JPH0466347B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0466347B2 JPH0466347B2 JP21500385A JP21500385A JPH0466347B2 JP H0466347 B2 JPH0466347 B2 JP H0466347B2 JP 21500385 A JP21500385 A JP 21500385A JP 21500385 A JP21500385 A JP 21500385A JP H0466347 B2 JPH0466347 B2 JP H0466347B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spot
- ion beam
- ion
- processing
- optical system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は集束イオンビーム加工装置に係り、特
にフオトマスクの欠陥修正において加工による下
地基板へのダメージを最小にするのに好適なイオ
ンビーム加工方法および装置に関する。
にフオトマスクの欠陥修正において加工による下
地基板へのダメージを最小にするのに好適なイオ
ンビーム加工方法および装置に関する。
フオトマスクには第１図に示す様に本来パター
ン２があるべき所の抜けである白点欠陥４と余分
なパターン形成物質が付着した黒点欠陥３が発生
する。このままでは全てのウエハにこれらの欠陥
が転写されてしまうため、転写前に修正しておか
ねばならない。本発明はこれらの欠陥の中の黒点
欠陥修正に関するものである。
ン２があるべき所の抜けである白点欠陥４と余分
なパターン形成物質が付着した黒点欠陥３が発生
する。このままでは全てのウエハにこれらの欠陥
が転写されてしまうため、転写前に修正しておか
ねばならない。本発明はこれらの欠陥の中の黒点
欠陥修正に関するものである。
従来、マスクの黒点欠陥を修正するのにレーザ
が使用されていた。例えば、電子材料1978年３月
第49頁にはその例が示されているが、第２図はそ
のレーザフオトマスク修正装置の光学系の構成を
示したものである。この装置ではレーザ５として
Nd：YAGレーザを用い、ビームエキスパンダ８
でビームを広げた後、スリツト１０を通し、その
スリツト像をターゲツトであるフオトマスク１３
に投影し、スリツト像内のパターン形成物質を除
去する方式を採用している。従来、これで充分な
効果を上げていたが、近年、ますますパターンの
微細化が進むに従いレーザではレーザ光の回折現
象による集光限界と加工プロセスが熱加工である
事等の理由で微細化に対応しきれなくなつてい
る。そこで近年、レーザ加工にかわる加工方法と
して注目を集めているのが液体金属イオン源から
引き出したイオンビームを1μm以下のスポツトに
集束して加工するイオンビーム加工である。例え
ば、ニツケイマイクロデバイス
（NIKKEIMICRODEVICES）1985年春号特別編
集版第22〜23頁参照。
が使用されていた。例えば、電子材料1978年３月
第49頁にはその例が示されているが、第２図はそ
のレーザフオトマスク修正装置の光学系の構成を
示したものである。この装置ではレーザ５として
Nd：YAGレーザを用い、ビームエキスパンダ８
でビームを広げた後、スリツト１０を通し、その
スリツト像をターゲツトであるフオトマスク１３
に投影し、スリツト像内のパターン形成物質を除
去する方式を採用している。従来、これで充分な
効果を上げていたが、近年、ますますパターンの
微細化が進むに従いレーザではレーザ光の回折現
象による集光限界と加工プロセスが熱加工である
事等の理由で微細化に対応しきれなくなつてい
る。そこで近年、レーザ加工にかわる加工方法と
して注目を集めているのが液体金属イオン源から
引き出したイオンビームを1μm以下のスポツトに
集束して加工するイオンビーム加工である。例え
ば、ニツケイマイクロデバイス
（NIKKEIMICRODEVICES）1985年春号特別編
集版第22〜23頁参照。
第３図にイオンビーム加工装置の概略構成を示
す。引き出し電極２１によりソース２０からイオ
