JPH0466698A - メッキ方法、メッキ装置及びメッキ用カソード電極装置 - Google Patents
メッキ方法、メッキ装置及びメッキ用カソード電極装置Info
- Publication number
- JPH0466698A JPH0466698A JP17785090A JP17785090A JPH0466698A JP H0466698 A JPH0466698 A JP H0466698A JP 17785090 A JP17785090 A JP 17785090A JP 17785090 A JP17785090 A JP 17785090A JP H0466698 A JPH0466698 A JP H0466698A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- plated
- contact
- electrode device
- angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、メッキ方法、メッキ装置及びメッキ用カソー
ド電極装置に関し、カソード電極装置として、メッキ領
域の面積に対応した面積の孔を有し、被メッキ物と面接
触する面とは反対側の面の内周端側に、接触面に対して
３０度以下の角度で傾斜する傾斜面を有するカソード電
極装置を用いることにより、メッキ領域内での電流密度
分布を均−化し、メッキ膜の組成及び膜厚を均一化でき
るようにすると共に、前述の角度範囲内における角度選
定によってメッキ膜の組成及び膜厚を制御できるように
したものである。
ド電極装置に関し、カソード電極装置として、メッキ領
域の面積に対応した面積の孔を有し、被メッキ物と面接
触する面とは反対側の面の内周端側に、接触面に対して
３０度以下の角度で傾斜する傾斜面を有するカソード電
極装置を用いることにより、メッキ領域内での電流密度
分布を均−化し、メッキ膜の組成及び膜厚を均一化でき
るようにすると共に、前述の角度範囲内における角度選
定によってメッキ膜の組成及び膜厚を制御できるように
したものである。
〈従来の技術〉
各種電子部品用基板、ｒｃ用ウェハー、薄膜磁気ヘッド
用ウェハー等においては、被メッキ物である基板もしく
はウェハー上の限られた平面積内でメッキをしなければ
ならない。このような場合、被メッキ物の面上に、メッ
キ領域を囲むように、カソード電極装置を面接触させて
メッキを行なう。第６図は従来のこの種のメッキ方法及
びメッキ装置を示す図で、１は被メッキ物、２はカソー
ド電極装置、３は陽極、４はメッキ浴、５は電源装置で
ある。
用ウェハー等においては、被メッキ物である基板もしく
はウェハー上の限られた平面積内でメッキをしなければ
ならない。このような場合、被メッキ物の面上に、メッ
キ領域を囲むように、カソード電極装置を面接触させて
メッキを行なう。第６図は従来のこの種のメッキ方法及
びメッキ装置を示す図で、１は被メッキ物、２はカソー
ド電極装置、３は陽極、４はメッキ浴、５は電源装置で
ある。
被メッキ物１は、例えば各種電子部品用基板、ＩＣ用ウ
ェハーまたは薄膜磁気ヘッド用ウェハー等である。
ェハーまたは薄膜磁気ヘッド用ウェハー等である。
カソード電極装置２は、電気伝導性の良好な金属板を用
いて構成されており、被メッキ物１の一面上のメッキ領
域の面積に対応した面積の孔２１を有しており、孔２１
の周りの内周面２２は、その全厚みにわたって、はぼ直
角な壁面となっている。カソード電極装置２はメッキ浴
４が澗れないように、被メッキ物１の面上に密接に面接
触して配置される。６はネジ等の結合具、７は支持板で
ある。結合具６はカソード電極装置２を支持板７に締付
は固定している。
いて構成されており、被メッキ物１の一面上のメッキ領
域の面積に対応した面積の孔２１を有しており、孔２１
の周りの内周面２２は、その全厚みにわたって、はぼ直
角な壁面となっている。カソード電極装置２はメッキ浴
４が澗れないように、被メッキ物１の面上に密接に面接
触して配置される。６はネジ等の結合具、７は支持板で
ある。結合具６はカソード電極装置２を支持板７に締付
は固定している。
メッキ浴４は、得ようとするメッキ膜に応じた浴組成と
なっており、メッキ槽内に収納されている。電源装置５
は、カソード電極装置２が取付けられている支持板７と
、陽極電極３との間に接続されている。
なっており、メッキ槽内に収納されている。電源装置５
は、カソード電極装置２が取付けられている支持板７と
、陽極電極３との間に接続されている。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、上述した従来のメッキ装置は、カソード
電極装置２として、孔２１を囲む内周面２２が、全厚み
にわたってほぼ直角な壁面となっているために、エツジ
２２１の部分に電界が集中し、電流密度分布が不均一に
なるという問題がある。第７図は被メッキ物１の面にお
ける電流密度分布を三次元的に示す図である。被メッキ
物１としては薄膜磁気ヘッド用ウェハーを用いた。図に
おいて、横軸に被メッキ物１の中心を基準値０にした位
置（ａｍ）をとってあり、縦軸に電流値（ｍＡ）をとっ
である、電流密度分布は±１．７％であり、かなり大き
な変動を生じていることがわかる。
