JPH046740A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH046740A JPH046740A JP2106454A JP10645490A JPH046740A JP H046740 A JPH046740 A JP H046740A JP 2106454 A JP2106454 A JP 2106454A JP 10645490 A JP10645490 A JP 10645490A JP H046740 A JPH046740 A JP H046740A
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 22
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 abstract description 7
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 46
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 150000001793 charged compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、イオン源からイオン引出し系、質量分析管を
含むビームトランスポート系を介して大電流イオンビー
ムを基板に注入するイオン注入装置に関するものである
。
含むビームトランスポート系を介して大電流イオンビー
ムを基板に注入するイオン注入装置に関するものである
。
［従来の技術〕
従来の低エネルギ大電流イオン注入装置は、第３図に示
すように、イオン源Ａと、引出し電極系Ｂと、質量分析
管Ｃと、集束アパーチャＤとて構成されており、イオン
源Ａは接地電位に対して打ち込みエネルギによって決ま
る電圧Ｖａ （例えば５ｋｅＶで注入うしようとする際
には５ ｋＶ）に保たれ、引出し電極系Ｂの最終電極よ
り後方に位置する質量分析管Ｃ及び集束アパーチャＤを
含む全ビームトランスポート系は図示したように接地電
位に保たれる。
すように、イオン源Ａと、引出し電極系Ｂと、質量分析
管Ｃと、集束アパーチャＤとて構成されており、イオン
源Ａは接地電位に対して打ち込みエネルギによって決ま
る電圧Ｖａ （例えば５ｋｅＶで注入うしようとする際
には５ ｋＶ）に保たれ、引出し電極系Ｂの最終電極よ
り後方に位置する質量分析管Ｃ及び集束アパーチャＤを
含む全ビームトランスポート系は図示したように接地電
位に保たれる。
イオン源Ａから引出し電極系Ｂにより引出されたイオン
ビームは、イオン源Ａの電位に相当するエネルギでビー
ムトランスポート系に入り、質量分析管Ｃによって質量
分析され、所定のイオン種のみを含むイオンビーム、例
えばＡｓ 、Ｐ、Ｂ等のイオンビームにされ、そして集
束アパーチャＤを通って集束された後、回転基板ホルダ
Ｅ上に装着された各ウェハＦに注入される。
ビームは、イオン源Ａの電位に相当するエネルギでビー
ムトランスポート系に入り、質量分析管Ｃによって質量
分析され、所定のイオン種のみを含むイオンビーム、例
えばＡｓ 、Ｐ、Ｂ等のイオンビームにされ、そして集
束アパーチャＤを通って集束された後、回転基板ホルダ
Ｅ上に装着された各ウェハＦに注入される。
［発明が解決しようとする課題］
近年ＩＣメモリーの製作に当って、Ｂの浅い接合を作る
必要が高まり、そのため５ ｋｅＶ或いはそれ以下数ｋ
ｅＶのエネルギでＢイオンビームを注入する必要が起き
てきた。
必要が高まり、そのため５ ｋｅＶ或いはそれ以下数ｋ
ｅＶのエネルギでＢイオンビームを注入する必要が起き
てきた。
しかしなから、従来の大電流イオン注入装置を用いて数
ｋＶ〜十数ｋＶのイオンを注入しようとすると、注入さ
れるイオンビーム量が極端に減って、効率良く高いスル
ープットで注入を行うことは不可能であった。すなわち
、イオン源Ａから引出し電極系Ｂによって引出される電
流は引出し電圧の３／２乗に比例するので、引出し電圧
を高くしなければならない。イオン源か低電位であり、
ビームトランスポート系が接地電位であると、引出し電
圧はイオン源Ａと引出し電極系Ｂとの電位差となるので
、大電流を引出すのに必要な４０ｋＶｆｕ度の電位差を
作ることはできなくなる。またイオンビムが５ ｋｅＶ
であると、通常１．２ ｍにも及ぶビームトランスポー
ト系を介して大電流ビームをトランスポートすることは
空間電荷効果のために困難となる。