ンビーム３３を引き出しレンズ２２でビームを集
束し、ステイグマトール２３でビーム形状を修正
し、デフレクタ２４でビーム偏向し、ターゲツト
のフオトマスク２５に照射し、黒点欠陥を除去す
る。この時、加工すべき位置はビーム照射により
ターゲツトから発生する２次電子２９を検出し、
走査電子顕微鏡と同じ原理で２次電子像をCRT
３２上に表示して設定する。なお、装置主要部は
真空チヤンバ１９内に収納し、真空ポンプ３１に
て一定の真空圧に排気している。また、真空チヤ
ンバ１９は定盤２７の上に設置し、それらをエア
サーボマウント２８で支持することで床からの電
動を除去している。
す。引き出し電極２１によりソース２０からイオ
ンビーム３３を引き出しレンズ２２でビームを集
束し、ステイグマトール２３でビーム形状を修正
し、デフレクタ２４でビーム偏向し、ターゲツト
のフオトマスク２５に照射し、黒点欠陥を除去す
る。この時、加工すべき位置はビーム照射により
ターゲツトから発生する２次電子２９を検出し、
走査電子顕微鏡と同じ原理で２次電子像をCRT
３２上に表示して設定する。なお、装置主要部は
真空チヤンバ１９内に収納し、真空ポンプ３１に
て一定の真空圧に排気している。また、真空チヤ
ンバ１９は定盤２７の上に設置し、それらをエア
サーボマウント２８で支持することで床からの電
動を除去している。
イオンビーム加工装置では、1μm以下のスポツ
ト径まで集束したビームを、除去すべき領域内で
走査してスパツタ加工によつて黒点欠陥を除去す
る。例えば、第４図Ａに示した様に縦ラインのパ
ターン３４の横に黒点欠陥３５が存在する場合、
破線で囲つたビーム走査領域３６内を左から右、
上から下へビームを走査して加工する。第４図Ｂ
は第４図Ａ，AA断面である。第４図Ｃは加工が
終了した時の様子である。イオンビーム加工がレ
ーザ加工と違う点の１つに加工の非選択性があ
る。レーザ加工ではレーザ光を吸収する物質しか
直接の加工現象が生じないが、イオンビーム加工
ではスパツタ率の差による加工速度の差はあるも
ののどの物質でも加工は進行する。このため、イ
オンビームで加工した場合、レーザでは加工しな
い下地基板３８まで加工し、加工端に下地基板３
８の段差３９が生じる。実際に第４図Ａの黒点欠
陥３５をイオンビームで除去後、ウエハに転写す
ると第５図に示す様なワク状のパターン４４が転
写される。これは下地基板の段差によつて光が屈
折、散乱したために生じるもので、第４図Ｃの様
な加工跡ではこの新しい黒点欠陥は避けがたく、
イオンビーム加工のマスク修正への適用上大きな
障害となる。
ト径まで集束したビームを、除去すべき領域内で
走査してスパツタ加工によつて黒点欠陥を除去す
る。例えば、第４図Ａに示した様に縦ラインのパ
ターン３４の横に黒点欠陥３５が存在する場合、
破線で囲つたビーム走査領域３６内を左から右、
上から下へビームを走査して加工する。第４図Ｂ
は第４図Ａ，AA断面である。第４図Ｃは加工が
終了した時の様子である。イオンビーム加工がレ
ーザ加工と違う点の１つに加工の非選択性があ
る。レーザ加工ではレーザ光を吸収する物質しか
直接の加工現象が生じないが、イオンビーム加工
ではスパツタ率の差による加工速度の差はあるも
ののどの物質でも加工は進行する。このため、イ
オンビームで加工した場合、レーザでは加工しな
い下地基板３８まで加工し、加工端に下地基板３
８の段差３９が生じる。実際に第４図Ａの黒点欠
陥３５をイオンビームで除去後、ウエハに転写す
ると第５図に示す様なワク状のパターン４４が転
写される。これは下地基板の段差によつて光が屈
折、散乱したために生じるもので、第４図Ｃの様
な加工跡ではこの新しい黒点欠陥は避けがたく、
イオンビーム加工のマスク修正への適用上大きな
障害となる。
本発明の目的はイオンビームによるマスク修正
後の下地基板加工跡から生ずる新たな黒点欠陥を
減少させる様なイオンビーム加工方法および装置
を提供することにある。
後の下地基板加工跡から生ずる新たな黒点欠陥を
減少させる様なイオンビーム加工方法および装置
を提供することにある。
下地基板の加工は加工領域を黒点欠陥のある所
のみに限つて加工する等の方法で最小限に抑えら