電極装置２として、孔２１を囲む内周面２２が、全厚み
にわたってほぼ直角な壁面となっているために、エツジ
２２１の部分に電界が集中し、電流密度分布が不均一に
なるという問題がある。第７図は被メッキ物１の面にお
ける電流密度分布を三次元的に示す図である。被メッキ
物１としては薄膜磁気ヘッド用ウェハーを用いた。図に
おいて、横軸に被メッキ物１の中心を基準値０にした位
置（ａｍ）をとってあり、縦軸に電流値（ｍＡ）をとっ
である、電流密度分布は±１．７％であり、かなり大き
な変動を生じていることがわかる。
電流密度分布が不均一になると、メッキ膜組成にバラツ
キを生じると共に、膜厚が変動する。
キを生じると共に、膜厚が変動する。
そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、メッキ領域内での電流密度分布を均一化し、メッキ
膜の組成及び膜厚を均一化できるようにすると共に、前
述の角度範囲内における角度選定によってメッキ膜の組
成及び膜厚を制御できるようにしたものである。
し、メッキ領域内での電流密度分布を均一化し、メッキ
膜の組成及び膜厚を均一化できるようにすると共に、前
述の角度範囲内における角度選定によってメッキ膜の組
成及び膜厚を制御できるようにしたものである。
〈課題を解決するための手段〉
上述した従来の問題点を解決するため、本発明は、・被
メッキ物の面上に、メッキ領域を囲むように、カソード
電極装置を面接触させてメッキを行なう場合に、 前記カソード電極装置は、前記メッキ領域の面積に対応
した面積の孔を有しており、前記被メッキ物と面接触す
る面とは反対側の面の内周端側に、接触面に対して３０
度以下の角度で傾斜する傾斜面を有すること を特徴とする。
メッキ物の面上に、メッキ領域を囲むように、カソード
電極装置を面接触させてメッキを行なう場合に、 前記カソード電極装置は、前記メッキ領域の面積に対応
した面積の孔を有しており、前記被メッキ物と面接触す
る面とは反対側の面の内周端側に、接触面に対して３０
度以下の角度で傾斜する傾斜面を有すること を特徴とする。
く作用〉
カソード電極装置の被メッキ物と面接触する面とは反対
側の面の内周端側に、接触面に対して３０度以下の角度
で傾斜する傾斜面を有すると、メッキ領域内での電流密
度分布が均一化される。
側の面の内周端側に、接触面に対して３０度以下の角度
で傾斜する傾斜面を有すると、メッキ領域内での電流密
度分布が均一化される。
このため、メッキ膜の組成及び膜厚の分布が均一化され
る。傾斜面の角度が３０度を超えると、メッキ膜の組成
及び膜厚の分布が実用的に見て許容できる範囲に入らな
くなる。
る。傾斜面の角度が３０度を超えると、メッキ膜の組成
及び膜厚の分布が実用的に見て許容できる範囲に入らな
くなる。
また、前述の角度範囲内における角度選定によフて、メ
ッキ領域内での電流密度分布を制御し、メッキ膜の組成
及び膜厚を制御できる。
ッキ領域内での電流密度分布を制御し、メッキ膜の組成
及び膜厚を制御できる。
〈実施例〉
第１図は本発明に係るメッキ装置の概略図である。図に
おいて、第６図と同一の参照符号は同一性ある構成部分
を示している。８はカソード電極装置である。カソード
電極装置８は、第２図及び第３図にも示すように、メッ
キ領域の面積に対応した面積の孔８１を有しており、被
メッキ物１と面接触する接触面８２とは反対側の面８３
の内周端側に、接触面８２に対して３０度以下の角度θ
で傾斜する傾斜面８４を有する。傾斜面８４は接触面８
２から、ある厚みｄが残るように形成するのが望ましい
。厚ｄが小さくなるにつれて、内周端円の鋭さが増して
一種の刃物状となり、メッキ処理後のカソード電極装置
２の洗浄時等に作業員が怪我をする危険性があるからで
ある。カソード電極装置８の形状は、円形状に限らない
。楕円形状または多角形状等の他の形状であってもよい
。
おいて、第６図と同一の参照符号は同一性ある構成部分
を示している。８はカソード電極装置である。カソード
電極装置８は、第２図及び第３図にも示すように、メッ
キ領域の面積に対応した面積の孔８１を有しており、被
メッキ物１と面接触する接触面８２とは反対側の面８３
の内周端側に、接触面８２に対して３０度以下の角度θ
で傾斜する傾斜面８４を有する。傾斜面８４は接触面８
２から、ある厚みｄが残るように形成するのが望ましい
。厚ｄが小さくなるにつれて、内周端円の鋭さが増して
一種の刃物状となり、メッキ処理後のカソード電極装置
２の洗浄時等に作業員が怪我をする危険性があるからで
ある。カソード電極装置８の形状は、円形状に限らない
。楕円形状または多角形状等の他の形状であってもよい
。
孔８１の形状も同様である。第２図及び第３図において
、参照符号８５は取付穴である。
、参照符号８５は取付穴である。
上述のように、被メッキ物１と面接触する接触面８２と
は反対側の面８３の内周端側に、接触面８２に対して３
０度以下の角度で傾斜する傾斜面８４を有すると、メッ
キ領域内での電流密度分布が均一化される。また、３０
度以下の角度範囲内における角度選定によって、メッキ
領域内での電流密度分布を制御し、メッキ膜の組成及び
膜厚を制御できる。
は反対側の面８３の内周端側に、接触面８２に対して３
０度以下の角度で傾斜する傾斜面８４を有すると、メッ
