JPH0467407A - 磁気記録装置 - Google Patents
磁気記録装置Info
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- JPH0467407A JPH0467407A JP17966890A JP17966890A JPH0467407A JP H0467407 A JPH0467407 A JP H0467407A JP 17966890 A JP17966890 A JP 17966890A JP 17966890 A JP17966890 A JP 17966890A JP H0467407 A JPH0467407 A JP H0467407A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveform
- equalization circuit
- waveform equalization
- magnetic
- taps
- Prior art date
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- Digital Magnetic Recording (AREA)
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- Cable Transmission Systems, Equalization Of Radio And Reduction Of Echo (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、磁気ディスク装置あるいは磁気テープ装置等
のディジタル磁気記録装置に係り、特に二つの薄膜磁極
で構成される薄膜磁気ヘッドの高密度化に伴う磁極厚の
増加に対応して適切な波形等化回路を与える磁気記録装
置に関する。
のディジタル磁気記録装置に係り、特に二つの薄膜磁極
で構成される薄膜磁気ヘッドの高密度化に伴う磁極厚の
増加に対応して適切な波形等化回路を与える磁気記録装
置に関する。
[従来の技術]
磁気ディスク装置や磁気テープ装置等のディジタル磁気
記録装置は、大容量化、高速化の要求に応えるべく、年
々、高密度化、高転送レート化か進められている。これ
には、ヘッド、媒体、機構系の改良が不可欠であり、高
密度化を実現するために高飽和磁束、高保磁力媒体が開
発され、また、高転送レートを実現するために低インダ
クタンスの薄膜磁気ヘッドが採用されつつある。しかし
、このような開発の結果、読み出される信号波形は、従
来のバルクヘッドによる信号波形と異なり、波形に応じ
た信号処理が必要となる。この違いは、薄膜磁気ヘッド
の媒体対向面形状が比較的薄い磁極により形成されてい
ることに起因している。例えば、第3図の断面形状の薄
膜磁気ヘッド31から読み出される信号32は、第4図
に示すようにヘッドの磁極端部に対応したアンダーシュ
ート33.34を生じてしまう。このアンダーシュート
が前後に続く媒体上の信号に重なると、その信号波形を
歪ませてしまい、本来あるべきピークの位置がずれるよ
うなピークシフトや振幅変動を生じて復号誤すの要因に
なることかある。このため、再生波形のアンターシュー
トを取り除くような信号処理が必要となる。
記録装置は、大容量化、高速化の要求に応えるべく、年
々、高密度化、高転送レート化か進められている。これ
には、ヘッド、媒体、機構系の改良が不可欠であり、高
密度化を実現するために高飽和磁束、高保磁力媒体が開
発され、また、高転送レートを実現するために低インダ
クタンスの薄膜磁気ヘッドが採用されつつある。しかし
、このような開発の結果、読み出される信号波形は、従
来のバルクヘッドによる信号波形と異なり、波形に応じ
た信号処理が必要となる。この違いは、薄膜磁気ヘッド
の媒体対向面形状が比較的薄い磁極により形成されてい
ることに起因している。例えば、第3図の断面形状の薄
膜磁気ヘッド31から読み出される信号32は、第4図
に示すようにヘッドの磁極端部に対応したアンダーシュ
ート33.34を生じてしまう。このアンダーシュート
が前後に続く媒体上の信号に重なると、その信号波形を
歪ませてしまい、本来あるべきピークの位置がずれるよ
うなピークシフトや振幅変動を生じて復号誤すの要因に
なることかある。このため、再生波形のアンターシュー
トを取り除くような信号処理が必要となる。
従来技術による上記の信号処理を、特開昭60−136
902号に基づいて、以下に説明する。従来技術では、
第5図あるいは第6図に示す3タツプあるいは5タツプ
のトランスバーサル型の波形等化回路を使用する。図の
波形等化回路において、35゜36.4+、42,43
