JPH0465886A - 分布反射型色素セル及び分布反射型色素レーザ装置 - Google Patents
分布反射型色素セル及び分布反射型色素レーザ装置Info
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- JPH0465886A JPH0465886A JP17861790A JP17861790A JPH0465886A JP H0465886 A JPH0465886 A JP H0465886A JP 17861790 A JP17861790 A JP 17861790A JP 17861790 A JP17861790 A JP 17861790A JP H0465886 A JPH0465886 A JP H0465886A
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- grating
- dye
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- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 9
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Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、２個のグレーティング（回折格子）の間にあ
る色素を励起して一方向のみにレーザ光を生じさせる分
布反射型色素セル及び分布反射型色素レーザ装置に関す
る。
る色素を励起して一方向のみにレーザ光を生じさせる分
布反射型色素セル及び分布反射型色素レーザ装置に関す
る。
［従来の技術］
従来、高分子薄膜レーザ装置として、分布帰還型高分子
薄膜レーザ装置がある。この分布帰還型高分子薄膜レー
ザ装置の構成を第２図に示す。第２図において、１１は
基板である。この基板１１の上面の一部にグレーティン
グ（回折格子）１２か刻まれており、また、この基板１
１の上面に色素を分散させた高分子薄膜１３か塗布され
て、分布帰還型高分子薄膜レーザが形成されている。
薄膜レーザ装置がある。この分布帰還型高分子薄膜レー
ザ装置の構成を第２図に示す。第２図において、１１は
基板である。この基板１１の上面の一部にグレーティン
グ（回折格子）１２か刻まれており、また、この基板１
１の上面に色素を分散させた高分子薄膜１３か塗布され
て、分布帰還型高分子薄膜レーザが形成されている。
このような構成において、光源１５によって、グレーテ
ィング１２にポンピング光（励起光）ＬＯを照射すると
、レーザ光Ｌ１およびＬ２か発生する。
ィング１２にポンピング光（励起光）ＬＯを照射すると
、レーザ光Ｌ１およびＬ２か発生する。
［発明か解決しようとする課題］
上記したように、従来の分布帰還型高分子薄膜レーザ装
置にあっては、ポンピング光ＬＯによりクレーティング
１２の存在する部分てレーザ光Ｌ１およびＬ２か発生す
る。ところが、このレーザ光Ｌ１およびＬ２は、それぞ
れクレーティング１２の両端から両方向に向けて出力さ
れる。このため、出力光強度か全レーザ発振強度の半分
になっしまう問題かあった。
置にあっては、ポンピング光ＬＯによりクレーティング
１２の存在する部分てレーザ光Ｌ１およびＬ２か発生す
る。ところが、このレーザ光Ｌ１およびＬ２は、それぞ
れクレーティング１２の両端から両方向に向けて出力さ
れる。このため、出力光強度か全レーザ発振強度の半分
になっしまう問題かあった。
本発明は上記のような点に鑑みなされたもので、レーザ
光を一方向のみに出力可能な分布反射型色素セル及び分
布反射型色素レーザ装置を提供することを目的とする。
光を一方向のみに出力可能な分布反射型色素セル及び分
布反射型色素レーザ装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明の分布反射型色素セルは、基板上に特定の波長に
おいて反射率が１００％のグレーティングと、同しく反
射率か１００％未満のグレーティングを所定の間隔を有
して配置し、この基板の表面に色素を分散させた高分子
膜を形成したものである。
おいて反射率が１００％のグレーティングと、同しく反
射率か１００％未満のグレーティングを所定の間隔を有
して配置し、この基板の表面に色素を分散させた高分子
膜を形成したものである。
また、本発明の分布反射型色素レーザ装置は、基板上に
特定の波長において反射率か１００ ”ｏのグレーティ
ングと、同じく反射率か１００９（１未満のグレーティ
ングを所定の間隔を有して配置し、この基板の表面に色
素を分散させた高分子膜を形成したものに、この高分子
膜の上記２個のブレティングの間にポンピング光（励起
光）を照射する光源を備えたものである。
特定の波長において反射率か１００ ”ｏのグレーティ
ングと、同じく反射率か１００９（１未満のグレーティ
ングを所定の間隔を有して配置し、この基板の表面に色
素を分散させた高分子膜を形成したものに、この高分子
膜の上記２個のブレティングの間にポンピング光（励起
光）を照射する光源を備えたものである。
［作用］