キ領域内での電流密度分布が均一化される。また、３０
度以下の角度範囲内における角度選定によって、メッキ
領域内での電流密度分布を制御し、メッキ膜の組成及び
膜厚を制御できる。
第４図は被メッキ物１の面内における電流分布特性を示
す図である。被メッキ物１としては薄膜磁気ヘッド用ウ
ェハーを用いた。横軸に被メッキ物１の中心を基準値Ｏ
とした位置（ｍｍ）をとり、縦軸に全電流平均値Ｉａｖ
に対する各自位置の電流Ｉの比（Ｉ／Ｉａｖ）をとっで
ある。
す図である。被メッキ物１としては薄膜磁気ヘッド用ウ
ェハーを用いた。横軸に被メッキ物１の中心を基準値Ｏ
とした位置（ｍｍ）をとり、縦軸に全電流平均値Ｉａｖ
に対する各自位置の電流Ｉの比（Ｉ／Ｉａｖ）をとっで
ある。
曲線Ａ０はカソード電極装置２を面８３が被メッキ物１
のメッキ面と連続するように配置した場合に想定される
理想曲線である。曲線Ａ１゜は傾斜面８４の角度θが１
０度のときの特性、曲線Ａ２゜は角度θが２０度のとき
の特性、Ａ４５は角度θが４５度のときの特性をそれぞ
れ示している。
のメッキ面と連続するように配置した場合に想定される
理想曲線である。曲線Ａ１゜は傾斜面８４の角度θが１
０度のときの特性、曲線Ａ２゜は角度θが２０度のとき
の特性、Ａ４５は角度θが４５度のときの特性をそれぞ
れ示している。
図示するように、傾斜面８４の角度θが１０度及び２０
度のときは、理想曲線Ａ、にかなり近似した特性が得ら
れる。特に、角度θが１０度のときは広い範囲で電流密
度分布が均一化されている。
度のときは、理想曲線Ａ、にかなり近似した特性が得ら
れる。特に、角度θが１０度のときは広い範囲で電流密
度分布が均一化されている。
角度θが２０度を超えると、電流密度分布特性が若干悪
くなるが、３０度までは、実用上許容できる範囲内に収
まる。
くなるが、３０度までは、実用上許容できる範囲内に収
まる。
これに対して、傾斜面８４の角度θが４５度になると、
被メッキ物１の中心からの位置が２０）を超える領域で
、電流密度分布が急激に悪くなる。
被メッキ物１の中心からの位置が２０）を超える領域で
、電流密度分布が急激に悪くなる。
第５図は被メッキ物１の面内における電流分布特性を三
次元的に示す図である。被メッキ物１は薄膜磁気ヘッド
用ウェハーである。従来の特性である第７図との比較か
ら電流分布特性の改善効果がビジュアルに確認できる。
次元的に示す図である。被メッキ物１は薄膜磁気ヘッド
用ウェハーである。従来の特性である第７図との比較か
ら電流分布特性の改善効果がビジュアルに確認できる。
第５図では電流密度分布は±０．８％であり、第７図の
電流分布±１．７％よりも著しく改善されている。
電流分布±１．７％よりも著しく改善されている。
〈発明の効果〉
以上述べたように、本発明はによれば、次のような効果
が得られる。
が得られる。
（ａ）被メッキ物の面上に、メッキ領域を囲むように、
カソード電極装置を面接触させてメッキを行なう場合に
、カソード電極装置は、メッキ領域の面積に対応した面
積の孔を有していて、被メッキ物と面接触する面とは反
対側の面の内周端側に、接触面に対して３０度以下の角
度で傾斜する傾斜面を有する構造としたから、メッキ領
域内での電流密度分布を均一化し、メッキ膜の組成及び
膜厚を均一化し得るメッキ方法、メッキ装置及びカソー
ド電極装置を提供できる。
カソード電極装置を面接触させてメッキを行なう場合に
、カソード電極装置は、メッキ領域の面積に対応した面
積の孔を有していて、被メッキ物と面接触する面とは反
対側の面の内周端側に、接触面に対して３０度以下の角
度で傾斜する傾斜面を有する構造としたから、メッキ領
域内での電流密度分布を均一化し、メッキ膜の組成及び
膜厚を均一化し得るメッキ方法、メッキ装置及びカソー
ド電極装置を提供できる。
（ｂ）３０度の角度範囲内における角度選定によって、
メッキ領域内での電流密度分布を制御し、メッキ膜の組
成及び膜厚を制御し得るメッキ方法、メッキ装置及びカ
ソード電極装置を提供できる。
メッキ領域内での電流密度分布を制御し、メッキ膜の組
成及び膜厚を制御し得るメッキ方法、メッキ装置及びカ
ソード電極装置を提供できる。
第１図は本発明に係るメッキ方法及びメッキ装置の概略
図、＄２図は同じくカソード電極装置の平面図、第３図
は同じくその正面断面図、第４図は本発明における被メ
ッキ物の面内における電流分布特性を示す図、第５図は
同じく被メッキ物の面内におけう電流分布特性を三次元
的に示す図、第６図は従来のメッキ方法に係るメッキ装
置の概略図、第７図は同じく被メッキ物の面内における
電流分布特性を三次元的に示す図である。 １・・・被メッキ物 ３・・・＠極ｔ８ｉ４・・
・メッキ浴 ８・・・カソード電極装置 ８１・・・孔 ８２・・・接触面８３・・・
接触面とは反対側の面 ８４・・・傾斜面
図、＄２図は同じくカソード電極装置の平面図、第３図
は同じくその正面断面図、第４図は本発明における被メ
ッキ物の面内における電流分布特性を示す図、第５図は
同じく被メッキ物の面内におけう電流分布特性を三次元
的に示す図、第６図は従来のメッキ方法に係るメッキ装
置の概略図、第７図は同じく被メッキ物の面内における
電流分布特性を三次元的に示す図である。 １・・・被メッキ物 ３・・・＠極ｔ８ｉ４・・