.44は入力波形を遅延させるための遅延素子または遅
延回路であり、37,38,39,4.5,46゜47
.48.49は各タップでの信号の振幅と位相を決める
ため、各タップの入力信号を所定量減衰させるタップ係
数素子または回路であり、40.50は各タップ係数素
子を通った各タップでの信号を加算する和回路である。
902号に基づいて、以下に説明する。従来技術では、
第5図あるいは第6図に示す3タツプあるいは5タツプ
のトランスバーサル型の波形等化回路を使用する。図の
波形等化回路において、35゜36.4+、42,43
.44は入力波形を遅延させるための遅延素子または遅
延回路であり、37,38,39,4.5,46゜47
.48.49は各タップでの信号の振幅と位相を決める
ため、各タップの入力信号を所定量減衰させるタップ係
数素子または回路であり、40.50は各タップ係数素
子を通った各タップでの信号を加算する和回路である。
第7図に示すように、入力波形51のアンダーシュート
位置52.58に、入力波形を遅延させタップ係数37
.39,45.49で振幅をアンダーシュートの大きさ
に揃えた信号59および60を加えることにより、入力
波形のアンダーシュートを除去する。さらに、入力波形
の振幅の半分に相当する位置54.56に対応するとこ
ろに、遅延素子・1jおよび43の出力をタップ係数素
子46および118で振幅を適切に設定した波形53お
よび57を発生させ、入力波形から差し引く。以上によ
り、アンダーシュートのない、波形幅の狭い出力波形6
1が得られる。
位置52.58に、入力波形を遅延させタップ係数37
.39,45.49で振幅をアンダーシュートの大きさ
に揃えた信号59および60を加えることにより、入力
波形のアンダーシュートを除去する。さらに、入力波形
の振幅の半分に相当する位置54.56に対応するとこ
ろに、遅延素子・1jおよび43の出力をタップ係数素
子46および118で振幅を適切に設定した波形53お
よび57を発生させ、入力波形から差し引く。以上によ
り、アンダーシュートのない、波形幅の狭い出力波形6
1が得られる。
[発明が解決しようとする課題]
磁気ディスク装置の高密度化を進めるために、媒体の保
磁力がさらに増加すると、ヘッドの磁極で飽和をするこ
となしに媒体で充分な記録磁界を得るようにするため、
ヘッドの磁極を厚くする必要がある。しかし、磁極の厚
いヘッドから再生される信号波形は、第8図に示すよう
に、主ピークからかなり離れた位置に磁極端に対応した
アンダーシュート33.34を生じる。この波形を、上
記の従来技術の等化回路で信号処理を行うと、波形を細
めるために重ねた波形によって第9図に示すように主ピ
ークの裾から磁極瑞相当部にかけてうねり62.63を
発生させてしまう。この波形は、第3図に示すように、
媒体上に一つの反転信号力τある場合にこれを再生して
得られる、いわゆるm女波形といわれるものであるが、
さらに媒体とに後から続く反転信号がある場合に、上記
のように孤立波形にうねりがあると、第10図の破線で
示す個々の孤立波形64.65が干渉して、実線で示す
ようにうねり66が強調されてしまう。このうねりの部
分66は、さらに後に続く媒体上の連続した信号のピー
クと重なると(図示はしていない)、そのピーク位置を
ずらせるようなピークシフトや振幅変動をおこさせる要
因となる。すなわち、厚い磁極のヘッドから再生される
信号波形を等化する場合、従来技術の波形等化回路では
波形歪が発生してしまい、ピークシフトや振幅変動を適
切に除去できない点が問題となる。
磁力がさらに増加すると、ヘッドの磁極で飽和をするこ
となしに媒体で充分な記録磁界を得るようにするため、
ヘッドの磁極を厚くする必要がある。しかし、磁極の厚
いヘッドから再生される信号波形は、第8図に示すよう
に、主ピークからかなり離れた位置に磁極端に対応した
アンダーシュート33.34を生じる。この波形を、上
記の従来技術の等化回路で信号処理を行うと、波形を細
めるために重ねた波形によって第9図に示すように主ピ
ークの裾から磁極瑞相当部にかけてうねり62.63を
発生させてしまう。この波形は、第3図に示すように、
媒体上に一つの反転信号力τある場合にこれを再生して
得られる、いわゆるm女波形といわれるものであるが、
さらに媒体とに後から続く反転信号がある場合に、上記
のように孤立波形にうねりがあると、第10図の破線で
示す個々の孤立波形64.65が干渉して、実線で示す
ようにうねり66が強調されてしまう。このうねりの部
分66は、さらに後に続く媒体上の連続した信号のピー
クと重なると(図示はしていない)、そのピーク位置を
ずらせるようなピークシフトや振幅変動をおこさせる要
因となる。すなわち、厚い磁極のヘッドから再生される
信号波形を等化する場合、従来技術の波形等化回路では