れるが、加工中に黒点欠陥が徐々に小さくなり、
そのつど加工領域を設定し直す必要があるため、
実際の装置を製作するとなるとパターン認識まで
含む複雑な装置となり、コスト、操作性の面から
現実的なものとは言えなくなる。
のみに限つて加工する等の方法で最小限に抑えら
れるが、加工中に黒点欠陥が徐々に小さくなり、
そのつど加工領域を設定し直す必要があるため、
実際の装置を製作するとなるとパターン認識まで
含む複雑な装置となり、コスト、操作性の面から
現実的なものとは言えなくなる。
そこで本発明ではより簡便な方法により現実的
にこの問題を解決しようとしたもので、実際には
第６図に示す様に下地基板の加工跡端部５０をな
だらかにすることによつて転写時の影を生じさせ
ない様ビーム形状を変化させ加工する。
にこの問題を解決しようとしたもので、実際には
第６図に示す様に下地基板の加工跡端部５０をな
だらかにすることによつて転写時の影を生じさせ
ない様ビーム形状を変化させ加工する。
以下、本発明の実施例を説明する。
第７図は黒点欠陥５２の存在形態を５つのケー
スに分けたものである。Ａは廻り４方向ともパタ
ーン５１のエツジであり、そこでは鋭い加工エツ
ジが必要である。Ｂは３方向がパターンエツジ
で、１方向が下地基板の露出している状態で上下
左については鋭い加工エツジが必要だが、右方向
については鋭い加工エツジでは転写パターンにエ
ツジの影が生じるため、この方向の加工端はなだ
らかでなけねばならない。さらにＣでは２方向が
鋭い加工端、２方向がなだらかな加工端、Ｄでは
１方向が鋭い加工端、３方向がなだらかな加工
端、Ｅでは全方向がなだらかな加工端となる加工
が必要となる。第８図は第７図の各ケースについ
てＸ方向のビーム径dxとＹ方向のビーム径dyを
どう変化させるかをまとめたものである。一例と
してケースＣを取り上げる。第７図に示した様
に、Ｃでは上方向と左方向がパターンの端にあた
るため破線で示したビーム走査領域５２の上方向
と左方向での加工端は転写パターンの端がダレな
い様に鋭くなけねばならない。逆に下方向と右方
向は転写パターンに影が生じない様に加工端がな
だらかでなくてはならない。したがつて、加工ビ
ーム径は第８図ケースＣの左の図に示す様に走査
領域の左上端で最小のビーム径で右へいくに従い
Ｘ方向のビーム径dxを広げる。また、下にいく
に従いＹ方向のビーム径dyを広げ、走査領域右
下で最大のビーム径となる様にする。最小ビーム
径はレンズの集束ビーム径そのもの、最大ビーム
径は加工領域の大きさ、加工部周辺の状況によつ
て変化させるが通常2μmφ〜5μmφか加工領域の
短い方の巾の1/4〜1/3とする。第８図ケースＣの
中央および右の図はＸ方向のビーム径dxとＹ方
向のビーム径dyを示したものでdx，dy共にＸ，
Ｙの関数として図の様に変化させる。次に実際に
どの様にしてビーム径およびビーム形状を変化さ
せるかについて説明する。第９図に本実施例に関
係する電極を示す。Ａ図は主にレンズ５７，５
８，５９に印加電圧を示しており、V0を加速電
圧、V1を引き出し電圧、V2をレンズ電圧と呼ぶ。
Ｂ図はＡ図のソース方向からみたBB断面図であ
り、デフレクタ６５にかける偏向電圧でXYそれ
ぞれVx+，Vx-・Vy+，Vy-の各電圧をかけビーム
を走査する。Ｃ図はＡ図のソース方向からみた
CC断面図であり、ステイグマトール６６にかけ
る電圧を示し、対向電極に同じ電圧を印加して、
ビーム形状を押しつぶしたり、引き伸ばしたりす
る。通常は光学系５６〜６４の非点収差の補正に
使用するが本発明ではむしろ積極的にビーム形状
を変化させることに用いる。それぞれの電極にか
ける電圧をV〓，V〓，V〓，V〓とする。この時、第
８図ケースＣのビーム変化を実現する各印加電圧
は第１０図の様になる。本実施例ではイオンの加
速エネルギーと電流は一定として加工するため加
速電圧V0と引き出し電圧V1は一定とする。ビー
ム径の変化はレンズ電圧V2に担当させ、ビーム
形状の変化はステイグマトール印加電圧V〓，V〓，
V〓，V〓に担当させている。ただし、ここでビー
ム形状はＸ，Ｙ方向に変化させ斜め方向へは変化
させないためV〓，V〓は出力させない。また、デ
フレクタ電圧Vx+，Vx-，Vy+，Vy-は通常の走査