このような構成によれば、２個のグレーティングの間に
ポンピング光を照射すると、反射率か１００９ｏ未満の
クレーティングのみから一方向にレーザ光か発生する。
ポンピング光を照射すると、反射率か１００９ｏ未満の
クレーティングのみから一方向にレーザ光か発生する。
［実施例コ
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第１図は同実施例の分布反射型色素レーザ装置の構成を
示す図である。第１図において、第２図の従来例と相違
するのは、特定の波長における反射率か１００％のグレ
ーティング２２と、同しく反射率か１００％未満のグレ
ーティング２３を共振条件を満たす間隔Ｓをもって配置
し、この２個のグレーティング２２．２３との間に形成
される色素を分散させた高分子薄膜２４をポンピング光
（励起光）ＬＯにより励起する構成としたことである。
示す図である。第１図において、第２図の従来例と相違
するのは、特定の波長における反射率か１００％のグレ
ーティング２２と、同しく反射率か１００％未満のグレ
ーティング２３を共振条件を満たす間隔Ｓをもって配置
し、この２個のグレーティング２２．２３との間に形成
される色素を分散させた高分子薄膜２４をポンピング光
（励起光）ＬＯにより励起する構成としたことである。
具体的に説明すると、第１図に示すように、基板２１と
して石英を用いる。この基板２１上に、反射率１００％
のグレーティング２２と反射率８０％のグレーティング
２３を配置する。この場合、ホトリソグラフィー法およ
びトライエツチング法により、１００μｍの間隔Ｓを有
して上記２個のグレーティング２２．２３を配置する。
して石英を用いる。この基板２１上に、反射率１００％
のグレーティング２２と反射率８０％のグレーティング
２３を配置する。この場合、ホトリソグラフィー法およ
びトライエツチング法により、１００μｍの間隔Ｓを有
して上記２個のグレーティング２２．２３を配置する。
次に、垂直引き上げ法により、基板２１の表面に、厚み
０．８μｍの高分子薄膜２４を形成する。この高分子薄
膜２４としては、色素キトンレッド６２０を分散させた
高分子ポリメチルメタクリレート薄膜を用いる。
０．８μｍの高分子薄膜２４を形成する。この高分子薄
膜２４としては、色素キトンレッド６２０を分散させた
高分子ポリメチルメタクリレート薄膜を用いる。
二のような構成において、グレーティング２２２３のそ
れぞれの格子間隔ＤＩ、Ｄ２を２０３μｍとし、グレー
ティング２２の格子幅Ｗ１を５００μｍ１グレーテイン
グ２３の格子幅Ｗ２を２００μｍとして、間隔Ｓの部分
を光源２５のポンピング光ＬＯにより励起すれば、波長
６００ｎｍのレーザ光（出力光）Ｌ３か得られる。この
場合、レーザ光Ｌ３は、一方のグレーティング２３のみ
から一方向に出力される。また、格子間隔Ｄｉ、Ｄ２を
１９２μｍとすると、５７３％ｍのレーザ光Ｌ３が出力
される。
れぞれの格子間隔ＤＩ、Ｄ２を２０３μｍとし、グレー
ティング２２の格子幅Ｗ１を５００μｍ１グレーテイン
グ２３の格子幅Ｗ２を２００μｍとして、間隔Ｓの部分
を光源２５のポンピング光ＬＯにより励起すれば、波長
６００ｎｍのレーザ光（出力光）Ｌ３か得られる。この
場合、レーザ光Ｌ３は、一方のグレーティング２３のみ
から一方向に出力される。また、格子間隔Ｄｉ、Ｄ２を
１９２μｍとすると、５７３％ｍのレーザ光Ｌ３が出力
される。
［発明の効果コ
以上のように本発明によれば、基板上に特定の波長にお
いて反射率か１００９ｃｉのクレーティングと、同しく
反射率が１００％未満のグレーティングを所定の間隔を
有して配置し、この基板の表面に色素を分散させた高分
子膜を形成したことにより、この高分子膜の上記２個の
グレーティングの間にポンピング光（励起光）を照射す
れば、一方のグレーティングのみから一方向にレーザ光
を出力させることかできる。
いて反射率か１００９ｃｉのクレーティングと、同しく
反射率が１００％未満のグレーティングを所定の間隔を
有して配置し、この基板の表面に色素を分散させた高分
子膜を形成したことにより、この高分子膜の上記２個の
グレーティングの間にポンピング光（励起光）を照射す
れば、一方のグレーティングのみから一方向にレーザ光
を出力させることかできる。
また、２個のグレーティングの反射率を調整することに
より、出力方向および出力強度を簡単に設定できるもの
である。
より、出力方向および出力強度を簡単に設定できるもの
である。
第１図は本発明の一実施例に係る分布反射型色素レーザ
装置の構成を示す図、第２図は従来の分布帰還型色素レ
ーザ装置の構成を示す図である。 ２１・・・基板、２２および２３・・・グレーティング
、２４・・・高分子薄膜、２５・・・光源。
装置の構成を示す図、第２図は従来の分布帰還型色素レ
ーザ装置の構成を示す図である。 ２１・・・基板、２２および２３・・・グレーティング
、２４・・・高分子薄膜、２５・・・光源。
Claims (3)
- （１）２個のグレーティングを所定の間隔を有して配置
した基板と、 この基板の表面に形成される色素を分散させた高分子膜
とを具備してなることを特徴とする分布反射型色素セル
。 - （２）２個のグレーティングを所定の間隔を有して配置