ｋＶ〜十数ｋＶのイオンを注入しようとすると、注入さ
れるイオンビーム量が極端に減って、効率良く高いスル
ープットで注入を行うことは不可能であった。すなわち
、イオン源Ａから引出し電極系Ｂによって引出される電
流は引出し電圧の３／２乗に比例するので、引出し電圧
を高くしなければならない。イオン源か低電位であり、
ビームトランスポート系が接地電位であると、引出し電
圧はイオン源Ａと引出し電極系Ｂとの電位差となるので
、大電流を引出すのに必要な４０ｋＶｆｕ度の電位差を
作ることはできなくなる。またイオンビムが５ ｋｅＶ
であると、通常１．２ ｍにも及ぶビームトランスポー
ト系を介して大電流ビームをトランスポートすることは
空間電荷効果のために困難となる。
このように、従来の大電流イオン注入装置を用いて数ｋ
Ｖ〜十数ｋＶのイオンを注入することは、引出し電圧や
ビームトランスポート系における空間電荷効果の影響で
、効率か悪く高いスループットを得ることかできないと
いう問題かあった。
Ｖ〜十数ｋＶのイオンを注入することは、引出し電圧や
ビームトランスポート系における空間電荷効果の影響で
、効率か悪く高いスループットを得ることかできないと
いう問題かあった。
本発明は、このような従来の装置の問題を解決して、数
ｋＶ〜十数ｋＶの低エネルギで大電流イオンビームを基
板に注入できるようにしたイオン注入装置を提供するこ
とを目的としている。
ｋＶ〜十数ｋＶの低エネルギで大電流イオンビームを基
板に注入できるようにしたイオン注入装置を提供するこ
とを目的としている。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するために、本発明は、イオン源から
イオン引出し系、質量分析管を含むビムトランスポート
系を介して大電流イオンビームを基板に注入するイオン
注入装置において、高い電位勾配をもつようにされた三
枚の穴あき電極と加減速用の二枚の穴あき電極とから成
る減速静電レンズ系を設け、イオン源を接地電位に対し
て数ｋｖ〜十数ｋｖに、イオン源から減速静電レンズ系
までのビームトランスポート系を接地電位に対して負の
数十ｋｖに、減速静電レンズ系の第１の穴あき電極をビ
ームトランスポート系と同し負の数十ｋｖに、減速静電
レンズ系の第３の穴あき電極を接地電位に、減速静電レ
ンズ系の第２の穴あき電極を第１の穴あき電極と第３の
穴あき電極との中間の電位に、減速静電レンズ系の第４
の穴あき電極を負の電位に、また減速静電レンズ系の第
５の穴あき電極を接地電位にそれぞれ保ち、減速静電レ
ンズ系をイオンビームの減速機能と共に集束レンズとし
て用いることを特徴としている。
イオン引出し系、質量分析管を含むビムトランスポート
系を介して大電流イオンビームを基板に注入するイオン
注入装置において、高い電位勾配をもつようにされた三
枚の穴あき電極と加減速用の二枚の穴あき電極とから成
る減速静電レンズ系を設け、イオン源を接地電位に対し
て数ｋｖ〜十数ｋｖに、イオン源から減速静電レンズ系
までのビームトランスポート系を接地電位に対して負の
数十ｋｖに、減速静電レンズ系の第１の穴あき電極をビ
ームトランスポート系と同し負の数十ｋｖに、減速静電
レンズ系の第３の穴あき電極を接地電位に、減速静電レ
ンズ系の第２の穴あき電極を第１の穴あき電極と第３の
穴あき電極との中間の電位に、減速静電レンズ系の第４
の穴あき電極を負の電位に、また減速静電レンズ系の第
５の穴あき電極を接地電位にそれぞれ保ち、減速静電レ
ンズ系をイオンビームの減速機能と共に集束レンズとし
て用いることを特徴としている。
［作 用］
本発明にるイオン注入装置においては、イオン源で発生
され、引出し電極系で引出され、質量分析管により同一
電荷をもつ単一原子イオン又は分子イオンにされ、集束
アパーチャを通って集束されてきたイオンビームは、減
速静電レンズで減速されて、基板に注入される。この場
合、イオン源は接地電位に対して数ｋＶ〜十数ｋＶの電
位に保たれ、引出し電極系及び質量分析管等を含む、減
速静電レンズの第１の穴あき電極までのビームトランス
ポート系は負の数十ｋＶの電位に保たれるので、イオン
ビームは、イオン源の電位とビームトランスポート系の
電位との電位差に相当する電圧すなわち約４０ｋＶの電
圧で引出される。イオン源から引出し電極系によって引
出されるイオンビーム量は引出し電圧の３７２乗にほぼ
比例するので、大電流イオンビームを引出すことができ
る。
され、引出し電極系で引出され、質量分析管により同一