波形を与えている。さて、第１０図右上の様に
V2をジヤストフオーカス電圧V2jからビーム走査
に同期して変化させる。V2jからはずれる程ビー
ム径は広がるため第１１図Ａに示す様にビーム径
が変化することになる。第１０図V〓，V〓のａ点
からｈ点が第１１図Ｂのａ点からｈ点に対応して
おり、これでビーム形状変化を説明する。ａ点で
はV〓，V〓共に０でビーム変形は無い。ｂ点では
V〓が、V〓がでビームはＸ方向に長く引き伸
ばされる。Ｃ点では逆にV〓が、V〓がのため
ビームはＹ方向へ伸ばされる。この後ｄ，ｅ，ｆ
と同様に続き、ｇ点ではビーム径がｂ点と同じで
V〓，V〓の符号が反対のためｂ点でのビーム形状
がXY反転したビーム形状となる。最後のｈ点で
はV〓，V〓共に０でビーム形状は変化せず、最大
ビーム径そのままとなる。この様にして第８図ケ
ースＣのビーム変化が実現できる。実際に第１２
図Ａの様なフオトマスクの黒点欠陥７０を走査領
域７１内で第８図ケースＣのビーム変化で加工す
ると、第１２図Ｂ，Ｃ（第１２図ＢはＡ図のＣ矢
視B′B断面図、第１２図ＣはＡ図のＢ矢視CC′断
面図）に示す様にパターン７２の側の加工端は鋭
いエツジを持ち、パターン７２の無い下地基板部
７３の加工端はなめらかになつており、ウエハに
転写した場合、加工端における影は生じず、良好
な黒点欠陥修正が可能となつた。
スに分けたものである。Ａは廻り４方向ともパタ
ーン５１のエツジであり、そこでは鋭い加工エツ
ジが必要である。Ｂは３方向がパターンエツジ
で、１方向が下地基板の露出している状態で上下
左については鋭い加工エツジが必要だが、右方向
については鋭い加工エツジでは転写パターンにエ
ツジの影が生じるため、この方向の加工端はなだ
らかでなけねばならない。さらにＣでは２方向が
鋭い加工端、２方向がなだらかな加工端、Ｄでは
１方向が鋭い加工端、３方向がなだらかな加工
端、Ｅでは全方向がなだらかな加工端となる加工
が必要となる。第８図は第７図の各ケースについ
てＸ方向のビーム径dxとＹ方向のビーム径dyを
どう変化させるかをまとめたものである。一例と
してケースＣを取り上げる。第７図に示した様
に、Ｃでは上方向と左方向がパターンの端にあた
るため破線で示したビーム走査領域５２の上方向
と左方向での加工端は転写パターンの端がダレな
い様に鋭くなけねばならない。逆に下方向と右方
向は転写パターンに影が生じない様に加工端がな
だらかでなくてはならない。したがつて、加工ビ
ーム径は第８図ケースＣの左の図に示す様に走査
領域の左上端で最小のビーム径で右へいくに従い
Ｘ方向のビーム径dxを広げる。また、下にいく
に従いＹ方向のビーム径dyを広げ、走査領域右
下で最大のビーム径となる様にする。最小ビーム
径はレンズの集束ビーム径そのもの、最大ビーム
径は加工領域の大きさ、加工部周辺の状況によつ
て変化させるが通常2μmφ〜5μmφか加工領域の
短い方の巾の1/4〜1/3とする。第８図ケースＣの
中央および右の図はＸ方向のビーム径dxとＹ方
向のビーム径dyを示したものでdx，dy共にＸ，
Ｙの関数として図の様に変化させる。次に実際に
どの様にしてビーム径およびビーム形状を変化さ
せるかについて説明する。第９図に本実施例に関
係する電極を示す。Ａ図は主にレンズ５７，５
８，５９に印加電圧を示しており、V0を加速電
圧、V1を引き出し電圧、V2をレンズ電圧と呼ぶ。
Ｂ図はＡ図のソース方向からみたBB断面図であ
り、デフレクタ６５にかける偏向電圧でXYそれ
ぞれVx+，Vx-・Vy+，Vy-の各電圧をかけビーム
を走査する。Ｃ図はＡ図のソース方向からみた
CC断面図であり、ステイグマトール６６にかけ
る電圧を示し、対向電極に同じ電圧を印加して、
ビーム形状を押しつぶしたり、引き伸ばしたりす
る。通常は光学系５６〜６４の非点収差の補正に
使用するが本発明ではむしろ積極的にビーム形状
を変化させることに用いる。それぞれの電極にか
ける電圧をV〓，V〓，V〓，V〓とする。この時、第
８図ケースＣのビーム変化を実現する各印加電圧
は第１０図の様になる。本実施例ではイオンの加
速エネルギーと電流は一定として加工するため加
速電圧V0と引き出し電圧V1は一定とする。ビー