・メッキ浴 ８・・・カソード電極装置 ８１・・・孔 ８２・・・接触面８３・・・
接触面とは反対側の面 ８４・・・傾斜面
Claims (3)
- （１）被メッキ物の面上に、メッキ領域を囲むように、
カソード電極装置を面接触させてメッキを行なうメッキ
方法であって、 前記カソード電極装置は、前記メッキ領域の面積に対応
した面積の孔を有しており、前記被メッキ物と面接触す
る接触面とは反対側の面の内周端側に、接触面に対して
３０度以下の角度で傾斜する傾斜面を有すること を特徴とするメッキ方法。 - （２）被メッキ物の面上に、メッキ領域を囲むように、
カソード電極装置を面接触させてメッキを行なうメッキ
装置であって、 前記カソード電極装置は、前記メッキ領域の面積に対応
した面積の孔を有しており、前記被メッキ物と面接触す
る接触面とは反対側の面の内周端側に、接触面に対して
３０度以下の角度で傾斜する傾斜面を有すること を特徴とするメッキ装置。 - （３）被メッキ物の面上に、メッキ領域を囲むように、
面接触させて用いられるメッキ用カソード電極装置であ
って、 前記メッキ領域の面積に対応した面積の孔を有しており
、前記被メッキ物と面接触する面とは反対側の面の内周
端側に、接触面に対して３０度以下の角度で傾斜する傾
斜面を有すること を特徴とするメッキ用カソード電極装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17785090A JP2807061B2 (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | メッキ方法、メッキ装置及びメッキ用カソード電極装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17785090A JP2807061B2 (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | メッキ方法、メッキ装置及びメッキ用カソード電極装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0466698A true JPH0466698A (ja) | 1992-03-03 |
| JP2807061B2 JP2807061B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=16038196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17785090A Expired - Lifetime JP2807061B2 (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | メッキ方法、メッキ装置及びメッキ用カソード電極装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2807061B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6090260A (en) * | 1997-03-31 | 2000-07-18 | Tdk Corporation | Electroplating method |
| US6181057B1 (en) | 1997-09-18 | 2001-01-30 | Tdk Corporation | Electrode assembly, cathode device and plating apparatus including an insulating member covering an internal circumferential edge of a cathode member |
| US6184613B1 (en) | 1997-09-18 | 2001-02-06 | Tdk Corporation | Electrode assembly, cathode device and plating apparatus including a gap configured to eliminate a concentration of a line of electrical force at a boundary between a cathode and plate forming surface of an object |
| JP2009299128A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Panasonic Corp | 電気めっき装置 |
| CN102782593A (zh) * | 2010-02-15 | 2012-11-14 | 西铁城控股株式会社 | 电子计时装置 |
-
1990
- 1990-07-05 JP JP17785090A patent/JP2807061B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6090260A (en) * | 1997-03-31 | 2000-07-18 | Tdk Corporation | Electroplating method |