波形歪が発生してしまい、ピークシフトや振幅変動を適
切に除去できない点が問題となる。
本発明の目的は、薄膜磁気ヘッドの磁極の厚みによる波
形うねりを除去し、ピークシフトや振幅変動を充分に低
下する波形等化回路、およびその際の、磁極の厚みの増
加に対応する最適な波形等化回路を含む磁気記録装置を
提供することにある。
形うねりを除去し、ピークシフトや振幅変動を充分に低
下する波形等化回路、およびその際の、磁極の厚みの増
加に対応する最適な波形等化回路を含む磁気記録装置を
提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記日的を達成するための本発明の磁気記録装置は、磁
気ヘッドの磁気記録媒体との対向面における二つの薄膜
磁極の厚みと間隔をそれぞれしくm)、し2(m)、g
(m)とし、また磁気ヘッドと記録媒体の相対速度を
V(+n/s)として、時間(g+し十t、)/Vが波
形等化回路出力波形の半値幅W(s)の4.2倍以上で
あるとき、波形等化回路のタップ数nを6以上とするこ
とを特徴とする。
気ヘッドの磁気記録媒体との対向面における二つの薄膜
磁極の厚みと間隔をそれぞれしくm)、し2(m)、g
(m)とし、また磁気ヘッドと記録媒体の相対速度を
V(+n/s)として、時間(g+し十t、)/Vが波
形等化回路出力波形の半値幅W(s)の4.2倍以上で
あるとき、波形等化回路のタップ数nを6以上とするこ
とを特徴とする。
ここで、上記時間(g+t、+5)/Vが波形等化回路
出力波形の半値幅W(s)の4.6倍以上であるときは
、波形等化回路のタップ数nを7以上とすることが好ま
しい。
出力波形の半値幅W(s)の4.6倍以上であるときは
、波形等化回路のタップ数nを7以上とすることが好ま
しい。
さらに上記時間(g+t1+t2)/Vが波形等化回路
出力波形の半値幅W(s)の5.0倍以上であるときは
、波形等化回路のタップ数nを8以上とするのがよい。
出力波形の半値幅W(s)の5.0倍以上であるときは
、波形等化回路のタップ数nを8以上とするのがよい。
あるいは上記時間(g+t、+5)/Vが波形等化回路
出力波形の半値幅W(s)の5.4倍以上であれば、波
形等化回路のタップ数nを9以上とするのが好ましい。
出力波形の半値幅W(s)の5.4倍以上であれば、波
形等化回路のタップ数nを9以上とするのが好ましい。
[作 用]
磁気ヘッドの磁極の厚みか増加して記録媒体との対向面
の長さか増加するにつれ、波形のうねりを除去するため
には波形等化回路のタップ数を増加させることか必要に
なる。
の長さか増加するにつれ、波形のうねりを除去するため
には波形等化回路のタップ数を増加させることか必要に
なる。
これを波形等化回路の等化原理の観点からみると、波形
うねり除去用のタップでは、入力波形を遅延素子あるい
は遅延回路により波形うねりの山あるいは谷の部分に遅
延させ、タップ係数素子により山谷に相当する振幅に減
衰させて減算あるいは加算する。これにより、従来技術
の5タップ波形等化器により発生する波形うねりの山谷
を削り、あるいは、埋めて波形のうねりを除去すること
になる。これにより、主波形を加算するために1タツプ
、波形を細めるために2タツプ(減算)、磁棲端に生じ
るアンダーシュートを補正するために2タツプ(加算)
、波形のうねりを除去するために1タツプから4タツプ
(加算あるいは減算)の遅延素子あるいは遅延回路、タ
ップ係数素子あるいは回路を備えた、合計6タツプから
9タツプのトランスバーサル型等他藩を構成する二とが
必要になる。
うねり除去用のタップでは、入力波形を遅延素子あるい
は遅延回路により波形うねりの山あるいは谷の部分に遅
延させ、タップ係数素子により山谷に相当する振幅に減
衰させて減算あるいは加算する。これにより、従来技術
の5タップ波形等化器により発生する波形うねりの山谷
を削り、あるいは、埋めて波形のうねりを除去すること
になる。これにより、主波形を加算するために1タツプ
、波形を細めるために2タツプ(減算)、磁棲端に生じ
るアンダーシュートを補正するために2タツプ(加算)
、波形のうねりを除去するために1タツプから4タツプ
(加算あるいは減算)の遅延素子あるいは遅延回路、タ
ップ係数素子あるいは回路を備えた、合計6タツプから
9タツプのトランスバーサル型等他藩を構成する二とが
必要になる。
一方、その際、タップ数をとこまで増加すればよいかの
最適化の基準として、エラーレートが1桁増加するとき
にタップ数を一つ増加させるものとすると、これは波形
のうねりに起因するピークシフトの増加が等化後波形の
半値幅の1.5%に達したときに相当し、薄膜ヘッドの
前後磁極端間隔の媒体通過時間と等化後波形の半値幅の
比率(ミ磁極端間隔距離÷ヘッド媒体間相対速度二等化
後波形半値幅)、あるいは孤立波形のアンダーシュート
の時間間隔と等化後波形の半値幅の比率により、必要な
タップ数が第1図(b)のように、あるいは上記本発明
の手段で指定するように整理できる。
最適化の基準として、エラーレートが1桁増加するとき
にタップ数を一つ増加させるものとすると、これは波形
のうねりに起因するピークシフトの増加が等化後波形の
半値幅の1.5%に達したときに相当し、薄膜ヘッドの
前後磁極端間隔の媒体通過時間と等化後波形の半値幅の
比率(ミ磁極端間隔距離÷ヘッド媒体間相対速度二等化
後波形半値幅)、あるいは孤立波形のアンダーシュート
の時間間隔と等化後波形の半値幅の比率により、必要な
タップ数が第1図(b)のように、あるいは上記本発明
の手段で指定するように整理できる。
すなわち、上記の本発明の手段は、磁気記録装置におい
て、ヘッドの磁極の厚みによる呂カ波形のうねりを除去
し、ピークシフトや振幅変動を抑えるとともに、磁極の
厚みの増加に対応する最適な波形等化回路を与えること
になる。
て、ヘッドの磁極の厚みによる呂カ波形のうねりを除去
し、ピークシフトや振幅変動を抑えるとともに、磁極の
厚みの増加に対応する最適な波形等化回路を与えること
になる。
[実施例]
以下、本発明の第1の実施例を第1図(lにより説明す
る。第1図(a)において、磁気ヘッドで読出した孤立
波形Pは減衰率c−2の減衰2g8を介して加減算回路
14の加算入力端子Aにへカする。遅延時間τ−2の遅
延素子2を通った信号は、減衰率C−8の減衰器9を介
して減算入力端子Bに入力する。遅延時間τ−1の遅延
素子3を通った信号は、減衰率C0の減衰器10を介し
て加算入力端子Cに入力する。遅延時間τ、の遅延素子
4を通った信号は、減衰率C1の減衰器11を介して減
算入力端子りに入力する。遅延時間τ、の遅延素子5を
通った信号は、減衰率C1の減衰器12を介して減算入
力端子Eに入力する。遅延時間τ、の遅延素子6を通っ
た信号は、減衰率c3の減衰器13を介して加算入力端
子Fに入力する。ここで、減算入力端子B、Dの波形す
、dは加算入力端子Cの波形Cを細める働きをする。ま
た、端子A、Fの波形a、fは薄膜ヘッド磁極端のアン
ダーシュートを埋める働きをする。端子Eの波形eは端
子A、B%C,D%Fの合成波形(a−b十c−d十f
)に残るうねり(オーバーシュート)を削る働きをする
。
る。第1図(a)において、磁気ヘッドで読出した孤立
波形Pは減衰率c−2の減衰2g8を介して加減算回路
14の加算入力端子Aにへカする。遅延時間τ−2の遅
延素子2を通った信号は、減衰率C−8の減衰器9を介
して減算入力端子Bに入力する。遅延時間τ−1の遅延
素子3を通った信号は、減衰率C0の減衰器10を介し
て加算入力端子Cに入力する。遅延時間τ、の遅延素子
4を通った信号は、減衰率C1の減衰器11を介して減
算入力端子りに入力する。遅延時間τ、の遅延素子5を
通った信号は、減衰率C1の減衰器12を介して減算入
力端子Eに入力する。遅延時間τ、の遅延素子6を通っ
た信号は、減衰率c3の減衰器13を介して加算入力端
子Fに入力する。ここで、減算入力端子B、Dの波形す
、dは加算入力端子Cの波形Cを細める働きをする。ま
た、端子A、Fの波形a、fは薄膜ヘッド磁極端のアン
ダーシュートを埋める働きをする。端子Eの波形eは端
子A、B%C,D%Fの合成波形(a−b十c−d十f
)に残るうねり(オーバーシュート)を削る働きをする
。
本実施例の波形等化回路による信号処理例を以下に示す
。第11図に示す波形67は、[油部磁極厚t、=2.
0μm、後部磁極厚し、・2.4μm、ギャップ長g=
o、4μmの薄膜ヘッドにより読みだされた信号である
。また、磁気ヘッドと記録媒体の相対速度はV・30m
/sである。第11図の波形67を、本実施例の波形等
化回路(第1図(a))で半値幅W=37nsの波形に
処理した結果を第12図の実線68で示す。この時の回
路定数は τ−,=50ns、τ−1=20ns、τ、
=20ns。
。第11図に示す波形67は、[油部磁極厚t、=2.
0μm、後部磁極厚し、・2.4μm、ギャップ長g=
o、4μmの薄膜ヘッドにより読みだされた信号である
。また、磁気ヘッドと記録媒体の相対速度はV・30m
/sである。第11図の波形67を、本実施例の波形等
化回路(第1図(a))で半値幅W=37nsの波形に
処理した結果を第12図の実線68で示す。この時の回
路定数は τ−,=50ns、τ−1=20ns、τ、
=20ns。
r、=55ns、r、=25ns、 C−、”0.0
5.C−、=0.35.C,=1、00. C、=0.
34. Cオ=0.03. C,=0.045である。
5.C−、=0.35.C,=1、00. C、=0.