ム径の変化はレンズ電圧V2に担当させ、ビーム
形状の変化はステイグマトール印加電圧V〓，V〓，
V〓，V〓に担当させている。ただし、ここでビー
ム形状はＸ，Ｙ方向に変化させ斜め方向へは変化
させないためV〓，V〓は出力させない。また、デ
フレクタ電圧Vx+，Vx-，Vy+，Vy-は通常の走査
波形を与えている。さて、第１０図右上の様に
V2をジヤストフオーカス電圧V2jからビーム走査
に同期して変化させる。V2jからはずれる程ビー
ム径は広がるため第１１図Ａに示す様にビーム径
が変化することになる。第１０図V〓，V〓のａ点
からｈ点が第１１図Ｂのａ点からｈ点に対応して
おり、これでビーム形状変化を説明する。ａ点で
はV〓，V〓共に０でビーム変形は無い。ｂ点では
V〓が、V〓がでビームはＸ方向に長く引き伸
ばされる。Ｃ点では逆にV〓が、V〓がのため
ビームはＹ方向へ伸ばされる。この後ｄ，ｅ，ｆ
と同様に続き、ｇ点ではビーム径がｂ点と同じで
V〓，V〓の符号が反対のためｂ点でのビーム形状
がXY反転したビーム形状となる。最後のｈ点で
はV〓，V〓共に０でビーム形状は変化せず、最大
ビーム径そのままとなる。この様にして第８図ケ
ースＣのビーム変化が実現できる。実際に第１２
図Ａの様なフオトマスクの黒点欠陥７０を走査領
域７１内で第８図ケースＣのビーム変化で加工す
ると、第１２図Ｂ，Ｃ（第１２図ＢはＡ図のＣ矢
視B′B断面図、第１２図ＣはＡ図のＢ矢視CC′断
面図）に示す様にパターン７２の側の加工端は鋭
いエツジを持ち、パターン７２の無い下地基板部
７３の加工端はなめらかになつており、ウエハに
転写した場合、加工端における影は生じず、良好
な黒点欠陥修正が可能となつた。
また、本実施例ではレンズ電圧とステイグマト
ール電圧の変化によりビーム径、ビーム形状を変
化させた。しかし、光学系自体は複雑になるが電
圧印加は少し簡便となる第１３図に示す様なビー
ム径変化用の円板電極７８とビーム形状変化用４
極対向平板電板８０を光学系内に付加する方式で
も同等の効果が得られる。この時、レンズ電極７
７の最終段はアースレベルのため円板電極７８へ
の印加電圧をアースレベルの上下で変化させるこ
とでビーム径を変化させることができ、レンズ電
圧の様に高圧なジヤストフオーカスレンズ電圧
V2jの上下で電圧を変化させる必要がない。また、
ステイグマトール７９には本来のビーム形状調整
を受け持たせたため、４極平板電極の対向電極に
同じ電圧を印加し、必要に応じそれを変化させれ
ば良く、前記方式がステイグマトールにステイグ
マトール本来の役割に加えビーム形状変化まで受
け持たせていたため印加電圧を複雑に変化させる
必要があつたのに比べ、やはり電圧印加方式が簡
便となる。なお、ビーム径変化用円板電極７８は
通常アースレベルで使用する最終段のレンズ電極
に電圧を与えて兼用させられる。さらに、専用の
電極を設ける場合も兼用する場合もその電極と次
の電極との間でいびつにビーム形状を変形させな
い様、アースシールドを設ける等、電界の乱れを
最小限に抑える設計が必要である。
ール電圧の変化によりビーム径、ビーム形状を変
化させた。しかし、光学系自体は複雑になるが電
圧印加は少し簡便となる第１３図に示す様なビー
ム径変化用の円板電極７８とビーム形状変化用４
極対向平板電板８０を光学系内に付加する方式で
も同等の効果が得られる。この時、レンズ電極７
７の最終段はアースレベルのため円板電極７８へ
の印加電圧をアースレベルの上下で変化させるこ
とでビーム径を変化させることができ、レンズ電
圧の様に高圧なジヤストフオーカスレンズ電圧
V2jの上下で電圧を変化させる必要がない。また、
ステイグマトール７９には本来のビーム形状調整
を受け持たせたため、４極平板電極の対向電極に
同じ電圧を印加し、必要に応じそれを変化させれ
ば良く、前記方式がステイグマトールにステイグ
マトール本来の役割に加えビーム形状変化まで受
け持たせていたため印加電圧を複雑に変化させる
必要があつたのに比べ、やはり電圧印加方式が簡
便となる。なお、ビーム径変化用円板電極７８は
通常アースレベルで使用する最終段のレンズ電極
に電圧を与えて兼用させられる。さらに、専用の
電極を設ける場合も兼用する場合もその電極と次