電荷をもつ単一原子イオン又は分子イオンにされ、集束
アパーチャを通って集束されてきたイオンビームは、減
速静電レンズで減速されて、基板に注入される。この場
合、イオン源は接地電位に対して数ｋＶ〜十数ｋＶの電
位に保たれ、引出し電極系及び質量分析管等を含む、減
速静電レンズの第１の穴あき電極までのビームトランス
ポート系は負の数十ｋＶの電位に保たれるので、イオン
ビームは、イオン源の電位とビームトランスポート系の
電位との電位差に相当する電圧すなわち約４０ｋＶの電
圧で引出される。イオン源から引出し電極系によって引
出されるイオンビーム量は引出し電圧の３７２乗にほぼ
比例するので、大電流イオンビームを引出すことができ
る。
またイオン源から集束アパーチャまではイオンビームは
イオン源の電位とビームトランスポート系の電位との電
位差に相当する電位すなわち約４０ｋｅＶて輸送される
。イオンビームの空間電荷効果による拡がりはそのエネ
ルギの３／２乗に反比例するのて、従来の数ｋＶのビー
ムの輸送に比較して格段と容易に大電流を輸送すること
かできる。
イオン源の電位とビームトランスポート系の電位との電
位差に相当する電位すなわち約４０ｋｅＶて輸送される
。イオンビームの空間電荷効果による拡がりはそのエネ
ルギの３／２乗に反比例するのて、従来の数ｋＶのビー
ムの輸送に比較して格段と容易に大電流を輸送すること
かできる。
また、減速静電レンズ基においては、第１の穴あき電極
にはビームトランスポート系と同し−Ｖｔの電位か、第
３の穴あき電極には接地電位か、第２の穴あき電極には
第１、第３の穴あき電極に印加される電位の中間の電位
（例えば−１／２Ｖｔ ）が、それぞれ印加され、構造
的に高い電位勾配が与えられるようにし、これによりイ
オンの空間電荷効果に抗してビームの集束作用が得られ
る。
にはビームトランスポート系と同し−Ｖｔの電位か、第
３の穴あき電極には接地電位か、第２の穴あき電極には
第１、第３の穴あき電極に印加される電位の中間の電位
（例えば−１／２Ｖｔ ）が、それぞれ印加され、構造
的に高い電位勾配が与えられるようにし、これによりイ
オンの空間電荷効果に抗してビームの集束作用が得られ
る。
さらに、減速静電レンズ基の第４の穴あき電極を負の電
位に、また減速静電レンズ基の第５の穴あき電極を接地
電位にそれぞれ接続することにより、減速静電レンズ基
を出て基板に達するイオンビームと残留気体との衝突に
よって生した低エネルギの電子はイオンビームの空間電
荷による電位に捕らえられ、イオンビームに沿って逆流
してくるか、これらの電子は減速静電レンズ基の第４の
穴あき電極によって塞き止められ、低エネルギの電子を
イオンビームの中に溜込み、イオンの空間電荷を中和さ
せ、空間電荷効果によるビームの拡がりを抑えることか
できる。基板は接地電位にされ、結果的にはイオン源の
電位と基板の電位との電位差に相当するＶａｅＶ （数
ｋＶ〜十数ｋＶ）でイオン注入は行われることになる。
位に、また減速静電レンズ基の第５の穴あき電極を接地
電位にそれぞれ接続することにより、減速静電レンズ基
を出て基板に達するイオンビームと残留気体との衝突に
よって生した低エネルギの電子はイオンビームの空間電
荷による電位に捕らえられ、イオンビームに沿って逆流
してくるか、これらの電子は減速静電レンズ基の第４の
穴あき電極によって塞き止められ、低エネルギの電子を
イオンビームの中に溜込み、イオンの空間電荷を中和さ
せ、空間電荷効果によるビームの拡がりを抑えることか
できる。基板は接地電位にされ、結果的にはイオン源の
電位と基板の電位との電位差に相当するＶａｅＶ （数
ｋＶ〜十数ｋＶ）でイオン注入は行われることになる。
［実施例コ
以下、本発明の実施例について添附図面の第１図を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例を概略的に示しており、１は
例えばフリーマン型のイオン源、２はイオン源１から発
生したイオンビームを引出す引出し電極系、３は引出し
電極系２で引出されたイオンビーム４の中から同一電荷
のイオンだけを分離する質量分析管、５は、質量分析管
３て分離されたイオンビーム６が質量分析管の集束作用
で集束する場所に設けた集束アパーチャ、７は本発明の
装置の要部を成す減速静電レンズで、五つの穴あき電極
７１〜７５から成っている。また８はイオン注入すべき
基板９を支持する回転基板ホルダ、ＩＯは高圧赤箱（ケ
ース）で負の電源１１に接続され、接地電位に対して−
Ｖｔ、（例えば−２５ｋＶ）に保たれている。