| US6554976B1 (en) | 1997-03-31 | 2003-04-29 | Tdk Corporation | Electroplating apparatus |
| US6181057B1 (en) | 1997-09-18 | 2001-01-30 | Tdk Corporation | Electrode assembly, cathode device and plating apparatus including an insulating member covering an internal circumferential edge of a cathode member |
| US6184613B1 (en) | 1997-09-18 | 2001-02-06 | Tdk Corporation | Electrode assembly, cathode device and plating apparatus including a gap configured to eliminate a concentration of a line of electrical force at a boundary between a cathode and plate forming surface of an object |
| JP2009299128A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Panasonic Corp | 電気めっき装置 |
| CN102782593A (zh) * | 2010-02-15 | 2012-11-14 | 西铁城控股株式会社 | 电子计时装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2807061B2 (ja) | 1998-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920003863B1 (ko) | 액체무화기의 압전진동자장착구조 | |
| US4747926A (en) | Conical-frustum sputtering target and magnetron sputtering apparatus | |
| JPH0625899A (ja) | 電解メッキ装置 | |
| JPH08209396A (ja) | 電解用複合電極 | |
| US20200095697A1 (en) | Manufacturing Apparatus of Electrolytic Copper Foil | |
| JP3257668B2 (ja) | 電極組立体、カソード装置及びメッキ装置 | |
| JP2807061B2 (ja) | メッキ方法、メッキ装置及びメッキ用カソード電極装置 | |
| CN108417490B (zh) | 蚀刻金属工件的方法和显示面板的制作方法 | |
| KR101832988B1 (ko) | 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법 | |
| KR20010010788A (ko) | 자장을 이용한 전해 도금 기술 | |
| JPH0329876B2 (ja) | ||
| US20060138342A1 (en) | Anode layer particle beam device | |
| JP3464191B2 (ja) | 高周波共振器、及び、その製造方法 | |
| WO2024003975A1 (ja) | めっき装置、および、めっき方法 | |
| JPH05166815A (ja) | メッキバンプ形成方法及びそれに用いるウエーハメッキ用治具 | |
| JP3343077B2 (ja) | めっき用電極 | |
| JPH1046394A (ja) | メッキ治具 | |
| KR100423721B1 (ko) | 전극링을 가진 도금장치 | |
| JPS62188798A (ja) | メツキ用コンタクトピン | |
| JPH01222088A (ja) | 電気メッキ法 | |
| JP3169137B2 (ja) | めっき装置 | |
| JPS6023318Y2 (ja) | 電気めつき用電極 | |
| JPS5835658Y2 (ja) | 可変幅電極 | |
| JP3257667B2 (ja) | 電極組立体、カソード装置及びメッキ装置 | |
| JPH05263289A (ja) | めっき装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080724 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090724 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090724 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100724 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |