媒体が、反則タイプの光ディスクである
場合は、前記金属反射層は基板のビット表面側に直接成
膜される。

また、ＷＯ型の光記録媒体や光磁気記録媒体または相変
化型光記録媒体である場合は、記録層や誘電体保護層が
積層されて成膜される。

本発明の光記録媒体が両面記録型光磁気記録媒体や相変
化型光記録媒体の場合、ホットメルト接着剤が記録層上
の有機樹脂保護層の上に塗布され、２枚の光記録媒体が
前記基板を外側に向け、前記有機樹脂保護層を内側に向
けて貼り合わされる。

ここで、本発明に係わるハードコート層は、前記外側に
ある２枚の基板のそれぞれの外側に設けられている。

その際、使用されるホントメルト接着剤としては、合成
ゴム系、ＥＶＡ　（エチレンビニルアセテ−ト）系、ア
クリル系、ポリアミｔ′系の樹脂等がある。

また、本発明の光記録媒体がＷＯ型光記録媒体の場合、
内外周にスペーサーをはさんだサンドイッチ構造とする
ことも可能である。

前記光記録媒体が光磁気記録媒体である場合、該記録層
の最上層に、ＡｔやＡＩとＴｉ、　Ｔａ等との合金また
はＮｉやＮ】合金等の金属反射層を設けてＣ／Ｎ等の特
性を向上させることもしばしばなされる。

前記金属反射層の厚さは、通常２００〜２０００人であ
る。

本発明の光記録媒体で使用する透明基板の材質としては
、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹
脂、エポキシ樹脂、ガラス等であるが、本発明の光記録
媒体の特徴が最も効果的に現れるのがポリカーボネート
樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、エポキシ樹脂等
の樹脂基板である。

前記樹脂基板の中でもポリカーボ不−１樹脂透明基板は
、唆水率が小さく、ガラス転移点ガ高い等の利点を有し
、本発明の光記録媒体において使用することが好ましい
。

本発明において前記光記録媒体が光磁気記録媒体である
場合、光磁気記録層としては各種の酸化物及び金属の磁
性体の薄膜が使用できる。例えば、ＭｎＢ１ＸＭｎ１Ｖ
Ｇｅ、、ＭｎＣｕ旧等の結晶性材料、Ｇｄ−’ＩＣ（Ｉ
Ｇ：鉄ガーネット）　、Ｂ１ＳｍＥｒＧａ　−Ｉ　Ｇ、
旧ＳｍＹｂＣｏＧｅ−ＩＧ等の単結晶材料、更に、Ｇｄ
ＣｏＸＧｄＦｅ、、ＴｂＦｅ、、ＤｙＦｅ、　ＧｄＦｅ
旧、ＧｄＴｂＦｅ、、ＧｄＦｅＣｏ、　ＴｂＰｅＣｏ、
　ＴｂＦｅＮｉ等の非晶質材料を用いた薄膜である。

中でも感度、Ｃ／Ｎ等の点で希土類金属、遷移金属を主
体とする光磁気記録層が最も好ましい。

また、本発明において前記光記録媒体が相変化型置光記
録媒体である場合の光記録層としては、Ｔｅ系及び非Ｔ
ｅ系の各種の合金がある。例えば、Ｔｅ系としては、Ｔ
ｅＧｅ系、・ＴｅＩｎ系、ＴｅＯｘ系、ＴｅＳｎ系等が
挙げられ、これらに更に他の元素（例えば、ｓｂ、Ａｓ
＝　Ｇｅ、　Ｉｎ、　Ｓ、　Ｓｎ、０害）を加える場合
もあるが、これらのうちＴｅＧｅ５ｎＯｘ、　ＴｅＳｂ
、　ＴｅＧｅＳｂが好ましい。

非Ｔｅ系としては、５ｅＳｂ系、５ｅＧａ系、５ｅｌｎ
系、Ｉｎ５ｂ系、ＳｅＳ系、５ｂＧａ系、Ｉｎ旧系、５
ｅＧｅＳｂ系等が挙げられ、これらに更に他の元素（例
えば、Ｓｅ、　Ｓｂ、Ａｓ、　Ｇｅ、Ｉｎ等）を加える
場合もあるが、これらのうち５ｅｌｎ、ＩｎＳｂ、　Ｉ
ｎ５ｂＳｅ、　Ｉｎ５ｅＴＡが好ましい。

また、本発明において、光記録媒体がｗｏ型光記録媒体
である場合、その記録層としては以下のものが挙げられ
る。

（１）穴形成タイプ（金属薄膜）Ｔｅ　−Ｃ，Ｔｅ−３ｅ、　Ｔｅ−Ｃ５２等（２）相変
化タイプ（金属薄膜）Ｔｅ−Ｔｅ０２、Ｓｂ　−Ｓｅ等（３）泡形成タイプ金属薄膜とを機動の組合せ等（４）色素タイプシアニン系色素、メロシアニン系色素、フタロシアニン
系色素、メチン系色素、−・ンゼンチオールニッケル錯
体、テトラヒドロコリン錯体等。