例えばフリーマン型のイオン源、２はイオン源１から発
生したイオンビームを引出す引出し電極系、３は引出し
電極系２で引出されたイオンビーム４の中から同一電荷
のイオンだけを分離する質量分析管、５は、質量分析管
３て分離されたイオンビーム６が質量分析管の集束作用
で集束する場所に設けた集束アパーチャ、７は本発明の
装置の要部を成す減速静電レンズで、五つの穴あき電極
７１〜７５から成っている。また８はイオン注入すべき
基板９を支持する回転基板ホルダ、ＩＯは高圧赤箱（ケ
ース）で負の電源１１に接続され、接地電位に対して−
Ｖｔ、（例えば−２５ｋＶ）に保たれている。
イオン源１は電源１２に接続され、この電源１２はイオ
ン源１を高圧ターミナル１０に対してＶａ＋ＶＬ（例え
ば、Ｖａ −５ｋＶ、 Ｖｔ−２５ｋＶ） １．：保ッ
テイル。
ン源１を高圧ターミナル１０に対してＶａ＋ＶＬ（例え
ば、Ｖａ −５ｋＶ、 Ｖｔ−２５ｋＶ） １．：保ッ
テイル。
減速静電レンズ７の五つの穴あき電極の内の第１の電極
７１は高圧ターミナル１０と同し電位のＶｔに接続され
、第３の電極７３は接地され、第２の電極７２は図示し
たように分割抵抗１３により第１、第３の電極７．．７
３の中間の電位に維持されている。また、減速静電レン
ズ７の第４の電極７４は負の電源１４に接続され、−Ｖ
ｄか印加され、第５の電極７５は接地されている。さら
に、回転基板ホルダ８及びイオン注入すべき各基板９は
図示したように接地されている。
７１は高圧ターミナル１０と同し電位のＶｔに接続され
、第３の電極７３は接地され、第２の電極７２は図示し
たように分割抵抗１３により第１、第３の電極７．．７
３の中間の電位に維持されている。また、減速静電レン
ズ７の第４の電極７４は負の電源１４に接続され、−Ｖ
ｄか印加され、第５の電極７５は接地されている。さら
に、回転基板ホルダ８及びイオン注入すべき各基板９は
図示したように接地されている。
次に、図示装置の動作について説明する。
イオン源１と引出し電極系２との間にはおよそＶａ＋Ｖ
ｔ （Ｖａ−５ｋＶ、 ｖｔ−２５ｋｖ）場合１．：
ｊ、ｔ ３０ｋＶ） ノミ圧か印加されているので、イ
オン源１からＢ゛を例に取っても５ｍＡまでのイオンビ
ームを容易に引出すことかできる。こうしてイオン源１
から引出し電極系２によって引出されたイオンビームは
、減速静電レンズ７の第１の電極７１までは電場のない
空間をｖａ＋ｖｔ ｅＶ （上述の例テＬ、ｔ３０ｋ
ｅＶ ） テ輸送されるので、質量分析管３等を高透過
率で通過し、集束アパーチャ５に効率よく集束される。
ｔ （Ｖａ−５ｋＶ、 ｖｔ−２５ｋｖ）場合１．：
ｊ、ｔ ３０ｋＶ） ノミ圧か印加されているので、イ
オン源１からＢ゛を例に取っても５ｍＡまでのイオンビ
ームを容易に引出すことかできる。こうしてイオン源１
から引出し電極系２によって引出されたイオンビームは
、減速静電レンズ７の第１の電極７１までは電場のない
空間をｖａ＋ｖｔ ｅＶ （上述の例テＬ、ｔ３０ｋ
ｅＶ ） テ輸送されるので、質量分析管３等を高透過
率で通過し、集束アパーチャ５に効率よく集束される。
集束アパーチャ５から出たイオンビームはある開き角で
進み、減速静電レンズ７で再集束される共に、減速静電
レンズ７の出口では■ｔｅ■たけ減速され、従って（Ｖ
ａ＋Ｖｔ） −Ｖｔ−Ｖａ ｅＶて基板９に注入される
。
進み、減速静電レンズ７で再集束される共に、減速静電
レンズ７の出口では■ｔｅ■たけ減速され、従って（Ｖ
ａ＋Ｖｔ） −Ｖｔ−Ｖａ ｅＶて基板９に注入される
。
減速静電レンズ７の第４の電極７４及び第５の電極７５
は加減速電極を構成しているので、イオンビームによっ
て生した低速電子はイオンビームに捕らえられ、イオン
ビームに沿って逆流してくるものを塞き止めて第５の電
極７５以降のイオンビーム中に効率よく溜込まれ、その
結果、イオンビームの空間電荷は９８％以上も効率よく
中和され、例え５ ｋｅＶの低エネルギのイオンビーム
ても空間電荷によるイオンビームの拡がりは僅であり、
効率よくイオン注入が行われ得る。この場合、減速静電
レンズ７の第１〜第３の電極７１〜７３によってレンズ
の中央部に生しる電位勾配は強いことが必要であり、コ
ンピュータを用いて行った数値例では、上記のような電
圧をこれらの電極に与えた場合にはイオンビームの中央
て４ ｋＶ／ ｅｓの電位勾配があり、５ ｋｅＶのＢ
”１．５＋ｇ＾の場合、減速静電レンズ７の人口に２６
ｍラジアンで入ったイオンビームを出口では一１０ｍラ