の電極との間でいびつにビーム形状を変形させな
い様、アースシールドを設ける等、電界の乱れを
最小限に抑える設計が必要である。
本発明によれば従来イオンビームを集束してフ
オトマスクの黒点欠陥を修正する場合必ず問題と
なつていた下地基板加工跡端部の段差によつて生
ずる新たな黒点欠陥を発生させない。したがつ
て、イオンビームによるフオトマスク黒点欠陥修
正が有効なものとして、より実用性を向上させる
効果がある。
オトマスクの黒点欠陥を修正する場合必ず問題と
なつていた下地基板加工跡端部の段差によつて生
ずる新たな黒点欠陥を発生させない。したがつ
て、イオンビームによるフオトマスク黒点欠陥修
正が有効なものとして、より実用性を向上させる
効果がある。
第１図はフオトマスクの平面図、第２図はレー
ザフオトマスク修正装置の構成図、第３図はイオ
ンビーム加工装置の構成図、第４図はイオンビー
ムによるマスク修正の説明図、第５図はマスク修
正後のウエハ転写パターンの平面図、第６図は本
発明が目標とする修正済マスクの断面図、第７図
は黒点欠陥の存在形態の分類図、第８図は各黒点
欠陥形態に対応するビーム変化の分類図、第９図
はイオン光学系の各電極に印加する電圧の説明
図、第１０図は各印加電圧の電圧−時間グラフ、
第１１図は第１０図の印加電圧によるビーム変化
の説明図、第１２図は加工後のマススクの平面図
と断面図、第１３図はビーム変化専用電極を設け
たイオン光学系の概略構成図。 符号の説明、１……下地基板、２……パター
ン、３……黒点欠陥、４……白点欠陥、５……レ
ーザ、６……レーザ光、７……ミラー、８……ビ
ームエキスパンダ、９……ミラー、１０……スリ
ツト、１１……ミラー、１２……対物レンズ、１
３……フオトマスク、１４……テーブル、１５…
…照明光源、１６……照明光学系、１７……フイ
ルタ、１８……観察光学系、１９……真空チヤン
バ、２０……ソース、２１……引き出し電極、２
２……集束レンズ、２３……ステイグマトール、
２４……デフレクタ、２５……フオトマスク、２
６……テーブル、２７……定盤、２８……エアサ
ーボマウント、２９……２次電子、３０……２次
電子デイテクタ、３１……真空ポンプ、３２……
CRT、３３……イオンビーム、３４……パター
ン、３５……黒点欠陥、３６……ビーム走査領
域、３７……イオンビーム、３８……ビーム走査
領域、３９……段差、４０……スパツタされた原
子、４１……パターン、４２……下地基板、４３
……パターン、４４……ワク状パターン、４８…
…パターン、４９……下地基板、５０……加工
跡、５１……パターン、５２……黒点欠陥、５３
……ビーム走査領域、５４……ビームスポツト、
５５……ビーム走査領域、５６……ソース、５７
……第１レンズ電極、５８……第２レンズ電極、
５９……第３レンズ電極、６０……フオトマス
ク、６１……テーブル、６２……イオンビーム、
６３……ステイグマトール、６４……デフレク
タ、６５……デフレクタ電極、６６……ステイグ
マトール電極、６７……ビーム走査領域、６８…
…ビームスポツト、６９……パターン、７０……
黒点欠陥、７１……ビーム走査領域、７２……パ
ターン、７３……下地基板、７４……ソース、７
６……引き出し電極、７７……集束レンズ、７８
……ビーム径調整電極、７９……ステイグマトー
ル、８０……ビーム形状調整電極、８１……デフ
レクタ、８２……フオトマスク、８３……イオン
ビーム、８４……テーブル。
ザフオトマスク修正装置の構成図、第３図はイオ
ンビーム加工装置の構成図、第４図はイオンビー
ムによるマスク修正の説明図、第５図はマスク修
正後のウエハ転写パターンの平面図、第６図は本
発明が目標とする修正済マスクの断面図、第７図
は黒点欠陥の存在形態の分類図、第８図は各黒点
欠陥形態に対応するビーム変化の分類図、第９図
はイオン光学系の各電極に印加する電圧の説明
図、第１０図は各印加電圧の電圧−時間グラフ、
第１１図は第１０図の印加電圧によるビーム変化
の説明図、第１２図は加工後のマススクの平面図
と断面図、第１３図はビーム変化専用電極を設け
たイオン光学系の概略構成図。 符号の説明、１……下地基板、２……パター
ン、３……黒点欠陥、４……白点欠陥、５……レ
ーザ、６……レーザ光、７……ミラー、８……ビ