34. Cオ=0.03. C,=0.045である。
また(g+t1+t2)/ (VxW)#4.3 で
ある。
ある。
一方、従来技術の5タップ波形等化回路による等化波形
は、第12図の破線69で示すように主ピークから73
ns後方に5%のオーバーシュートを残したままになる
。本実施例の波形等化回路によればオーバーシュートの
削除により、ピークシフトを従来の5タツプのものより
およそ0.5ns小さくできる。この結果、弁別におけ
るエラーレートを1桁以上改善できる。
は、第12図の破線69で示すように主ピークから73
ns後方に5%のオーバーシュートを残したままになる
。本実施例の波形等化回路によればオーバーシュートの
削除により、ピークシフトを従来の5タツプのものより
およそ0.5ns小さくできる。この結果、弁別におけ
るエラーレートを1桁以上改善できる。
高密度化に伴い、」二記本実施例のように、あるいはさ
らに薄膜磁気ヘッドの11j後の磁極の厚さを厚くし、
前後の磁極端の距離(ヘッドの対向面の長さ)が大きく
なるにつれて、波形のうねりを除去するために波形等化
回路のタップ数が6から9まで必要になる。これは、薄
膜ヘッドの磁極端に生じるアンダーシュートと波形の裾
の広がりのためである。
らに薄膜磁気ヘッドの11j後の磁極の厚さを厚くし、
前後の磁極端の距離(ヘッドの対向面の長さ)が大きく
なるにつれて、波形のうねりを除去するために波形等化
回路のタップ数が6から9まで必要になる。これは、薄
膜ヘッドの磁極端に生じるアンダーシュートと波形の裾
の広がりのためである。
第1図(b)は、本発明に含まれる波形等化回路のタッ
プ数と薄膜磁気ヘッドの磁極端間隔との関係を示す図で
ある。タップ数の増加が必要となる基準として、エラー
レートが一桁増加するときとすると、これは波形のうね
りに起因するピークシフトの増加が等化後波形の半値幅
の1.5%に達したときに相当し、薄膜ヘッドの前後磁
極端間隔の媒体通過時間と等化後波形の半値幅の比率(
=磁極端間隔距離−ヘッド媒体間相対速度i等化後波形
半値幅)、あるいは孤立波形のアンダーシュートの時間
間隔と等化後波形の半値幅の比率により、必要なタップ
数が第1図(b)のよっに整理できる。すなわち、薄膜
ヘッドの前後磁極端17;] 1編の媒体通過時間が等
化後波形の半値幅の4.2倍以上あるときは6タツプ、
4.6倍以上あるときは7タツプ、5゜0倍以上あると
きは8タツプ、5.4倍以上あるときは9タツプの波形
等化回路を使用することにより、アンダーシュートを除
去し、波形のうねりを十分に抑えた目標半値幅の波形を
得ることができる。第1図(a)の場合の上記実施例で
は、上記媒体通過時間が上記半値幅の約4.3倍あるこ
とは上記した通りで、このため所要のタップ数は6タツ
プとなっている。
プ数と薄膜磁気ヘッドの磁極端間隔との関係を示す図で
ある。タップ数の増加が必要となる基準として、エラー
レートが一桁増加するときとすると、これは波形のうね
りに起因するピークシフトの増加が等化後波形の半値幅
の1.5%に達したときに相当し、薄膜ヘッドの前後磁
極端間隔の媒体通過時間と等化後波形の半値幅の比率(
=磁極端間隔距離−ヘッド媒体間相対速度i等化後波形
半値幅)、あるいは孤立波形のアンダーシュートの時間
間隔と等化後波形の半値幅の比率により、必要なタップ
数が第1図(b)のよっに整理できる。すなわち、薄膜
ヘッドの前後磁極端17;] 1編の媒体通過時間が等
化後波形の半値幅の4.2倍以上あるときは6タツプ、
4.6倍以上あるときは7タツプ、5゜0倍以上あると
きは8タツプ、5.4倍以上あるときは9タツプの波形
等化回路を使用することにより、アンダーシュートを除
去し、波形のうねりを十分に抑えた目標半値幅の波形を
得ることができる。第1図(a)の場合の上記実施例で
は、上記媒体通過時間が上記半値幅の約4.3倍あるこ
とは上記した通りで、このため所要のタップ数は6タツ
プとなっている。
次に、本発明の第2の実施例を第2図により説明する。
第2図において、磁気ヘッドで読出した孤立波形Rは減
衰率C−9の減衰器23を介して加減算回路30の加算
入力端子Hに入力する。遅延時間τ−3の遅延素子16
を通った信号は、減衰率c1の減衰器24を介して減算
入力端子工に入力する。遅延時間τ−オの遅延素子17
を通った信号は、減衰率C,の減衰器25を介して減算
入力端子、Jに人力する。遅延時間τ−1の遅延素子1
8を通った(a号は、減衰率C0の減衰器26を介して
加算入力端子Kに入力する。遅延時間τ1の遅延素子1
9を通った信号は、減衰率C1の減衰器27を介して減
算入力端子りに入力する。遅延時間τ2の遅延素子20
を通った信号は、減衰率C2の減衰器28を介して減算
入力端子Mに入力する。遅延時間τ3の遅延素子21を
通った信号は、減衰率C3の減衰器29を介して加算入
力端子Nに入力する。ここで、減算入力端子J、Lの波
形J、1は加算入力端子にの波形kを細める働きをする
。また、端子H,Nの波形り、nは薄膜ヘッド磁極端の
アンダーシュートを埋める働きをする。端子1.Mの波
形1、mは端子H,J1に、L、Hの合成波形(h−j
+に一1+n)に残るうねり(オーバーシュート)を削
る働きをする。
衰率C−9の減衰器23を介して加減算回路30の加算
入力端子Hに入力する。遅延時間τ−3の遅延素子16
を通った信号は、減衰率c1の減衰器24を介して減算
入力端子工に入力する。遅延時間τ−オの遅延素子17