した基板と、 この基板の表面に形成される色素を分散させた高分子膜
と、 この高分子膜の一上記２個のグレーティングの間にポン
ピング光を照射する光源とを具備してなることを特徴と
する分布反射型色素レーザ装置。 - （３）上記２個のグレーティングのうちの一方の特定の
波長に対する反射率が１００％であり、他方の特定の波
長に対する反射率が１００％未満であることを特徴とす
る請求項（１）記載の分布反射型色素セルまたは請求項
（２）記載の分布反射型色素レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17861790A JPH0465886A (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 分布反射型色素セル及び分布反射型色素レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17861790A JPH0465886A (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 分布反射型色素セル及び分布反射型色素レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465886A true JPH0465886A (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=16051581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17861790A Pending JPH0465886A (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 分布反射型色素セル及び分布反射型色素レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0465886A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2706090A1 (fr) * | 1993-06-05 | 1994-12-09 | Bosch Gmbh Robert | Dispositif résonateur pour obtenir de la lumière cohérente avec une largeur de bande de fréquence réduite. |
| JP2005249961A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Fukuoka Pref Gov Sangyo Kagaku Gijutsu Shinko Zaidan | 固体色素レーザーチップ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53121497A (en) * | 1977-03-09 | 1978-10-23 | Agency Of Ind Science & Technol | Polymer thin film element and production thereof |
| JPS6077476A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波形レ−ザ−及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-07-06 JP JP17861790A patent/JPH0465886A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53121497A (en) * | 1977-03-09 | 1978-10-23 | Agency Of Ind Science & Technol | Polymer thin film element and production thereof |
| JPS6077476A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波形レ−ザ−及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2706090A1 (fr) * | 1993-06-05 | 1994-12-09 | Bosch Gmbh Robert | Dispositif résonateur pour obtenir de la lumière cohérente avec une largeur de bande de fréquence réduite. |
| JP2005249961A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Fukuoka Pref Gov Sangyo Kagaku Gijutsu Shinko Zaidan | 固体色素レーザーチップ |
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