ームエキスパンダ、９……ミラー、１０……スリ
ツト、１１……ミラー、１２……対物レンズ、１
３……フオトマスク、１４……テーブル、１５…
…照明光源、１６……照明光学系、１７……フイ
ルタ、１８……観察光学系、１９……真空チヤン
バ、２０……ソース、２１……引き出し電極、２
２……集束レンズ、２３……ステイグマトール、
２４……デフレクタ、２５……フオトマスク、２
６……テーブル、２７……定盤、２８……エアサ
ーボマウント、２９……２次電子、３０……２次
電子デイテクタ、３１……真空ポンプ、３２……
CRT、３３……イオンビーム、３４……パター
ン、３５……黒点欠陥、３６……ビーム走査領
域、３７……イオンビーム、３８……ビーム走査
領域、３９……段差、４０……スパツタされた原
子、４１……パターン、４２……下地基板、４３
……パターン、４４……ワク状パターン、４８…
…パターン、４９……下地基板、５０……加工
跡、５１……パターン、５２……黒点欠陥、５３
……ビーム走査領域、５４……ビームスポツト、
５５……ビーム走査領域、５６……ソース、５７
……第１レンズ電極、５８……第２レンズ電極、
５９……第３レンズ電極、６０……フオトマス
ク、６１……テーブル、６２……イオンビーム、
６３……ステイグマトール、６４……デフレク
タ、６５……デフレクタ電極、６６……ステイグ
マトール電極、６７……ビーム走査領域、６８…
…ビームスポツト、６９……パターン、７０……
黒点欠陥、７１……ビーム走査領域、７２……パ
ターン、７３……下地基板、７４……ソース、７
６……引き出し電極、７７……集束レンズ、７８
……ビーム径調整電極、７９……ステイグマトー
ル、８０……ビーム形状調整電極、８１……デフ
レクタ、８２……フオトマスク、８３……イオン
ビーム、８４……テーブル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ イオンソース、イオン光学系、ターゲツト、
テーブル、真空排気系、電源制御系、真空チヤン
バおよび架台から構成し、イオンビームを上記イ
オンソースから引き出し、上記イオン光学系で上
記イオンビームを集束、偏向し上記ターゲツトに
照射し加工するイオンビーム加工方法において、
上記イオンビームを偏向するデフレクタに同期し
て上記ターゲツト上での上記イオンビームのスポ
ツトの径または形状を変化させて加工を行なうこ
とを特徴とするイオンビーム加工方法。 ２ 上記イオンビームスポツトの径または形状を
変化させる際、上記ターゲツト上の加工領域端に
おいて鋭いエツジを要する端面には微小円スポツ
トあるいは端面に平行方向を長径とする楕円スポ
ツト、なだらかなエツジを要する端面には大円ス
ポツトあるいは端面に垂直方向を長径とする楕円
スポツトのビームにて加工を行なうことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のイオンビーム加
工方法。 ３ 上記微小円スポツトとして上記イオン光学系
に含まれる集中レンズのジヤストフオーカススポ
ツト、上記大円スポツトとして1μmから10μmあ
るいは上記加工領域の短辺の1/4から1/2のスポツ
ト、楕円スポツトとして長径、短径が上記微小円
スポツトの径と上記大円スポツトの径の間にある
スポツトを使用し加工することを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載のイオンビーム加工方法。 ４ 上記スポツト径を上記集束レンズのレンズ電
圧を上記デフレクタと同期させて変化させること
で変化させることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のイオンビーム加工方法。 ５ 上記スポツト形状を上記イオン光学系に含ま
れ通常上記イオンビームの非点収差補正に使用す
るステイグマトールへ上記デフレクタと同期させ
た所定電圧を印加することで変化させることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオンビー
ム加工方法。 ６ 上記スポツト径を上記イオン光学系に専用に
付加したスポツト径調整用電極へ上記デフレクタ