を通った信号は、減衰率C,の減衰器25を介して減算
入力端子、Jに人力する。遅延時間τ−1の遅延素子1
8を通った(a号は、減衰率C0の減衰器26を介して
加算入力端子Kに入力する。遅延時間τ1の遅延素子1
9を通った信号は、減衰率C1の減衰器27を介して減
算入力端子りに入力する。遅延時間τ2の遅延素子20
を通った信号は、減衰率C2の減衰器28を介して減算
入力端子Mに入力する。遅延時間τ3の遅延素子21を
通った信号は、減衰率C3の減衰器29を介して加算入
力端子Nに入力する。ここで、減算入力端子J、Lの波
形J、1は加算入力端子にの波形kを細める働きをする
。また、端子H,Nの波形り、nは薄膜ヘッド磁極端の
アンダーシュートを埋める働きをする。端子1.Mの波
形1、mは端子H,J1に、L、Hの合成波形(h−j
+に一1+n)に残るうねり(オーバーシュート)を削
る働きをする。
本実施例の波形等化回路による信号処理例を以下に示す
。第13図に示す波形70は、前部磁極厚2゜2μm、
後部磁極厚2.7μm、ギャップ長0.4μmの薄痕ヘ
ッドにより読みたされた信号である。また、磁気ヘッド
と記録媒体の相対速度は30mハである。
。第13図に示す波形70は、前部磁極厚2゜2μm、
後部磁極厚2.7μm、ギャップ長0.4μmの薄痕ヘ
ッドにより読みたされた信号である。また、磁気ヘッド
と記録媒体の相対速度は30mハである。
第13図の波形70を、本実施例の波形等化回路(第2
図)で半値幅37nsの波形に処理した結果を第14図
の実線71で示す。この時の回路定数は7−、=20n
s、 r −、=45ns、 T −、=20ns、
r 、 =20ns。
図)で半値幅37nsの波形に処理した結果を第14図
の実線71で示す。この時の回路定数は7−、=20n
s、 r −、=45ns、 T −、=20ns、
r 、 =20ns。
r、=50ns、 r、=40ns、C−、=0.0
5 I C−r−0,025,C・0,31. c、=
1.oo、 c、 ・0.31. C,=0.035.
C3=0.04である。
5 I C−r−0,025,C・0,31. c、=
1.oo、 c、 ・0.31. C,=0.035.
C3=0.04である。
マタ(g+ t、+ C2) / (VXW) =4.
8 テ、このため本実施例ではタップ数が7タツプとな
っている。
8 テ、このため本実施例ではタップ数が7タツプとな
っている。
一方、従来技術の5タップ波形等化回路による等化波形
は、第14図の破線72で示すように主ピークから64
ns前方に4%、69ns後方に5%のオーバーシュー
トを残したままになる。本実施例の波形等化回路によれ
ばこのオーバーシュートの削除により、ピークシフトを
従来の5タツプのものと比較しておよそ0.8ns小さ
くできる。この結果エラーレートを2桁程度改善できる
。
は、第14図の破線72で示すように主ピークから64
ns前方に4%、69ns後方に5%のオーバーシュー
トを残したままになる。本実施例の波形等化回路によれ
ばこのオーバーシュートの削除により、ピークシフトを
従来の5タツプのものと比較しておよそ0.8ns小さ
くできる。この結果エラーレートを2桁程度改善できる
。
次に、さらに薄膜ヘッドの磁極か厚くなった場合の実施
例を以下に説明する。
例を以下に説明する。
第15図の実線で示す波形73は、1rj部磁極厚2.
Jμm、後部磁極厚3.0 /im、キャップ長0.4
μm口の薄膜ヘッドにより読み出された信号である。ま
た、磁気ヘッドと記録媒体の相対速度は30m/sであ
る。
Jμm、後部磁極厚3.0 /im、キャップ長0.4
μm口の薄膜ヘッドにより読み出された信号である。ま
た、磁気ヘッドと記録媒体の相対速度は30m/sであ
る。
図の波形73を半値幅37nsの波形に処理するには、
(g + t、+ t、) / (VxW) =5.3
であるのでさらに1タツプ増加することが望ましく、第
16図に示す波形等化回路を用いる。この時の回路定数
はT −a−35nS+ T −h ”20ns+ r
−y =25nS、r−3=20ns1r 、=20
ns、r 、=60ns、r 、=40ns、 C−
4=0.04.C−。
(g + t、+ t、) / (VxW) =5.3
であるのでさらに1タツプ増加することが望ましく、第
16図に示す波形等化回路を用いる。この時の回路定数
はT −a−35nS+ T −h ”20ns+ r
−y =25nS、r−3=20ns1r 、=20
ns、r 、=60ns、r 、=40ns、 C−
4=0.04.C−。
0.025. C−z =0.04. C、−、=0.
40. C、=1.OO,C、=0.34゜C、=0.
02. C、=0.035である。また、第15図の
波形73を半値幅37nsの波形に処理するには、第1
7図に示す波形等化回路を用いることも可能である。
40. C、=1.OO,C、=0.34゜C、=0.
02. C、=0.035である。また、第15図の
波形73を半値幅37nsの波形に処理するには、第1
7図に示す波形等化回路を用いることも可能である。
この時の回路定数はr −、=30ns、 r −、=
50ns、 r20ns、r、=20ns、r、=25
ns、r、=25ns、 τ、=50ns。
50ns、 r20ns、r、=20ns、r、=25
ns、r、=25ns、 τ、=50ns。
C’−、=0.04. C−t =0.02. C−+
=0.32. C,=1.00. C、=0.42.