ジアンの集束ビームとすることができる。第２図にその
場合のシュミレーション図を示す。
は加減速電極を構成しているので、イオンビームによっ
て生した低速電子はイオンビームに捕らえられ、イオン
ビームに沿って逆流してくるものを塞き止めて第５の電
極７５以降のイオンビーム中に効率よく溜込まれ、その
結果、イオンビームの空間電荷は９８％以上も効率よく
中和され、例え５ ｋｅＶの低エネルギのイオンビーム
ても空間電荷によるイオンビームの拡がりは僅であり、
効率よくイオン注入が行われ得る。この場合、減速静電
レンズ７の第１〜第３の電極７１〜７３によってレンズ
の中央部に生しる電位勾配は強いことが必要であり、コ
ンピュータを用いて行った数値例では、上記のような電
圧をこれらの電極に与えた場合にはイオンビームの中央
て４ ｋＶ／ ｅｓの電位勾配があり、５ ｋｅＶのＢ
”１．５＋ｇ＾の場合、減速静電レンズ７の人口に２６
ｍラジアンで入ったイオンビームを出口では一１０ｍラ
ジアンの集束ビームとすることができる。第２図にその
場合のシュミレーション図を示す。
ところで、図示実施例において、イオン源１と高圧ター
ミナル■０との間にＶａボルトを印加し、高圧ターミナ
ル１０にＶｔボルトを印加するように構成することによ
って、減速静電レンズ７を加速静電レンズとして用いる
こともてき、Ｖａ＋Ｖｔ ｅＶのエネルギで基板９にイ
オンを注入することかできる。
ミナル■０との間にＶａボルトを印加し、高圧ターミナ
ル１０にＶｔボルトを印加するように構成することによ
って、減速静電レンズ７を加速静電レンズとして用いる
こともてき、Ｖａ＋Ｖｔ ｅＶのエネルギで基板９にイ
オンを注入することかできる。
この場合、静電レンズ７は強い静電レンズとして作用し
、Ｖａ−４０ｋＶ、 Ｖｔ−８０ｋＶとすると、＋２０
ｋｅＶ、ｌＯ−＾のＡ、″イオンビーム、Ｐ゛イオンビ
ームを加速注入する二とかできる。
、Ｖａ−４０ｋＶ、 Ｖｔ−８０ｋＶとすると、＋２０
ｋｅＶ、ｌＯ−＾のＡ、″イオンビーム、Ｐ゛イオンビ
ームを加速注入する二とかできる。
［発明の効県］
以上説明してきたように、本発明によるイオン注入装置
においては、イオン源を接地電位に対して数ｋＶ〜十数
ｋＶに設定し、引出し電極系、質量分析管及び集束アパ
ーチャまでのビームトランスポート系を負の数十ｋＶに
設定しているので、イオンビームを効率よく引出し、質
量分離しそして集束させることができる。
においては、イオン源を接地電位に対して数ｋＶ〜十数
ｋＶに設定し、引出し電極系、質量分析管及び集束アパ
ーチャまでのビームトランスポート系を負の数十ｋＶに
設定しているので、イオンビームを効率よく引出し、質
量分離しそして集束させることができる。
また、集束アパーチャの後方に減速静電レンズを設けて
いるので、減速静電レンズに入るまでのビームトランス
ポート系で加速、集束されたイオンビームは再び減速さ
れるときに集束アパーチャを通って拡がったイオンビー
ムを再び減速静電レンズによって集束し、大電流、低エ
ネルギのイオンビームを効率良く基板に注入することか
でき、その結果低エネルギのＢ″ （ボロンイオン）等
の注入による浅い接合の要求される場合のイオン注入に
非常に有効なイオン注入装置を提供することができる。
いるので、減速静電レンズに入るまでのビームトランス
ポート系で加速、集束されたイオンビームは再び減速さ
れるときに集束アパーチャを通って拡がったイオンビー
ムを再び減速静電レンズによって集束し、大電流、低エ
ネルギのイオンビームを効率良く基板に注入することか
でき、その結果低エネルギのＢ″ （ボロンイオン）等
の注入による浅い接合の要求される場合のイオン注入に
非常に有効なイオン注入装置を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す概略線図、第２図は第
１図の装置を用いて行ったシュミレーション結果を示す
概略線図、第３図は従来の大電流型イオン注入装置の一
例を示す概略線図である。 図 中、■＝イオン源 ２：引出し電極系 ３：質量分析管 ５：集束アパーチャ ７：減速静電レンズ ８：回転基板ホルダ ９：基板 ＩＯ＝高圧ターミナル 第１図 第 図 ２５ＫＶ −１２，５ＫＶＯＶ −５ＫＶ ｖ Ｒ，−１，３０９１５ ＜ｄＲ／ｄＺ）−０，０２６７１２１ （Ｘ、？ｄＺ）： −０．０１０２３ 第 図
１図の装置を用いて行ったシュミレーション結果を示す
概略線図、第３図は従来の大電流型イオン注入装置の一