と同期させた電圧を印加することで変化させるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオ
ンビーム加工方法。 ７ 上記スポツト形状を上記イオン光学系に専用
に付加したスポツト形状調整用電極または、上記
集束レンズの最終段レンズ電極へ上記デフレクタ
と同期させた電圧を印加することで変化させるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオ
ンビーム加工方法。 ８ イオンソース、イオン光学系、ターゲツト、
テーブル、真空排気系、電源制御系、真空チヤン
バおよび架台より成るイオンビーム加工装置にお
いて、上記イオン光学系に含まれるイオンビーム
偏向用デフレクタに同期させて集束レンズに印加
するレンズ電圧とビーム形状調整用ステイグマト
ールに印加する電圧を変化させる同期回路および
電源を設けたことを特徴とするイオンビーム加工
装置。 ９ 上記イオンビーム装置においてスポツト径調
整用電極とスポツト形状調整用電極および上記デ
フレクタとの同期回路と電源を設けたことを特徴
とする特許請求の範囲第８項記載のイオンビーム
加工装置。 １０ 上記スポツト径調整用電極として上記集束
レンズの下に円孔円板電極を設けることを特徴と
する特許請求の範囲第９項記載のイオンビーム加
工装置。 １１ 上記スポツト形状調整用電極として４極ま
たは８極の対向平行平板電極を設けることを特徴
とする特許請求の範囲第９項記載のイオンビーム
加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60215003A JPS6275533A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | イオンビ−ム加工方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60215003A JPS6275533A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | イオンビ−ム加工方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6275533A JPS6275533A (ja) | 1987-04-07 |
| JPH0466347B2 true JPH0466347B2 (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=16665093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60215003A Granted JPS6275533A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | イオンビ−ム加工方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6275533A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6753253B1 (en) * | 1986-06-18 | 2004-06-22 | Hitachi, Ltd. | Method of making wiring and logic corrections on a semiconductor device by use of focused ion beams |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60215003A patent/JPS6275533A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6275533A (ja) | 1987-04-07 |
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|---|---|---|---|
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