本発明において光記録媒体が光磁気記録媒体または相変
化型光記録媒体である場合、前述した光磁気記録層に隣
接させて、例えば光磁気記録層の上下をサンドイッチす
る構成で、誘電体保護層の薄膜を設けるのが一般的であ
る。そして本発明で用いることができる前記誘電体保護
層としては、例えば、ＳｉＯｘ、　５ｉＮｋ、八ｌＮ’
Ｘ’及びＺｎＳ等の酸化物、窒化物及び硫化物等の誘電
体が好ましい。中でも光学的特性、保８Ｉ機能の面から
例えば特開昭５９１２１３６８号公報に開示されている
ように窒化ケイ素が最も好ましい。

本発明において光記録媒体が光磁気記録媒体である場合
、前記光磁気記録層の厚さは、通常２００〜２０００人
であり、また前記誘電体保護層の厚さは通常２００〜２
０００人である。

前記の光磁気記録媒体において前記透明基板上に設けら
れる各層は、真空成膜法で成膜され、通常スパンタ法で
成膜される。

〔発明の効果〕

透明基板の一方の面に記録層が形成されており、該記録
層が形成されていない該透明基板の他方の面に有機樹脂
より成るハードコート層を有する光記録媒体において、
前記ハードコート層と前記透明基板上の間に透明導電性
薄膜を設けた本発明の光記録媒体は、優れた帯電防止効
果を示し、且つ表面の硬度が高く、優れた耐擦傷性を示
した。

更に、前記ハードコート層の厚みを１乃至８ＩＩｍとす
ることにより、著しく優れた帯電防止効果を示した。

また更に、前記ハードコート層中に導電性微粒子を含有
させることにより、ハードコート層の厚みを厚くしても
、優れた帯電防止効果を損なうことなく、耐擦傷性をよ
り向上させることができた。

特に、前記透明導電性薄膜が、錫、インジウム及びアン
チモンから選ばれた少なくとも一種の金属の酸化物の薄
膜であり、且つ前記ハードコート層が紫外線硬化樹脂よ
りなるとき、帯電防止性と耐擦傷性は著しく優れていた
。

〔実施例〕

次に実施例をもって本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。

実施例−Ｊ射出成形により案内溝が片面に形成された、厚さ１２ｍ
ｍ、直径８６ｍｍのポリカーボネート基板の前記案内溝
を設けていない側の表面上に、スパッタリングによりセ
ラミックコーティングを行った。

即ち、該基板を真空チャンバー中に取付け、１０．６Ｔ
ｏｒｒ迄排気を行い、その後、アルゴンガスを５×１０
−　”Ｔｏｒｒ迄導入し、３且成ｒｒ＋ｚ０３ＳｎＯｚ
（Ｓｎ０２二５＋ｙｔ％）のターゲラ１〜に１ｋＷの高
周波電力を印加して、マグネトロンスパッタでもって、
１０（ｉｆ）λの膜厚にＩＴＯ膜を形成した。

次に、該ＩＴＯ膜の上に有機樹脂をコーティングしてバ
ーＦコート層を設りた。即ち、紫外線硬化樹脂＃ＵＲ−
４５０２（三菱レーヨンｔｌｉ製）を３００Ｏｒｐｍ、
１０秒間の条件でスビンコ−１・法により塗布し、つい
で高圧水銀灯を用いて１００ｍＷ　／　ｃＩＩＩの照射
強度で１分間の条件で紫外線を照射して硬化せしめて、
膜厚４　（ｎｎの紫外線硬化樹脂より成るハードコート
層を形成した。

つぎに、前記基板の案内溝を設ｉ）だ例の表面上に、以
下の方法により、エンハンス層、記録層、無機保８Ｗ層
及び金属反射層よりなる４層構成の光磁気の記録層を形
成した。

前記基板をスパッタ装置の回転基板ホルダー」−ニ七ノ
ｌ−Ｌ、で、スパッタ室にアルゴンガスを導入して、ガ
ス圧をｌ　ｍＴｏｒｒとした。

そして、マグネトロンスパッタ法によりまずエンハンス
層として、１１００人の厚さのＳｉＮｘの薄膜を成膜し
た。

ついで、Ｆｅ（、ｏＣｒ合金のターゲラＩ・及びＴｂの
ターゲットに電力を印加して、二元同時スパッタにより
、前記エンハンス層」二にＴｂ、ｅＦｅ６ｅｃｏ、ｃｒ
６なる組成の記録層を２４０人の厚さで成膜した。

しかる後、前記記録層の上に無機保護層として、ＳｉＮ
ｘの薄膜を２５０人の厚さで成膜した。

更にその上に金属反射層として、Ａｆ−Ｔａ　（Ｔａ　
：５ａｔｏｍ％）の薄膜を６００人の膜厚で成膜して、
前記基板上に、エンハンス層、記録層、無機保護層及び
金属反射層よりなる４層構成の光磁気の記録層を形成し
た。

しかる後、この金属反射層の−Ｉ−に、前記バートコ−
１・層に用いたのと同し紫外線硬化樹脂＃ＵＲ４５０２
（三菱レーヨン■製）を３０００ｒｐｍ、１０秒間の条
件でスピンヨー１−法により塗布し、ついで高圧水銀灯
を用いて照射強度１００ｍＷ／ｃね板面」−）、１分間
の条件で紫外線を照射して硬化せしめζ、厚さ４孤の紫
外線硬化樹脂層（有機樹脂保護層）を形成した。

このようにして、透明基板の案内溝を設けた側に記録層
が形成され、反対側にＩＴＯ膜及びバートコ−１・層が
形成された光磁気記録媒体の試料を得た。

実施例−２実施例−１のＩＴＯ膜の上に形成するバーｌ′コト層の
厚みを１加に変更する以外は、実施例−１と全く同様に
して、光磁気記録媒体の試料を得た。

実施例　３実施例−１のＩＴＯ膜の上に形成するハードコート層の
厚みを８！Ｉｍに変更する以外は、実施例−１と全く同
様にして、光磁気記録媒体の試料を得た。

実施例−４実施例−■において、透明基板の案内溝を設けていない
側の表面上に行った、スパッタリングによるセラミック
コーティングのターゲットの組成を５ｎＯｚ−３ｈｏに
変更し、５ｎ−３ｂ−０膜（１０００人）を形成した以
外は、実施例−１と全（同様にして、光磁気記録媒体の
試料を得た。

実施例−５実施例−１のＩＴＯ膜の十に形成するハードコート層を
、導電性微粒子を分散して含有する有機樹脂のハードコ
ート層（膜厚８訓）に変更する以外は、実施例−１と全
く同様にして、光磁気記録媒体の試料を得た。

即ち、Ｓｎ　−５ｂ−ｏ系の導電性微粒子（平均粒径０
．０３節）を１０重星％含有する紫外線硬化樹脂＃ＵＲ
４５０２（三菱レーヨン０菊製）を用い、バーｌコト層
の膜厚を８ｔＩｍに変更する以外は、実施例−１と全く
同様にして、導電性微粒子を分散して含有するハードコ
ート層を形成した。

比較例−１実施例−１のＩＴＯ膜の上に形成するハードコート層の
厚みを０．５−に変更する以外は、実施例１と全く同様
にして、光磁気記録媒体の試料を得た。

比較例−２実施例−１のＩＴＯ膜の上に形成するハードコート層の
厚みを１０−に変更する以外は、実施例−１と全く同様
にして、光磁気記録媒体の試料を得た。

比較例−３実施例−１に於いて、透明基板の案内溝を設けていない
側の面に、セラミックコーティングによるＩＴＯ膜を形
成することなしに、透明基板上に直接ハードコート層を
形成した以外は、実施例−１と全く同じようして、光磁
気記録媒体の試料を得た。

比較例−４実施例−１に於いて、ＩＴＯ膜とハードコート層とを形
成する順序を逆にした以外は、実施例−１と全く同様に
して、光磁気記録媒体の試料を得た。

即ち、透明基板の案内溝を設けていない側の面に、先ず
ハードコート層を設け、続いてこのハードコート層の上
にＩＴＯ膜を形成した。

以上のようにして形成した光磁気ディスク試料について
、その帯電防止性能およびスクラッチ適性を以下の方法
により評価した。

畢里Ｍ止住皿：帯電防止性能は、帯電漏洩の半減期で評価した。

即ち、光磁気ディスク試料のハードコート層側に１０ｋ
Ｖをコロナ放電で印加し、試料を帯電させた。

この試料の電荷の減少の仕方を追跡し、その半減期を求
めた。電荷の測定にはシシド静電気■製のスタチック・
オネストメーターを用いた。

、入タラじｆｆｌ性ニスクラッチ適性は、曲率２５−のダイヤ針に荷重１００
ｇをかけて、光磁気ディスク試料のハードコート層側の
表面に引っ掻き試験を行い、その傷跡を顕微鏡で観察し
、傷の・付き方（膜割れを伴うクランク状の傷の有無）
を゛評価した。

それらの結果を表１に示す。

表１注：比較例−４は特開平１−１１９９３４号に対応。

表１より明らかなように、優れた帯電防止性能と優れた
スクラッチ適性とを同時に満足できるのは、本発明の光
磁気ディスクだけであった。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）透明基板の一方の面に記録層が形成されており、
該記録層が形成されていない該透明基板の他方の面に有
機樹脂より成るハードコート層を有する光記録媒体にお
いて、前記ハードコート層と前記透明基板との間に透明
導電性薄膜を設けることを特徴とする光記録媒体。
（２）前記ハードコート層の厚みが１乃至８μｍである
ことを特徴とする請求項（１）記載の光記録媒体。
（３）前記ハードコート層中に導電性微粒子が含有され
ていることを特徴とする請求項（１）記載の光記録媒体
。
（４）前記透明導電性薄膜が、錫、インジウム及びアン
チモンから選ばれた少なくとも一種の金属の酸化物の薄
膜であり、且つ前記ハードコート層が紫外線硬化樹脂よ
りなることを特徴とする請求項（１）記載の光記録媒体
。