例を示す概略線図である。 図 中、■＝イオン源 ２：引出し電極系 ３：質量分析管 ５：集束アパーチャ ７：減速静電レンズ ８：回転基板ホルダ ９：基板 ＩＯ＝高圧ターミナル 第１図 第 図 ２５ＫＶ −１２，５ＫＶＯＶ −５ＫＶ ｖ Ｒ，−１，３０９１５ ＜ｄＲ／ｄＺ）−０，０２６７１２１ （Ｘ、？ｄＺ）： −０．０１０２３ 第 図
Claims (1)
- １、イオン源からイオン引出し系、質量分析管を含むビ
ームトランスポート系を介して大電流イオンビームを基
板に注入するイオン注入装置において、高い電位勾配を
もつようにされた三枚の穴あき電極と加減速用の二枚の
穴あき電極とから成る減速静電レンズ系を設け、イオン
源を接地電位に対して数ｋｖ〜十数ｋｖに、イオン源か
ら減速静電レンズ系までのビームトランスポート系を接
地電位に対して負の数十ｋｖに、減速静電レンズ系の第
１の穴あき電極をビームトランスポート系と同じ負の数
十ｋｖに、減速静電レンズ系の第３の穴あき電極を接地
電位に、減速静電レンズ系の第２の穴あき電極を第１の
穴あき電極と第３の穴あき電極との中間の電位に、減速
静電レンズ系の第４の穴あき電極を負の電位に、また減
速静電レンズ系の第５の穴あき電極を接地電位にそれぞ
れ保ち、減速静電レンズ系をイオンビームの減速機能と
共に集束レンズとして用いることを特徴とするイオン注
入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2106454A JP2866705B2 (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2106454A JP2866705B2 (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH046740A true JPH046740A (ja) | 1992-01-10 |
| JP2866705B2 JP2866705B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=14434043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2106454A Expired - Fee Related JP2866705B2 (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2866705B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1990
- 1990-04-24 JP JP2106454A patent/JP2866705B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US7528550B2 (en) | 2000-11-30 | 2009-05-05 | Semequip, Inc. | Ion implantation system and control method |
| US7609003B2 (en) | 2000-11-30 | 2009-10-27 | Semequip, Inc. | Ion implantation system and control method |
| GB2386247A (en) * | 2002-01-11 | 2003-09-10 | Applied Materials Inc | Ion beam generator |
| US6777882B2 (en) | 2002-01-11 | 2004-08-17 | Applied Materials, Inc. | Ion beam generator |
| GB2386247B (en) * | 2002-01-11 | 2005-09-07 | Applied Materials Inc | Ion beam generator |
| JP2009516334A (ja) * | 2005-11-15 | 2009-04-16 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | リボン状イオンビームの成形技術 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2866705B2 (ja) | 1999-03-08 |
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