C,=0.04. C,=0.03. C4・0.0
35である。本実施例による処理波形は第15図に戦線
7・1で示すよつになり前記実施例の7タツプ波形等化
回路による等化波形と比較して、ピークシフトをおよそ
0.5ns小さくできる。二の結果、エラーレートをさ
らに1桁以上改善できる。
=0.32. C,=1.00. C、=0.42.
C,=0.04. C,=0.03. C4・0.0
35である。本実施例による処理波形は第15図に戦線
7・1で示すよつになり前記実施例の7タツプ波形等化
回路による等化波形と比較して、ピークシフトをおよそ
0.5ns小さくできる。二の結果、エラーレートをさ
らに1桁以上改善できる。
第18図の実線で示す波形75は、前部磁極厚2.6μ
m、後部磁極厚3.1μm、ギャップ長0.4μmの薄
膜ヘッドにより読みだされた信号である。また、磁気ヘ
ッドと記録媒体の相対速度は30m/sである。
m、後部磁極厚3.1μm、ギャップ長0.4μmの薄
膜ヘッドにより読みだされた信号である。また、磁気ヘ
ッドと記録媒体の相対速度は30m/sである。
図の波形75を半値幅37nsの波形に処理するには、
(g+t、+5)/ (VxW) 丑5.5であるので
、さらに1タツプ増加することが望ましく、第19図に
示す波形等化回路を用いる。この時の回路定数はr −
、=35ns、 T −、=10ns、 r−、=35
ns、 T −+ =20ns。
(g+t、+5)/ (VxW) 丑5.5であるので
、さらに1タツプ増加することが望ましく、第19図に
示す波形等化回路を用いる。この時の回路定数はr −
、=35ns、 T −、=10ns、 r−、=35
ns、 T −+ =20ns。
r、=20ns、r、=25ns、r、=25ns、r
、=55ns、 C−。
、=55ns、 C−。
0.025. C−t =0.02. C−i =0.
05. C−+ =0.45. C、=1.00゜C,
=0.43. C,=0.05. C,;0.025
. C,;0.025である。
05. C−+ =0.45. C、=1.00゜C,
=0.43. C,=0.05. C,;0.025
. C,;0.025である。
本実施例による処理波形は第18図に破線76で示すよ
うになり前記実施例の8タップ波形等化回路による等化
波形と比較して、ピークシフトをおよそtl、5ns小
さくてきる。この結果、エラーレートをさらに1桁以上
改善できる。
うになり前記実施例の8タップ波形等化回路による等化
波形と比較して、ピークシフトをおよそtl、5ns小
さくてきる。この結果、エラーレートをさらに1桁以上
改善できる。
[発明の効果]
本発明によれば、薄膜ヘッドを用いた場合の孤立再生波
形に生じるアンターシュートを除去し、さらに従来の5
タップ波形等化回路で生じる波形のうねりを十分に抑え
たまま、波形の広がりを狭くすることができる。これに
より、バタン波形での波形間の干渉によるピークシフト
を小さくすることができ、バタン波形の復号誤りを低減
できる。
形に生じるアンターシュートを除去し、さらに従来の5
タップ波形等化回路で生じる波形のうねりを十分に抑え
たまま、波形の広がりを狭くすることができる。これに
より、バタン波形での波形間の干渉によるピークシフト
を小さくすることができ、バタン波形の復号誤りを低減
できる。
第1図(a)は本発明の第1の実施例における波形等化
回路構成図、第1図(b)は、本発明に含まれる波形等
化回路のタップ数と薄膜磁気ヘッドの磁極端間隔との関
係を示す図、第2図は本発明の第2の実施例における波
形等化回路構成図、第3図は薄膜磁気ヘッド断面の模式
図、第4図は第3図の薄膜磁気ヘッドから読み出される
信号波形例、第5図は従来技術の3タツプトランスバ一
サル型波形等化回路構成図、第6図は従来技術の5タツ
プトランスバ一サル型波形等化回路構成図、第7図は従
来技術の5タツプトランスバ一サル型波形等化回路の各
タップ波形による機能説明図、第8図は厚い磁極の薄膜
磁気ヘッドから読み呂される波形を示す図、第9図は第
8図の波形を第6図の5タツプトランスバ一サル型波形
等化回路により処理した波形を示す図、第10図は第9
図の波形の重なりによる波形うねりの増加を示す図、第
11図は波形等化回路入力波形を示す図、第12図は第
1図(a)に示す本発明に含まれる波形等化回路と従来
技術の波形等化回路による等化波形を比較する図、第1
3図は波形等化回路入力波形を示す図、第14図はは第
2図に示す本発明に含まれる波形等化回路と従来技術の
波形等化回路による等化波形を比較する図、第15図は
第16図あるいは第17図の波形等化回路の入出力波形
を示す図、第16図は本発明の第4の実施例の波形等化
回路構成図、第17図は本発明の第5の実施例の波形等
化回路構成図、第18図は第19図の波形等化回路の入
出力波形を示す図、第19図は本発明の第6の実施例の
波形等化回路構成図である。 符号の説明 2〜6,16〜21,35,36,41〜・11・・遅
延素子あるいは遅延回路、 8〜13.23〜29.37〜39.45〜49・・・
タップ係数素子あるいは回路、 14.30,40.50・・・加減算回路、31・・薄
膜磁気ヘッド磁極、 32、67、70.73.75・・・薄膜磁気ヘッド再
生波形、51.53.57,59.60・・・タップ波
形、61・・・タップ波形の合成波形、 33.34・・・アンダーシュート、 62.63・・・オーバーシュート、 64.65・・・バタン構成波形、 66・・・バタン波形のうねり、 68.71,74.76・・・本発明に含まれる波形等
化回路の出力波形、 69.72・・・従来の5タップ波形等化回路の出力波
形。
回路構成図、第1図(b)は、本発明に含まれる波形等
化回路のタップ数と薄膜磁気ヘッドの磁極端間隔との関
係を示す図、第2図は本発明の第2の実施例における波
形等化回路構成図、第3図は薄膜磁気ヘッド断面の模式
図、第4図は第3図の薄膜磁気ヘッドから読み出される
信号波形例、第5図は従来技術の3タツプトランスバ一
サル型波形等化回路構成図、第6図は従来技術の5タツ
プトランスバ一サル型波形等化回路構成図、第7図は従
来技術の5タツプトランスバ一サル型波形等化回路の各
タップ波形による機能説明図、第8図は厚い磁極の薄膜
磁気ヘッドから読み呂される波形を示す図、第9図は第
8図の波形を第6図の5タツプトランスバ一サル型波形
等化回路により処理した波形を示す図、第10図は第9
図の波形の重なりによる波形うねりの増加を示す図、第
11図は波形等化回路入力波形を示す図、第12図は第
1図(a)に示す本発明に含まれる波形等化回路と従来
技術の波形等化回路による等化波形を比較する図、第1
3図は波形等化回路入力波形を示す図、第14図はは第
2図に示す本発明に含まれる波形等化回路と従来技術の
波形等化回路による等化波形を比較する図、第15図は
第16図あるいは第17図の波形等化回路の入出力波形
を示す図、第16図は本発明の第4の実施例の波形等化
回路構成図、第17図は本発明の第5の実施例の波形等
化回路構成図、第18図は第19図の波形等化回路の入
出力波形を示す図、第19図は本発明の第6の実施例の
波形等化回路構成図である。 符号の説明 2〜6,16〜21,35,36,41〜・11・・遅
延素子あるいは遅延回路、 8〜13.23〜29.37〜39.45〜49・・・
タップ係数素子あるいは回路、 14.30,40.50・・・加減算回路、31・・薄
膜磁気ヘッド磁極、 32、67、70.73.75・・・薄膜磁気ヘッド再
生波形、51.53.57,59.60・・・タップ波
形、61・・・タップ波形の合成波形、 33.34・・・アンダーシュート、 62.63・・・オーバーシュート、 64.65・・・バタン構成波形、 66・・・バタン波形のうねり、 68.71,74.76・・・本発明に含まれる波形等
化回路の出力波形、 69.72・・・従来の5タップ波形等化回路の出力波
形。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、磁気記録媒体と、二つの薄膜磁極の構成を有する磁
気ヘッドと、該磁気ヘッドから読み出される信号の波形
歪を除去する波形等化回路を有し、該波形等化回路は、
該回路内の各タップの入力信号を所定量減衰させる手段
と、該入力信号を所定時間遅延させる遅延手段を有する
nタップのトランスバーサル型波形等化回路である磁気
記録装置において、上記磁気ヘッドの磁気記録媒体との
対向面における二つの薄膜磁極の厚みと間隔をそれぞれ
t_1(m)、t_2(m)、g(m)とし、また磁気
ヘッドと記録媒体の相対速度をV(m/s)として、時
間(g+t_1+t_2)/Vが波形等化回路出力波形
の半値幅W(s)の4.2倍以上であるとき、上記波形
等化回路のタップ数nを6以上とすることを特徴とする
磁気記録装置。 2、上記時間(g+t_1+t_2)/Vが波形等化回
路出力波形の半値幅W(s)の4.6倍以上であるとき
、波形等化回路のタップ数nを7以上とすることを特徴
とする請求項1記載の磁気記録装置。 3、上記時間(g+t_1+t_2)/Vが波形等化回
路出力波形の半値幅W(s)の5.0倍以上であるとき
、波形等化回路のタップ数nを8以上とすることを特徴
とする請求項1記載の磁気記録装置。 4、上記時間(g+t_1+t_2)/Vが波形等化回
路出力波形の半値幅W(s)の5.4倍以上であるとき
、波形等化回路のタップ数nを9以上とすることを特徴
とする請求項1記載の磁気記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17966890A JPH0467407A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17966890A JPH0467407A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0467407A true JPH0467407A (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=16069789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17966890A Pending JPH0467407A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 磁気記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0467407A (ja) |
-
1990
- 1990-07-09 JP JP17966890A patent/JPH0467407A/ja active Pending
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